JPS63120502A - 広帯域マイクロストリツプアンテナ - Google Patents
広帯域マイクロストリツプアンテナInfo
- Publication number
- JPS63120502A JPS63120502A JP61265445A JP26544586A JPS63120502A JP S63120502 A JPS63120502 A JP S63120502A JP 61265445 A JP61265445 A JP 61265445A JP 26544586 A JP26544586 A JP 26544586A JP S63120502 A JPS63120502 A JP S63120502A
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- JP
- Japan
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- conductor
- element conductor
- radiating element
- center
- radius
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 15
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は広い周波数帯域にわたって良好な放射指向性が
得られる広帯域マイクロストリップアンテナに関する。
得られる広帯域マイクロストリップアンテナに関する。
(従来の技術)
マイクロストリップアンテナは、小型軽量でありまた広
帯域にわたって動作し得ることから移動体搭載用アンテ
ナ等各種アンテナに利用が可能である。マイクロストリ
ップアンテナは、第5図に示すように地導体(51)上
に誘電体基板(52)を介して放射素子導体(53)が
配置され、この放射素子導体(53)に同軸線路(54
)やマイクロストリップ線路等により給電が行われる。
帯域にわたって動作し得ることから移動体搭載用アンテ
ナ等各種アンテナに利用が可能である。マイクロストリ
ップアンテナは、第5図に示すように地導体(51)上
に誘電体基板(52)を介して放射素子導体(53)が
配置され、この放射素子導体(53)に同軸線路(54
)やマイクロストリップ線路等により給電が行われる。
このようなマイクロストリップアンテナでは、誘電体基
板(52)として比誘電率が小さくかつ厚み(1)が大
きいものを用いることにより、その結果アンテナのQを
下げることができ広帯域化がはかられる。
板(52)として比誘電率が小さくかつ厚み(1)が大
きいものを用いることにより、その結果アンテナのQを
下げることができ広帯域化がはかられる。
しかしながら、実際には、この広帯域化に伴い所望モー
ド以外の不要モードが発生し、この不要モードがマイク
ロストリップアンテナの放射指向性に悪影響を及ぼすた
め広帯域にわたって所望の特性を得ることが困難である
。
ド以外の不要モードが発生し、この不要モードがマイク
ロストリップアンテナの放射指向性に悪影響を及ぼすた
め広帯域にわたって所望の特性を得ることが困難である
。
そこで、第6図に示すような給電方法により不要モード
を抑圧することが行われる。
を抑圧することが行われる。
すなわち、第6図(a)は直線偏波を励振する場合であ
り、中心(0)について距離rの互いに対象な位置に給
電点(A>、(B)を設け、互いに逆位相関係で給電す
るようにしたものでおる。
り、中心(0)について距離rの互いに対象な位置に給
電点(A>、(B)を設け、互いに逆位相関係で給電す
るようにしたものでおる。
また、第6図(b)は円偏波を励振する場合であり、中
心(0)について距離rの互いに対象な位置に給電点(
C)、(D)、(E)、(F)を設け、中心(0)につ
いて対象な位置にある給電点(C)と(D)、(E)と
(F)の給電位相条件をそれぞれ逆相としたものでおる
。ただし、円偏波を励振することから中心(0)に対し
て互いに直角な位置関係におる給電点についてみればそ
れぞれ90”の位相差を有する。
心(0)について距離rの互いに対象な位置に給電点(
C)、(D)、(E)、(F)を設け、中心(0)につ
いて対象な位置にある給電点(C)と(D)、(E)と
(F)の給電位相条件をそれぞれ逆相としたものでおる
。ただし、円偏波を励振することから中心(0)に対し
て互いに直角な位置関係におる給電点についてみればそ
れぞれ90”の位相差を有する。
この第6図に示すような給電方法により、給電点ペア(
A>と(B)、(C)と(D>、(E)と(F)による
それぞれの励振電界が所望モード(この場合はTM11
0モード)に関しては同相で合成され、不要モード(こ
の場合はTM210モード)に関しては逆相で合成され
る結果、不要モードを抑圧することが可能となる。
A>と(B)、(C)と(D>、(E)と(F)による
それぞれの励振電界が所望モード(この場合はTM11
0モード)に関しては同相で合成され、不要モード(こ
の場合はTM210モード)に関しては逆相で合成され
る結果、不要モードを抑圧することが可能となる。
しかしながら、第5図に示すマイクロストリップアンテ
ナでは、上記したように基本的にアンテナのQを下げる
ことにより広帯域化をはかっていることから、所望モー
ドだけではなく不要モードに対するQも低くなってしま
う。
ナでは、上記したように基本的にアンテナのQを下げる
ことにより広帯域化をはかっていることから、所望モー
ドだけではなく不要モードに対するQも低くなってしま
う。
したがって、第7図に示すように所望モード(1M11
oモード)の共振周波数foにおいて、Qが高い場合は
不要モード(TM21oモード)の発生成分はごくわず
かであるが、Qが低くなるとその発生成分(S)が増大
し、このため、たとえ第6図に示す給電方法を用いても
必ずしも十分に不要モードを抑圧することができない場
合があった。
oモード)の共振周波数foにおいて、Qが高い場合は
不要モード(TM21oモード)の発生成分はごくわず
かであるが、Qが低くなるとその発生成分(S)が増大
し、このため、たとえ第6図に示す給電方法を用いても
必ずしも十分に不要モードを抑圧することができない場
合があった。
また、第5図に示すように地導体(51)側から同軸線
路(54)等にて給電する場合では、誘電体基板(52
)の厚み(1)を増すとそれだけ誘電体基板(52)内
に挿入される同軸線路(54)の中心導体(55)が長
くなり、これに伴いリアクタンス成分も増大するためイ
ンピーダンス整合がとり難いという問題がめった。
路(54)等にて給電する場合では、誘電体基板(52
)の厚み(1)を増すとそれだけ誘電体基板(52)内
に挿入される同軸線路(54)の中心導体(55)が長
くなり、これに伴いリアクタンス成分も増大するためイ
ンピーダンス整合がとり難いという問題がめった。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来のマイクロストリップアンテナでは、そ
の広帯域化に際し、必ずしも十分に不要モードを抑圧す
ることができないとともに、同軸線路等で給電する場合
にはインピーダンス整合がとり難いという問題点があっ
た。
の広帯域化に際し、必ずしも十分に不要モードを抑圧す
ることができないとともに、同軸線路等で給電する場合
にはインピーダンス整合がとり難いという問題点があっ
た。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので不要モードを十分抑圧して広帯域化がはか
れるとともに、同軸線路等で給電する場合でもインピー
ダンス整合が容易にとれる広帯域マイクロストリップア
ンテナを提供することを目的とする。
されたもので不要モードを十分抑圧して広帯域化がはか
れるとともに、同軸線路等で給電する場合でもインピー
ダンス整合が容易にとれる広帯域マイクロストリップア
ンテナを提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明による広帯域マイクロストリップアンテナは、放
射素子導体の中心について互いに対象な位置に互いに逆
位相で給電される給電点を設け、かつこの放射素子導体
の放射面側に、半径R2がRt <R2≦1.3R,(
ただし、R1は放射素−二 〇 子導体の半径)の範囲にある導体を配置するよう構成さ
れる。
射素子導体の中心について互いに対象な位置に互いに逆
位相で給電される給電点を設け、かつこの放射素子導体
の放射面側に、半径R2がRt <R2≦1.3R,(
ただし、R1は放射素−二 〇 子導体の半径)の範囲にある導体を配置するよう構成さ
れる。
(作 用)
本発明による広帯域マイクロストリップアンテナでは、
放射素子導体と放射面側に配置された導体との寸法差に
基づき、複共振が生じる。また、放射素子導体の中心に
ついて互いに対象な位置に設けられた給電点の給電条件
を逆位相とすることにより広帯域化に伴い生じる不要モ
ード成分が抑圧される。この場合、複共振を利用して広
帯域化がはかられるため、Qを下げた場合に比べて不要
モードの発生量は比較的少なく、これを十分抑圧するこ
とができる。
放射素子導体と放射面側に配置された導体との寸法差に
基づき、複共振が生じる。また、放射素子導体の中心に
ついて互いに対象な位置に設けられた給電点の給電条件
を逆位相とすることにより広帯域化に伴い生じる不要モ
ード成分が抑圧される。この場合、複共振を利用して広
帯域化がはかられるため、Qを下げた場合に比べて不要
モードの発生量は比較的少なく、これを十分抑圧するこ
とができる。
(実施例)
以下、本発明による広帯域マイクロストリップアンテナ
の一実施例を第1図乃至第4図を参照して説明する。第
1図は直線偏波を励振する例であり、第2図は円偏波を
励振する例を示している。
の一実施例を第1図乃至第4図を参照して説明する。第
1図は直線偏波を励振する例であり、第2図は円偏波を
励振する例を示している。
第1図及び第2図において、地導体(11)上に半径R
7の比較的Qの高い放射素子導体(12)が設けられ、
放射素子導体(12)上には径R2で非励振の導体(1
3)が配置される。地導体(11)と放射素子導体(1
2)との間、放射素子導体(12)と導体(13)との
間には、図示しないがそれぞれ誘電体層または空気層が
設けられる。空気層の場合には放射素子導体(12)ま
たは導体(13)を支持するポストが必要となるが、放
射素子導体(12)については給電用の中心導体(18
) 、 (17) 。
7の比較的Qの高い放射素子導体(12)が設けられ、
放射素子導体(12)上には径R2で非励振の導体(1
3)が配置される。地導体(11)と放射素子導体(1
2)との間、放射素子導体(12)と導体(13)との
間には、図示しないがそれぞれ誘電体層または空気層が
設けられる。空気層の場合には放射素子導体(12)ま
たは導体(13)を支持するポストが必要となるが、放
射素子導体(12)については給電用の中心導体(18
) 、 (17) 。
(22)〜(25)でポストを兼ねることもできる。
第1図で放射素子導体(12)の給電点(A)。
(B)は中心(0)について対象な位置にあり、それぞ
れ例えば同軸線路(14) 、 (15)の中心導体
(1B>、 (17)により逆位相で給電される。
れ例えば同軸線路(14) 、 (15)の中心導体
(1B>、 (17)により逆位相で給電される。
また、第2図では、放射素子導体(12)の給電点(C
)と(D>、(E)と(F)は、それぞれ中心(0)に
ついて対象な位置にあり、例えば同軸線路(18)と(
19)、 (20)と(21)により互いに逆位相で
給電される。ただし、第2図のものでは、基本モードで
円偏波を励振するため円周方向で互いに隣り合う給電点
は中心(0)について直角の位置関係にあり、かつ互い
に90’の給電位相差を有する。
)と(D>、(E)と(F)は、それぞれ中心(0)に
ついて対象な位置にあり、例えば同軸線路(18)と(
19)、 (20)と(21)により互いに逆位相で
給電される。ただし、第2図のものでは、基本モードで
円偏波を励振するため円周方向で互いに隣り合う給電点
は中心(0)について直角の位置関係にあり、かつ互い
に90’の給電位相差を有する。
第1図及び第2図において非励振の導体(13)は放射
素子導体(12)よりも若干大きいものが用いられるの
で、放射素子導体(12)を励振するとその大きさの違
いに基づき複共振が生じる。すなわち、放射電力対周波
数の特性は、第3図に示すように周波数f、、f2でピ
ークを有したものとなる。ただし、周波数f2は放射素
子導体(12)の共振周波数2周波数f1は導体(13
)の共振周波数である。この第3図では第7図と比較し
て明らかなように、低電力領域での周波数幅をそれ程広
げずに高電力領域での周波数幅を拡げることができる。
素子導体(12)よりも若干大きいものが用いられるの
で、放射素子導体(12)を励振するとその大きさの違
いに基づき複共振が生じる。すなわち、放射電力対周波
数の特性は、第3図に示すように周波数f、、f2でピ
ークを有したものとなる。ただし、周波数f2は放射素
子導体(12)の共振周波数2周波数f1は導体(13
)の共振周波数である。この第3図では第7図と比較し
て明らかなように、低電力領域での周波数幅をそれ程広
げずに高電力領域での周波数幅を拡げることができる。
したがって周波数ft 、Lが所望帯域の中心周波数f
0の両側に位置するように設定すれば、Q特性のすそ野
をそれほど広げずに広帯域化ができる。つまり、非励振
の導体(13)を放射素子導体(12)上に装荷する方
法では、不要高次モードの影響を比較的低く押えた上で
広帯域化をはかることが可能であり、第3図に示すよう
に所望帯域内に生じる不要モード(この場合はTM21
0モード)成分は第7図のQが低い場合と比較してわず
かである。そして、このわずかでも生じる不要モード成
分は、放射素子導体(12)の中心について対象な位置
に設けられた給電点の給電位相差を互いに180°とす
ることにより十分抑圧することが可能となり、したがっ
て広帯域にわたって良好な放射指向特性及び軸比特性が
得られる。
0の両側に位置するように設定すれば、Q特性のすそ野
をそれほど広げずに広帯域化ができる。つまり、非励振
の導体(13)を放射素子導体(12)上に装荷する方
法では、不要高次モードの影響を比較的低く押えた上で
広帯域化をはかることが可能であり、第3図に示すよう
に所望帯域内に生じる不要モード(この場合はTM21
0モード)成分は第7図のQが低い場合と比較してわず
かである。そして、このわずかでも生じる不要モード成
分は、放射素子導体(12)の中心について対象な位置
に設けられた給電点の給電位相差を互いに180°とす
ることにより十分抑圧することが可能となり、したがっ
て広帯域にわたって良好な放射指向特性及び軸比特性が
得られる。
また、Qを低くするために放射素子導体(12)と地導
体(11)との間の誘電体層を厚くする必要もないので
、第5図に示す如く同軸線路(54)等で給電する場合
でもその中心導体(55)が長くなってリアクタンス成
分が増大するようなことはなく中心導体(55)の影響
も小さくインピーダンス整合も比較的容易にとることが
できる。
体(11)との間の誘電体層を厚くする必要もないので
、第5図に示す如く同軸線路(54)等で給電する場合
でもその中心導体(55)が長くなってリアクタンス成
分が増大するようなことはなく中心導体(55)の影響
も小さくインピーダンス整合も比較的容易にとることが
できる。
第4図は非励振の導体(13)が装荷されたマイクロス
トリップアンテナに複共振が生じる原理を説明する図で
ある。すなわち、放射素子導体(12)は励振されると
そのエツジ(121)から漏れ電界(P)が生じる。一
方、放射素子導体(12)の放射面側には非励振の導体
(13)が装荷されているので、この導体(13)のエ
ツジ(131)が漏れ電界(P)の強い領域内にあると
カップリングが起こり複共振が生じるようになる。導体
(13)が放射素子導体(12)に比し小さくてもまた
大きすぎてもこのカップリングは起こらず複共振は生じ
ない。
トリップアンテナに複共振が生じる原理を説明する図で
ある。すなわち、放射素子導体(12)は励振されると
そのエツジ(121)から漏れ電界(P)が生じる。一
方、放射素子導体(12)の放射面側には非励振の導体
(13)が装荷されているので、この導体(13)のエ
ツジ(131)が漏れ電界(P)の強い領域内にあると
カップリングが起こり複共振が生じるようになる。導体
(13)が放射素子導体(12)に比し小さくてもまた
大きすぎてもこのカップリングは起こらず複共振は生じ
ない。
いま、第4図において、放射素子導体(12)の半径を
R1,放射素子導体(12)と地導体(11)間の誘電
体層の比誘導率をεr、その厚みをdとすると、漏れ電
界(P)によって仮定される等価的な放射素子導体の半
径R1は と近似することができる。この半径R4′は全く漏れ電
界がないと仮定したときの放射素子導体の半径であり、
このような放射素子導体が実際の漏れ電界を有するマイ
クロストリップアンテナと電気的に等価となるために必
要な半径を意味する。
R1,放射素子導体(12)と地導体(11)間の誘電
体層の比誘導率をεr、その厚みをdとすると、漏れ電
界(P)によって仮定される等価的な放射素子導体の半
径R1は と近似することができる。この半径R4′は全く漏れ電
界がないと仮定したときの放射素子導体の半径であり、
このような放射素子導体が実際の漏れ電界を有するマイ
クロストリップアンテナと電気的に等価となるために必
要な半径を意味する。
従って、言いかえれば、その半径がR1よりも大きい非
励振導体を放射素子導体の上に載せたのでは、十分な結
合が得られず、所望の複共振を得ることができない。も
ちろん放射素子導体よりも小ざい非励振導体でも十分な
結合が得られないことは第4図からも明らかである。
励振導体を放射素子導体の上に載せたのでは、十分な結
合が得られず、所望の複共振を得ることができない。も
ちろん放射素子導体よりも小ざい非励振導体でも十分な
結合が得られないことは第4図からも明らかである。
このように使用する非励振導体(13)の半径R2には
おのずと条件が必り、厳密には式(1)からもわかるよ
うに使用する基板の厚ざd、比誘電率εr、及び放射素
子導体(12)の半径R1に依存するが、一般にはR+
<R2<1.3R+の範囲にあることが必要である。
おのずと条件が必り、厳密には式(1)からもわかるよ
うに使用する基板の厚ざd、比誘電率εr、及び放射素
子導体(12)の半径R1に依存するが、一般にはR+
<R2<1.3R+の範囲にあることが必要である。
したがって、非励振の導体(13)の大きざについてそ
の半径R2がR8≦R2≦1.3R+の範囲にあるよう
にすれば良好な周波数特性が得られる。
の半径R2がR8≦R2≦1.3R+の範囲にあるよう
にすれば良好な周波数特性が得られる。
なお、放射素子導体(12) 、導体(13)の形状は
円形に限らず他の形状でもよい。
円形に限らず他の形状でもよい。
また、給電方法も同軸線路に限らずマイクロストリップ
線路による給電等地の方法でもよい。
線路による給電等地の方法でもよい。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明による広帯域マイクロストリ
ップアンテナによれば、不要モードを十分抑圧して広帯
域化をはかれるとともに、インピーダンス整合も容易に
とることが可能で実用上の効果は大である。
ップアンテナによれば、不要モードを十分抑圧して広帯
域化をはかれるとともに、インピーダンス整合も容易に
とることが可能で実用上の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ直線偏波を励振する場合、
円偏波を励振する場合の本発明による広帯域マイクロス
トリップアンテナの一実施例を説明する構成図、第3図
は本発明による広帯域マイクロストリップアンテナの一
実施例における周波数特性を表す図、第4図は非励振の
導体を装荷することにより生じる複共振を説明する図、
第5図乃至第7図は従来の広帯域マイクロストリップア
ンテナを説明する図である。 (11)・・・地導体、 (12)・・・放射素子導
体。 (13)・・・導体。 (^)、 (B)、 (C)、 (D)、 (E)、
(F)・・・給電点。
円偏波を励振する場合の本発明による広帯域マイクロス
トリップアンテナの一実施例を説明する構成図、第3図
は本発明による広帯域マイクロストリップアンテナの一
実施例における周波数特性を表す図、第4図は非励振の
導体を装荷することにより生じる複共振を説明する図、
第5図乃至第7図は従来の広帯域マイクロストリップア
ンテナを説明する図である。 (11)・・・地導体、 (12)・・・放射素子導
体。 (13)・・・導体。 (^)、 (B)、 (C)、 (D)、 (E)、
(F)・・・給電点。
Claims (1)
- 中心について互いに対象な位置に互いに逆相で給電され
る複数の給電点を有し、かつ半径がR_1の放射素子導
体と、この放射素子導体について給電側とは反対側に配
置されかつ半径R_2がR_1≦R_2≦1.3R_1
の範囲にある導体とを具備する広帯域マイクロストリッ
プアンテナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61265445A JPS63120502A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 広帯域マイクロストリツプアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61265445A JPS63120502A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 広帯域マイクロストリツプアンテナ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63120502A true JPS63120502A (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17417251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61265445A Pending JPS63120502A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 広帯域マイクロストリツプアンテナ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63120502A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008199113A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナ組立体 |
JP4875163B2 (ja) * | 2006-10-09 | 2012-02-15 | イーエムダブリュ カンパニー リミテッド | 直接給電型パッチアンテナ |
KR101115157B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2012-02-24 | 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍) | 삼중 편파 패치 안테나 |
WO2019116756A1 (ja) * | 2017-12-14 | 2019-06-20 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュールおよびアンテナ装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1986
- 1986-11-10 JP JP61265445A patent/JPS63120502A/ja active Pending
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