JPS63116128A

JPS63116128A - 光学変調装置

Info

Publication number: JPS63116128A
Application number: JP61262460A
Authority: JP
Inventors: Osamu Taniguchi; 修谷口; Yoshihiro Onitsuka; 義浩鬼束; Tadashi Mihara; 三原　正
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-11-04
Filing date: 1986-11-04
Publication date: 1988-05-20
Also published as: JPH0535848B2; US4927243A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の分野〕本発明は、強誘電性液晶素子の様な電界方向に応じてコ
ントラストを識別することができる光学変調素子の駆動
法に関する。

〔従来技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク（Ｃ１ａｒｋ）およびラガーウオル（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ　）により提案されている（特開昭５６−１
０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相
（ＳｍＨ’）を有し、この状態において、加えられる電
界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち、双安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならび
に記憶型の表示素子としての広い利用が期待されている
。

前述した強誘電性液晶素子は、例えば英国公開明細書第
２１４１２７９号公報に開示された駆動法によって、画
像情報の書込みがなされている。前述の公開公報によれ
ば、強誘電性液晶素子に組込まれた走査線を順次選択し
、第１位相で選択された走査線上の全又は所定数の画素
に該画素の光学状態が一方の光学状態（例えば、“光透
過状態（白）”とする）となる一方極性電圧を印加し、
第２位相で選択された走査線上の全又は所定数の画素の
うち、選択された画素に、該画素の光学状態が他方の光
学状態（例えば、“光遮断状態（黒）”とする）となる
他方極性の電圧を印加することによって線順次走査書込
みが行われる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

一般に、強誘電性液晶素子は、クラークらが発表した様
な双安定状態を形成することが難かしく、単安定状態を
形成する傾向が強い。このため、強誘電性液晶素子を用
いた表示パネルに前述の駆動法により静止画像を形成し
た後、電圧を解除することによって静止画像を表示する
場合では、この静止画像が消失してしまう問題点があっ
た。

そこで、前述の問題点を解決するためには、走査線に順
次走査信号を順次印加する所定期間（例えば、１フィー
ルド又は１フレーム）を周期的に逐次繰返すことによっ
て線順次書込みを行う駆動方式（リフレッシュ駆動方式
という）の適用が可能である。つまり、強誘電性液晶パ
ネルに静止画像を書込むに当って、静止画像を生じる情
報信号を逐次周期的に繰返し印加することによって、安
定な静止画像を表示することができる。

しかしながら、この様なリフレッシュ駆動方式で、前述
した第１位相（１ラインクリヤ位相）と第２位相（書込
み位相）での駆動電圧を強誘電性液晶パネルに印加する
と一方極性の実効的なバイアス電圧が液晶材料に印加さ
れ、このために液晶材料に劣化を生じさせたり、表示パ
ネルとしてのスイッチング特性を悪化させていた。又、
このバイアス電圧を小さくした場合では、駆動回路に不
必要に高い電圧が必要となり、駆動回路のコストが高く
なる問題点があった。

従って、本発明は、前述の問題点を解決した光学変調素
子、特に強誘電性液晶素子の様な電界方向に応じてコン
トラストを識別することができる光学変調素子の新規な
駆動法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は、走
査線とデータ線との交差部で形成した画素をマトリクス
状に配列し、該画素に印加した電圧の電界方向に応じて
該画素が第１の光学状態と第２の光学状態を生じる光学
変調素子の駆動法において、走査線を順次選択し、選択
された走査線上の全又は所定数の画素に、該画素の光学
状態が一方の光学状態となる一方極性の電圧ｖＲを印加
する第１位相と、選択された走査線上の全又は所定数の
画素に、該画素の第１の光学状態を他方の光学状態に反
転させる他方極性の電圧ｖ３と該画素の第１の光学状態
を変えない他方極性の電圧ｖｆｔとを選択的に印加する
第２位相とを有し、前記選択された走査線上の画素に印
加される単一極性電圧の最小印加時間を△ｔとし、且つ
前記画素の一方又は他方の光学状態から他方又は一方の
光学状態への反転が飽和した時の電圧を飽和閾値Ｖｓａ
ｔとした時、前記電圧ＶＲの印加時間が最小印加時間△
ｔを越えた時間を有しているとともに、第２位相で前記
電圧ｖｈを印加する画素に、第１位相の時に印加する電
圧ＶＲの最大振巾ｖｉｌが絶対値で前記最小印加時間△
ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔを越えない振巾を有し
ている点、特に所定期間（例えば１フレーム又は１フィ
ールド）での線順次書込みを周期的に逐次繰返すリフレ
ッシュ駆動方式を適用した点に特徴゛を有する光学変調
素子の駆動法である。

〔実施例〕

第１図と第２図は、本発明で用いた駆動法の波形図であ
る。又、第３図は、本発明で用いたマトリクス電極を配
置した強誘電性液晶パネル３１の平面図である。第３図
のパネル３１には、走査線３２とデータ線３３とが互い
に交差して配線され、その交差部の走査線３２とデータ
線３３との間には強誘電性液晶が配置されている。又、
第３図中、３４は走査回路、３５は走査側駆動電圧発生
回路、３６は信号側駆動電圧発生回路、３７はラインメ
モリー、３８はシフトレジスタを表わしている。

第１図（Ａ）中の８８は選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉｓ
　　Ｓｓ）と（ＩＮ　　Ｓ、）は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ　　Ｓｓ）が印
加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ｒ、　−Ｓ
Ｓ　）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）に示す駆動波形で第３図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第１図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ１．位相の時間
が２Δｔに設定されている。この際、本発明では、１ラ
インクリヤ位相ｔ１の好ましい時間を２△ｔ〜１０△ｔ
に設定することが可能であるが、特に図示する如（１ラ
インクリヤ位相　ｔｌの時間を２△ｔに設定するのが適
している。又、第１図に示す駆動例ではｌラインクリヤ
位相ｔ、で画素（１，−Ｓｇ　）に印加される電圧ＶＲ
の最大振巾ＶＡ　（＝　ｌ　　Ｖｓｌ　）と最小印加時
間△ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔとの間でＶｊ、　
＜　ＩＶｓａｔ　ｌの関係を有しており、好ましくは最
小印加時間△ｔを基準にした反転閾値Ｖｔｈとの間でＶ
ム≦１Ｖｔｈ１、特ｉニーＩＶｓａｔｌ　≦Ｖｉｌ≦１
Ｖｔｈｌ　（７）関係を有している。さらに、第１図に
示す駆動例では、電圧Ｖ６の最大振巾ｌ　ｖｓ　２　＋
ＶＩ　ｌとｖ５．の最大振巾が絶対値で最小印加時間△
ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔ以上に設定され、又電
圧ｖＡの最大振巾ｌ　ＶＲ　ｌが絶対値で最小印加時間
△ｔを基準にした反転閾値Ｖｔｈを越えない値に設定さ
れる。

第１図に示す駆動例では選択された走査線に印加する走
査選択信号は、■３．と一■、２の電圧に設定した交流
電圧（正極性と負極性は、選択されない走に設定されて
いるが本発明ではｌｖｓ＋ｌ≧１Ｖｓ２１とすることが
できる。従って、本発明では、１ラインクリヤ位相Ｔ１
で画素（Ｉｓ　　Ｓｓ）に印加される電圧Ｖ貢の最大振
巾ｖ４は、書込み位相ｔ２で印加される電圧Ｖムの最大
振巾１ｖ１１の２倍以上又は３倍以上、好ましくは２倍
又は３倍に設定され、又１ラインクリヤ位相ｔ１で画素
（Ｉｓ　　Ｓｓ）に印加される電圧■３の最大振巾ＶＷ
は、書込み位相ｔ２で印加される電圧ｖ轟の最大振巾ｌ
　Ｖｓ　２　＋Ｖ　２　ｌと等しいか又はそれ以上の振
巾に設定することができる。又、本発明では、電圧ｖ轟
の最大振巾を電圧ＶＡの最大振巾の２倍以上、又は３倍
以上、好ましくは２倍又は３倍に設定することができる
。

本発明の好ましい具体例では、前述した第１図に示す駆
動波形で走査線毎に順次書込むステップ（このステップ
の期間を１フレーム又はｌフィールドとする）を周期的
に逐次繰返すことによって、静止画又は動画を表示する
ことができる。

本発明の駆動法では１ラインクリヤ位相ｔ、で画素（Ｉ
Ｎ　−ｓｓ　）に印加される電圧ＶＲは、その電圧印加
時間を最小印加時間△ｔを越えた時間（第１図及び第２
図では２Δｔ）とした時に強誘電性液晶の飽和閾値Ｖｓ
ａｔを越える様に設定されている。第６図は、飽和閾値
Ｖｓａｔ及び反転閾値Ｖｔｈの電圧印加時間依存性を示
す特性図である。第６図中の６１は、反転閾値Ｖｔｈの
特性曲線で、６２は飽和閾値Ｖｓａｔの特性曲線を明ら
かにしている。

尚、本明細書に記載の「反転閾値Ｖｔｈ　Ｊは、一方の
光学状態下にある画素に他方の光学状態を生じる電圧を
印加した時、画素の光学率（透過率又は遮光率）が印加
電圧の上昇に応じて急激な変化を開始した時の電圧であ
って、第４図中に電圧Ｖｔｈによって表わされる。又、
「飽和閾値Ｖｓａｔ　Ｊは、前述の印加電圧の上昇に応
じた光学率の変化が飽和した時の電圧であつて、第４図
中の電圧Ｖｓａｔによって表わされる。第５図は、印加
電圧の上昇に応じた画素内の強誘電性液晶の配向状態を
模式的に示したもので、第５図（ａ）は第４図中の電圧
ａ、第５図（ｂ）は第４図中の電圧ｂ１第５図（Ｃ）は
第４図中の電圧Ｃ１第５図（ｄ）は第４図中の電圧ｄ１
第５図（ｅ）は第４図中の飽和閾値電圧Ｖｓａｔにそれ
ぞれ対応している。第５図（ａ）〜（ｅ）によれば、印
加電圧の上昇に応じて白のドメイン５２に部分的に生じ
ている黒のドメイン５１の面積が増大することが明らか
にされている。

第２図は、本発明の別の駆動例を表わしている。

第２図に示す駆動例では、選択された走査線に印加する
走査選択信号＆は、■、と一■、の電圧に設定した交流
電圧（正極性と負極性は、選択されない走査線の電位を
基準にした）で、その振巾を等しくした電圧を用いてお
り、データ線から印加する電圧Ｖ＋（Ｖ＋）との間テＩ
Ｖｓｌ　＝　２１Ｖ＋ｌ　（’）値になる様にそれぞれ
の振巾を設定している。

又、第２図に示す駆動法では、ｌラインクリヤ位相ｔ１
で画素（Ｉ、　−Ｓｓ　’）に印加される電圧ｖＲは、
その電圧印加時間を最小印加時間△ｔの２倍の時間に設
定した時に強誘電性液晶の飽和閾値Ｖｓａｔを越える様
に設定されているが、こめ電圧もでは波高値−Ｖｓと−
Ｖｓ＋Ｖ＋＝　　Ｖ＋が異なっており、且つそれぞれの
波高値は最小印加時間△ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａ
ｔより小さく設定されている。このため、第２図に示す
駆動例では、画素に印加される一方極性の実効的なバイ
アス成分を低い値に抑えることができ、さらに走査選択
信号＆で用いた電圧ｖｓ（ｖｉ）を小さい電圧とするこ
とが可能であるため、走査側駆動回路の耐圧依存性を低
下させることができる。

ところで、例えばテレビ画像のように逐一変化するよう
な画像を表示する場合には、下達する強誘電性液晶素子
の如く記憶型の素子であっても、前述したリフレッシュ
駆動を行う必要がある。リフレッシュ駆動の場合には、
液晶材料の劣化や素子特性の悪化等を考慮すると、極力
実効的バイアス電圧ガ小さいことが望ましい。

本発明者等の実験によれば、リフレッシュ駆動の場合で
はｌラインクリヤ位相ｔ１で印加される電圧ｖｌｌ（画
素（１，−Ｓｓ　）に印加される電圧ＶＲ）と書込み位
相ｔ２で印加される電圧ＶＷが必ずしも最小印加時間△
ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔ以上である必要がない
ことが見い出された。即ち、リフレッシュ駆動において
、各フレーム又は各フィールド毎に同一位相の走査選択
信号が繰り返し印加される場合には、電圧ＶＲ（画素（
１，−Ｓｓ　）に印加される電圧ｖｌｌ）とｖ轟が最小
印加時間△ｔを基準にした反転閾値Ｖｔｈ以上であれば
十分であることが判明した。

従って、本発明ではリフレッシュ駆動の場合では、走査
選択信号Ｓｓの電圧ＶＲ又はｖｓｌが絶対値で最小印加
時間△ｔを基準にした反転閾値Ｖｔｈ以下であってもよ
いことになる。この際、ｌ　ｖｓ　ｌ又はｌ　　ＶＳ□
１は、最大振巾ＶＡに相当している。特に、本発明では
、前述した様にｖム≧二ｌ　Ｖｓａｔ　ｌ　（Ｖｓａｔは最小印加時間
△ｔを基準にした飽和閾値である）に設定するのが好ま
しい。

尚、第４図〜第６図に示す図面は、液晶材料としてエス
テル系の混合液晶であるチッソ社製のｒｃｓ１０１４Ｊ
（商品名）を用いた１μｍギャップの液晶セルである。

又、液晶セル内には配向制御膜としてラビング処理した
ポリビニルアルコール膜が使用された。

この液晶材料の相転移は以下のとおりであった。

ＳｍＣ＊；カイラルスメクチックＣ相ＳｍＡ　　；スメクチックＡ相Ｃｈ；コレステリック相Ｉｓｏ　　Ｈ等方相又、第１図及び第２図に示す駆動例で用いた電圧トシテ
ハ、ＶＪ　＝　１５　Ｖ　、　　ｖｉ　＝　　１０　Ｖ
　、　ｌ±ＶＲ１＝５Ｖ。

１±■５１＝ｌＯｖであったが、この電圧を使用したり
フレッシュ駆動及びメリメモリー駆動（１フレ一ム期間
で書込み後、印加電圧を解除したメモリー状態とした）
で、良好な静止画の表示が得られた。

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少なく
とも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶、が用い
られる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ
相（ＳｍＣ＊）、又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適してい
る。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール
・ド・フィシツク・ルーチル”　（’Ｌｅ　　Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　　ｄｅｐｈｙｓｉｏｖｅ　　１ｅｔｔｅｒ″）
３６巻（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレクトリ
ック・リキッド・クリスタルスＪ　（ｒＦｅｒｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ）
　；“アプライド・フィジックス・レターズ″（“Ａｐ
ｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）
３６巻（１１号）　１９８０年の「サブミクロン・セカ
ンド・バイスティプル・エレクトロオプティック・スイ
ツチング・イン・リキッド・クリスタルＪ　（ｒ　Ｓｕ
ｂｍｉｃｒ。

５ｅｃｏｎｄ　　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ　　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ’）　；　”固体物理１６　（
１４１）１９８１　ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー）−（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ’−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ＊相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ＊、　ＳｍＨ＊の他にカイ
ラルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で現わ
れる強誘電性液晶を用いることも可能である。

第７図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。７１ａと７１ｂは、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２やＩ
ＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層７２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相の液晶が封入されている。太線で示した線７３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子７３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ土）７４を有し
ている。基板７１ａと７１ｂ上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子７３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ土）７４はすべて電界、方
向に向くよう、液晶分子７３の配向方向を変えることが
できる。液晶分子７３は細長い形状を有しており、その
長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配
置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解さ
れる。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例
えば１μ）には、第８図に示すように電界を印加してい
ない状態でも液晶分子のらせん構造は、はどけ、その双
極子モーメントＰａ又はｐｂは上向き（８４ａ）又は下
向き（８４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに第８図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界
Ｅａ又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメント
は電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対して上向き８４
ａ又は、下向き８４ｂと向きを変え、それに応じて液晶
分子は第１の安定状態８３ａかあるいは第２の安定状態
８３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第８図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態８３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態８３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、−般的には０．５μ〜
２０μ、特に１μ〜５μが適している。

発明の詳細な説明したように、本発明によれば前述したクロストー
クのない駆動が可能になるとともに、バイアス電圧を減
少させ、リフレッシュ動作に適した駆動を行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び第２図（Ａ）は本発明で用いた駆動波
形の波形図で、第１図（Ｂ）及び第２図（Ｂ）はそれを
用いた時の時系列駆動波形図である。第３図は、本発明
で用いた強誘電性液晶装置の平面図である。第４図は画
素に電圧を印加した時の透過光量特性を表わした特性図
で、第５図はその時のドメイン状態を模式的に表わし°
た説明図で、第６図は強誘電性液晶画素の反転闇値と飽
和閾値に対する印加電圧と印加時間依存性を表わした特
性図である。第７図と第８図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子を
模式的に表わした斜視図である。第１図（Ａ）ＳＮ　　　Ｏ− 第ｚ区ＬＡ）ＳＮ　　、Ｏ− 第４図ｔｐ刀口ｔＪｉ（ｖ）光量／電几のグラフ第６図ｖ（ＶＯＬｔ）第７図第８区

Claims

【特許請求の範囲】

（１）走査線とデータ線との交差部で形成した画素をマ
トリクス状に配列し、該画素に印加した電圧の電界方向
に応じて該画素が第１の光学状態と第２の光学状態を生
じる光学変調素子の駆動法において、走査線を順次選択
し、選択された走査線上の全又は所定数の画素に、該画
素の光学状態が一方の光学状態となる一方極性の電圧Ｖ
＿Ｒを印加する第１位相と、選択された走査線上の全又
は所定数の画素に、該画素の第１の光学状態を他方の光
学状態に反転させる他方極性の電圧Ｖ＾２＾＿Ｂと該画
素の第１の光学状態を変えない他方極性の電圧Ｖ＾１＿
Ｂとを選択的に印加する第２位相とを有し、前記選択さ
れた走査線上の画素に印加される単一極性電圧の最小印
加時間を△ｔとし、且つ前記画素の一方又は他方の光学
状態から他方又は一方の光学状態への反転が飽和した時
の電圧を飽和閾値Ｖｓａｔとした時、前記電圧Ｖ＿Ｒの
印加時間が最小印加時間△ｔを越えた時間を有している
とともに、第２位相で前記電圧Ｖ＾１＿Ｂを印加する画
素に、第１位相の時に印加する電圧Ｖ＿Ｒの最大振巾Ｖ
＾１＿Ｒが絶対値で前記最小印加時間△ｔを基準にした
飽和閾値Ｖｓａｔを越えない振巾を有することを特徴と
する光学変調素子の駆動法。
（２）走査線に走査信号を順次印加する所定期間を周期
的に逐次繰返す特許請求の範囲第１項記載の駆動法。
（３）第２位相で前記電圧Ｖ＾１＿Ｂを印加する画素に
、第１位相の時に印加する電圧Ｖ＿Ｒの最大振巾をＶ＾
１＿Ｒとし、且つ第２位相で前記電圧Ｖ＾２＿Ｂを印加
する画素に、第１位相の時に印加する電圧Ｖ＿Ｒの最大
振巾をＶ＾２＿Ｒとした時、Ｖ＾１＿Ｒ、Ｖ＾２＿Ｒと
前記最小印加時間△ｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔと
の間でＶ＾１＿Ｒ＜｜Ｖｓａｔ｜≦Ｖ＾２＿Ｒの関係を有している特許請求の範囲第１項記載の駆動法
。
（４）一方の光学状態にある画素に、他方の光学状態を
生じる電圧を前記最小印加時間△ｔで印加した時、画素
の光学率が印加電圧の上昇に応じて急激な変化を開始す
る時の電圧を反転閾値Ｖｔｈとした時、かかる反転閾値
Ｖｔｈと前記最大振巾Ｖ＾１＿Ｒとの間で、Ｖ＾１＿Ｒ≦｜Ｖｔｈ｜の関係を有している特許請求の範囲第１項記載の駆動法
。
（５）前記Ｖ＾１＿Ｒ、Ｖｔｈと前記最小印加時間△ｔ
を基準にした飽和閾値Ｖｓａｔとの間で１／３｜Ｖｓａｔ｜≦Ｖ＾１＿Ｒ≦｜Ｖｔｈ｜の関係を
有している特許請求の範囲第４項記載の駆動法。
（６）前記電圧Ｖ＿Ｒの印加時間が２△ｔ〜１０△ｔで
ある特許請求の範囲第１項記載の駆動法。
（７）前記電圧Ｖ＿Ｒの印加時間が２△ｔである特許請
求の範囲第１項記載の駆動法。
（８）前記Ｖ＾１＿Ｒが電圧Ｖ＾１＿Ｂの最大振巾の２
倍以上の振巾である特許請求の範囲第３項記載の駆動法
。
（９）前記Ｖ＾１＿Ｒが電圧Ｖ＾１＿Ｂの最大振巾の３
倍以上の振巾である特許請求の範囲第３項記載の駆動法
。
（１０）前記Ｖ＾２＿Ｒが電圧Ｃ＾２＿Ｂの最大振巾よ
り大きい振巾である特許請求の範囲第３項記載の駆動法
。
（１１）前記Ｖ＾２＿Ｒが電圧Ｖ＾２＿Ｂの最大振巾と
等しい振巾である特許請求の範囲第３項記載の駆動法。
（１２）前記電圧Ｖ＾２＿Ｂの最大振巾が前記電圧Ｖ＾
１＿Ｂの最大振巾の２倍以上の振巾である特許請求の範
囲第１項記載の駆動法。
（１３）前記電圧Ｖ＾２＿Ｂの最大振巾が前記電圧Ｖ＾
１＿Ｂの最大振巾の３倍以上の振巾である特許請求の範
囲第１項記載の駆動法。
（１４）走査線とデータ線との交差部に、電圧の電界方
向に応じて第１の安定状態と第２の安定状態を生じる光
学変調物質が配置されている特許請求の範囲第１項記載
の駆動法。
（１５）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請
求の範囲第１４項記載の駆動法。
（１６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
である特許請求の範囲第１５項記載の駆動法。
（１７）前記カイラルスメクチツク液晶の膜厚がらせん
構造を消失するのに十分に薄い膜厚に設定されている特
許請求の範囲第１６項記載の駆動法。
（１８）前記カイラルスメクチツク液晶がカイラルスメ
クチツクＣ又はＨ液晶である特許請求の範囲第１７項記
載の駆動法。
（１９）前記所定周期が１フレーム又は１フィールドで
ある特許請求の範囲第２項記載の駆動法。