JPS63114473A - 電荷結合撮像素子とその駆動方法 - Google Patents
電荷結合撮像素子とその駆動方法Info
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- JPS63114473A JPS63114473A JP61258380A JP25838086A JPS63114473A JP S63114473 A JPS63114473 A JP S63114473A JP 61258380 A JP61258380 A JP 61258380A JP 25838086 A JP25838086 A JP 25838086A JP S63114473 A JPS63114473 A JP S63114473A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は順次走査信号を出力とする電荷結合撮像素子、
及びその駆動方法に関する。
及びその駆動方法に関する。
現行のテレビジョン標準方式に用いられているインター
レース走査方式においては、標本化によって生ずる側帯
波成分を視覚のMTF特性から有効に除去できないため
にインターラインフリッカ−と呼ばれる画質妨害が生じ
る。そのため、近年、画像の高品質化の要求からインタ
ーラインフリッカ−が生じない順次走査方式への要求が
高まりつつある。しかし、現行のインターレース走査に
対応した電荷結合撮像素子(以後、CCD撮像素子と呼
ぶ)自体の読みだし順序を順次走査方式に変えるのはデ
バイス構造上不可能である。このため、従来、CCD撮
像素子から得られるインターレース走査信号をフィール
ドメモリ等を用いて走査変換することで順次走査信号を
得ていた。
レース走査方式においては、標本化によって生ずる側帯
波成分を視覚のMTF特性から有効に除去できないため
にインターラインフリッカ−と呼ばれる画質妨害が生じ
る。そのため、近年、画像の高品質化の要求からインタ
ーラインフリッカ−が生じない順次走査方式への要求が
高まりつつある。しかし、現行のインターレース走査に
対応した電荷結合撮像素子(以後、CCD撮像素子と呼
ぶ)自体の読みだし順序を順次走査方式に変えるのはデ
バイス構造上不可能である。このため、従来、CCD撮
像素子から得られるインターレース走査信号をフィール
ドメモリ等を用いて走査変換することで順次走査信号を
得ていた。
第6図にこの走査変換を実現するための装置の一例を示
す。第6図において、101はインターライン転送方式
〇〇D撮像素子であり、フォトダイオード群102.垂
直シフトレジスタ103.垂直シフトレジスタ103の
一端に電気的に結合した水平シフトレジスタ104.こ
の水平シフトレジスタ104からの信号電荷を検出する
出力回路105とから構成されている。ここで、フォト
ダイオード102は奇数番目の行(01)、 (02
)のフォトダイオード群と偶数番目の行(El)、
(E2)のフォトダイオード群に分けられている。CC
D撮像素子101からの映像信号はA/D変換器106
によりディジタル信号に変換され、フィールドメモ1月
07と時間軸変換器108に同時に入力される。そして
、時間軸変換器において、ラインメモリ115〜118
とスイッチ110〜114の操作によって、時間軸方向
に2倍の比率で圧縮された順次走査信号に変換される。
す。第6図において、101はインターライン転送方式
〇〇D撮像素子であり、フォトダイオード群102.垂
直シフトレジスタ103.垂直シフトレジスタ103の
一端に電気的に結合した水平シフトレジスタ104.こ
の水平シフトレジスタ104からの信号電荷を検出する
出力回路105とから構成されている。ここで、フォト
ダイオード102は奇数番目の行(01)、 (02
)のフォトダイオード群と偶数番目の行(El)、
(E2)のフォトダイオード群に分けられている。CC
D撮像素子101からの映像信号はA/D変換器106
によりディジタル信号に変換され、フィールドメモ1月
07と時間軸変換器108に同時に入力される。そして
、時間軸変換器において、ラインメモリ115〜118
とスイッチ110〜114の操作によって、時間軸方向
に2倍の比率で圧縮された順次走査信号に変換される。
さらにその出力信号はD/A変換器109によりアナロ
グ映像信号に変換される。
グ映像信号に変換される。
次に、この走査変換装置の動作を第7図のタイムチャー
トを用いて説明する。CCD撮像素子101からは、第
1フイールドに奇数番目の行(01)。
トを用いて説明する。CCD撮像素子101からは、第
1フイールドに奇数番目の行(01)。
(o2)に対応した映像信号■、■が出力された後、第
2フイールドでは偶数番目の行(El)。
2フイールドでは偶数番目の行(El)。
(E2)に対応した映像信号■′、■′が出力される(
0点の信号)。
0点の信号)。
この偶数番目の行(El)、 (E2)の映像信号■
′、■′はフィールドメモリ107に蓄積されると同時
に、直接、時間軸変換部108のラインメモ1月15.
116に交互に入力される。これと同時に、フィールド
メモリ107からは、lフィールドの期間遅延された奇
数番目の行(01)、 (02)の映像信号■、■が
出力され、ラインメモリ117.118に交互に入力さ
れる(0点の信号)。
′、■′はフィールドメモリ107に蓄積されると同時
に、直接、時間軸変換部108のラインメモ1月15.
116に交互に入力される。これと同時に、フィールド
メモリ107からは、lフィールドの期間遅延された奇
数番目の行(01)、 (02)の映像信号■、■が
出力され、ラインメモリ117.118に交互に入力さ
れる(0点の信号)。
時間軸変換部108では、スイッチ112〜114の切
り換えによって、奇数番目の行(Of)、 (02)
の信号■、■と偶数番目の行(El)、 (E2)の
信号■′、■′を行の順番、すなわち■。
り換えによって、奇数番目の行(Of)、 (02)
の信号■、■と偶数番目の行(El)、 (E2)の
信号■′、■′を行の順番、すなわち■。
■′、■、■′の順序に並び換えると同時に、時間軸方
向に2倍の比率で圧縮する。以上の動作を連続的に繰り
返すことによりフレーム周波数60H2の順次走査信号
が得られる(0点の信号)。
向に2倍の比率で圧縮する。以上の動作を連続的に繰り
返すことによりフレーム周波数60H2の順次走査信号
が得られる(0点の信号)。
上述したように、従来の技術では、フィールドメモリ、
ラインメモリ、A/D変換器、D/A変換器等を必要と
し回路規模が増大する。また、装置自体も大型化する。
ラインメモリ、A/D変換器、D/A変換器等を必要と
し回路規模が増大する。また、装置自体も大型化する。
さらに、CCD撮像素子はフレーム蓄積モードにおいて
光電変換時間が1/30秒であり、第1フイールドと第
2フイールドとで光電変換時間が1/60秒ずれている
。このため、動画像において解像度劣化が生じる。
光電変換時間が1/30秒であり、第1フイールドと第
2フイールドとで光電変換時間が1/60秒ずれている
。このため、動画像において解像度劣化が生じる。
本発明は、これらの問題を改善したもので、その目的と
するところは、比較的簡単な素子構成で、かつ、大規模
な信号処理回路を必要とせず、蓄積時間1/60秒の順
次走査信号が得られるCCD撮像素子を提供することに
ある。
するところは、比較的簡単な素子構成で、かつ、大規模
な信号処理回路を必要とせず、蓄積時間1/60秒の順
次走査信号が得られるCCD撮像素子を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、このCCD撮像素子の駆動方法を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の電荷結合撮像素子は、半導体基板上にマトリッ
クス状に光電変換素子群を配置し、光電変換素子群の各
列の両側に第1と第2の垂直シフトレジスタを配置し、
第1の垂直シフトレジスタは奇数番目の行の光電変換素
子群と電気的に結合し、第2の垂直シフトレジスタは偶
数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合し、また、
第1と第2の垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合
した水平シフトレジスタを配置し、さらに水平シフトレ
ジスタの一端に電気的に結合″した出力回路を配置する
ことを特徴としている。
クス状に光電変換素子群を配置し、光電変換素子群の各
列の両側に第1と第2の垂直シフトレジスタを配置し、
第1の垂直シフトレジスタは奇数番目の行の光電変換素
子群と電気的に結合し、第2の垂直シフトレジスタは偶
数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合し、また、
第1と第2の垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合
した水平シフトレジスタを配置し、さらに水平シフトレ
ジスタの一端に電気的に結合″した出力回路を配置する
ことを特徴としている。
本発明の電荷結合撮像素子の駆動方法は、半導体基板上
にマトリックス状に光電変換素子群を配置し、光電変換
素子群の各列の両側に第1と第2の垂直シフトレジスタ
を配置し、第1の垂直シフトレジスタは奇数番目の行の
光電変換素子群と電気的に結合し、第2の垂直シフトレ
ジスタは偶数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合
し、また、第1と第2の垂直シフトレジスタの一端に電
気的に結合した水平シフトレジスタを配置し、さらに水
平シフトレジスタの一端に電気的に結合した出力回路を
配置した電荷結合撮像素子の駆動方法において、水平有
効映像期間内に、奇数番目の行の光電変換素子群に対応
した映像信号を、第1の垂直シフトレジスタより、また
、偶数番目の行の光電変換素子群に対応した映像信号を
第2の垂直シフトレジスタより、1行ごと交互に、水平
シフトレジスタに読み出し、さらに出力回路に水平転送
して、順次走査信号を得ることを特徴とじている。
にマトリックス状に光電変換素子群を配置し、光電変換
素子群の各列の両側に第1と第2の垂直シフトレジスタ
を配置し、第1の垂直シフトレジスタは奇数番目の行の
光電変換素子群と電気的に結合し、第2の垂直シフトレ
ジスタは偶数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合
し、また、第1と第2の垂直シフトレジスタの一端に電
気的に結合した水平シフトレジスタを配置し、さらに水
平シフトレジスタの一端に電気的に結合した出力回路を
配置した電荷結合撮像素子の駆動方法において、水平有
効映像期間内に、奇数番目の行の光電変換素子群に対応
した映像信号を、第1の垂直シフトレジスタより、また
、偶数番目の行の光電変換素子群に対応した映像信号を
第2の垂直シフトレジスタより、1行ごと交互に、水平
シフトレジスタに読み出し、さらに出力回路に水平転送
して、順次走査信号を得ることを特徴とじている。
半導体基板上にマトリックス状に配置された光電変換素
子群において、奇数番目の行、及び偶数番目の行に対応
する光電変換素子の信号電荷の読み出しを、光電変換素
子の両側に配置されたそれぞれ別々の垂直シフトレジス
タに分担させ、それらの出力信号を水平シフトレジスタ
転送する際、行ごとに多重化することによって、外部の
大規模な信号処理回路を必要とせず、比較的簡単な構成
の回路で順次走査信号を得ることができる。
子群において、奇数番目の行、及び偶数番目の行に対応
する光電変換素子の信号電荷の読み出しを、光電変換素
子の両側に配置されたそれぞれ別々の垂直シフトレジス
タに分担させ、それらの出力信号を水平シフトレジスタ
転送する際、行ごとに多重化することによって、外部の
大規模な信号処理回路を必要とせず、比較的簡単な構成
の回路で順次走査信号を得ることができる。
また、本発明によれば、1/60秒間同時蓄積された映
像信号が得られるので、動画像に対する解像度劣化を軽
減させることができる。
像信号が得られるので、動画像に対する解像度劣化を軽
減させることができる。
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図に、発明によるCCD撮像素子の全体構成を示す
。第1図において、半導体基板上にマトリックス状に配
置されたフォトダイオード群の内、奇数番目の行16に
対応するフォトダイオード12は、各フォトダイオード
列の片側に配置された垂直シフトレジスタ10と電気的
に結合されている。また、偶数番目の行17に対応する
フォトダイオード13は反対側に配置された垂直シフト
レジスタ11と電気的に結合されている。また、垂直シ
フトレジスタ10.11の一端は、水平シフトレジスタ
14と電気的に結合され、その水平シフトレジスタ14
の一端は、出力回路15と接続されている。
。第1図において、半導体基板上にマトリックス状に配
置されたフォトダイオード群の内、奇数番目の行16に
対応するフォトダイオード12は、各フォトダイオード
列の片側に配置された垂直シフトレジスタ10と電気的
に結合されている。また、偶数番目の行17に対応する
フォトダイオード13は反対側に配置された垂直シフト
レジスタ11と電気的に結合されている。また、垂直シ
フトレジスタ10.11の一端は、水平シフトレジスタ
14と電気的に結合され、その水平シフトレジスタ14
の一端は、出力回路15と接続されている。
第2図にセル部の素子構成を示す。第2図において隣接
する垂直シフトレジスタ10.11間及び垂直シフトレ
ジスタとフォトダイオード間は、チャネルストンフ゛令
頁域27.28によってフォトダイオード12.13は
、それぞれTG領域25.26によって垂直シフトレジ
スタ10.11 と電気的に結合されている。また、2
1〜24は、転送電極を示す。
する垂直シフトレジスタ10.11間及び垂直シフトレ
ジスタとフォトダイオード間は、チャネルストンフ゛令
頁域27.28によってフォトダイオード12.13は
、それぞれTG領域25.26によって垂直シフトレジ
スタ10.11 と電気的に結合されている。また、2
1〜24は、転送電極を示す。
セル部における動作を第2図及び第3図のタイムチャー
トを用いて説明する。垂直シフトレジスタ10.11の
駆動は、4相パルスによって行われる。
トを用いて説明する。垂直シフトレジスタ10.11の
駆動は、4相パルスによって行われる。
φ9.〜φv4はそれぞれ転送電極21〜24に印加さ
れる垂直シフトレジスタの転送パルス(以後、垂直転送
パルスと略す)を示し、φ94.φV□は第1図の奇数
番目の行16にφV3+ φv4は偶数番目の行エフ
に対応する。第3図のタイムチャートにおいて、垂直ブ
ランキング期間TVIILの時刻1.で垂直転送パルス
φVZ+ φv4に読み出しパルスが重畳され、フォ
トダイオード12.13にN積されていた信号電荷が垂
直シフトレジスタ10.11に読み出される。
れる垂直シフトレジスタの転送パルス(以後、垂直転送
パルスと略す)を示し、φ94.φV□は第1図の奇数
番目の行16にφV3+ φv4は偶数番目の行エフ
に対応する。第3図のタイムチャートにおいて、垂直ブ
ランキング期間TVIILの時刻1.で垂直転送パルス
φVZ+ φv4に読み出しパルスが重畳され、フォ
トダイオード12.13にN積されていた信号電荷が垂
直シフトレジスタ10.11に読み出される。
その後、垂直シフトレジスタ10.11に読み出された
信号電荷は、垂直転送パルスφv1〜φv4によって、
1行ごとに平行して水平シフトレジスタ15に向かって
同時に転送される。なお、垂直シフトレジスタ10中の
信号電荷は、垂直シフトレジスタ11中の信号電荷より
、1転送段分遅れて転送される。
信号電荷は、垂直転送パルスφv1〜φv4によって、
1行ごとに平行して水平シフトレジスタ15に向かって
同時に転送される。なお、垂直シフトレジスタ10中の
信号電荷は、垂直シフトレジスタ11中の信号電荷より
、1転送段分遅れて転送される。
第4図に垂直シフトレジスタ10.11と水平シフトレ
ジスタ14との接続部の素子構成を示す。第4図におい
て、41は垂直シフトレジスタ10.11の最終転送電
極、42.43は垂直シフトレジスタ11で垂直転送を
1/2転送段遅らせる転送電極、44.45はトランス
ファーゲートを極、46〜49は水平シフトレジスタ1
4を覆う転送電極を示す。各フォトダイオード列の両側
に配置された垂直シフトレジスタ10.11はトランス
ファーゲート電極44.45直下で電気的に結合され、
さらに、水平シフトレジスタ14とも結合されている。
ジスタ14との接続部の素子構成を示す。第4図におい
て、41は垂直シフトレジスタ10.11の最終転送電
極、42.43は垂直シフトレジスタ11で垂直転送を
1/2転送段遅らせる転送電極、44.45はトランス
ファーゲートを極、46〜49は水平シフトレジスタ1
4を覆う転送電極を示す。各フォトダイオード列の両側
に配置された垂直シフトレジスタ10.11はトランス
ファーゲート電極44.45直下で電気的に結合され、
さらに、水平シフトレジスタ14とも結合されている。
次に、この接続部における動作を、第4図及び第5図の
タイムチャートを用いて説明する。φ、1゜φDTIは
それぞれ遅延用転送電極42.43に印加されるパルス
、φTGはトランスファーゲート電極44.45に印加
されるパルス、φH++ φ8□はそれぞれ水平転送
電極46〜49に印加されるパルスを示す。
タイムチャートを用いて説明する。φ、1゜φDTIは
それぞれ遅延用転送電極42.43に印加されるパルス
、φTGはトランスファーゲート電極44.45に印加
されるパルス、φH++ φ8□はそれぞれ水平転送
電極46〜49に印加されるパルスを示す。
垂直ブランキング期間TVIL中に垂直シフトレジスタ
10.11に読み出され、垂直転送されて来た信号電荷
が、最終転送電極41直下に達すると、パルスφ9□が
オフする時刻T2において、パルスφTGr φ。、
がオンとなり、垂直シフトレジスタ10.11の信号電
荷は、それぞれトランスファーゲート電極44.45と
遅延用転送電極42の下へ転送蓄積される。そして、つ
いでφ、。オフ、φH,オンとなり、トランスファーゲ
ート電極44.45の下に蓄積されていた信号電荷は、
水平転送電極46.47へ転送され、さらにφ旧、φ。
10.11に読み出され、垂直転送されて来た信号電荷
が、最終転送電極41直下に達すると、パルスφ9□が
オフする時刻T2において、パルスφTGr φ。、
がオンとなり、垂直シフトレジスタ10.11の信号電
荷は、それぞれトランスファーゲート電極44.45と
遅延用転送電極42の下へ転送蓄積される。そして、つ
いでφ、。オフ、φH,オンとなり、トランスファーゲ
ート電極44.45の下に蓄積されていた信号電荷は、
水平転送電極46.47へ転送され、さらにφ旧、φ。
の電荷転送動作により、水平有効映像期間THの半分の
期間に、出力回路へと水平転送される。
期間に、出力回路へと水平転送される。
次いで、φ、オフ、φD2オンとなると、遅延用転送電
極42下の信号電荷は、転送電極43の下に転送、゛蓄
積され、さらに時刻T3においてφTGオン。
極42下の信号電荷は、転送電極43の下に転送、゛蓄
積され、さらに時刻T3においてφTGオン。
φ、オフとなって、転送電極43下の信号電荷は、トラ
ンスファーゲート電極44.45の下に転送、蓄積され
る。そして、φア、オフ、φ□オンとなって水平転送電
極46.47へ転送され、φ□、φ6,2の電荷転送動
作により、水平有効映像期間T)lの後半の期間に出力
回路へと水平転送される。
ンスファーゲート電極44.45の下に転送、蓄積され
る。そして、φア、オフ、φ□オンとなって水平転送電
極46.47へ転送され、φ□、φ6,2の電荷転送動
作により、水平有効映像期間T)lの後半の期間に出力
回路へと水平転送される。
以上の動作を繰り返すことにより、垂直転送において、
1転送段進んで転送していた垂直シフトレジスタ11中
の信号電荷は、全体的に1/2転送段遅延させられ、垂
直シフトレジスタ10.11の信号電荷は、水平シフト
レジスタ14へは行ごとに交互に、かつ順番通りに読み
出されるようになる。
1転送段進んで転送していた垂直シフトレジスタ11中
の信号電荷は、全体的に1/2転送段遅延させられ、垂
直シフトレジスタ10.11の信号電荷は、水平シフト
レジスタ14へは行ごとに交互に、かつ順番通りに読み
出されるようになる。
以上の動作で順次走査信号が得られる。
以上述べたように、本発明のCCD撮像素子によると、
奇数番目の行及び偶数番目の行に対応する光電変換素子
の信号電荷の読み出しを、光電変換素子列において、そ
の両側に配置されたそれぞれ別々の垂直シフトレジスタ
に分担させ、それらの出力信号を、水平シフトレジスフ
での転送において、行ごとに多重化させることにより、
比較的簡単な構成の回路による駆動によって、外部の大
規模な信号処理を要さず、直接順次走査信号を得ること
ができ、また、信号処理系も含めた撮像装置自体も大き
さを小型化床ることができる。
奇数番目の行及び偶数番目の行に対応する光電変換素子
の信号電荷の読み出しを、光電変換素子列において、そ
の両側に配置されたそれぞれ別々の垂直シフトレジスタ
に分担させ、それらの出力信号を、水平シフトレジスフ
での転送において、行ごとに多重化させることにより、
比較的簡単な構成の回路による駆動によって、外部の大
規模な信号処理を要さず、直接順次走査信号を得ること
ができ、また、信号処理系も含めた撮像装置自体も大き
さを小型化床ることができる。
また、この順次走査の映像信号により、動画像に対し解
像劣化が少なく、かつ、インターラインフリフカ−の生
じない高品質な画像を得ることができる。
像劣化が少なく、かつ、インターラインフリフカ−の生
じない高品質な画像を得ることができる。
第1図は、本発明の実施例における全体の素子構成を示
す図、 第2図は、第1図実施例のセル部の素子構成を示す図、 第3図は、セル部での動作を示すタイムチャートを示す
図、 第4図は、第1図の実施例の垂直シフトレジスタと水平
シフトレジスタの接続部の素子構成を示す図、 第5図は、水平シフトレジスタの接続部の動作を示すタ
イムチャートを示す図、 第6図は、従来例の装置の全体構成を示す図、第7図は
、第6図の従来例の動作を示すタイムチャートを示す図
である。
す図、 第2図は、第1図実施例のセル部の素子構成を示す図、 第3図は、セル部での動作を示すタイムチャートを示す
図、 第4図は、第1図の実施例の垂直シフトレジスタと水平
シフトレジスタの接続部の素子構成を示す図、 第5図は、水平シフトレジスタの接続部の動作を示すタ
イムチャートを示す図、 第6図は、従来例の装置の全体構成を示す図、第7図は
、第6図の従来例の動作を示すタイムチャートを示す図
である。
Claims (2)
- (1)半導体基板上にマトリックス状に光電変換素子群
を配置し、光電変換素子群の各列の両側に第1と第2の
垂直シフトレジスタを配置し、第1の垂直シフトレジス
タは奇数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合し、
第2の垂直シフトレジスタは偶数番目の行の光電変換素
子群と電気的に結合し、また、第1と第2の垂直シフト
レジスタの一端に電気的に結合した水平シフトレジスタ
を配置し、さらに水平シフトレジスタの一端に電気的に
結合した出力回路を配置することを特徴とする電荷結合
撮像素子。 - (2)半導体基板上にマトリックス状に光電変換素子群
を配置し、光電変換素子群の各列の両側に第1と第2の
垂直シフトレジスタを配置し、第1の垂直シフトレジス
タは奇数番目の行の光電変換素子群と電気的に結合し、
第2の垂直シフトレジスタは偶数番目の行の光電変換素
子群と電気的に結合し、また、第1と第2の垂直シフト
レジスタの一端に電気的に結合した水平シフトレジスタ
を配置し、さらに水平シフトレジスタの一端に電気的に
結合した出力回路を配置した電荷結合撮像素子の駆動方
法において、水平有効映像期間内に、奇数番目の行の光
電変換素子群に対応した映像信号を、第1の垂直シフト
レジスタより、また、偶数番目の行の光電変換素子群に
対応した映像信号を第2の垂直シフトレジスタより、1
行ごと交互に、水平シフトレジスタに読み出し、さらに
出力回路に水平転送して、順次走査信号を得ることを特
徴とする電荷結合撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61258380A JPS63114473A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 電荷結合撮像素子とその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61258380A JPS63114473A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 電荷結合撮像素子とその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114473A true JPS63114473A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17319436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61258380A Pending JPS63114473A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 電荷結合撮像素子とその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63114473A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6160580A (en) * | 1996-09-25 | 2000-12-12 | Nec Corporation | CCD image sensor having two-layered electrode structure |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932264A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61258380A patent/JPS63114473A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932264A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6160580A (en) * | 1996-09-25 | 2000-12-12 | Nec Corporation | CCD image sensor having two-layered electrode structure |
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