JPS6310533B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6310533B2 JPS6310533B2 JP54014223A JP1422379A JPS6310533B2 JP S6310533 B2 JPS6310533 B2 JP S6310533B2 JP 54014223 A JP54014223 A JP 54014223A JP 1422379 A JP1422379 A JP 1422379A JP S6310533 B2 JPS6310533 B2 JP S6310533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- film
- type
- image pickup
- pickup tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管ターゲツト、特に残像特性を向
上させた光導電ターゲツトに関するものである。
上させた光導電ターゲツトに関するものである。
近時、特公昭50―27326あるいは特願昭47―
59514、特開昭49―24619等において非晶質のセレ
ン、テルル、ヒ素などを含有するＰ型光導電膜と
Ｎ型導電膜との間に整流性接触を形成した新しい
タイプの整流性接触型の光導電性撮像管ターゲツ
トが提案されている。このタイプの撮像管ターゲ
ツトは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、
白点状の画面欠陥が少なく、しかも製造方法が簡
単である等の特徴を有しており、つぎのようにし
て形成される。すなわち、第１図に示すように、
まず透光性材料であるガラス基板１の上に錫、イ
ンジウム又はチタンの中から選ばれた１元素の酸
化物を主成分とする透明導電膜２を設け、さらに
ZnSe、GeO、CeO2から選ばれた材料からなるき
わめて薄いＮ型導電膜３を重ねる。ついで、この
Ｎ型導電膜３と整流性接触がなされるようにこの
Ｎ型導電膜３の上に、非晶質Seを主成分とする
μ膜厚のＰ型光導電膜４を積重ね、その後1000Å
の厚さのSb2S3等からなる多孔質層の導電膜５を
Ｐ型光導電膜４の上に積重ねることにより、上記
タイプの撮像管ターゲツトとして完成する。そし
て、入射光６はガラス基板１側から供給され、走
査電子ビーム７は導電膜５に供給される。
59514、特開昭49―24619等において非晶質のセレ
ン、テルル、ヒ素などを含有するＰ型光導電膜と
Ｎ型導電膜との間に整流性接触を形成した新しい
タイプの整流性接触型の光導電性撮像管ターゲツ
トが提案されている。このタイプの撮像管ターゲ
ツトは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、
白点状の画面欠陥が少なく、しかも製造方法が簡
単である等の特徴を有しており、つぎのようにし
て形成される。すなわち、第１図に示すように、
まず透光性材料であるガラス基板１の上に錫、イ
ンジウム又はチタンの中から選ばれた１元素の酸
化物を主成分とする透明導電膜２を設け、さらに
ZnSe、GeO、CeO2から選ばれた材料からなるき
わめて薄いＮ型導電膜３を重ねる。ついで、この
Ｎ型導電膜３と整流性接触がなされるようにこの
Ｎ型導電膜３の上に、非晶質Seを主成分とする
μ膜厚のＰ型光導電膜４を積重ね、その後1000Å
の厚さのSb2S3等からなる多孔質層の導電膜５を
Ｐ型光導電膜４の上に積重ねることにより、上記
タイプの撮像管ターゲツトとして完成する。そし
て、入射光６はガラス基板１側から供給され、走
査電子ビーム７は導電膜５に供給される。
通常、上記Ｐ型光導電膜４は、その材質が非晶
質Seだけであると、赤色光に対する感度が不十
分であるとか、非晶質Seが比較的低温で結晶化
されやすいために、白点状の画面欠陥が発生しや
すい。したがつて、このような問題を解消する目
的で、Ｐ型光導電膜４におけるＮ型導電膜３側
で、しかも整流性接触をなしている近傍の厚さ数
100Åの部分に、20〜40重量パーセントの極大値
を有する赤色増感剤としてのTeを加えて赤色光
に対する感度を向上させるとともに、Ｐ型光導電
膜４に全領域にわわたつてAsを加え、非晶質Se
の粘性を高めて結晶化速度を遅くするようにして
いる。この場合、光導電膜４は定められたAsを
含有するSeとAsの合成材料を使用して蒸着する
か、又はSe単体とAs2Se3化合物との100Å以下の
薄層膜を交互に蒸着して形成する方法が公知（特
開昭48―102919）である。
質Seだけであると、赤色光に対する感度が不十
分であるとか、非晶質Seが比較的低温で結晶化
されやすいために、白点状の画面欠陥が発生しや
すい。したがつて、このような問題を解消する目
的で、Ｐ型光導電膜４におけるＮ型導電膜３側
で、しかも整流性接触をなしている近傍の厚さ数
100Åの部分に、20〜40重量パーセントの極大値
を有する赤色増感剤としてのTeを加えて赤色光
に対する感度を向上させるとともに、Ｐ型光導電
膜４に全領域にわわたつてAsを加え、非晶質Se
の粘性を高めて結晶化速度を遅くするようにして
いる。この場合、光導電膜４は定められたAsを
含有するSeとAsの合成材料を使用して蒸着する
か、又はSe単体とAs2Se3化合物との100Å以下の
薄層膜を交互に蒸着して形成する方法が公知（特
開昭48―102919）である。
しかしながら、上記構成による撮像管ターゲツ
トは、導電膜５に比較的膜厚の厚い約1000Åの厚
さのSb2S3からなる多孔質層を有しているため、
ターゲツト印加電圧に対して十分に良好な残像特
性が得られなかつた。
トは、導電膜５に比較的膜厚の厚い約1000Åの厚
さのSb2S3からなる多孔質層を有しているため、
ターゲツト印加電圧に対して十分に良好な残像特
性が得られなかつた。
したがつて、本発明の目的は上記タイプの撮像
管ターゲツトを改良して残像特性を大幅に向上さ
せた撮像管ターゲツトを提供することにある。
管ターゲツトを改良して残像特性を大幅に向上さ
せた撮像管ターゲツトを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による
撮像管ターゲツトは、Ｐ型光導電膜が高抵抗の非
晶質材料からなり、かつ多孔質層の厚みを400〜
600Åの範囲としたものである。以下図面を用い
て本発明による撮像管ターゲツトについて詳細に
説明する。
撮像管ターゲツトは、Ｐ型光導電膜が高抵抗の非
晶質材料からなり、かつ多孔質層の厚みを400〜
600Åの範囲としたものである。以下図面を用い
て本発明による撮像管ターゲツトについて詳細に
説明する。
第２図は本発明による撮像管ターゲツトの一例
を示す要部断面図であり、第１図と同記号は同一
要素となるのでその説明は省略する。同図におい
て、ガラス基板１面上に被着形成された例えば
SnO2またはIn2O3等の透明導電膜２上には、約
500Åの厚さに酸化セリウム膜が被着形成されて
いる。この場合、酸化セリウム膜はCeO2を真空
中で蒸着すると、酸素の一部が抜けてCeO2―ｘ
の状態で約200Åの厚さに被着され、Ｎ型の透明
導電膜３となる。そして、このＮ型透明導電膜３
上には、Se―As系のＰ型非晶質半導体膜からな
るＰ型光導電膜４が約４〜6μm程度の厚さに被着
形成されている。このＰ型光導電膜４は、例えば
10-6Torr程度の高真空中で結晶化防止としての
AsとSeを、またはAs化合物とSeをAsの平均含
有量で2.5〜６重量％となるように形成し、かつ
このSe―As領域４ａをＮ型透明導電膜３近傍に
約300〜500Åの厚さに設け、更にTeを一部分に
局在的に添加し、長波長感度を上げるようにした
Se―As―Te領域４ｂを約600〜2000Åの厚さに
形成する。このSe―As―Te領域４ｂにおいて
Teは25〜38重量％の含有量となるようにドーブ
量を調整する。そして、必要に応じてこのSe―
As―Te領域４ｂの極近傍にAsの含有量が部分的
に18〜35重量％となるようなSe―As領域４ｃを
約600Åの厚さに設けて構成されている。また、
このＰ型光導電膜４の上面には、例えば0.1〜
0.2TorrのN2ガス雰囲気中で蒸着した三硫化アン
チモンの多孔質層からなる導電膜５が約500Åの
厚さに形成されている。
を示す要部断面図であり、第１図と同記号は同一
要素となるのでその説明は省略する。同図におい
て、ガラス基板１面上に被着形成された例えば
SnO2またはIn2O3等の透明導電膜２上には、約
500Åの厚さに酸化セリウム膜が被着形成されて
いる。この場合、酸化セリウム膜はCeO2を真空
中で蒸着すると、酸素の一部が抜けてCeO2―ｘ
の状態で約200Åの厚さに被着され、Ｎ型の透明
導電膜３となる。そして、このＮ型透明導電膜３
上には、Se―As系のＰ型非晶質半導体膜からな
るＰ型光導電膜４が約４〜6μm程度の厚さに被着
形成されている。このＰ型光導電膜４は、例えば
10-6Torr程度の高真空中で結晶化防止としての
AsとSeを、またはAs化合物とSeをAsの平均含
有量で2.5〜６重量％となるように形成し、かつ
このSe―As領域４ａをＮ型透明導電膜３近傍に
約300〜500Åの厚さに設け、更にTeを一部分に
局在的に添加し、長波長感度を上げるようにした
Se―As―Te領域４ｂを約600〜2000Åの厚さに
形成する。このSe―As―Te領域４ｂにおいて
Teは25〜38重量％の含有量となるようにドーブ
量を調整する。そして、必要に応じてこのSe―
As―Te領域４ｂの極近傍にAsの含有量が部分的
に18〜35重量％となるようなSe―As領域４ｃを
約600Åの厚さに設けて構成されている。また、
このＰ型光導電膜４の上面には、例えば0.1〜
0.2TorrのN2ガス雰囲気中で蒸着した三硫化アン
チモンの多孔質層からなる導電膜５が約500Åの
厚さに形成されている。
このように構成された撮像管ターゲツトにおい
ては、従来公知のように多孔質層が1000Å程度の
厚さに形成された光導電ターゲツトよりも残像特
性が第３図に実線ｌで示すように大幅に改善する
ことができた。すなわち、同図において、実線ｌ
は三硫化アンチモン膜を約500Åに形成した場合
を示し、実線ｋは約1000Åに形成した場合を示し
たものである。この場合の例は１インチ管の例で
あり、従来例では、信号電流が200nAでバイアス
信号電流が10nAの場合、減衰の第１フイールド
で7.5％、第３フイールドで1.5％であつたのに対
して本発明のターゲツトでは減衰の第１フイール
ドが４％、第３フイールドが0.8％に改善されて
いる。特に第１フイールドの減残像においての改
善が著しい。
ては、従来公知のように多孔質層が1000Å程度の
厚さに形成された光導電ターゲツトよりも残像特
性が第３図に実線ｌで示すように大幅に改善する
ことができた。すなわち、同図において、実線ｌ
は三硫化アンチモン膜を約500Åに形成した場合
を示し、実線ｋは約1000Åに形成した場合を示し
たものである。この場合の例は１インチ管の例で
あり、従来例では、信号電流が200nAでバイアス
信号電流が10nAの場合、減衰の第１フイールド
で7.5％、第３フイールドで1.5％であつたのに対
して本発明のターゲツトでは減衰の第１フイール
ドが４％、第３フイールドが0.8％に改善されて
いる。特に第１フイールドの減残像においての改
善が著しい。
また、本発明による撮像管ターゲツトにおい
て、例えばSe―As系の非晶質半導体、つまりＰ
型光導電膜４は、6000Å以上の長波長光に対して
は部分的にまた8000Å以上の光に対しては、入射
光のほとんど全部を通過させてしまう。ところ
が、例えば三硫化アンチモンに代表されるポーラ
ス状の蒸着膜は、これらの長波長光を吸収して光
導電現象を示すことはビジコン等の例に見るよう
に明らかである。そこで、実験によると、導電膜
５としての三硫化アンチモン（Sb2S3）の膜厚が
700〜1000Å以上となると、その影響が現われて
第４図に曲線m1（第１フイールド）、m2（第３フ
イールド）で示すように減衰像が著しく長くな
る。また600Å以下であれば十分な光導電効果が
失なわれ、逆に撮像管のカソードからのエレクト
ロンビームのランデイングを助け、残像を著しく
改善することができる。しかしながら、同図に曲
線ｎで示すように300Å以下と極端にSb2S3膜が
薄すぎると、このビームランデイング効果のため
にエレクトロンの注入現象が起り、暗電流が著し
く大きくなる。そして、この暗電流が大きくなる
と、撮像画質、Ｓ／Ｎ比を著しく劣化させること
になり、逆効果となる。したがつて、Sb2S3膜を
400〜600Åの範囲で形成すれば良好な効果が得ら
れる。
て、例えばSe―As系の非晶質半導体、つまりＰ
型光導電膜４は、6000Å以上の長波長光に対して
は部分的にまた8000Å以上の光に対しては、入射
光のほとんど全部を通過させてしまう。ところ
が、例えば三硫化アンチモンに代表されるポーラ
ス状の蒸着膜は、これらの長波長光を吸収して光
導電現象を示すことはビジコン等の例に見るよう
に明らかである。そこで、実験によると、導電膜
５としての三硫化アンチモン（Sb2S3）の膜厚が
700〜1000Å以上となると、その影響が現われて
第４図に曲線m1（第１フイールド）、m2（第３フ
イールド）で示すように減衰像が著しく長くな
る。また600Å以下であれば十分な光導電効果が
失なわれ、逆に撮像管のカソードからのエレクト
ロンビームのランデイングを助け、残像を著しく
改善することができる。しかしながら、同図に曲
線ｎで示すように300Å以下と極端にSb2S3膜が
薄すぎると、このビームランデイング効果のため
にエレクトロンの注入現象が起り、暗電流が著し
く大きくなる。そして、この暗電流が大きくなる
と、撮像画質、Ｓ／Ｎ比を著しく劣化させること
になり、逆効果となる。したがつて、Sb2S3膜を
400〜600Åの範囲で形成すれば良好な効果が得ら
れる。
なお、上記実施例においては、導電膜５に
Sb2S3膜を用いた場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、ひ素―セレ
ン化合物、ひ素―硫黄化物、三セレン化アンチモ
ンを用いても前述と同様の効果が得られる。ま
た、多孔質層を形成するにはN2ガス雰囲気のみ
でなくアルゴンガス、他の不活性ガスを用いても
分子の大きさに応じ真空度調整を行なえば前述と
同様の効果が得られることは言うまでもない。
Sb2S3膜を用いた場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、ひ素―セレ
ン化合物、ひ素―硫黄化物、三セレン化アンチモ
ンを用いても前述と同様の効果が得られる。ま
た、多孔質層を形成するにはN2ガス雰囲気のみ
でなくアルゴンガス、他の不活性ガスを用いても
分子の大きさに応じ真空度調整を行なえば前述と
同様の効果が得られることは言うまでもない。
以上説明したように本発明による撮像管ターゲ
ツトによれば、残存特性の優れた撮像管が得られ
るなどの優れた効果を有する。
ツトによれば、残存特性の優れた撮像管が得られ
るなどの優れた効果を有する。
第１図は従来の撮像管ターゲツトの一例を示す
要部断面図、第２図は本発明による撮像管ターゲ
ツトの一例を示す要部断面図、第３図は本発明に
係るSb2S3膜のフイールドに対する残像を示す特
性図、第４図は本発明に係るSb2S3膜の膜厚に対
する残像および暗電流を示す特性図である。 １…ガラス基板、２…透明導電膜、３…Ｎ型導
電膜、４…Ｐ型光導電膜、４ａ…Se―As領域、
４ｂ…Se―As―Te領域、４ｃ…Se―As領域、
５…導電膜、６…入射光、７…走査電子ビーム。
要部断面図、第２図は本発明による撮像管ターゲ
ツトの一例を示す要部断面図、第３図は本発明に
係るSb2S3膜のフイールドに対する残像を示す特
性図、第４図は本発明に係るSb2S3膜の膜厚に対
する残像および暗電流を示す特性図である。 １…ガラス基板、２…透明導電膜、３…Ｎ型導
電膜、４…Ｐ型光導電膜、４ａ…Se―As領域、
４ｂ…Se―As―Te領域、４ｃ…Se―As領域、
５…導電膜、６…入射光、７…走査電子ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に被着された透明導電膜と、前
記透明導電膜の上に直接またはＮ型導電膜を介し
て被着されたＰ型光導電膜と、前記Ｐ型光導電膜
の上に被着された多孔質層の導電膜とを少なくと
も具備する撮像管ターゲツトにおいて、前記Ｐ型
光導電膜が高抵抗の非晶質の材料からなり、かつ
前記多孔質層の厚さが400〜600Åの範囲に被着さ
れていることを特徴とした撮像管ターゲツト。 ２ 前記Ｐ型光導電膜はSeとAsとを主成分とし
増感剤としてのTeを一部分に部分的に混在させ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
撮像管ターゲツト。 ３ 前記多孔質層は三硫化アンチモン、ひ素―セ
レン化合物、ひ素―硫黄化合物、三セレン化アン
チモンとしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の撮像管ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1422379A JPS55108151A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Image pick-up tube target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1422379A JPS55108151A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Image pick-up tube target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55108151A JPS55108151A (en) | 1980-08-19 |
| JPS6310533B2 true JPS6310533B2 (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=11855060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1422379A Granted JPS55108151A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Image pick-up tube target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55108151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11613057B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-03-28 | Flexiject Ab | Method and tool for injection moulding |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924619A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-03-05 | ||
| JPS522117A (en) * | 1976-06-18 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Photoconductive image pickup tube target |
-
1979
- 1979-02-13 JP JP1422379A patent/JPS55108151A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924619A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-03-05 | ||
| JPS522117A (en) * | 1976-06-18 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Photoconductive image pickup tube target |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11613057B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-03-28 | Flexiject Ab | Method and tool for injection moulding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55108151A (en) | 1980-08-19 |
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