JPS63104457A - Lead frame - Google Patents
Lead frameInfo
- Publication number
- JPS63104457A JPS63104457A JP24964886A JP24964886A JPS63104457A JP S63104457 A JPS63104457 A JP S63104457A JP 24964886 A JP24964886 A JP 24964886A JP 24964886 A JP24964886 A JP 24964886A JP S63104457 A JPS63104457 A JP S63104457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead
- inner lead
- lead frame
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームに関し、特に、ボンディングワ
イヤとのボンダビリティ性を向上させるために金（Ａｕ
）メッキをワイヤポンディング部に施している場合の当
該Ａｕメッキの流動によるインナーリード部先端のシロ
ートを防止する技術に関する。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame, and in particular, gold (Au) is used to improve bondability with a bonding wire.
) The present invention relates to a technique for preventing erosion at the tip of an inner lead part due to flow of the Au plating when plating is applied to the wire bonding part.
樹脂封止型半導体装置の製造に際し、個々の半導体チッ
プ（以下単にチップという）をパッケージングするに、
第４図に示すような、リードフレーム１が使用される。When manufacturing resin-sealed semiconductor devices, packaging individual semiconductor chips (hereinafter simply referred to as chips) requires
A lead frame 1 as shown in FIG. 4 is used.
リードフレームは、一般ニ、金属板をプレスあるいはエ
ツチング成形して製造される。リードフレームの一例主
要構造は、第４図に示すように、チップ２を取着ける矩
形のタブ３と、このタブ３を支持するタブリード４と、
このタブ３の周囲に非接触で先端を臨ます複数の細いリ
ード５（インナーリード部６とアウターリード部７より
成る）と、各リード６などを連結するダム８と、枠９（
内枠と外枠）とを有して成っている。Lead frames are generally manufactured by pressing or etching a metal plate. The main structure of an example of a lead frame is, as shown in FIG. 4, a rectangular tab 3 for attaching a chip 2, a tab lead 4 for supporting this tab 3, and
A plurality of thin leads 5 (consisting of an inner lead part 6 and an outer lead part 7) whose tips are exposed around this tab 3 without contact, a dam 8 connecting each lead 6, etc., and a frame 9 (
It consists of an inner frame and an outer frame.
かかるリードフレーム１を使用して半導体装置を製造す
るに、タブ３上に取着けたチップ２を装置外部と電気的
に接続するために、該チップ２とリードフレームのイン
ナーリード部６先端とをボンディングワイヤ１０により
ワイヤボンディングするが、当該ワイヤ１０と当該イン
ナーリード部６とのボンダビリティ性を向上させるため
に、該インナーリード部先端にメッキを施こす。当該メ
ッキは銀（Ａｇ）メッキやＡｕメッキであったりし、近
時ＡｕメッキからＡｇメッキに移行する傾向にあるが、
自動単向半導体装置など高信頼性を要求されるものにつ
いては、依然としてＡｕメッキは必要不可欠である。When manufacturing a semiconductor device using such a lead frame 1, in order to electrically connect the chip 2 mounted on the tab 3 to the outside of the device, the chip 2 and the tip of the inner lead portion 6 of the lead frame are connected. Wire bonding is performed using the bonding wire 10, and in order to improve the bondability between the wire 10 and the inner lead portion 6, the tips of the inner lead portions are plated. The plating may be silver (Ag) plating or Au plating, and there is a recent tendency to shift from Au plating to Ag plating.
Au plating is still indispensable for devices that require high reliability, such as automatic unidirectional semiconductor devices.
ところで、リードフレーム１にあってはいわゆる多ピン
化の傾向から、当該インナーリード部６は増々細くなっ
てきており、また、各リード間のピッチも増々細くなっ
てきており、さらに、インナーリード部６の長さが長く
なってきており、そのため、インナーリード部６の先端
が振れ易くなっている。By the way, in the lead frame 1, due to the trend of increasing the number of pins, the inner lead portion 6 is becoming thinner and thinner, and the pitch between each lead is also becoming thinner and thinner. The length of the inner lead portion 6 has become longer, and as a result, the tip of the inner lead portion 6 tends to swing.
前記Ａｕメッキを施した場合、Ａｇメッキを施した場合
に比して、リード側面への周り込みが犬で、レジンモー
ルド時レジン流動によりインナーリード部先端がショー
トし易い。そこで、インナーリード部６のダム８近傍に
、テープを貼着（テーピング）して、インナーリード部
６先端の振れを少なくし、リード側面へ周り込んできた
Ａｕメッキによるインナーリード部先端のショートを防
止することが行われている。When the Au plating is applied, compared to the case where the Ag plating is applied, the lead wraps around the side of the lead more tightly, and the tip of the inner lead part is more likely to short-circuit due to resin flow during resin molding. Therefore, tape is pasted (taping) near the dam 8 of the inner lead part 6 to reduce the deflection of the tip of the inner lead part 6 and prevent short-circuiting of the tip of the inner lead part due to the Au plating that has gotten around to the side of the lead. Prevention is being done.
尚リードフレームについて述べた文献の例としては、工
業調査会発行「電子材料Ｊ １９８２年８月号Ｐ６９〜
７４および同１９８４年８月号Ｐ６８〜７３があげられ
、また、当該特許の例としては特開昭５８−５２８６２
号、同５１−１．１２２７３号公報があげられる。An example of a document that describes lead frames is "Electronic Materials J, August 1982 issue, P69~" published by Kogyo Research Association.
74 and August 1984 issue P68-73, and examples of the patent include JP-A-58-52862.
No. 51-1.12273.
しかしながら、このようなテーピングを行なうことは工
程数が増え、また、テーピングの為のテープを必要とし
、製品コストを上昇させる一因となっている。However, performing such taping increases the number of steps and also requires tape for taping, which is a factor in increasing product costs.
本発明はかかるテーピングを行なわずにインナーリード
部先端のショートを防止し、特に、インナーリード部に
Ａｕメッキを施した場合のＡｕメッキがリード側面に周
り込み、リード間をショートさせることを防止する技術
を提供することを目的とする。The present invention prevents short-circuits at the tips of inner lead parts without performing such taping, and in particular, prevents the Au plating when the inner lead parts are plated with Au from wrapping around the side surfaces of the leads and causing short-circuits between the leads. The purpose is to provide technology.
本発明は、また、テーピングを不要とする結果、コスト
を低減し、かつ、リード間ショートを防止して信頼性の
向上を図ることのできる技術を提供することを目的とす
る。Another object of the present invention is to provide a technique that eliminates the need for taping, thereby reducing costs and preventing short-circuits between leads to improve reliability.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明ではインナーリード部のメッキエリア部の幅を狭
くした。すなわち、例えば、従来のメッキエリア部もこ
れに連ったメッキの施されていない部分も同一の幅を有
するインナーリード部の当該メンキエリア部の左右両端
部を切欠し、幅を狭め、これにメッキを施すようにした
。In the present invention, the width of the plating area portion of the inner lead portion is narrowed. That is, for example, both the left and right ends of the plating area of the inner lead part, which has the same width as the conventional plating area part and the unplated part connected thereto, are cut out to narrow the width, and then plating is applied to this part. I decided to apply it.
このように、インナーリード部のメッキエリア部を狭く
しであるため、当該メッキエリア部において、Ａｕメッ
キが当該リード側面に流れても、各リード間を狭くした
分各リードが、離れているので、ＡｕメッキとＡｕメッ
キとが接触することが防止される。したがって、テーピ
ングを必要とせずに、インナーリード部先端のショート
を防止でき、また、当該リードフレームは、例えばリー
ドフレーム製造の際にインナーリード部の先端を通常の
幅よりも狭くなるようにプレス切断などを行ない、メッ
キを施せばよいので、現行構造・プロセスでのショート
防止を容易に達成できる。In this way, since the plating area of the inner lead is narrowed, even if the Au plating flows to the side surface of the lead in the plating area, each lead will be separated by the narrowed space between the leads. , Au plating and Au plating are prevented from coming into contact with each other. Therefore, it is possible to prevent short-circuits at the tips of the inner lead parts without the need for taping, and the lead frame can be press-cut so that the tips of the inner lead parts are narrower than the normal width when manufacturing the lead frame. Since it is sufficient to carry out such steps and apply plating, short-circuit prevention can be easily achieved in the current structure and process.
したがって、テーピング工程がないなどからコスト低減
を図ることができるし、また、リードショートが防止で
きるので信頼性の向上にも寄与することができる。Therefore, since there is no taping process, costs can be reduced, and lead shorts can be prevented, contributing to improved reliability.
次に、本発明を、・図面に示す実施例に基づいて説明す
る。Next, the present invention will be explained based on embodiments shown in the drawings.
第１図に示すよう罠、インナーリード部６の先端メッキ
エリア部工１の幅（横幅）を、該エリア部１１と迷った
メッキの施されていないインナーリード部６の幅よりも
狭くする。As shown in FIG. 1, the width (horizontal width) of the tip plating area part 1 of the trap inner lead part 6 is made narrower than the width of the unplated inner lead part 6 which is confused with the area part 11.
第２図に示すように、タブ３上に取着けたチップ２と当
該メッキエリア部１１とをボンディングワイヤ１０によ
りワイヤボンディングする。As shown in FIG. 2, the chip 2 mounted on the tab 3 and the plating area 11 are wire-bonded using a bonding wire 10. As shown in FIG.
第３図に示すように、インナーリード部６か細くなり、
各リード部６のピンチが狭くなり、かつ、インナーリー
ド部６がダム８からタブ３にかけてその長さが長くなっ
てき、インナーリード部６の先端が振れ、当該メッキを
施していないインナーリード部６が振れても、インナー
リード部６の先端メッキエリア部１１は狭くなっている
ので、メッキが当該エリア部１１におけるインナーリー
ド部６の側面に流れ付着していても、隣接するリード間
で、それぞれの当該流れメッキが接触することが防止さ
れる。As shown in FIG. 3, the inner lead portion 6 becomes thinner,
The pinch of each lead part 6 becomes narrower, and the length of the inner lead part 6 becomes longer from the dam 8 to the tab 3, the tip of the inner lead part 6 swings, and the unplated inner lead part 6 Since the tip plating area 11 of the inner lead part 6 is narrow even if the plated area 11 swings, even if the plating flows and adheres to the side surface of the inner lead part 6 in the area part 11, it will not spread between adjacent leads. This flow plating is prevented from coming into contact with the flow plating.
当該ワイヤボンディング後のチップ組立品は、トランス
ファーモールド成型に移されダム８の内側にまで、樹脂
がモールドされ、ダム８の切断などを経て、第５図に示
すような断面をもつ樹脂封止型半導体装置１２が得られ
る。The chip assembly after wire bonding is transferred to transfer molding, where resin is molded to the inside of the dam 8. After cutting the dam 8, etc., a resin-sealed mold having a cross section as shown in FIG. 5 is formed. A semiconductor device 12 is obtained.
第５図にて、１３は上記樹脂モールド部である。In FIG. 5, 13 is the resin molded portion.
また、同図にて、１４はチップ２をタブ３に接合する接
合材料を示す。Further, in the figure, reference numeral 14 indicates a bonding material for bonding the chip 2 to the tab 3.
本発明のリードフレーム１は、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金
やＣｕ系合金により構成される。半導体素子（チップ）
２は、例えばシリコン単結晶基板から成り、周知の技術
によってこのチップ内には多数の回路素子が形成され、
１つの回路機能が与えられている。回路素子の具体例は
、例えばＭＯＳトランジスタから成り、これらの回路素
子によって、例えば論理回路およびメモリの回路機能が
形成されている。ボンディングワイヤ１０は、例工ばＡ
、 ｕ線より成る。メッキエリア部１１は、例えばＡｕ
メッキより成る。樹脂モールド部１３は、例えばエポキ
シ樹脂より構成される。接合材料１４は、例えば導電性
樹脂接着剤より成る。The lead frame 1 of the present invention is made of, for example, a Ni-Fe alloy or a Cu alloy. Semiconductor element (chip)
2 is made of, for example, a silicon single crystal substrate, and a large number of circuit elements are formed within this chip using well-known techniques.
One circuit function is given. A specific example of the circuit element is, for example, a MOS transistor, and these circuit elements form the circuit functions of, for example, a logic circuit and a memory. The bonding wire 10 is, for example, A
, consisting of U-rays. The plating area portion 11 is made of, for example, Au.
Consists of plating. The resin mold part 13 is made of, for example, epoxy resin. The bonding material 14 is made of, for example, a conductive resin adhesive.
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明によれば、テーピングによる追加工程を要せずに
、インナーリード部先端のショートを防止し、Ａｕメッ
キがリード側面に流れてもこれらメッキが接触すること
が防止され、コストを低減し、信頼性を向上し得るリー
ドフレームを提供することができた。According to the present invention, it is possible to prevent short-circuiting at the tip of the inner lead portion without requiring an additional taping process, and even if Au plating flows to the side surface of the lead, it is possible to prevent these platings from coming into contact with each other, thereby reducing costs. We were able to provide a lead frame that can improve reliability.
第１図は本発明の詳細な説明図、
第２図は本発明の実施例のワイヤボンディング後の説明
図、
第３図は本発明の実施例を示すリードフレームの要部平
面図、
第４図は従来例を示すリードフレームの説明図、第５図
は樹脂封止型半導体装置の構成断面図である。
１・・・リードフレーム、２・・・チップ、３・・タブ
、４・・・タブリード、５・・・リード、６・・・イン
ナーリード部、７・・・アウターリード部、８・・・ダ
ム、９・・・枠、１０・・・ボンディングワイヤ、１１
・・・メッキエリア部、１２・・・樹脂封止型半導体装
置、１３・・・樹脂モールド部、１４・・・接合材料
７−り＝＼
代理人 弁理士 小 川 勝 男１．′Ｆ゛ゾ
第 １ 図
第 ２ 図
第 ４ 図
第 ５ 図
第 ３ 図FIG. 1 is a detailed explanatory diagram of the present invention; FIG. 2 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention after wire bonding; FIG. 3 is a plan view of main parts of a lead frame showing an embodiment of the present invention; The figure is an explanatory diagram of a lead frame showing a conventional example, and FIG. 5 is a sectional view of the structure of a resin-sealed semiconductor device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Lead frame, 2... Chip, 3... Tab, 4... Tab lead, 5... Lead, 6... Inner lead part, 7... Outer lead part, 8... Dam, 9... Frame, 10... Bonding wire, 11
. . . Plating area portion, 12 . . . Resin molded semiconductor device, 13 . . . Resin mold portion, 14 . 'F゛zo Figure 1 Figure 2 Figure 4 Figure 5 Figure 3
Claims (1)
るインナーリード部の幅よりも狭く構成して成ることを
特徴とするリードフレーム。 ２、上記先端部はメッキエリアであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ３、上記先端部はクラッド材を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。[Scope of Claims] 1. A lead frame characterized in that the width of the tip of the inner lead portion is narrower than the width of the inner lead portion continuous to the tip. 2. The lead frame according to claim 1, wherein the tip portion is a plating area. 3. The lead frame according to claim 1, wherein the tip portion includes a cladding material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24964886A JPS63104457A (en) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24964886A JPS63104457A (en) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104457A true JPS63104457A (en) | 1988-05-09 |
Family
ID=17196146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24964886A Pending JPS63104457A (en) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63104457A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903401A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Leadframe silver bleed elimination |
| JP2008042100A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device, and method of manufacturing lead frame assembly |
| TWI408783B (en) * | 2008-02-06 | 2013-09-11 | Sanyo Electric Co | Circuit device and manufacturing method thereof |
| US8829685B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-09-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP24964886A patent/JPS63104457A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903401A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Leadframe silver bleed elimination |
| JP2008042100A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device, and method of manufacturing lead frame assembly |
| TWI408783B (en) * | 2008-02-06 | 2013-09-11 | Sanyo Electric Co | Circuit device and manufacturing method thereof |
| US8829685B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-09-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4917112B2 (en) | Semiconductor device | |
| US4754317A (en) | Integrated circuit die-to-lead frame interconnection assembly and method | |
| USRE35109E (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US6707135B2 (en) | Semiconductor leadframe for staggered board attach | |
| US7268415B2 (en) | Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads | |
| JPH0878605A (en) | Lead frame and semiconductor integrated circuit device using the same | |
| JP2002198482A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH04269856A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS60167454A (en) | semiconductor equipment | |
| JPS63104457A (en) | Lead frame | |
| JP3502377B2 (en) | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3639302B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPS62169457A (en) | Lead frame for semiconductor devices | |
| JP2596542B2 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| JPH0357248A (en) | Resin-sealed semiconductor device using tape carrier method | |
| EP0154187B1 (en) | Tape bonding material and structure for electronic circuit fabrication | |
| JP4764608B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2001077285A (en) | Lead frame and manufacture of resin-sealed semiconductor device using the same | |
| JPH0222850A (en) | Lead frames for semiconductor devices | |
| JPS61241954A (en) | Semiconductor device | |
| JPS62219646A (en) | lead frame | |
| JP2633514B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPS61152049A (en) | Lead frame and semiconductor device incorporating said lead frame | |
| JP2682685B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH09172042A (en) | Semiconductor device |