JPS629590A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JPS629590A JPS629590A JP60150402A JP15040285A JPS629590A JP S629590 A JPS629590 A JP S629590A JP 60150402 A JP60150402 A JP 60150402A JP 15040285 A JP15040285 A JP 15040285A JP S629590 A JPS629590 A JP S629590A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356086—Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes
- H03K3/356095—Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes with synchronous operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、MOS型電界効果トランジスタによって構成
された、半導体集積回路における増幅回路に関する。
された、半導体集積回路における増幅回路に関する。
なお、以下の説明は、すべてNチャネルMOSトランジ
スタで行なうが、PチャネルMOSトランジスタでも、
他の絶縁ゲート型FETでも木質的に同様である。
スタで行なうが、PチャネルMOSトランジスタでも、
他の絶縁ゲート型FETでも木質的に同様である。
MOS)ランジスタを用いたダイナミックメモリでは、
1トランジスタメモリセルの読出しのために、微小信号
を増幅するセンスアンプが各デイジット線対ごとに必要
となる。
1トランジスタメモリセルの読出しのために、微小信号
を増幅するセンスアンプが各デイジット線対ごとに必要
となる。
従来、このような微小信号を増幅する回路としては、第
3図に示されるものが使用されている。
3図に示されるものが使用されている。
この増幅回路は、ディジット線対2,2Aと、フリップ
フロップを構成するスイッチングトランジスタQl、
C2と、このトランジスタQ1. C2の共通ソース節
点4とグランドの間に接続され、ゲートにクロック信号
φ凰が印加されたセンスアンプ活性化用トランジスタQ
3と、各ディジット線2,2Aと電源VIXIの間に接
続され、ゲートにクロック信号φ3が印加されているプ
リチャージ用トランジスタQ4・+Qsと、アクティブ
プルアップ回路と、基準電圧発生回路6,6Aによって
構成されている。このアクティブプルアップ回路は、電
源v国と対応ディジット線2,2Aとの間に接続された
トランジスタQ6. C7と、これらトランジスタQ6
.07のそれぞれのゲートと対応するディジット線?、
2Aとの間に接続され、ディジット線対2,2Aの他方
の電位によりゲート電位が制御されるトランジスタQa
、 Qs 、 オよヒコれらトランジスタQ6.97の
ゲートm点3,3Aに接続され、クロック信号φ2によ
ってこれら節点3,3Aを昇圧するための容量C1,C
2、さられ、これら節点3,3Aをプリチャージし、バ
ランスさせるためのトランジスタQIO+ Qllと
から構成されている。
フロップを構成するスイッチングトランジスタQl、
C2と、このトランジスタQ1. C2の共通ソース節
点4とグランドの間に接続され、ゲートにクロック信号
φ凰が印加されたセンスアンプ活性化用トランジスタQ
3と、各ディジット線2,2Aと電源VIXIの間に接
続され、ゲートにクロック信号φ3が印加されているプ
リチャージ用トランジスタQ4・+Qsと、アクティブ
プルアップ回路と、基準電圧発生回路6,6Aによって
構成されている。このアクティブプルアップ回路は、電
源v国と対応ディジット線2,2Aとの間に接続された
トランジスタQ6. C7と、これらトランジスタQ6
.07のそれぞれのゲートと対応するディジット線?、
2Aとの間に接続され、ディジット線対2,2Aの他方
の電位によりゲート電位が制御されるトランジスタQa
、 Qs 、 オよヒコれらトランジスタQ6.97の
ゲートm点3,3Aに接続され、クロック信号φ2によ
ってこれら節点3,3Aを昇圧するための容量C1,C
2、さられ、これら節点3,3Aをプリチャージし、バ
ランスさせるためのトランジスタQIO+ Qllと
から構成されている。
なお、ディジット線2,2A間に接続され、ゲートにク
ロック信号φ3が印加されたトランジスタQ12は、デ
ィジット線2,2Aが等しいレベルになる効率を良くす
るためのものであり、プリチャージされるレベルよりプ
リチャージ用クロック信号φ3が十分高ければ必要とし
ない。
ロック信号φ3が印加されたトランジスタQ12は、デ
ィジット線2,2Aが等しいレベルになる効率を良くす
るためのものであり、プリチャージされるレベルよりプ
リチャージ用クロック信号φ3が十分高ければ必要とし
ない。
第4図は第3図のセンスアンプの動作波形図である。以
下、同図を参照して第3図の回路動作を述べる。
下、同図を参照して第3図の回路動作を述べる。
ディジット線2,2Aおよび節点3,3Aは、時刻t1
以前にはクロック信号φ3をゲートに印加したプリチャ
ージ用トランジスタQa+ QS+ Qto IQll
により同レベルに保たれている。プリチャージが完了し
、時刻11においてアドレス信号によりワード線7,7
Aが選択され高レベルとなると、メモリセル5,5Aの
情報の読出しが行なわれる0選択されたメモリセルの情
報1.0は、これらメモリセル5,5Aが接続されてい
るディジット線2,2A上に電位の変化として表われる
。
以前にはクロック信号φ3をゲートに印加したプリチャ
ージ用トランジスタQa+ QS+ Qto IQll
により同レベルに保たれている。プリチャージが完了し
、時刻11においてアドレス信号によりワード線7,7
Aが選択され高レベルとなると、メモリセル5,5Aの
情報の読出しが行なわれる0選択されたメモリセルの情
報1.0は、これらメモリセル5,5Aが接続されてい
るディジット線2,2A上に電位の変化として表われる
。
ディジット線対2,2Aの他方には基準電圧発生回路6
,6Aにより情報1.0の中間の電位が与えられる。こ
の結果、ディジット線2.2A間には0.1v程度の電
位差が生じ、時刻t2にクロック信号φ1を高レベルに
することによって増幅回路を活性化すると、ディジット
線2.zA間の電位差が増幅されることになる。
,6Aにより情報1.0の中間の電位が与えられる。こ
の結果、ディジット線2.2A間には0.1v程度の電
位差が生じ、時刻t2にクロック信号φ1を高レベルに
することによって増幅回路を活性化すると、ディジット
線2.zA間の電位差が増幅されることになる。
クロック信号φ!が高レベルとなる時刻t2以降、ディ
ジット線2.2Aの電荷はトランジスタQll C2に
より放電されるが、ディジット線2゜2A間にわずかな
がら電位差が生じているため、トランジスタQll C
2のオン抵抗に差が生じており、低電位側のディジット
線がより速く低レベルとなる。その結果、高レベル側の
トランジスタのオン抵抗はますます大きくなり、高レベ
ル側のディジー2ト線の電位が低下するのをさらに遅く
する。
ジット線2.2Aの電荷はトランジスタQll C2に
より放電されるが、ディジット線2゜2A間にわずかな
がら電位差が生じているため、トランジスタQll C
2のオン抵抗に差が生じており、低電位側のディジット
線がより速く低レベルとなる。その結果、高レベル側の
トランジスタのオン抵抗はますます大きくなり、高レベ
ル側のディジー2ト線の電位が低下するのをさらに遅く
する。
一方、アクティブプルアップ回路内の節点3゜3Aは、
時刻1.以前にはトランジスタQIOIQIIと、トラ
ンジスタQa、 Qsによってディジット線2.2Aと
同じ高レベルに保たれている0時刻t2以降ディジット
線2,2Aに電位差が生じると。
時刻1.以前にはトランジスタQIOIQIIと、トラ
ンジスタQa、 Qsによってディジット線2.2Aと
同じ高レベルに保たれている0時刻t2以降ディジット
線2,2Aに電位差が生じると。
ゲートがディジット線2.2Aの電位により制御される
トランジスタQB、 Q9によって、この節点。
トランジスタQB、 Q9によって、この節点。
にも微小電位差が生じる。さらに、時刻t317)セン
スアンプ活性死時以降、ディジット線2 、2.Aの電
位差の増大に伴い、トランジスタQe、 Qsのオン抵
抗に差が生じ、トランジスタQ1. C2と同様の動作
を行なって、この節点間にもディジット線2.2Aと同
様の大きな電位差が生じる。
スアンプ活性死時以降、ディジット線2 、2.Aの電
位差の増大に伴い、トランジスタQe、 Qsのオン抵
抗に差が生じ、トランジスタQ1. C2と同様の動作
を行なって、この節点間にもディジット線2.2Aと同
様の大きな電位差が生じる。
時刻t3にクロック信号φ2が高レベルになると、アク
ティブプルアップ回路内の節点3.3Aのうち、高レベ
ル側の節点が容量C,,C2を介して昇圧され、電HA
Vno以上の電位となる。したかって、ゲートをこの
節点3,3Aの電位によって制御されるトランジスタQ
6.07によって高レベル側のディジット線に電荷が供
給され、これらディジット線2,2Aは電源レベルまで
昇圧される。
ティブプルアップ回路内の節点3.3Aのうち、高レベ
ル側の節点が容量C,,C2を介して昇圧され、電HA
Vno以上の電位となる。したかって、ゲートをこの
節点3,3Aの電位によって制御されるトランジスタQ
6.07によって高レベル側のディジット線に電荷が供
給され、これらディジット線2,2Aは電源レベルまで
昇圧される。
センスアンプリ上91時、ディジット線対2゜2Aおよ
び節点3,3Aは同一の高レベル(電源レベル)までア
ンバランス無く、プリチャージされなければならない、
ディジット線2,2Aは、第4図のように、クロック信
号φ3が高レベルになると、バランス用トランジスタQ
12により高レベル側から低レベル側に電荷が移動して
、バランス動作を開始する。これと同時にプリチャージ
用トランジスタQ4. QSによって電荷の供給が開始
され、両ディジット線?、2A共に高レベルになろうと
する。
び節点3,3Aは同一の高レベル(電源レベル)までア
ンバランス無く、プリチャージされなければならない、
ディジット線2,2Aは、第4図のように、クロック信
号φ3が高レベルになると、バランス用トランジスタQ
12により高レベル側から低レベル側に電荷が移動して
、バランス動作を開始する。これと同時にプリチャージ
用トランジスタQ4. QSによって電荷の供給が開始
され、両ディジット線?、2A共に高レベルになろうと
する。
一方、アクティブプルアップ回路内の節点3゜3Aは、
クロック信号φ2の落ちにともない、そのカップリング
を受け、電源以上に保たれていた高電位側のレベルが落
とされる。次に、時刻t5において、クロック信号φ3
が高レベルになると、この節点3,3Aのプリチャージ
用トランジスタQ+o + Qu、によってプリチャ
ージが開始され、電源レベ゛ルまで持ち上がることにな
る。これら2つの節点3,3Aがバランスするのは、低
レベル側の節点が電源レベルまで持ち上げられる時刻と
なるが、バランスする電位が電源レベルであるため、バ
ランス用トランジスタQ12のゲート信号φ3の能力が
不足していた場合、バランス時刻は遅くなる可能性があ
る。また、節点3,3Aがバランスする以前に何らかの
原因で電源ノイズが発 生した場合、前節点3,3
A間にアンバランスが生じ、解消されない可能性も出て
くる。ディジット1i2.2A間に表われる初期電位差
は微小であるため、このようなアンバランスにより誤動
作をしてしまう。
クロック信号φ2の落ちにともない、そのカップリング
を受け、電源以上に保たれていた高電位側のレベルが落
とされる。次に、時刻t5において、クロック信号φ3
が高レベルになると、この節点3,3Aのプリチャージ
用トランジスタQ+o + Qu、によってプリチャ
ージが開始され、電源レベ゛ルまで持ち上がることにな
る。これら2つの節点3,3Aがバランスするのは、低
レベル側の節点が電源レベルまで持ち上げられる時刻と
なるが、バランスする電位が電源レベルであるため、バ
ランス用トランジスタQ12のゲート信号φ3の能力が
不足していた場合、バランス時刻は遅くなる可能性があ
る。また、節点3,3Aがバランスする以前に何らかの
原因で電源ノイズが発 生した場合、前節点3,3
A間にアンバランスが生じ、解消されない可能性も出て
くる。ディジット1i2.2A間に表われる初期電位差
は微小であるため、このようなアンバランスにより誤動
作をしてしまう。
この問題は、プリチャージ用トランジスタQIOIQI
Iのゲートに入るクロック信号φ3が電源以上の十分な
レベルにあれば発生しない、しかし、これら2つの節点
3,3Aがバランスする時刻を考える場合には、ディジ
ット線2,2Aと同様に、これら2つの節点3,3.A
間にバランス用トランジスタを接続し、バランスする電
位を下げてやれば、このトランジスタのゲート電位が電
源レベルであったとしても短時間で十分なバランスが行
なえる。しかしながら、この問題解決法では、トランジ
スタ数を増やすことになり好ましくない。
Iのゲートに入るクロック信号φ3が電源以上の十分な
レベルにあれば発生しない、しかし、これら2つの節点
3,3Aがバランスする時刻を考える場合には、ディジ
ット線2,2Aと同様に、これら2つの節点3,3.A
間にバランス用トランジスタを接続し、バランスする電
位を下げてやれば、このトランジスタのゲート電位が電
源レベルであったとしても短時間で十分なバランスが行
なえる。しかしながら、この問題解決法では、トランジ
スタ数を増やすことになり好ましくない。
そこで、本発明は、プリチャージ用トランジスタQ+o
を節点3とトランジスタQ2の直列回路の中間接続点の
間に接続し、プリチャージ用トランジスタC1ttを節
点3AとトランジスタQ!の直列回路の中間接続点の間
に接続することにより、トランジスタ数を増やさずに節
点3,3Aのプリチャージを行ない、しかもバランス電
位を下げて、クロック信号φ3の能力に依存させずに、
早い時点でバランスさせるようにしたものである。
を節点3とトランジスタQ2の直列回路の中間接続点の
間に接続し、プリチャージ用トランジスタC1ttを節
点3AとトランジスタQ!の直列回路の中間接続点の間
に接続することにより、トランジスタ数を増やさずに節
点3,3Aのプリチャージを行ない、しかもバランス電
位を下げて、クロック信号φ3の能力に依存させずに、
早い時点でバランスさせるようにしたものである。
すなわち、本発明の増幅回路は、第1および第2の節点
と、第1の節点の電位によって制御される第1の負荷回
路と、第1の電界効果トランジスタの第1の直列回路と
、第2の節点の電位によって制御される第2の負荷回路
仁、第1の電界効果トランジスタとともにフリップフロ
ップ回路として動作する第2の電界効果トランジスタの
第2の直列回路と、第1の電界効果トランジスタのゲー
トを第2の直列回路の中間接続点に接続する手段と、第
2の電界効果トランジスタのゲートを第1の直列回路の
中間接続点に接続する手段と、第1の節点と第1の直列
回路の中間接続点との間に接続され、第2の直列回路の
中間接続点の電位によって制御される第3の電界効果ト
ランジスタと、第2の節点と第2の直列回路の中間接続
点との間に接続され、第1の直列回路の中間接続点の電
位によって制御される第4の電界効果トランジスタと、
第1の節点と第2の直列回路の中間接続点との間に接続
され、プリチャージ用クロー、り信号によって制御され
る第5の電界効果トランジスタと、第2の節点と第1の
直列回路の中間接続点との間に接続され、プリチャージ
用クロック信号によって制御される第6の電界効果トラ
ンジスタとを有する。
と、第1の節点の電位によって制御される第1の負荷回
路と、第1の電界効果トランジスタの第1の直列回路と
、第2の節点の電位によって制御される第2の負荷回路
仁、第1の電界効果トランジスタとともにフリップフロ
ップ回路として動作する第2の電界効果トランジスタの
第2の直列回路と、第1の電界効果トランジスタのゲー
トを第2の直列回路の中間接続点に接続する手段と、第
2の電界効果トランジスタのゲートを第1の直列回路の
中間接続点に接続する手段と、第1の節点と第1の直列
回路の中間接続点との間に接続され、第2の直列回路の
中間接続点の電位によって制御される第3の電界効果ト
ランジスタと、第2の節点と第2の直列回路の中間接続
点との間に接続され、第1の直列回路の中間接続点の電
位によって制御される第4の電界効果トランジスタと、
第1の節点と第2の直列回路の中間接続点との間に接続
され、プリチャージ用クロー、り信号によって制御され
る第5の電界効果トランジスタと、第2の節点と第1の
直列回路の中間接続点との間に接続され、プリチャージ
用クロック信号によって制御される第6の電界効果トラ
ンジスタとを有する。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の増幅回路を備えたセンスアンプ回路の
一実施例の回路図、第2図はその動作波形図である。
一実施例の回路図、第2図はその動作波形図である。
本実施例の増幅回路lは第3図に示した増幅回路8の節
点3,3Aのプリチャージ用トランジスタ Q+o+Q
ttのドレインを電源とせずに、ディジット線対2,2
Aの他方と接続されている。
点3,3Aのプリチャージ用トランジスタ Q+o+Q
ttのドレインを電源とせずに、ディジット線対2,2
Aの他方と接続されている。
次に1本実施例の動作を第2図の動作波形図を参照して
説明する。
説明する。
ディジット線2,2Aは、時刻t、以前、クロック信号
φ3が高レベルとなっている間は、この信号をゲートに
印加したトランジスタQ4. QSによってプリチャー
ジされ、しかも、バランス用トランジスタQI2によっ
て同レベルに保たれている。また、節点3,3Aもトラ
ンジスタQ1゜。
φ3が高レベルとなっている間は、この信号をゲートに
印加したトランジスタQ4. QSによってプリチャー
ジされ、しかも、バランス用トランジスタQI2によっ
て同レベルに保たれている。また、節点3,3Aもトラ
ンジスタQ1゜。
Qllにより同一レベルにプリチャージされている。プ
リチャージが完了し、時刻t1において、アドレス信号
、によりワード線7または7Aが選択されると″、メモ
リセル5または5Aの情報の読出しが行なわれる0選択
されたメモリセルの情報1゜Oは、このメモリセルが接
続されているディジット線2.2A上に電位差として現
われ、ディジット線対2,2Aの他方には基準電圧発生
回路6゜6Aにより、情報1.0の中間電位が与えられ
る。この結果、ディジット線2,2A間には0.1V程
度の電位差が生じる。アクティブプルアップ回路内の節
点3,3A間にも、ゲートが相手側のディジット線2,
2Aの電位によって制御されるトランジスタQa、 Q
sによって微小電位差が生じる。
リチャージが完了し、時刻t1において、アドレス信号
、によりワード線7または7Aが選択されると″、メモ
リセル5または5Aの情報の読出しが行なわれる0選択
されたメモリセルの情報1゜Oは、このメモリセルが接
続されているディジット線2.2A上に電位差として現
われ、ディジット線対2,2Aの他方には基準電圧発生
回路6゜6Aにより、情報1.0の中間電位が与えられ
る。この結果、ディジット線2,2A間には0.1V程
度の電位差が生じる。アクティブプルアップ回路内の節
点3,3A間にも、ゲートが相手側のディジット線2,
2Aの電位によって制御されるトランジスタQa、 Q
sによって微小電位差が生じる。
時刻t2において、クロック信号φ1が高レベルとなる
と、増幅回路lが活性化され、増幅が開始される。トラ
ンジスタQl、 Q2およびQ8. Q9によってディ
ジット線2,2Aおよび節点3,3Aの電荷が放電され
始めるが、ディジット線2゜2Aに生じている微小電位
差により、トランジスタ Qll 02問およびトラン
ジスタQa 、99間にオン抵抗差が生じているため、
低レベル側のディジット線および節点はより早く低レベ
ルに引き落とされることになる。その結果、高レベル側
にあるトランジスタのオン抵抗はさらに大きくなり、高
レベル側のディジット線および節点の電位が低下するの
をさらに遅くする。
と、増幅回路lが活性化され、増幅が開始される。トラ
ンジスタQl、 Q2およびQ8. Q9によってディ
ジット線2,2Aおよび節点3,3Aの電荷が放電され
始めるが、ディジット線2゜2Aに生じている微小電位
差により、トランジスタ Qll 02問およびトラン
ジスタQa 、99間にオン抵抗差が生じているため、
低レベル側のディジット線および節点はより早く低レベ
ルに引き落とされることになる。その結果、高レベル側
にあるトランジスタのオン抵抗はさらに大きくなり、高
レベル側のディジット線および節点の電位が低下するの
をさらに遅くする。
時刻t3において、クロック信号φ2が高レベルとなる
と1節点3.3Aのうち高レベル側の節点が電源レベル
以上に昇圧され、これによりトランジスタQ6もしくは
Q7を通して、ディジット線2.2Aの高レベル側は電
源レベルまで昇圧されることになる。この時点でセンス
アンプの増幅が終了する。
と1節点3.3Aのうち高レベル側の節点が電源レベル
以上に昇圧され、これによりトランジスタQ6もしくは
Q7を通して、ディジット線2.2Aの高レベル側は電
源レベルまで昇圧されることになる。この時点でセンス
アンプの増幅が終了する。
次に、センスアンプリセット時、クロック信号φ1が低
レベルになり、さらにクロック信号φ2が低レベルにな
ると、節点3.3Aのうち高レベル側の節点は、この節
点と信号φ2間に接続された容量C,またはC2により
カップリングを受け、電位が低下する。さらに1時刻1
sにおいてプリチャージ用クロック信号φ3が高レベル
になると、ディジット線2.2A間←接続されたトラン
ジスタQ12がオンし、ディジット線2,2A間の電荷
のやりとりが開始され、さらに、節点3゜3Aのうち高
レベル側の節点と低レベル側のディジット線間に接続さ
れたトランジスタおよび、節点3,3Aのうち低レベル
側の節点と高レベル側のディジット線間に接続されたト
ランジスタQ+o+Qt□によってディジット線2,2
Aと節点3.3A間で電荷のやりとりが行なわれるため
、ディジット線2 、2A 、 [点3,3Aの4節点
の電位はバランスを開始し同一レベルとなる。
レベルになり、さらにクロック信号φ2が低レベルにな
ると、節点3.3Aのうち高レベル側の節点は、この節
点と信号φ2間に接続された容量C,またはC2により
カップリングを受け、電位が低下する。さらに1時刻1
sにおいてプリチャージ用クロック信号φ3が高レベル
になると、ディジット線2.2A間←接続されたトラン
ジスタQ12がオンし、ディジット線2,2A間の電荷
のやりとりが開始され、さらに、節点3゜3Aのうち高
レベル側の節点と低レベル側のディジット線間に接続さ
れたトランジスタおよび、節点3,3Aのうち低レベル
側の節点と高レベル側のディジット線間に接続されたト
ランジスタQ+o+Qt□によってディジット線2,2
Aと節点3.3A間で電荷のやりとりが行なわれるため
、ディジット線2 、2A 、 [点3,3Aの4節点
の電位はバランスを開始し同一レベルとなる。
この動作と平行して、クロック信号φ3をゲートに印加
したプリチャージ用トランジスタQ4゜Q5によってデ
ィジット線2,2Aに電荷を供給し始めるため、4m点
の波形は第2図に示すとおり、電源電圧より低いレベル
でバランスしながら、短時間で電源レベルまで持ち上が
ることになる。
したプリチャージ用トランジスタQ4゜Q5によってデ
ィジット線2,2Aに電荷を供給し始めるため、4m点
の波形は第2図に示すとおり、電源電圧より低いレベル
でバランスしながら、短時間で電源レベルまで持ち上が
ることになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、プリチャージ用クロック
信号によって制御される第5の電界効果トランジスタを
第1の節点と第2の直列回路の中間接続点との間に接続
し、プリチャージ用クロック信号によって制御される第
6の電界効果トランジスタを第2の節点と第1の直列回
路の中間接続点との間に接続することにより、ディジッ
ト線対とアクティブプルアップ回路内の2m点との合計
4節点が同一のレベルにバランスしながら、同時にプリ
チャージを開始するため、バランスする動作のみに着目
すれば、プリチャージ用クロック信号の電位にさほど依
存せずに早期に同一レベルにバランスさせることができ
、したがって電源ノイズなどにも強く、トランジスタの
個数を増やさずに、安定したセンスアンプ動作が期待で
きる効果がある。
信号によって制御される第5の電界効果トランジスタを
第1の節点と第2の直列回路の中間接続点との間に接続
し、プリチャージ用クロック信号によって制御される第
6の電界効果トランジスタを第2の節点と第1の直列回
路の中間接続点との間に接続することにより、ディジッ
ト線対とアクティブプルアップ回路内の2m点との合計
4節点が同一のレベルにバランスしながら、同時にプリ
チャージを開始するため、バランスする動作のみに着目
すれば、プリチャージ用クロック信号の電位にさほど依
存せずに早期に同一レベルにバランスさせることができ
、したがって電源ノイズなどにも強く、トランジスタの
個数を増やさずに、安定したセンスアンプ動作が期待で
きる効果がある。
この回路構成は、他の増幅回路にも応用できるものであ
る。
る。
第1図は本発明の増幅回路の一実施例の回路図、第2図
は第1図の回路の動作波形図、第3図は従来例の1回路
図、第4図は第3図の回路の動作波形図である。 1:増幅回路、 2.2A:ディジット線、 3:節点(第1の節点)、 3A:fM点(第2の節点)。 5.5A:メモリセル。 6.6A:基準電圧発生回路、 7.7A:ワード線、 Q1=スイッチングトランジスタ(第1の電界効果トラ
ンジスタ)、 Q2ニスイツチングトランジスタ(第2の電界効果トラ
ンジスタ)、 C3:センスアンプ活性化用トランジスタ、C4,QS
ニブリチャージ用トランジスタ、C6:トランジス
タ(第1の負荷回路)、C7:トランジスタ(第2の負
荷回路)、C8・トラレジスタ(第3の電界効果トラン
ジスタ)、 Q9:トランジスタ(第4の電界効果トランジスタ)、 Q+oニブリチャージ用トランジスタ(第5の電界効果
トランジスタ)、 Qllニブリチャージ用トランジスタ(第6の電界効果
トランジスタ)、 C12:バランス用トランジスタ、 C,、C2:容量、 Vコニ電源、 φ1.φ2 :クロック信号、 φ3 ニブリチャージ用クロック信号。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛゛第2図
は第1図の回路の動作波形図、第3図は従来例の1回路
図、第4図は第3図の回路の動作波形図である。 1:増幅回路、 2.2A:ディジット線、 3:節点(第1の節点)、 3A:fM点(第2の節点)。 5.5A:メモリセル。 6.6A:基準電圧発生回路、 7.7A:ワード線、 Q1=スイッチングトランジスタ(第1の電界効果トラ
ンジスタ)、 Q2ニスイツチングトランジスタ(第2の電界効果トラ
ンジスタ)、 C3:センスアンプ活性化用トランジスタ、C4,QS
ニブリチャージ用トランジスタ、C6:トランジス
タ(第1の負荷回路)、C7:トランジスタ(第2の負
荷回路)、C8・トラレジスタ(第3の電界効果トラン
ジスタ)、 Q9:トランジスタ(第4の電界効果トランジスタ)、 Q+oニブリチャージ用トランジスタ(第5の電界効果
トランジスタ)、 Qllニブリチャージ用トランジスタ(第6の電界効果
トランジスタ)、 C12:バランス用トランジスタ、 C,、C2:容量、 Vコニ電源、 φ1.φ2 :クロック信号、 φ3 ニブリチャージ用クロック信号。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛゛第2図
Claims (1)
- 第1および第2の節点と、第1の節点の電位によって
制御される第1の負荷回路と、第1の電界効果トランジ
スタの第1の直列回路と、第2の節点の電位によって制
御される第2の負荷回路と、第1の電界効果トランジス
タとともにフリップフロップ回路として動作する第2の
電界効果トランジスタの第2の直列回路と、第1の電界
効果トランジスタのゲートを第2の直列回路の中間接続
点に接続する手段と、第2の電界効果トランジスタのゲ
ートを第1の直列回路の中間接続点に接続する手段と、
第1の節点と第1の直列回路の中間接続点との間に接続
され、第2の直列回路の中間接続点の電位によって制御
される第3の電界効果トランジスタと、第2の節点と第
2の直列回路の中間接続点との間に接続され、第1の直
列回路の中間接続点の電位によって制御される第4の電
界効果トランジスタと、第1の節点と第2の直列回路の
中間接続点との間に接続され、プリチャージ用クロック
信号によって制御される第5の電界効果トランジスタと
、第2の節点と第1の直列回路の中間接続点との間に接
続され、プリチャージ用クロック信号によって制御され
る第6の電界効果トランジスタとを有する増幅回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150402A JPS629590A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 増幅回路 |
DE8686109294T DE3685615T2 (de) | 1985-07-08 | 1986-07-08 | Leseverstaerkerschaltung. |
EP86109294A EP0209051B1 (en) | 1985-07-08 | 1986-07-08 | Sense amplifier circuit |
US06/883,215 US4743784A (en) | 1985-07-08 | 1986-07-08 | Sense amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150402A JPS629590A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS629590A true JPS629590A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15496186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60150402A Pending JPS629590A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 増幅回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4743784A (ja) |
EP (1) | EP0209051B1 (ja) |
JP (1) | JPS629590A (ja) |
DE (1) | DE3685615T2 (ja) |
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-
1986
- 1986-07-08 DE DE8686109294T patent/DE3685615T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-08 EP EP86109294A patent/EP0209051B1/en not_active Expired
- 1986-07-08 US US06/883,215 patent/US4743784A/en not_active Expired - Lifetime
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EP0209051B1 (en) | 1992-06-10 |
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