JPS628585Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628585Y2 JPS628585Y2 JP1979025798U JP2579879U JPS628585Y2 JP S628585 Y2 JPS628585 Y2 JP S628585Y2 JP 1979025798 U JP1979025798 U JP 1979025798U JP 2579879 U JP2579879 U JP 2579879U JP S628585 Y2 JPS628585 Y2 JP S628585Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- terminals
- base
- wave device
- acoustic wave
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は導電性ベースに取り付けられる弾性表
面波装置の取付構造に関する。
面波装置の取付構造に関する。
従来、弾性表面波装置の導電ベースへの取付け
は、第1図に示すように、シールド効果を併せて
もたせるため、表面波基板1を導電性ベース2に
対し導電ベイント3で固着して行なわれている。
表面波基板1にはその表面側に入力および出力用
インターデイジタルトランスジユーサ(以下、
IDTと略す)4,5が設けられ、両IDT4,5間
に入出力間の静電しやへいの目的でアース電極6
が配設されている。各IDT4,5は相互に差し込
まれた一対のくし歯電極で構成され、各IDTごと
に一方のくし歯電極がホツト端子7,9に接続さ
れ、他方のくし歯電極がアース端子8,10に接
続され、また、アース電極6がベース2に電気的
に接続されたアース端子11に接続されている。
そして、各IDTの端子7,8間および端子9,1
0間には、微小間隔で対向する一対のくし歯電極
間に形成される容量があらわれ、その容量は比較
的大きく、特に表面波基板がセラミツクなどの高
誘電率圧電体の場合には一層大きくなり、この結
果端子間のインピーダンスが小さくなり、前後段
の回路とのインピーダンスマツチングがとりにく
くなることがある。しかも、実際の回路では、ボ
デイアースされた端子11と入出力のアース端子
8,10とが外部で接続されるので、端子7,8
間および端子9,10間には上記容量以外に別の
容量が並列的に加わる。その別の容量は、ホツト
端子7,9に接続されているホツト側くし歯電極
と導電ベイント3間に形成されるものである。し
たがつて、端子7,8間および端子9,10間の
容量はさらに一層大きくなる。因に、その容量は
IDT自体の容量の1.2〜1.5倍程度になる。
は、第1図に示すように、シールド効果を併せて
もたせるため、表面波基板1を導電性ベース2に
対し導電ベイント3で固着して行なわれている。
表面波基板1にはその表面側に入力および出力用
インターデイジタルトランスジユーサ(以下、
IDTと略す)4,5が設けられ、両IDT4,5間
に入出力間の静電しやへいの目的でアース電極6
が配設されている。各IDT4,5は相互に差し込
まれた一対のくし歯電極で構成され、各IDTごと
に一方のくし歯電極がホツト端子7,9に接続さ
れ、他方のくし歯電極がアース端子8,10に接
続され、また、アース電極6がベース2に電気的
に接続されたアース端子11に接続されている。
そして、各IDTの端子7,8間および端子9,1
0間には、微小間隔で対向する一対のくし歯電極
間に形成される容量があらわれ、その容量は比較
的大きく、特に表面波基板がセラミツクなどの高
誘電率圧電体の場合には一層大きくなり、この結
果端子間のインピーダンスが小さくなり、前後段
の回路とのインピーダンスマツチングがとりにく
くなることがある。しかも、実際の回路では、ボ
デイアースされた端子11と入出力のアース端子
8,10とが外部で接続されるので、端子7,8
間および端子9,10間には上記容量以外に別の
容量が並列的に加わる。その別の容量は、ホツト
端子7,9に接続されているホツト側くし歯電極
と導電ベイント3間に形成されるものである。し
たがつて、端子7,8間および端子9,10間の
容量はさらに一層大きくなる。因に、その容量は
IDT自体の容量の1.2〜1.5倍程度になる。
本考案は、上述した従来の欠点を改良したもの
で、入出力インピーダンスを低下させずハーメチ
ツクケースなどの導電ベースに弾性表面波装置を
取り付けることができるようにした表面波装置の
取付構造を提供することを目的とする。
で、入出力インピーダンスを低下させずハーメチ
ツクケースなどの導電ベースに弾性表面波装置を
取り付けることができるようにした表面波装置の
取付構造を提供することを目的とする。
以下、本考案の実施例を図面を参照しつつ詳述
する。
する。
第2図において、20はハーメチツクケースの
一部をなす導電性ベースで、このベース20には
5本の端子21,22,23,24,25が貫通
固定され、このうちの端子25はベース20に電
気的に導通され、残りの端子21,22,23,
24はベース20に電気的に絶縁されている。2
6は表面波装置で、セラミツクのような比較的誘
電率の高い圧電材料で構成された表面波基板27
と、この基板27の表面側に形成された入力およ
び出力用IDT28,29と、両IDT28,29間
に配設されたアース電極30とで構成されてい
る。表面波基板27の裏面側にはIDT28,29
と対向する位置に、それぞれエポキシ樹脂系接着
剤等の表面波基板27に比較して低誘電率の非導
電性膜31,32が印刷等の手段で塗布されてい
る。そして、基板27の裏面に非導電性膜31,
32の上から導電ペイント33を塗布し、もしく
はベース20上に予め導電ベイント33を塗布し
ておき、この導伝ペイント33により表面波装置
26が導電ベース20に固着されている。本実施
例によれば、各IDT28,29とベース20間に
低誘電率の非導電性膜31,32が介在され、か
つ各IDT28,29と導電ペイント33間の距離
が長くなるので、各IDT28,29のホツト側く
し歯電極とベース20もしくは導電ペイント33
との間に生ずる容量がきわめて小さくなり、実際
の回路に組み込んだ状態で端子21,22間およ
び端子23,24間のインピーダンスが従来例と
比較して大幅に高くなる。
一部をなす導電性ベースで、このベース20には
5本の端子21,22,23,24,25が貫通
固定され、このうちの端子25はベース20に電
気的に導通され、残りの端子21,22,23,
24はベース20に電気的に絶縁されている。2
6は表面波装置で、セラミツクのような比較的誘
電率の高い圧電材料で構成された表面波基板27
と、この基板27の表面側に形成された入力およ
び出力用IDT28,29と、両IDT28,29間
に配設されたアース電極30とで構成されてい
る。表面波基板27の裏面側にはIDT28,29
と対向する位置に、それぞれエポキシ樹脂系接着
剤等の表面波基板27に比較して低誘電率の非導
電性膜31,32が印刷等の手段で塗布されてい
る。そして、基板27の裏面に非導電性膜31,
32の上から導電ペイント33を塗布し、もしく
はベース20上に予め導電ベイント33を塗布し
ておき、この導伝ペイント33により表面波装置
26が導電ベース20に固着されている。本実施
例によれば、各IDT28,29とベース20間に
低誘電率の非導電性膜31,32が介在され、か
つ各IDT28,29と導電ペイント33間の距離
が長くなるので、各IDT28,29のホツト側く
し歯電極とベース20もしくは導電ペイント33
との間に生ずる容量がきわめて小さくなり、実際
の回路に組み込んだ状態で端子21,22間およ
び端子23,24間のインピーダンスが従来例と
比較して大幅に高くなる。
第3図は他の実施例を示し、上記実施例と同一
の部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。本実施例は、表面波基板27の裏面であつて
各IDT28,29に対向する部分に非導電性の接
着剤40,41を塗布し、両IDT28,29間に
対向する部分すなわち両接着剤40,41間には
導電ペイント42を塗布し、これらの接着剤およ
びペイント40,41,42でもつて表面波装置
26をベース20に固着するようにしたものであ
る。これらの接着剤およびペイント40,41,
42はベース20側に塗布しておいてもよい。
の部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。本実施例は、表面波基板27の裏面であつて
各IDT28,29に対向する部分に非導電性の接
着剤40,41を塗布し、両IDT28,29間に
対向する部分すなわち両接着剤40,41間には
導電ペイント42を塗布し、これらの接着剤およ
びペイント40,41,42でもつて表面波装置
26をベース20に固着するようにしたものであ
る。これらの接着剤およびペイント40,41,
42はベース20側に塗布しておいてもよい。
上記各実施例においてベースはハーメチツクケ
ースの一部を用いているが、プリント基板等であ
つてもよい。また、アース端子22,24は装置
内において予めボデイアースしておいてもよい。
ースの一部を用いているが、プリント基板等であ
つてもよい。また、アース端子22,24は装置
内において予めボデイアースしておいてもよい。
本考案は、以上説明したように、表面波基板の
トランスジユーサの設けられていない面で、トラ
ンスジユーサと対向する位置に低誘電率の非導電
性膜を介在させて表面波装置を導電性ベースに取
り付けるようにしているので、入力および出力端
子間にあらわれる容量が小さくなり、表面波装置
の入出力インピーダンスを高めることができる。
トランスジユーサの設けられていない面で、トラ
ンスジユーサと対向する位置に低誘電率の非導電
性膜を介在させて表面波装置を導電性ベースに取
り付けるようにしているので、入力および出力端
子間にあらわれる容量が小さくなり、表面波装置
の入出力インピーダンスを高めることができる。
第1図は従来における表面波装置の取付構造を
示す平面図、第2図aおよびbはそれぞれ本考案
に基づく表面波装置の取付構造を示す平面図およ
びB−B線断面図、第3図は他の実施例を示す断
面図である。 20……導電性ベース、26……表面波装置、
27……表面波基板、28,29……IDT、3
1,32,40,41……非導電性膜。
示す平面図、第2図aおよびbはそれぞれ本考案
に基づく表面波装置の取付構造を示す平面図およ
びB−B線断面図、第3図は他の実施例を示す断
面図である。 20……導電性ベース、26……表面波装置、
27……表面波基板、28,29……IDT、3
1,32,40,41……非導電性膜。
Claims (1)
- 導電性ベースに取り付けられる弾性表面波装置
の取付構造において、表面波基板のトランスジユ
ーサの設けられていない面でトランスジユーサと
対向する位置に低誘電率の非導電性膜を介在させ
て導電性ベースに取り付けられたことを特徴とす
る弾性表面波装置の取付構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1979025798U JPS628585Y2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1979025798U JPS628585Y2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55127417U JPS55127417U (ja) | 1980-09-09 |
JPS628585Y2 true JPS628585Y2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=28866841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1979025798U Expired JPS628585Y2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS628585Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH026666Y2 (ja) * | 1981-02-18 | 1990-02-19 | ||
JPH026668Y2 (ja) * | 1981-02-19 | 1990-02-19 | ||
JPH026667Y2 (ja) * | 1981-02-19 | 1990-02-19 | ||
JPS59183026U (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | 株式会社東芝 | 弾性表面波装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5413793B2 (ja) * | 1971-09-13 | 1979-06-02 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5413793U (ja) * | 1977-06-30 | 1979-01-29 |
-
1979
- 1979-02-28 JP JP1979025798U patent/JPS628585Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5413793B2 (ja) * | 1971-09-13 | 1979-06-02 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55127417U (ja) | 1980-09-09 |
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