JPS6272472A - セラミツクスと金属等との接合方法 - Google Patents
セラミツクスと金属等との接合方法Info
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- JPS6272472A JPS6272472A JP21247885A JP21247885A JPS6272472A JP S6272472 A JPS6272472 A JP S6272472A JP 21247885 A JP21247885 A JP 21247885A JP 21247885 A JP21247885 A JP 21247885A JP S6272472 A JPS6272472 A JP S6272472A
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- ceramics
- joining
- film
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- metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はセラミックス同士およびセラミックスと金属を
加熱により溶解する中間材を介して接合する方法に関す
るものである。
加熱により溶解する中間材を介して接合する方法に関す
るものである。
従来セラミックスと金属等との接合法は高融点金属法に
よるアルミナセラミックスとコバールの接合や酸化物ソ
ルダー法によるアルミナセラミックスとニオブとの接合
等が知られている。
よるアルミナセラミックスとコバールの接合や酸化物ソ
ルダー法によるアルミナセラミックスとニオブとの接合
等が知られている。
前者の高融点金属法は例えば焼結アルミナセラミックス
にＭ ｏ −Ｍ ｎメタライズペーストを塗布し、水素
炉にて１３００〜１７００℃で加熱焼付した後、ニッケ
ルめっきを施して水素炉中で約８００℃で熱処理しメタ
ライズし、Ａ ｇ −Ｃｕ共晶ろうにてコバールと結合
する方法である。
にＭ ｏ −Ｍ ｎメタライズペーストを塗布し、水素
炉にて１３００〜１７００℃で加熱焼付した後、ニッケ
ルめっきを施して水素炉中で約８００℃で熱処理しメタ
ライズし、Ａ ｇ −Ｃｕ共晶ろうにてコバールと結合
する方法である。
また、後者の酸化物ソルダー法はＣｕ０−ＭｇＯ−ＡＱ
２０ｓ Ｂ２Ｏ３の混合物を焼結アルミナセラミック
スに塗布し、金属ニオブを配置した後、１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空中にて約１５００℃で加熱する接合方法である
。前者の方法は工程が複雑であり、後者の方法も真空を
利用するために接合品の量産化には難のある方法である
。
２０ｓ Ｂ２Ｏ３の混合物を焼結アルミナセラミック
スに塗布し、金属ニオブを配置した後、１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空中にて約１５００℃で加熱する接合方法である
。前者の方法は工程が複雑であり、後者の方法も真空を
利用するために接合品の量産化には難のある方法である
。
またこれらの接合方法以外にセラミックスの接合面に直
接ろう材を介して接合する方法がある（特開昭５９−２
３２６９２号）にの方法はＴｉ元素にＣｕあるいはＡｇ
を添加した合金を予め作製し、セラミックス同士、もし
くはセラミックスと金属を接合するもので、Ｔｉ、Ｚｒ
の還元作用を利用したものである。この場合の加熱雰囲
気は真空中、Ａｒ中等の不活性ガス中で行われる。しか
しこの接合法もＡｒ中ではＡＱｚＯａ等にはわずかなぬ
れ性を示すが、酸素センサー等に用いられる機能性Ｚｒ
０ｚ等にはぬれ性が悪く、信頼性に欠ける欠点があり、
またぬれ性はよい真空中では量産化という点でも問題に
なる方法である。ぬれ性が悪いのは勿論接合強度も低い
ので問題になる。
接ろう材を介して接合する方法がある（特開昭５９−２
３２６９２号）にの方法はＴｉ元素にＣｕあるいはＡｇ
を添加した合金を予め作製し、セラミックス同士、もし
くはセラミックスと金属を接合するもので、Ｔｉ、Ｚｒ
の還元作用を利用したものである。この場合の加熱雰囲
気は真空中、Ａｒ中等の不活性ガス中で行われる。しか
しこの接合法もＡｒ中ではＡＱｚＯａ等にはわずかなぬ
れ性を示すが、酸素センサー等に用いられる機能性Ｚｒ
０ｚ等にはぬれ性が悪く、信頼性に欠ける欠点があり、
またぬれ性はよい真空中では量産化という点でも問題に
なる方法である。ぬれ性が悪いのは勿論接合強度も低い
ので問題になる。
し発明の目的〕
本発明の目的は、機能性ＺｒＯ２等のセラミックスのぬ
れ性を良くシ、且つ接合強度を向上させるために、セラ
ミックスの接合面にＴｉ膜を形成させ、Ｎ２と不活性ガ
スの混合ガス中で加熱することにより、一体間時接合が
できるセラミックスと金属の接合方法を提供することで
ある。
れ性を良くシ、且つ接合強度を向上させるために、セラ
ミックスの接合面にＴｉ膜を形成させ、Ｎ２と不活性ガ
スの混合ガス中で加熱することにより、一体間時接合が
できるセラミックスと金属の接合方法を提供することで
ある。
発明者らはこの目的を達成するためにＴｉの作用と効果
について、加熱雰囲気との相関を種々検討した。その結
果、セラミックスの還元作用をするＴｉはセラミックス
に近ければ近い程その作用が短時間で、しかもろう材の
ぬれ性を著しく向上し接合強度の向上に寄与することが
分った。またその作用もＮｚ量が容量１０％前後の不活
性ガス中で最も効果のあることを見い出した。
について、加熱雰囲気との相関を種々検討した。その結
果、セラミックスの還元作用をするＴｉはセラミックス
に近ければ近い程その作用が短時間で、しかもろう材の
ぬれ性を著しく向上し接合強度の向上に寄与することが
分った。またその作用もＮｚ量が容量１０％前後の不活
性ガス中で最も効果のあることを見い出した。
本発明はこのような知見に基づいてなされたものであっ
て、セラミックス部材の接合面にＴｉ膜を形成させ、対
面する被接合材との間に銀ろう成分の中間材を配置した
後、Ｈ２ガス３０％以下混合した不活性ガス中で前記銀
ろう成分の中間材の融点以上に加熱して接合することを
特徴とするセラミックスと金属等との接合方法である。
て、セラミックス部材の接合面にＴｉ膜を形成させ、対
面する被接合材との間に銀ろう成分の中間材を配置した
後、Ｈ２ガス３０％以下混合した不活性ガス中で前記銀
ろう成分の中間材の融点以上に加熱して接合することを
特徴とするセラミックスと金属等との接合方法である。
セラミックスの接合面に形成させるＴｉ膜は、粉末とバ
インダを混合したペーストを印刷しても良いし、用途に
よってはＴｉターゲットを用いてスパッタする方法も良
いし、またＴｉを溶融してその蒸気をセラミックスの接
合面に蒸着させるのも有効である。
インダを混合したペーストを印刷しても良いし、用途に
よってはＴｉターゲットを用いてスパッタする方法も良
いし、またＴｉを溶融してその蒸気をセラミックスの接
合面に蒸着させるのも有効である。
またその後続いて配置する銀ろうの成分はＡ ｇ ＋Ｃ
ｕ、Ｚａ、Ｃｄ、Ｓｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ＊ Ｆｅ。
ｕ、Ｚａ、Ｃｄ、Ｓｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ＊ Ｆｅ。
ｃｏ及びＮｉからなる群より選ばれた２種以上の元素か
ら成るものである。これらの組合せでＡｇ。
ら成るものである。これらの組合せでＡｇ。
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎは従来のＴＩＳ銀ろう成分であ
り、その他の元素は必要に応じて、例えば耐熱性を向上
させたいときはＭｎ、Ｍｏ、Ｗ等の元素を、また熱膨張
緩和材を目的にする場合には銀ろう成分にＦｅ、Ｎｉ及
びＣｏ等を添加すればよい。この場合の添加量は銀ろう
の融点を著しく上昇させない範囲の添加が望ましく数％
以下が適量である。即ち主要元素はＡｇ、Ｃｕになるこ
とが多い。
り、その他の元素は必要に応じて、例えば耐熱性を向上
させたいときはＭｎ、Ｍｏ、Ｗ等の元素を、また熱膨張
緩和材を目的にする場合には銀ろう成分にＦｅ、Ｎｉ及
びＣｏ等を添加すればよい。この場合の添加量は銀ろう
の融点を著しく上昇させない範囲の添加が望ましく数％
以下が適量である。即ち主要元素はＡｇ、Ｃｕになるこ
とが多い。
そしてろうのぬれ性を良くする加熱雰囲気は、Ｎ２ガス
と混合するのに適するＮｚ、Ａｒ及びＨｅの１種もしく
はこれらの混合ガスであれＪｆ十分に目的を達成できる
。量産化を考えた場合、価格が重要になるのでその点を
考慮するとＨｚ −Ｎ ｚ系が良いことになる。そして
ぬれ性の効果及びＮ２ガスの安全性を総合して考えると
Ｎ２ガスは１０％位が最適と言える。
と混合するのに適するＮｚ、Ａｒ及びＨｅの１種もしく
はこれらの混合ガスであれＪｆ十分に目的を達成できる
。量産化を考えた場合、価格が重要になるのでその点を
考慮するとＨｚ −Ｎ ｚ系が良いことになる。そして
ぬれ性の効果及びＮ２ガスの安全性を総合して考えると
Ｎ２ガスは１０％位が最適と言える。
またＮ２量が多くなるに従ってＴｉとＮ２の反応が生じ
脆くなる原因となるのでその点からもＮ２は３０％以下
とすべきである。
脆くなる原因となるのでその点からもＮ２は３０％以下
とすべきである。
以下に本発明の接合方法を具体的な実施例によって説明
する。
する。
本発明のぬれ広がり試験（ａ）、（ａ’ ）、（ｂ）、
（ｂ’ ）とセラミックスと金属の接合方法（ｃ）を
第１図に示す。
（ｂ’ ）とセラミックスと金属の接合方法（ｃ）を
第１図に示す。
実施例１
酸素センサー用Ｚｒ０ｚの板：２００Ｘ１ｔ １の片
面にＴｉ粉末：２、テレピネオルに５％エチルセルロー
ズを添加したバインダ：１の割合のものを良く混合して
ペースト状としたＴｉ粉末２を印刷した。印刷されたＴ
ｉ膜の上に銀ろう（７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ）の粉末３
を配置した。このぬれ広がり試験片をＮ２ガスの中にＮ
２ガスを容量パーセントで５．７．５，１０，２０．３
０及び５０％と変化させ混合ガス中に挿入し、各々約９
００℃、３０秒間加熱したときのぬれ広がり性を調査し
た。実施例２ Ａ ＱｘＯｓ 板： ２０’ｘ １ ｔ （７）片面に
実施例１と同−ペースト状Ｔｉ粉末２を印刷した。印刷
されたＴｉ膜の上に銀ろう、７２％Ａｇ−２８％Ｃｕの
粉末３を配置し、１０％Ｈｚ−９０％Ｎ２混合ガス中で
９００℃、３０秒間加熱した。
面にＴｉ粉末：２、テレピネオルに５％エチルセルロー
ズを添加したバインダ：１の割合のものを良く混合して
ペースト状としたＴｉ粉末２を印刷した。印刷されたＴ
ｉ膜の上に銀ろう（７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ）の粉末３
を配置した。このぬれ広がり試験片をＮ２ガスの中にＮ
２ガスを容量パーセントで５．７．５，１０，２０．３
０及び５０％と変化させ混合ガス中に挿入し、各々約９
００℃、３０秒間加熱したときのぬれ広がり性を調査し
た。実施例２ Ａ ＱｘＯｓ 板： ２０’ｘ １ ｔ （７）片面に
実施例１と同−ペースト状Ｔｉ粉末２を印刷した。印刷
されたＴｉ膜の上に銀ろう、７２％Ａｇ−２８％Ｃｕの
粉末３を配置し、１０％Ｈｚ−９０％Ｎ２混合ガス中で
９００℃、３０秒間加熱した。
実施例３
実施例２（７）ＡＱｚＯａ板の代すニＳ ｉ Ｃ板：２
０゜Ｘｌｔを用い、その他の条件は全〈実施例２と同様
にして加熱した。
０゜Ｘｌｔを用い、その他の条件は全〈実施例２と同様
にして加熱した。
実施例４
酸素センサー用Ｚｒ０ｚ板１の接合面に実施例１で作製
したペースト状Ｔｉ粉末２を塗布し、その上に銀ろう、
７２％Ａｇ−２８％Ｃｕの粉末３を配置し、その対面に
被接合材Ｆｅ−４２％Ｎｉｌ＆：φ２，３×３００４を
設置し、１０％Ｈ−９０％Ｎ２．の混合ガス中で９００
℃に加熱した。
したペースト状Ｔｉ粉末２を塗布し、その上に銀ろう、
７２％Ａｇ−２８％Ｃｕの粉末３を配置し、その対面に
被接合材Ｆｅ−４２％Ｎｉｌ＆：φ２，３×３００４を
設置し、１０％Ｈ−９０％Ｎ２．の混合ガス中で９００
℃に加熱した。
実施例５
実施例４のＺｒＯｚ板の代りにＡｌ２２０８板を用い、
その他の条件は全〈実施例４と同様にして加熱接合した
。
その他の条件は全〈実施例４と同様にして加熱接合した
。
実施例６
実施例４のＺｒＯｚ板の代りに、Ｓｉ板を用い、その他
の条件は全〈実施例４と同様にして加熱接合した。
の条件は全〈実施例４と同様にして加熱接合した。
比較例１
実施例１で用いたものと同一のＺｒＯｘ仮１とＴｉ含金
ろう（１０％Ｔ ｉ −６５％Ａｇ−２５％Ｃｕ）を組
合せて、Ａｒガス中で９００℃、３０秒間加熱してぬれ
広がり試験した。
ろう（１０％Ｔ ｉ −６５％Ａｇ−２５％Ｃｕ）を組
合せて、Ａｒガス中で９００℃、３０秒間加熱してぬれ
広がり試験した。
比較例２
ＡＱｘＯｓ板を用い、その他の条件は全く比較例１と同
様にしてぬれ広がり試験した。
様にしてぬれ広がり試験した。
比較例３
Ｓｉ体を用い、その他の条件は全く比較例１と同様にし
てぬれ広がり試験した。
てぬれ広がり試験した。
比較例４
実施例２で用いたものと同一のＺｒ０ｚ板１とＦｅ−４
２％Ｎｉ 線４の間にＴｉ 合余ろう（１０％Ｔｉ−６
５％Ａｇ−２５％Ｃｕ） を配置してＡｒガス中で９
００℃に加熱接合した。
２％Ｎｉ 線４の間にＴｉ 合余ろう（１０％Ｔｉ−６
５％Ａｇ−２５％Ｃｕ） を配置してＡｒガス中で９
００℃に加熱接合した。
比較例５
比較例４において、Ａ Ｑ ｘ○δ板を用い、その他の
条件は全く比較例４と同様にして加熱接合した・比較例
６ 比較例４において、ＳｉＣ板を用い、その他の条件は全
く比較例４と同様にして加熱接合した。
条件は全く比較例４と同様にして加熱接合した・比較例
６ 比較例４において、ＳｉＣ板を用い、その他の条件は全
く比較例４と同様にして加熱接合した。
前記各実施例及び比較例で得られた試絶片をぬれ広がり
性及び引張試験に供した。
性及び引張試験に供した。
ぬれ広がり性は加熱前の径をＤとし、加熱後の径Ｄ′が
何倍（Ｄ’ ／Ｄ）になっているかで表示した（第２図
（ａ） 、 （ｂ） ）。引張試験はＦｅ−４２％Ｎｉ
１ｉの断面積で除した引張強さくｋｇ／ｎｗ”）で示し
た（第３図）、第２図（ｂ）の図中において、Ａｘ、Ａ
ｚ及びＡ８は各々本発明方法による実施例１（ＺｒＯｚ
）、実施例２（ＡＱ２０１１）及び実施例３（ＳｉＣ）
の場合を、Ｂｔ、 Ｂ２．は各々比較例１（ＺｒＯｚ）
、比較例２（ＡＱＺＯｌｌ）及び実施例３（Ｓ ｉ Ｃ
）の場合を示す。
何倍（Ｄ’ ／Ｄ）になっているかで表示した（第２図
（ａ） 、 （ｂ） ）。引張試験はＦｅ−４２％Ｎｉ
１ｉの断面積で除した引張強さくｋｇ／ｎｗ”）で示し
た（第３図）、第２図（ｂ）の図中において、Ａｘ、Ａ
ｚ及びＡ８は各々本発明方法による実施例１（ＺｒＯｚ
）、実施例２（ＡＱ２０１１）及び実施例３（ＳｉＣ）
の場合を、Ｂｔ、 Ｂ２．は各々比較例１（ＺｒＯｚ）
、比較例２（ＡＱＺＯｌｌ）及び実施例３（Ｓ ｉ Ｃ
）の場合を示す。
第２図（ａ）から明らかなようにＨ２添加の効果は７．
５ ％から現われ始め、それ以上の添加では大幅なぬれ
広がりは示さない。すなわちＨｚの添加量は３０％以下
、７．５％以上であれば本発明のぬれ性は達成できる。
５ ％から現われ始め、それ以上の添加では大幅なぬれ
広がりは示さない。すなわちＨｚの添加量は３０％以下
、７．５％以上であれば本発明のぬれ性は達成できる。
第２図（ｂ）からは各種セラミックスのぬれ広がり性が
分る。従来のＴｉ合金ろうは全般的にぬれ広がりが小さ
く、本発明の方法であるＴｉ膜を形成したものは一段と
ぬれ広がりが大きいことが明らかである。
分る。従来のＴｉ合金ろうは全般的にぬれ広がりが小さ
く、本発明の方法であるＴｉ膜を形成したものは一段と
ぬれ広がりが大きいことが明らかである。
第３図から明らかなようにセラミックスと金属の接合部
の引張強さでも１本発明のＴｉ膜を形成させてろう付し
た継手の方が強度が高いことが分る。これらの結果はぬ
れ性と相関があり、ぬれ広がりが大きいもの程、継手の
接合強度も強くなっている。モしてＨｚとの混合ガスが
有効に作用していることが明らかである。
の引張強さでも１本発明のＴｉ膜を形成させてろう付し
た継手の方が強度が高いことが分る。これらの結果はぬ
れ性と相関があり、ぬれ広がりが大きいもの程、継手の
接合強度も強くなっている。モしてＨｚとの混合ガスが
有効に作用していることが明らかである。
本発明方法を発展させると、セラミックスのメタライズ
としての成用も一分考えられる２例えば第４図に示すよ
うにＩＣやＬＳＩＩＩなどの高級半値体素子は使用環境
に影響されることなくその性能を維持するためにパッケ
ージに収めて使用される。
としての成用も一分考えられる２例えば第４図に示すよ
うにＩＣやＬＳＩＩＩなどの高級半値体素子は使用環境
に影響されることなくその性能を維持するためにパッケ
ージに収めて使用される。
その工程をパッケージングと称し、はとんどがセラミッ
クス１２にメタライズ１３し、その上にはんだ付、また
はろう付によって行われる。リード１４は金属材が用い
られる。高級半導体のパッケージングには完全な気密性
が要求されるために、ぬれ不良、ブロホール、はく離な
どの欠陥のない健全なはんだ付を行われなければならな
い。
クス１２にメタライズ１３し、その上にはんだ付、また
はろう付によって行われる。リード１４は金属材が用い
られる。高級半導体のパッケージングには完全な気密性
が要求されるために、ぬれ不良、ブロホール、はく離な
どの欠陥のない健全なはんだ付を行われなければならな
い。
また本発明は細かいリードのパタニングも出来るのでこ
のような半導体にも適用できる。
のような半導体にも適用できる。
第５図はスパッタあるいは蒸着でメタライズ膜を一体形
成させる方法で、セラミックス１２の接合面にＴｉある
いはＺｒ膜１５をまず形成させ、続いて銀ろうの合金膜
１６を形成させる方法である。またこれらの方法により
作製したセラミック構造体も本発明の範囲に入る。
成させる方法で、セラミックス１２の接合面にＴｉある
いはＺｒ膜１５をまず形成させ、続いて銀ろうの合金膜
１６を形成させる方法である。またこれらの方法により
作製したセラミック構造体も本発明の範囲に入る。
以上前記各実施例においては、被接合材としてセラミッ
クス： Ｚｒ０ｚ、ＡＭｚＯａ、ＳｉＣについて、金属
：Ｆｅ−４２％Ｎｉを用いた場合について述べたが、そ
の他のセラミックス、例えば５ｉ８Ｎａ、あるいはこれ
らを用いた複合セラミックス、また金属についてもＳＵ
Ｓ鋼やその他の一般的に用いられている金属材も適用で
きる。また中間材のろう材も一般的に使用されているも
のも広く適用でき、本発明の効果が発揮できる。Ｚｒの
膜もＴｉと同様な効果を発揮する。
クス： Ｚｒ０ｚ、ＡＭｚＯａ、ＳｉＣについて、金属
：Ｆｅ−４２％Ｎｉを用いた場合について述べたが、そ
の他のセラミックス、例えば５ｉ８Ｎａ、あるいはこれ
らを用いた複合セラミックス、また金属についてもＳＵ
Ｓ鋼やその他の一般的に用いられている金属材も適用で
きる。また中間材のろう材も一般的に使用されているも
のも広く適用でき、本発明の効果が発揮できる。Ｚｒの
膜もＴｉと同様な効果を発揮する。
その他の方法として本発明の方法と熱膨張緩衝材とを組
合せたセラミックスとの接合もより有効な接合方法であ
る。
合せたセラミックスとの接合もより有効な接合方法であ
る。
本発明の方法によれば、ぬれ性の良い信頼性の高い継手
の接合が得られ、なお且つ安価な雰囲気中で加熱するた
め量産性にも適している。
の接合が得られ、なお且つ安価な雰囲気中で加熱するた
め量産性にも適している。
第１図（ａ）、 （ａ’ ）は本発明の一実施例のぬれ
性試験を示す説明図、第１図（ｂ）、（ｂ’ ）は銀ろ
うがぬれ広がった様子を示す説明、同第１図（ｃ）は本
発明の接合方法を示す説明図、第２図（ａ）はＨ２ガス
の有効添加範囲を説明する線図、第２図（ｂ）は本発明
方法と従来の方法でぬれ広がりを試験したグラフ、第３
図は本発明方法と従来の方法で接合した継手試験片の引
張強さを示すグラフ、第４゜第５図は他の応用例の説明
図である。 】・・・バインダ、２・・・Ｔｉ粉末、３・・・銀ろう
粉末。 １２・・・セラミックス。
性試験を示す説明図、第１図（ｂ）、（ｂ’ ）は銀ろ
うがぬれ広がった様子を示す説明、同第１図（ｃ）は本
発明の接合方法を示す説明図、第２図（ａ）はＨ２ガス
の有効添加範囲を説明する線図、第２図（ｂ）は本発明
方法と従来の方法でぬれ広がりを試験したグラフ、第３
図は本発明方法と従来の方法で接合した継手試験片の引
張強さを示すグラフ、第４゜第５図は他の応用例の説明
図である。 】・・・バインダ、２・・・Ｔｉ粉末、３・・・銀ろう
粉末。 １２・・・セラミックス。
Claims (1)
- １、セラミックス部材の接合面にＴｉ膜またはＺｒ膜を
形成させ、対面する被接合材との間に銀ろう成分の中間
材を配置した後、Ｈ＿２ガスを容量パーセントで３０％
以下混合した不活性ガス中で前記銀ろう成分の中間材の
融点以上に加熱して接合することを特徴とするセラミッ
クスと金属等との接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21247885A JPS6272472A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | セラミツクスと金属等との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21247885A JPS6272472A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | セラミツクスと金属等との接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272472A true JPS6272472A (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=16623308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21247885A Pending JPS6272472A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | セラミツクスと金属等との接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272472A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428284A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 | Toshiba Corp | Oxide superconducting joint |
| JPH01224279A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックスと金属との接合体の製造方法 |
| JPH0477369A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-11 | Showa Denko Kk | 金属・セラミックス複合基板の製造方法 |
| WO1997040209A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Koenoenen Mauno | A method for coating titanium and titanium alloys with ceramics |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21247885A patent/JPS6272472A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428284A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 | Toshiba Corp | Oxide superconducting joint |
| JPH01224279A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックスと金属との接合体の製造方法 |
| JPH0477369A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-11 | Showa Denko Kk | 金属・セラミックス複合基板の製造方法 |
| WO1997040209A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Koenoenen Mauno | A method for coating titanium and titanium alloys with ceramics |
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