JPS6270854A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、例えば電子写真記録装置または複写装置等
に使用され、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性、耐環
境性等に優れた性能を有する電子写真用感光体に関する
。

（従来の技術） 従来、例えばカールソン方式の電子写真記録装置等に使
用される電子写真用感光体の先導Ｎ層を構成する材料と
しては、Ｃｄ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ　。

Ｓｅ　−Ｔｅ　、アモルファスシリコン等の無機材料や
、またはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ７）、
トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機材料が主に
知られている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、これらの光導電材料を使用するには、材
料として種々の問題があり、装置の特性をある程度犠牲
にして状況に応じてこれらの材料を使いわけているのが
現状である。

すなわち、例えばＳｅ　、Ｃｄ　Ｓは本質的に対人体に
対して有害な材料であり、これらを製造するに当っては
、安全対策上、特別の配慮が必要でそのため製造装置が
複雑になったり、その製作に余分な費用を必要とするし
、またＳｅ等は回収の必要もあり、その費用も材料の価
格にはねかえってくる。更に特性的には、例えばＳｅ　
　（または５ｅ−Ｔｅ系）は結晶化温度が６５°Ｃと低
いため、複写動作を繰り返し行っている間に結晶化が起
り、残雪、その他の点で実用上問題が生じ易く、結局寿
命が短いという問題がある。

また、Ｚｎ○においては、材料物性上、酸化還元が起り
易く、環境雰囲気の影響を著しく受は易いために信頼性
が低いという問題がある。

更に、有機光導電性材料においては、ｐｖｃｚやＴＮＦ
等は屋近人体に有害であるとの疑いがもたれたりしてお
り、また有機材料であるために熱安定性、耐摩耗性が弱
く、このため製品の寿命が短いという問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ　−３ｉと省略
する）は、近年、光電変換材料として注目を集め、太陽
電池、薄膜トランジスタ、イメージセンサ等への応用が
活発に行われているが、その他の応用として電子写真用
感光体の光導電材料としても検討が行われている。この
ａ−３ｉ材料は、電子写真用感光体としては上述した他
の材料にはない優れた次の記載するような長所を有して
いる。

（１）無公害の材料であり、回収処理の必要がない。

（２）従来の材料に比べて可視光領域で高い分光感度を
有する。

（３）表面硬度が高く、耐摩耗性、耐衝撃性に優れてい
る。

この結果、電子写真用感光体として大いに期待されてい
いる材料である。このように優れた特性を有するａ−３
ｉは既にカールソン方式の電子写真記録装置の感光体と
して検討が進んでいるが、感光体の特性としては高抵抗
でかつ光感度が高いことが要求されており、この両方の
特性を単層の感光体で同時に満足させることは特性上か
なり困難である。このため、ａ−３ｉ光導電層と支持層
との間に障壁層を設け、更に光導電層上に表面電荷保持
層を設けた積層型ａ−３ｉ感光体で上記電子写真記録装
置の特性を満足する努力が成されている。

ところが、ａ−３ｉは、通常、原料としてシラノ類を用
いたグロー放電分解法により形成されるが、この形成時
にａ−３ｉ膜の中に取り込まれる水素の母により電気的
および光学的特性が大きく左右される。すなわち、ａ−
３ｉ膜の中に取り込まれる水素の量が多くなると、光学
的バンドギャップが大きくなり、高抵抗化するが、それ
に伴って長波長光に対する光感度が低下してしまい、Ｉ
Ｃとえば半導体レーザを搭載したレーザビームプリンタ
に使用することが困難になる。また、ａ　−３１膜の中
の水素の含有料が多い場合には、成膜条件によって（Ｓ
ｉ　Ｈ２）ｎ　、Ｓｉ　Ｈ２等の結合構造を有するもの
が、膜中で支配的となり、その結果、ボイドを多く含み
、シリコンダングリングボイドが増大するため、光導電
性が悪化し、電子写真用感光体としては使用し難いもの
となる。

また、逆に、ａ−８ｉｌｌｌのなかに取り込まれる水素
の山が低下すると、光学的バンドギャップは小さくなり
、低抵抗化するが、長波長光に対する光感度は増加する
。しかしながら、水素含有最が少ないと、シリコンのダ
ングリングボンドを保証しないため、発生したキャリヤ
の移動度や寿命が低下し、光導電性が悪化してしまい、
電子写真用感光体としては使用し難いものとなる。また
、長波長光に対する感度を高める方法として、例えばシ
ラノ類とゲルマンＧｅ　Ｈ４を混合し、グロー放電分解
を行うことにより光学的バンドギャップの狭い膜を成膜
することが行われているが、一般に、シラノ類とＧｅ　
Ｈ４とでは最適基盤温度が異なるため、形成される膜は
構造欠陥が多く、良好な光導電性が得られない。更に、
Ｇｅ　Ｈ４の廃ガスは開化されると有毒となるため、廃
ガス処理も複雑となるという問題がある。

この発明は、上記に鑑み多くの実験の結果達成されたも
ので、その目的とするところは、帯電特性に優れ、残留
電位が低く、近赤外領域までの広い波長領域にわたって
高感度であり、更に基板との密着性が良好で耐環境性に
優れた電子写真用感光体を提供することにある。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するため、導電性支持体と該導電性支持
体上に設けられた光導電層とを有する電子写真用感光体
において、この発明は、前記導電性支持体と光導電層と
の間にブロッキング層を有し、前記光導電層は、前記ブ
ロッキング層に隣接し、アモルファス窒化シリコンを有
する第１の光導電層と、該Ｍ１の光導電層に対して前記
ブロッキング層が隣接する側と反対の側に隣接し、マイ
クロクリスタリンシリコンを有する第２の光導電層と、
該第２の光導電層に対して前記第１の光導電層が隣接す
る側と反対の側に隣接し、アモルファス窒化シリコンを
有する第３の光導電層とを有することを要旨とする。

（作用） 本発明に係る電子写真用感光体にあっては、導電性支持
体上に形成される光導電層を、マイクロクリスタリンシ
リコンをアモルファス窒化シリコンではさんだ積層構造
とすることで改善を図っている。

（実施例） 以下、図面を用いて、この発明の実施例を説明する。

第１図はこの発明の一実施例に係わる電子写真用感光体
の部分断面図である。この電子写真用感光体は、一番下
層には導電性支持体としてアルミニュウム性の基体１を
有し、この基体１の上にブロッキング層３、第１の光導
電層５、第２の光導電層７、第３の光導電層９が順次形
成されている。

前記基体１は、例えば直径８０ｍｌｌ１１長さ３５０Ｉ
Ｉ１１の大きさのアルミニュウム性ドラムで形成され、
第１図に示す電子写真用感光体はこのドラムからなる基
体１の表面に形成されているものであり、第１図はその
部分断面を示しているものである。

この電子写真用感光体は、光導電層が第１、第３の光導
電層５．７．９の３層で構成され、第１の光導電１５お
よび第３の光導電層９はアモルファスシリコンで形成さ
れ、第２の光導電層７はマイクロクリスタリンシリコン
で形成されている。

このように本発明の実施例による電子写真用感光体は、
光導電層が従来のようにアモルファスシリコンのみでな
く、マイクロクリスタリンシリコンを有し、アモルファ
ス窒化シリコンとの積層となっている。マイクロクリス
タリンシリコンはアモルファスシリコンやポリクリスタ
リンシリコン等から明確に区別され、約数十オングスト
ローム以上の粒径の微結晶が集合して形成されていると
考えられる微結晶シリコンである。すなわち、Ｘ線回析
測定を行うと、アモルファスシリコンは無定形であるた
め、ハローが現われるのみで回折パターンを認めること
はできないが、マイクロクリスタリンシリコンは２θが
２７°〜２８°付近に結晶回折パターンを示す。また、
ポリクリスタンシリコンは暗抵抗が１０６Ω・ＣＩｎ以
下であるのに対して、マイクロクリスタリンシリコン１
０１１Ω・ｃｍ以上である。

このマイクロクリスタリンシリコンからなる電子写真用
感光体を形成するには、アモルファスシリコンからなる
電子写真用感光体を形成する場合と同様に、シランガス
を原料ガスとして使用し、高周波グロー放電分解法によ
り支持体上にマイクロクリスタリンシリコンを堆積させ
ることにより形成されるが、アモルファスシリコンを形
成する場合よりも支持体の温度を高めに設定し、高周波
電力もより大きくすると形成され易い。このように支持
体の温度を高め、高周波電力を大きくすることにより原
料ガスのシラノ等の流量を増大させることも可能となり
、その結果、マイクロクリスタリンシリコンの膜を形成
する速度を増大することができる。また、原料ガスのＳ
ｉＨ４やＳｉ２Ｈ６等の高次シラノガスも含め、水素で
希釈したガスを使用した場合には特にマイクロクリスタ
リンシリコンが効果的に形成され易くなる。

また、本電子写真用感光体は、従来のアモルファスシリ
コンを使用したものと同様に、クローズシステムの製造
装置で製造できるため安全であり、また製品は人体に無
害である。また、耐熱性、耐湿性、耐摩耗性に優れてい
るため、長期にわたって使用しても劣化せず寿命が長い
という長所を有しいてる。更に、ＧｅＨ４等の長波長増
減を行うためのガスを必要としないため、余分な廃ガス
処理設備が不要であり、工業的生産性が著しく高いとい
う利点もある。

更に、光導Ｎ層を形成するマイクロクリスタリンシリコ
ンは、水素を０．１乃至３０原子％含むことにより暗抵
抗と明抵抗との比が調和のとれたものとなり、光導電特
性が優れたものとなる。

マイクロクリスタリンシリコンの光学的エネルギーギャ
ップ（Ｅ　）はアモルファスシリコンの光学的エネルギ
ーギャップ（Ｅ　　）１．６５及至１．７０ｅＶに比較
して小さい。また、マイクロクリスタリンシリコンの光
学的エネルギーギャップは含有されるマイクロクリスタ
リンシリコン微結晶粒の粒径と結晶化度に依存している
。クリスタリンシリコンの光学的エネルギーギャップ（
Ｅは１．１ｅＶと小さいので、マイクロクリスタリンシ
リコン微結晶化度の増加によりマイクロクリスタリンシ
リコンの光学的エネルギーギャップは低下する。

近年、半導体レーザを光源としたプリンターの開発が盛
んに行われており、その一部ではアモルファスシリコン
感光体が使用されている。しかしながら、半導体レーザ
光の波長が７９Ｑｎｍとアモルファスシリコンの高感度
領域より長いため、アモルファスシリコン感光体を用い
る場合には半導体レーザ能力以上のレーザ強度を必要と
し、使用上の問題となっている。

この点マイクロクリスタリンシリコンはアモルファスシ
リコンよりも光学的エネルギーギャップ（Ｅ　　）が小
さく、高感度領域も近い赤外領域まで伸びており、半導
体レーザプリンター用の感光体として非常に良い特性を
有している。

上述したように、マイクロクリスタリンシリコンに水素
を含有させるこにより光導電特性を向上させることがで
きるが、このためにマイクロクリスタリンシリコン層に
水素をドーピングするには、例えばグロー放電分解法で
行う場合、原料ガスとしてＳｉＨ４やＳ！２Ｈｅ等のシ
ラノ類とキャリアガスとしての水素等を反応室に導入し
てグロー放電を行う。また、別の方法としては、５ｒｐ
ｅや３ｉ０１４等のハロゲン化ケイ素と水素の混合ガス
を原料ガスとして用いてもよいし、またシラノ類とハロ
ゲン化ケイ素の混合ガス系で反応されて同様に水素を含
有するマイクロクリスタリンシリコンを得ることができ
る。また更に、グロー放電分解法に寄らなくても、例え
ばスパッタリング等の物理的な方法によっても形成する
ことができる。なお、本電子写真用感光体のマイクロク
リスタリンシリコンを有する光導電層の膜厚は１−８０
μｍであることが好ましく、更には５−５０μｍがが望
ましい。

また、マイクロクリスタリンシリコンにドーピングする
不純物元素としては、ｎ型にするためには周期律表第■
族の元素、例えばＢ、ＡＩ　、Ｇａ　。

ｉｎ、７を等が好ましい。ｎ型にするためには周期律表
第Ｖ族の元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ　、Ｓｂ　。

３ｉ等が好適である。これらのｎ型不純物またはｎ型不
純物のドーピングは、支持体から電荷が光導電層へ注入
されるのを防止するためや、光感度特性を高めるためや
、または１型にして高抵抗化するため等の目的で行われ
る。

更に、マイクロクリスタリンシリコンの暗抵抗を多くし
て光導電特性を高めるために窒素、炭素および酸素の少
なくとも１種をドーピングすることが望ましい。これら
の元素は、マイクロクリスタリンシリコンの粒界に析出
し、またシリコンのダングリングボンドのターミネータ
として作用してバンド間の禁制帯中に存在する状態密度
を減少させ、上記効果を奏するものと考えられる。

マイクロクリスタリンシリコンの屈折率は３〜４と比較
的大きいため表面での光反射が起り易い。

そのため、光導電層に吸収される光量の割合が低下し、
光損失が大きくなるので、表面に反射防止装置を設ける
ことが好ましい。また、光導電層を保護するために表面
保護層を設けることが望ましい。このよな表面保護層の
材料としては、Ｓｉ３Ｎ４　、Ｓｉ　０２　、Ｓｉ　Ｃ
，Ａｌ２Ｏ３、ａ　−３ｉｎ；Ｈ，ａ−８ｉ○：Ｈ，ａ
　−８ｉ　Ｃ；Ｈ等の無機化合物やポリ塩化ビニル、ポ
リアミド等の有機材料がある。

第２図はこの発明の他の実施例に係わる電子写真用感光
体の部分拡大断面図であるが、この電子写真用感光体は
第１図に示す電子写真用感光体の最上部に表面保護層１
１を形成したものであり、その他の構成は第１図の電子
写真用感光体と同じである。この表面保ＩＷ１１１はア
モルファス炭化シリコンを２μｍの厚さに形成したもの
である。

上述したように、光導電特性を優れたものにするために
、第１図および第２図に示す電子写真用感光体の第１の
光導電層５および第３の光導電層９を構成するアモルフ
ァス窒化シリコンは水素を含有したもの（ａ　−８ｉ　
Ｎ　：　Ｈ）であり、また第２の光導電１ｉ１７を構成
するマイクロクリスタリンシリコンは水素を含有したも
の（μｃ−８ｉ：Ｈ）であってもよい。

また更に、このような水素を含有したアモルファス窒化
シリコンおよびマイクロクリスタリンシリコンに上述し
たように必要に応じて周期律表第■族または第Ｖ元素の
いずれか一方をドーピングすることが好ましい。

また、上記電子写真用感光体は帯電能、電荷保持能を向
上するために、マイクロクリスタリンシリコンに炭素、
窒素、酸素のうちの少なくともいずれか一種以上を含有
するこが好ましい。第１、第２、第３の光導電層５，７
．９の重要な機能の１つは電荷の発生であるが、第２の
光導電層７のマイクロクリスタリンシリコンの光学的エ
ネルギーギャップ（Ｅ　　）はアモルファスシリコンの
光学的エネルギーギャップよりも小さいため、より近い
赤外の光を吸収して電荷を発生する能力があり、半導体
レーザを用いたプリンタ用の感光体に適している。

第１図および第２図に示した電子写真用感光体において
、基体１と光導電層５〜９との間にはブロッキング層３
、すなわち、障壁層が設けられているが、これは基体１
からの電子または正孔の注入を阻止するために設けられ
ているものである。

より詳しくは、例えばカールソン方式において感光体表
面に正帯電を行わせる場合には、基体１側からの電子の
注入を阻止するためにブロッキング層３をｐ型層として
形成し、また感光体表面に負帯電を行わせる場合には基
体１側からの正孔の注入を阻止するためにブロッキング
層３をｎ型として形成するのである。また、上述した以
外に、絶縁膜をブロッキング層として設け、感光体に正
または負の帯電を行わせることも基本的には可能である
。いずれにしても、光導電層の一部または全部にマイク
ロクリスタリンシリコン系のものを使用し、かつ基体１
との間にブロッキング層３を設けることにより電荷保持
能が優れ、光伝導特性を良好で、更に光疲労特性、繰返
し特性等に顕著な性能を有する電子写真用感光体の構成
が可能である。また、ブロッキング層３の膜厚としては
１００Ａ乃至１０μｍが好ましい範囲であり、ブロッキ
ング層３はアモルファスシリコンでは形成されてもよい
し、またはマイクロクリスタリンシリコンで形成されて
もよい。

第３図は本発明の電子写真用感光体を製造する成膜装置
の概略構成図である。同図において、１３．１５．１７
，１９．２０は反応ガスのボンベであり、各ボンベ内に
は例えばＳｉ　Ｈ４、Ｂ２　Ｈｅ　、ＣＨ４等が原料ガ
スとして収容されている。

２１．２３，２５，２７．２８はガスの圧力調整器であ
り、それぞれバルブ２９．３１，３３．３５．３６によ
って流量が設定できるようになっている。３７はガスの
混合器であり、この混合器内で反応ガスの混合が十分に
行われる。３つは反応容器であり、この中に本発明の電
子写真用感光体の支持基体を構成するドラム基体４１が
収納され、支持台４５の上に載置される。４３は円筒状
電極であり、この円筒状電極４３は高周波電源５７に接
続されている。また、ドラム基体４１の内部には加熱用
のヒータ５１が設けられ、これによってドラム基体４１
を加熱し得るようになっている。

ドラム基体４１を載置した支持台４５は回転軸４７を介
してモータ４９に連結され、回転駆動されるようになっ
ている。５５は排気用ゲートバルブであり、この排気用
ゲートバルブ５５を介して反応容器３つ内は図示しない
排気系に接続され、グロー放電を発生させるに必要な真
空を反応容器３つ内に形成するようになっている。なお
、ドラム基体４１は例えばアルミニュウム性で直径８Ｑ
ｎ＋＋ｎ。

長さ３５０ｍｍの大きさのものである。

次に、この装置を使用して第１図および第２図に示す電
子写真用感光体をグロー放電法によって製造する方法に
ついて説明する。

まず、ドラム基体４１をトリクレンで脱脂処理し、反応
容器３つ内の支持台４５の上に載置する。

この場合、必要に応じて干渉防止のためにドラム基体４
１の表面の酸処理、アルカリ処理、サンドブラスト処理
等を行う。次に、排気用ゲートバルブ５５を介して反応
容器３９内を排気して約０゜１ＴＯｒｒ以下、例えば１
Ｏ−５Ｔｏｒｒの真空度に設定する。それから、ヒータ
５１によってドラム基体４１を均一に加熱し、ドラム基
体４１の温度が３００’　Ｃに保持された後、排気用ゲ
ートバルブ５５を閉じ、５ｉｌ−１４の充填されている
ボンベ１３のバルブ２１を開けて５００ＳＣＣＭの流量
でＳｉＨ４を反応容器３つに導入する。なお、この時、
ドラム基体４１はモータ４９により毎分１０回転の速度
で自転させられている。次に、更にボンベ１５．１７か
ら同様の操作によってＢ２　Ｈａ　。

ＣＨ４をＢ２　Ｈａ　／Ｓｉ　Ｈ４＝１０−”、１１０
０８０Ｃの割合で反応容器３９に導入する。それから排
気用ゲートバルブ５５を介して図示しないメカニカルブ
ースターポンプ、ロータリーポンプ等により反応容器３
９内を排気し、内部圧力を１Ｔｏｒｒに調整する。次に
、高周波電源５７によって周波数１３．５６ＭＨｚで３
００Ｗの電力を円筒状電極４３に供給し、Ｓｉ　Ｈ４、
Ｂ２　Ｈｌｌ　、　ＣＨ４のプラズマを生起させ、ドラ
ム基体４１上、すなわち第１図および第２図に示す基体
１上にブロッキング層３としてｐ型のアモルファス炭化
シリコンを形成する。

次に、ボンベ１５のバルブ３１を絞ってＢ２　Ｈｅ／Ｓ
！Ｈ４を１０−６に調整した後に、ＣＨ４を充填したボ
ンベ１７のバルブ３３を閉じ、ボンベ２０からＮ２を導
入して反応力１．０Ｔｏｒｒに調整後、高周波電源５７
によって３００Ｗの電力を供給し、前記ブロッキング層
３の上に第１の光導電層５として２５μｍ厚のアモルフ
ァス窒化シリコン層を形成する。

続いて、ボンベ１３．１５のバルブ２９．３１を絞り、
５ｉｈｌ＋を２００ＳＣＣＭ、８２　Ｈ４を１０−７に
調整し、Ｈ２が充填されているボンベ１９の減圧弁２７
を解放し、バルブ３５によって２８ＬＭの流量でＨ２を
反応容器３９に導入する。

そして、反応圧力を１．２Ｔｏｒｒに調整後、高周波電
源５７から２ｋＷの電力を供給し、前記第１の光導電層
５の上に第２の光導Ｎ層７として５μｍのマイクロクリ
スタリンシリコン層を形成する。

その次に、前記第１の光導電層５を形成する場合と同様
に、第２の光導電層７の上に第３の光導電層９として５
μｍのアモルファス窒化シリコン層を形成する。

以上の製造工程により第１図に示す電子写真用感光体が
形成されるが、この第３の光導電層９の上に更に表面保
護層１１として２μｍのアモルファスシリコンを形成す
ることにより第２図に示す電子写真用感光体が形成され
るのである。

以上のように形成された電子写真用感光体のドラムを半
導体レーザプリンタに組込んでカールソン方式により画
像形成を行った所、感光体表面での露光量が２５ｅｒΩ
／　ｃｍ２でも鮮明で解像度が高い画像を得ることがで
きた。更に、この転写プロセスの再現性、安定性を調べ
るために複写を繰り返した所、転写画像は極めて良好で
あり、このような層構成を有する電子写真用感光体は耐
コロナ性、耐湿性、耐摩耗性等の耐久性にも優れている
ことが実証された。

なお、上記実施例においては、電子写真用感光体として
支持基体１、ブロッキング層３、光導電層５，７．９表
面保護層１１の形態を取っているが、この他に支持基体
、電荷輸送層、電荷発生層の形態または支持基体、ブロ
ッキング層、電荷輸送層、電荷発生層の形態が考えられ
る。そして、電荷発生層は層の一部または全部がマイク
ロクリスタリンシリコンから形成されており、この場合
の電荷発生層の膜圧は薄くともよく、０．１〜１０μｍ
が好ましい。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリ
アを効率よく支持期待側へ到達させることができ、これ
によりキャリアの寿命が長く、移動度の大きい層として
形成され、キャリアの輸送性が向上する。電荷輸送層は
アモルファスシリコンで形成されても、またマイクロク
リスタリンシリコンで形成されてもよく、暗抵抗を大き
くして帯電能を向上させるために周期律表第■族かまた
は第Ｖ族の元素のいずれか一方がライトドーピング、す
なわち低濃度でドープ処理されているものが好ましい。

更に、帯電能を向上させ電荷輸送と電位保持の両機能を
備えたものとするために、炭素、窒素および酸素のうち
少なくともいずれか一種以上を含有させることも可能で
ある。また、電荷輸送層はその膜厚が薄すぎてもその機
能を十分に果さず、好ましい膜厚としては３〜８０μｍ
である。また、ブロッキング層は電荷輸送層、電荷発生
層の機能分離型の感光体においてその電荷保持能を向上
させるために支持基体上に形成され、その特性は上述し
たものと同様にｐ型層、ｎ型層を帯電特性に応じて適宜
使い分けることが必要である。更に、このブロッキング
層は上述したものと同様にアモルファスシリコンで形成
されてもよく、またマイクロクリスタリンシリコンで形
成されてもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、光導電層をマ
イクロクリスタリンシリコンとアモルファス窒化シリコ
ンとを積層して形成しているので、電気的、光学的特性
が優れかつ安定化し、帯電特性に優れ、残留電位が低く
、近赤外領域までの広い波長領域にわたって高感度であ
り、更に基板との密着性が良好であり、耐環境性に優れ
、疲労が少なく繰返し特性が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す電子写真用感光体の
部分拡大断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
電子写真用感光体の部分拡大断面図、第３図は第１図お
よび第２図の電子写真用感光体を製造する成膜装置の構
成図である。 １・・・支持基体　　　　３・・・ブロッキング層５・
・・第１の光導電層　７・・・第２の光導電層９・・・
第３の光導電層　１１・・・表面保Ｉｌｌ。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と該導電性支持体上に設けられた光
   導電層とを有する電子写真用感光体において、前記導電
   性支持体と光導電層との間にブロッキング層を有し、前
   記光導電層は、前記ブロッキング層に隣接し、アモルフ
   ァス窒化シリコンを有する第１の光導電層と、該第１の
   光導電層に対して前記ブロッキング層が隣接する側と反
   対の側に隣接し、マイクロクリスタリンシリコンを有す
   る第２の光導電層と、該第２の光導電層に対して前記第
   １の光導電層が隣接する側と反対の側に隣接し、アモル
   ファス窒化シリコンを有する第３の光導電層とを有する
   ことを特徴とする電子写真用感光体。
2. （２）前記マイクロクリスタリンシリコンは水素原子を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の電子写真用感光体。
3. （３）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
   III族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項乃至第２項のいずれかに記載の電子写真用感光
   体。
4. （４）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
   Ｖ族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
   第１項乃至第２項のいずれかに記載の電子写真用感光体
   。
5. （５）前記マイクロクリスタリンシリコンが炭素、酸素
   および窒素のうち少なくとも１種以上を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
   に記載の電子写真用感光体。
6. （６）前記アモルファス窒化シリコンは水素原子を含有
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
   写真用感光体。
7. （７）前記アモルファス窒化シリコンは周期律表第III
   族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第６項記載の電子写真用感光体。
8. （８）前記アモルファス窒化シリコンは周期律第表第Ｖ
   族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第６項記載の電子写真用感光体。
9. （９）前記ブロッキング層は炭素、酸素および窒素のう
   ち少なくとも１種以上の元素を含有するマイクロクリス
   タシリコンから構成されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。
10. （１０）前記ブロッキング層はアモルフアスシリコンか
    ら構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の電子写真用感光体。
11. （１１）前記ブロッキング層はアモルファス炭化シリコ
    ンから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の電子写真用感光体。
12. （１２）前記ブロッキング層はアモルファス窒化シリコ
    ンから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の電子写真用感光体。
13. （１３）前記ブロッキング層は周期律表第III族又は第
    Ｖ族のいずれかから少なくとも１種類以上の元素を含有
    することを特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１２
    項のいずれかに記載の電子写真感光体。
14. （１４）前記ブロッキング層は周期律表第III族および
    第Ｖ族からそれぞれ少なくとも１種類以上の元素を同時
    に含有することを特徴とする特許請求の範囲第９項乃至
    第１２項のいずれかに記載の電子写真用感光体。
15. （１５）前記光導電層は第３の光導電層に対して第２の
    光導電層が隣接する側と反対の側に隣接する保護層を有
    することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１４
    項のいずれかに記載の電子写真用感光体。