JPS6270542A - 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 - Google Patents
半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材Info
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- JPS6270542A JPS6270542A JP20809785A JP20809785A JPS6270542A JP S6270542 A JPS6270542 A JP S6270542A JP 20809785 A JP20809785 A JP 20809785A JP 20809785 A JP20809785 A JP 20809785A JP S6270542 A JPS6270542 A JP S6270542A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣやり、ＳＩなどの半導体装置の製造に
用いられるＣｕ合金リード素材に関するものである。
用いられるＣｕ合金リード素材に関するものである。
一般に、半導体装置のリード材となるＣｕ合金リード素
材には、 （１）良好なプレス打抜き性、 （２）半導体素子の加熱接着あるい〜は加熱拡散圧着に
際して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、（３）良好
な放熱性と導電性、 （４）半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込みに
際して曲がらや繰り返し曲げによって破損が生じない強
度および伸び、 が要求され、特性的には、特定使用分野に限って見れば
、 強度を評価する目的で、引張り強さ：４（１ｇｆ／−以
上、 伸び：４％以上、 放熱性および導゛雨性を評価する目的で、導電率＝５０
％ｌＡＣ３以上、 耐熱性を評価り゛る目的で、軟化点：４００℃以上、を
具備することが必要とされるが、これらの特性を有する
Ｃｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案
され、実用に供されている。
材には、 （１）良好なプレス打抜き性、 （２）半導体素子の加熱接着あるい〜は加熱拡散圧着に
際して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、（３）良好
な放熱性と導電性、 （４）半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込みに
際して曲がらや繰り返し曲げによって破損が生じない強
度および伸び、 が要求され、特性的には、特定使用分野に限って見れば
、 強度を評価する目的で、引張り強さ：４（１ｇｆ／−以
上、 伸び：４％以上、 放熱性および導゛雨性を評価する目的で、導電率＝５０
％ｌＡＣ３以上、 耐熱性を評価り゛る目的で、軟化点：４００℃以上、を
具備することが必要とされるが、これらの特性を有する
Ｃｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案
され、実用に供されている。
しかし、近年の半導体装置における集積度の益々の向上
に伴って、Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を具備
した上で、さらに高強度および高伸びが要求されるよう
になっており、この要求に十分対応できる特性を具備し
たＣｕ合金リード素材の開発が強く望まれている。
に伴って、Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を具備
した上で、さらに高強度および高伸びが要求されるよう
になっており、この要求に十分対応できる特性を具備し
たＣｕ合金リード素材の開発が強く望まれている。
そこで、本発明名等は、上述のような観点から、半導体
装置用０１４合金リード素材に要求される特性を具備し
た上で、さらに一段と高強度および高伸びを有するＣｕ
合金リード素材を開発すべく研究を行なった結果、成分
組成を、重；１１％で（以下％は重量％を示ず）、 Ｃｒ ： ０．０５〜１％およびＺｒ ： ０．０
０５〜０．３％のうらの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ。
装置用０１４合金リード素材に要求される特性を具備し
た上で、さらに一段と高強度および高伸びを有するＣｕ
合金リード素材を開発すべく研究を行なった結果、成分
組成を、重；１１％で（以下％は重量％を示ず）、 Ｃｒ ： ０．０５〜１％およびＺｒ ： ０．０
０５〜０．３％のうらの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ。
を含有し、さらに、
Ｎｉ 、３ｎ、 Ｆｅ、Ｃｏ、および３ｅのうらの１種
または２種以北（以下、これらを第１群金属という）：
０．００５〜２％。
または２種以北（以下、これらを第１群金属という）：
０．００５〜２％。
Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｆ、Ｚｎ、Ｍｎ、８．Ｐ、Ｌｉ。
Ｙ、および希土類元素のうらの１種または２種以上（以
下、これらを°第２群金属という） ： ０．００１
〜１％、 Ｔｉ 、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｉｆｆ、Ｍｏ、およびＷのう
らの１種または２種以上（以下、これらを第３群金属と
いう） ： ０．００５〜２％。
下、これらを°第２群金属という） ： ０．００１
〜１％、 Ｔｉ 、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｉｆｆ、Ｍｏ、およびＷのう
らの１種または２種以上（以下、これらを第３群金属と
いう） ： ０．００５〜２％。
以上第１〜３群金属のうちのいずれか、または２種以上
を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（た、だし酸素含
有量は３５ ｐｐｍ以下）からなるもので構成すると共
に、組織上、 晶出物については、通常、その平均粒径が２０〜１００
μｍであるものを１０μｍ以下とし、また、析出物につ
いては、同じく平均粒径：０．５〜３μｍであるものを
０．１μｍ以下とし、さらに結晶粒についても、通常、
その平均粒径が６０〜２００μｍであるものを５０μｍ
以下としたＣＯ合金で構成されだリード素材は、引張り
強さ：５２Ｋｆｌｆ／−以上、 伸び二６．２％以上、 導電率：５３％ｌＡＣ３以上、 軟化点：４１０℃以上、 の特性を有し、これらの特性を有するＣｕ合金リード素
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を得たのである。
を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（た、だし酸素含
有量は３５ ｐｐｍ以下）からなるもので構成すると共
に、組織上、 晶出物については、通常、その平均粒径が２０〜１００
μｍであるものを１０μｍ以下とし、また、析出物につ
いては、同じく平均粒径：０．５〜３μｍであるものを
０．１μｍ以下とし、さらに結晶粒についても、通常、
その平均粒径が６０〜２００μｍであるものを５０μｍ
以下としたＣＯ合金で構成されだリード素材は、引張り
強さ：５２Ｋｆｌｆ／−以上、 伸び二６．２％以上、 導電率：５３％ｌＡＣ３以上、 軟化点：４１０℃以上、 の特性を有し、これらの特性を有するＣｕ合金リード素
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、以下に成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。
て、以下に成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。
（ａ）ＣｒおよびＺｒ
これらの成分には、強度および耐熱性を向上させる作用
があるが、その含有量がそれぞれｃｒ：０．０５％未満
、およびＺｒ ： ０．００５％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量がそれぞれＣｒ
：１％およびＺｒ ： ０．３％を越えると、非金属
介在物が発生し易くなって、めっき性や導電率が低下す
るようになることがら、その含有量をＣｒ ： ０．
０５〜１％、 Ｚｒ ： ０．００５〜０．３％と定
めた。
があるが、その含有量がそれぞれｃｒ：０．０５％未満
、およびＺｒ ： ０．００５％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量がそれぞれＣｒ
：１％およびＺｒ ： ０．３％を越えると、非金属
介在物が発生し易くなって、めっき性や導電率が低下す
るようになることがら、その含有量をＣｒ ： ０．
０５〜１％、 Ｚｒ ： ０．００５〜０．３％と定
めた。
（ｂ） Ｃ
Ｃ成分には、炭化物を形成して、結晶粒および析出物の
微細化に寄与し、もって強度を向上させる作用があるが
、その含有量が５ ｐｐｍ未満では所望の高強度を確保
することがＣきず、一方その含有量が６０ ｐａｗを越
えるとＷ！何何丁工性ａ（下するようになることから、
その含有量を５〜６０ ｐｐｍと定めた。ただし、この
場合、不可避不純物としての酸素含有量が３５ ｐｐｍ
を越えると、Ｃ成分が５ ｐｐｍ未満となってしまい、
すなわち５ ｆ）９１１１以上のＣ成分を含有させるこ
とが困難となって、所望の高強度を確保することができ
なくなるので、酸素含有量は３５０１）Ｉ１１以下とし
なければならない。
微細化に寄与し、もって強度を向上させる作用があるが
、その含有量が５ ｐｐｍ未満では所望の高強度を確保
することがＣきず、一方その含有量が６０ ｐａｗを越
えるとＷ！何何丁工性ａ（下するようになることから、
その含有量を５〜６０ ｐｐｍと定めた。ただし、この
場合、不可避不純物としての酸素含有量が３５ ｐｐｍ
を越えると、Ｃ成分が５ ｐｐｍ未満となってしまい、
すなわち５ ｆ）９１１１以上のＣ成分を含有させるこ
とが困難となって、所望の高強度を確保することができ
なくなるので、酸素含有量は３５０１）Ｉ１１以下とし
なければならない。
（Ｃ）第１群金属
これらの成分には、強度を向上させるほか、プレス打扱
き時の変形およびパリ発生を防止する作用があるが、そ
の含有量がｏ、 ｏｏｓ％未満では前記作用に所望の効
果が得られず、一方その含有量が２％を越えると１ｆｆ
ｉ率が低下するようになることから、その含有量をＯ，
００５〜２％と定めた。
き時の変形およびパリ発生を防止する作用があるが、そ
の含有量がｏ、 ｏｏｓ％未満では前記作用に所望の効
果が得られず、一方その含有量が２％を越えると１ｆｆ
ｉ率が低下するようになることから、その含有量をＯ，
００５〜２％と定めた。
（ｄ）第２群金属
これらの成分には、いずれもｒＦ１ｍ作用があるほか、
導電率、めっき性、およびＧ、ｔ／νだ付は性を向上さ
せる作用があるが、その含有口が０．００１％未満では
前記作用に所望の効果が得られず、一方その含有量が１
％を越えると、前記作用に劣化傾向が現われるようにな
ることから、その含有１を０．００１〜１％と定めた。
導電率、めっき性、およびＧ、ｔ／νだ付は性を向上さ
せる作用があるが、その含有口が０．００１％未満では
前記作用に所望の効果が得られず、一方その含有量が１
％を越えると、前記作用に劣化傾向が現われるようにな
ることから、その含有１を０．００１〜１％と定めた。
（ｅ）第３群金属
これらの成分には、強度および耐熱性を向上させる作用
があるが、その含有量が０．００５％未満では前記作用
に所望の効果が得られず、一方その含有量が２％を越え
ると導電率が低下するようになることから、その含有量
を０．００５〜２％と定めた。
があるが、その含有量が０．００５％未満では前記作用
に所望の効果が得られず、一方その含有量が２％を越え
ると導電率が低下するようになることから、その含有量
を０．００５〜２％と定めた。
また、上記のように、この種の従来Ｃｕ合金においては
、通常、 晶出物の平均粒径：２０〜１００μｍ、析出物の平均粒
径：０．５〜３μｍ、 結晶粒の平均粒径：６０〜２００μ■、となっているが
、この組織状態では、所望の高強度および高伸びを確保
することができないものであり、これを、組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径： ０．１μｍ以下、結晶粒の平均粒
径：５０μｍ以下、 とすることによって、すなわちこれらの条件をすべて満
足することによってはじめて、引張り強さで５２Ｋｇｆ
／−以上の高強度、および６，２％以上の高伸びを確保
することができるものであり、さらにこれによってプレ
ス打扱き性も著しく向上するようになるのである。した
がって、晶出物、析出物、および結晶粒のいずれの平均
粒仔が上記の上限値を越えても前記の高強度および高伸
びを確保することができないのである。
、通常、 晶出物の平均粒径：２０〜１００μｍ、析出物の平均粒
径：０．５〜３μｍ、 結晶粒の平均粒径：６０〜２００μ■、となっているが
、この組織状態では、所望の高強度および高伸びを確保
することができないものであり、これを、組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径： ０．１μｍ以下、結晶粒の平均粒
径：５０μｍ以下、 とすることによって、すなわちこれらの条件をすべて満
足することによってはじめて、引張り強さで５２Ｋｇｆ
／−以上の高強度、および６，２％以上の高伸びを確保
することができるものであり、さらにこれによってプレ
ス打扱き性も著しく向上するようになるのである。した
がって、晶出物、析出物、および結晶粒のいずれの平均
粒仔が上記の上限値を越えても前記の高強度および高伸
びを確保することができないのである。
（実施例）
つぎに、この発明のＣｕ合金リード素材を実施例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
通常の低周波溝型Ｍ導炉を用い、Ｃｕ原料を黒鉛板で覆
うと共に、Ａｒ雰囲気中で溶解し、溶落後、溶湯温度が
１２２０〜１４８０℃の範囲内の所定温度に上テＩした
時点で△ｒガスを吹込んで、溶湯の脱ガスと攪拌を行な
い、ついでこの状態の攪拌中の溶湯に合金成分を添加し
て含有させ、かつ最終的にＣＯガスを吹込んで、不可避
不純物としての酸素含有量を３５ ｐｐｍ以下とすると
共に、Ｃ含有量を５〜６０ ｐｐｍの範囲内の所定含有
量に調製してそれぞれ第１表に示される成分組成をもっ
た溶湯とし、ついで同じ＜Ａｒ雰囲気中にて、これを、
水冷鋳型を用い、平面形状：５０ｍＸ高さ：１００簡の
寸法をもった＆ＩＩＡとし、この面前後の訪塊に、８０
０〜９５０℃の範囲内の所定の熱間圧延開始温度にて熱
間圧延を施して厚さ＝１１端の熱延板とした後、水スプ
レーにより急冷して、析出物の形成なく、晶出物および
結晶粒を微細なものとし、ついで、この熱延板の上下両
面を０．５ｍづつ固剤して厚さ：１０Ｍとした状態で、
冷間圧延により厚さ：２ｍｍの冷延板とし、この冷延板
に４００〜５５０°Ｃの範囲内の所定温度に６０分間保
持の条件で時効処理を施して析出物を微細に析出さけ、
さらにこれに冷間圧延を施して厚さ： ０．７ｍとし
、引続いて、４００〜５００℃の範囲内の所定温度に６
゛０分間保持の条ｆｔで歪取り焼鈍を施した後、最終冷
間圧延を施して厚さ＝０．３間とすることによって本発
明Ｃｕ合金リード素材１〜２０をそれぞれ製造した。
うと共に、Ａｒ雰囲気中で溶解し、溶落後、溶湯温度が
１２２０〜１４８０℃の範囲内の所定温度に上テＩした
時点で△ｒガスを吹込んで、溶湯の脱ガスと攪拌を行な
い、ついでこの状態の攪拌中の溶湯に合金成分を添加し
て含有させ、かつ最終的にＣＯガスを吹込んで、不可避
不純物としての酸素含有量を３５ ｐｐｍ以下とすると
共に、Ｃ含有量を５〜６０ ｐｐｍの範囲内の所定含有
量に調製してそれぞれ第１表に示される成分組成をもっ
た溶湯とし、ついで同じ＜Ａｒ雰囲気中にて、これを、
水冷鋳型を用い、平面形状：５０ｍＸ高さ：１００簡の
寸法をもった＆ＩＩＡとし、この面前後の訪塊に、８０
０〜９５０℃の範囲内の所定の熱間圧延開始温度にて熱
間圧延を施して厚さ＝１１端の熱延板とした後、水スプ
レーにより急冷して、析出物の形成なく、晶出物および
結晶粒を微細なものとし、ついで、この熱延板の上下両
面を０．５ｍづつ固剤して厚さ：１０Ｍとした状態で、
冷間圧延により厚さ：２ｍｍの冷延板とし、この冷延板
に４００〜５５０°Ｃの範囲内の所定温度に６０分間保
持の条件で時効処理を施して析出物を微細に析出さけ、
さらにこれに冷間圧延を施して厚さ： ０．７ｍとし
、引続いて、４００〜５００℃の範囲内の所定温度に６
゛０分間保持の条ｆｔで歪取り焼鈍を施した後、最終冷
間圧延を施して厚さ＝０．３間とすることによって本発
明Ｃｕ合金リード素材１〜２０をそれぞれ製造した。
さらに、この結果１ｑられた本発明Ｃｕ合金リード素材
１〜２０について、晶出物、析出物、および結晶粒の平
均粒径を測定すると共に、引張り強さ、伸び、導電１１
７．Ｊ５よび軟化点を測定した。これらの結果を第２表
に示した。
１〜２０について、晶出物、析出物、および結晶粒の平
均粒径を測定すると共に、引張り強さ、伸び、導電１１
７．Ｊ５よび軟化点を測定した。これらの結果を第２表
に示した。
第２表に示される結果から、本発明Ｃｕ合金リード素材
１〜２０は、いずれも、 ５２Ｋｇｆ／−以上の引張り強さ、 ６２％以上の伸び、 ５３％ｌＡＣ３以上の導電率、 ４１０’Ｃ以１の軟化点、 を示し、これらの値は半導体装置のリード素材に要求さ
れる特性を十分満足して具備することを示し、かつ強度
と伸びが一段と高い値を示すことが明らかである。
１〜２０は、いずれも、 ５２Ｋｇｆ／−以上の引張り強さ、 ６２％以上の伸び、 ５３％ｌＡＣ３以上の導電率、 ４１０’Ｃ以１の軟化点、 を示し、これらの値は半導体装置のリード素材に要求さ
れる特性を十分満足して具備することを示し、かつ強度
と伸びが一段と高い値を示すことが明らかである。
上）ボのように、この発明のＣｕ合金リード素材は通常
の半導体装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される導゛市
率、および軟化点を具備した上で、さらに一段と高い強
電と伸びを具備するので１通常の半導体装置は勿論のこ
と、集積度の高い半導体装置のリード素材としてすぐれ
た性能を発揮する“ものである。
の半導体装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される導゛市
率、および軟化点を具備した上で、さらに一段と高い強
電と伸びを具備するので１通常の半導体装置は勿論のこ
と、集積度の高い半導体装置のリード素材としてすぐれ
た性能を発揮する“ものである。
Claims (8)
- （１）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
し、かつ組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （２）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
し、かつ組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （３）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
し、かつ組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （４）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有し、かつ組織
上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （５）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
し、かつ組織上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （６）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ；５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有し、かつ組織
上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （７）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有し、かつ組織
上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。 - （８）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有し、かつ組織
上、 晶出物の平均粒径：１０μｍ以下、 析出物の平均粒径：０．１μｍ以下、 結晶粒の平均粒径：５０μｍ以下、 を満足するＣｕ合金で構成したことを特徴とする高強度
および高伸びを有する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809785A JPS6270542A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
| US06/903,514 US4749548A (en) | 1985-09-13 | 1986-09-03 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| GB8621958A GB2181742B (en) | 1985-09-13 | 1986-09-11 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| DE19863631119 DE3631119A1 (de) | 1985-09-13 | 1986-09-12 | Leitermaterial auf basis von kupferlegierungen zur anwendung fuer halbleitervorrichtungen |
| US07/166,217 US4872048A (en) | 1985-09-13 | 1988-03-10 | Semiconductor device having copper alloy leads |
| GB8907058A GB2219473B (en) | 1985-09-13 | 1989-03-29 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809785A JPS6270542A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270542A true JPS6270542A (ja) | 1987-04-01 |
| JPS6338414B2 JPS6338414B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=16550584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20809785A Granted JPS6270542A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270542A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63247327A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた電気・電子部品用銅合金 |
| JPH0285330A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プレス折り曲げ性の良い銅合金およびその製造方法 |
| WO1999066087A1 (fr) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Tube en alliage de cuivre sans joint pour echangeur thermique presentant une limite elastique et une resistance a la fatigue excellentes a 0,2 % |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20809785A patent/JPS6270542A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63247327A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた電気・電子部品用銅合金 |
| JPH0285330A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プレス折り曲げ性の良い銅合金およびその製造方法 |
| JPH0469217B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1992-11-05 | Mitsui Mining & Smelting Co | |
| WO1999066087A1 (fr) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Tube en alliage de cuivre sans joint pour echangeur thermique presentant une limite elastique et une resistance a la fatigue excellentes a 0,2 % |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338414B2 (ja) | 1988-07-29 |
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