JPS625165A - 厚膜型ガス感応体素子とその製法 - Google Patents
厚膜型ガス感応体素子とその製法Info
- Publication number
- JPS625165A JPS625165A JP60143847A JP14384785A JPS625165A JP S625165 A JPS625165 A JP S625165A JP 60143847 A JP60143847 A JP 60143847A JP 14384785 A JP14384785 A JP 14384785A JP S625165 A JPS625165 A JP S625165A
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- JP
- Japan
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- electrode
- thick film
- platinum
- gas sensitive
- gas
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
厚膜型ガス感応体素子とその製法に関してこの明細書に
は、セラミック基板上に設けた電極と、この電極表面を
被覆する多孔質ガス感応体厚膜とよりなる厚膜型ガス感
応体素子の作動安定性と性能劣化防止による耐久性増強
についての開発研究の成果に関し以下に述べる。
は、セラミック基板上に設けた電極と、この電極表面を
被覆する多孔質ガス感応体厚膜とよりなる厚膜型ガス感
応体素子の作動安定性と性能劣化防止による耐久性増強
についての開発研究の成果に関し以下に述べる。
(従来の技術)
この種の厚膜型ガス感応体素子では、平坦な基板上に厚
膜を備えるので、両者の熱膨張の差から容易にはがれを
来たしやすい。
膜を備えるので、両者の熱膨張の差から容易にはがれを
来たしやすい。
これに対し基板に人工的な凹凸を設け、密着を改善でき
ることをさきに開示した(特願昭58−203222号
)。
ることをさきに開示した(特願昭58−203222号
)。
(発明が解決しようとする問題点)
ミクロ的な基板と厚膜との間の密着は、上記の先行技術
によってもなお不十分なうらみがあり、電極と厚膜の間
に内部抵抗にばらつきが生じやすかった。また使用中に
不純物がマイグレートしこれらの界面に凝縮して更に内
部抵抗を高め、感ガス素子の性能を劣化させる欠点があ
った。
によってもなお不十分なうらみがあり、電極と厚膜の間
に内部抵抗にばらつきが生じやすかった。また使用中に
不純物がマイグレートしこれらの界面に凝縮して更に内
部抵抗を高め、感ガス素子の性能を劣化させる欠点があ
った。
つまり電極表面と厚膜素子が面で接している為に、応力
により両者の密着が悪くなり、内部抵抗を高めることが
わかった。
により両者の密着が悪くなり、内部抵抗を高めることが
わかった。
そこで、両者の接合界面を、2次元から3次元的にする
ことによって、接触抵抗を安定化し得ることが見出され
た。
ことによって、接触抵抗を安定化し得ることが見出され
た。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、セラミック基板上に設けた電極と、この電
極表面を被覆する多孔質ガス感応体厚膜および、この多
孔質ガス感応体の電極との界面に介在してそれらの間の
電気的接合性を高める導電材とからなる、厚膜型ガス感
応体素子ならびに電極を具備させたセラミック基板上に
、多孔質ガス感応体厚膜を焼成により被覆形成し、つい
で白金を主成分とする化合物溶液を含浸させて炉中にて
熱処理を行い、厚膜と電極との界面に白金の凝縮析出に
よる、導電材を介在させることからなる、厚膜型ガス感
応体素子の製法である。
極表面を被覆する多孔質ガス感応体厚膜および、この多
孔質ガス感応体の電極との界面に介在してそれらの間の
電気的接合性を高める導電材とからなる、厚膜型ガス感
応体素子ならびに電極を具備させたセラミック基板上に
、多孔質ガス感応体厚膜を焼成により被覆形成し、つい
で白金を主成分とする化合物溶液を含浸させて炉中にて
熱処理を行い、厚膜と電極との界面に白金の凝縮析出に
よる、導電材を介在させることからなる、厚膜型ガス感
応体素子の製法である。
このセラミック基板は、アルミナ、ムライト、ステアタ
イト、フォルステライトなどの耐熱性の高い平板形状の
ものを指し、この上に電極が印刷される。
イト、フォルステライトなどの耐熱性の高い平板形状の
ものを指し、この上に電極が印刷される。
電極は、少なくとも一対の金属材料にょる厚膜であり、
高温用の用途にはptを主成分とする電極膜(以下pt
メタライズ電極と呼ぶ)が用いられる。
高温用の用途にはptを主成分とする電極膜(以下pt
メタライズ電極と呼ぶ)が用いられる。
一方多孔賞ガス惑応体厚膜(以下感ガス膜という)は、
周囲のガス濃度の変化に応じて電気抵抗の変化する遷移
金属酸化物を主体とするものであり、SnO□+ Zn
O,FE!203などがプロパンガスセンサー、湿度セ
ンサーとして使われ、またTiO2,CoOの如きが酸
素センサーとして使われる。
周囲のガス濃度の変化に応じて電気抵抗の変化する遷移
金属酸化物を主体とするものであり、SnO□+ Zn
O,FE!203などがプロパンガスセンサー、湿度セ
ンサーとして使われ、またTiO2,CoOの如きが酸
素センサーとして使われる。
この発明に従い電極と感ガス膜との界面に充填する導電
材は、感ガス膜に悪影響を与えずして、界面に充填可能
な物質であれば何でもよいが、電極材と感ガス膜の両者
と密着し、両者の間の電気的導通の良いことが必要であ
り、電極材と類似したものが望ましく、ptメタライズ
電極に対しては;ptがもっとも適している。
材は、感ガス膜に悪影響を与えずして、界面に充填可能
な物質であれば何でもよいが、電極材と感ガス膜の両者
と密着し、両者の間の電気的導通の良いことが必要であ
り、電極材と類似したものが望ましく、ptメタライズ
電極に対しては;ptがもっとも適している。
この界面層の形成には、惑ガス膜を基板に焼きつけたの
ち、導電材を含む溶液を多孔質感ガス層をとおして滲み
込ませ、その後炉中で加熱することにより電極周辺に導
電材を分解析出させることができる。
ち、導電材を含む溶液を多孔質感ガス層をとおして滲み
込ませ、その後炉中で加熱することにより電極周辺に導
電材を分解析出させることができる。
又は感ガス膜をつけた基板を、導電材を含む溶液中に浸
漬し、電極を陰極にし電気めっきをした上で、導電材を
界面に析出させることができる。
漬し、電極を陰極にし電気めっきをした上で、導電材を
界面に析出させることができる。
(作 用)
導電材が多孔質ガス感応体の電極の界面に介在する、3
次元的な接合によって接触抵抗の安定化がもたらされ、
内部抵抗のばらつきゃ変動が適切に回避され得る。
次元的な接合によって接触抵抗の安定化がもたらされ、
内部抵抗のばらつきゃ変動が適切に回避され得る。
(実施例)
以下、ガス検出器として内燃機関排気中の酸素濃度を検
出する酸素センサーに適用した場合を例にとり図面に従
い説明する。
出する酸素センサーに適用した場合を例にとり図面に従
い説明する。
第1図は酸素センサーの部分断面図である。図において
は1oはセラミック基板上に多孔質ガス感応体としての
検出素子11を備え、酸素濃度を検出するガス検出器、
12はガス検出器10を把持して酸素センサーを内燃機
関に取り付ける筒状の主体金具、13は主体金具12の
内燃機関側先端部12aに取り付けられて、ガス検出器
10の保護を司るプロテクタ、14は主体金具12とと
もにガス検出器10を把持する内筒である。
は1oはセラミック基板上に多孔質ガス感応体としての
検出素子11を備え、酸素濃度を検出するガス検出器、
12はガス検出器10を把持して酸素センサーを内燃機
関に取り付ける筒状の主体金具、13は主体金具12の
内燃機関側先端部12aに取り付けられて、ガス検出器
10の保護を司るプロテクタ、14は主体金具12とと
もにガス検出器10を把持する内筒である。
ガス検出器10は保持用スペーサ15、充填粉末16を
介し主体金具12および内筒14内に収容固定する。
介し主体金具12および内筒14内に収容固定する。
17はガラスシール17である。
主体金具12の外州周は内燃機関取付用のねじ部12b
を刻設し、内燃機関壁面当接部分には排気が漏れないよ
うガスケット18を設ける。
を刻設し、内燃機関壁面当接部分には排気が漏れないよ
うガスケット18を設ける。
ここで充填粉末16は滑石およびガラスの1:1の混合
粉末からなり、ガス検出器10を内筒14内に固定する
。また、゛ガラスシール17は低融点ガラスがらなり、
検出ガスの漏れを防止すると共にガス検出器10の端子
を保護する。
粉末からなり、ガス検出器10を内筒14内に固定する
。また、゛ガラスシール17は低融点ガラスがらなり、
検出ガスの漏れを防止すると共にガス検出器10の端子
を保護する。
なお、19は内筒14を覆うように主体金具12に取り
付けた外筒、20はシリコンゴムからなるシール材であ
って、リード21ないし23とガラスシール17より突
出したガス検出器10の端子との接続部を絶縁保護する
。また、このリード線21ないし23と端子31ないし
33との接続は予め外筒19内にシール材20およびリ
ード線21ないし23を納めると共に、各リード線21
ないし23の先端にかしめ金具を接続し、その後かしめ
金具端子とかしめ接続することによって行うとよい。
付けた外筒、20はシリコンゴムからなるシール材であ
って、リード21ないし23とガラスシール17より突
出したガス検出器10の端子との接続部を絶縁保護する
。また、このリード線21ないし23と端子31ないし
33との接続は予め外筒19内にシール材20およびリ
ード線21ないし23を納めると共に、各リード線21
ないし23の先端にかしめ金具を接続し、その後かしめ
金具端子とかしめ接続することによって行うとよい。
ガス検出器10は第2図ないし第7図に示す如き手順に
従って作成する。
従って作成する。
図において、(イ)はガス検出器10の組み立て工程に
おける平面図、(ロ)はそのA−A線断面図、または端
面図を示し、ここで、各図はガス検出器10の製造工程
を単に解り易く説明するだけの為、各部の寸法は第1図
に示すガス検出器と必ずしも対応させてな(この点、後
述の第8図および第9図についても同様である。
おける平面図、(ロ)はそのA−A線断面図、または端
面図を示し、ここで、各図はガス検出器10の製造工程
を単に解り易く説明するだけの為、各部の寸法は第1図
に示すガス検出器と必ずしも対応させてな(この点、後
述の第8図および第9図についても同様である。
ここで上記第2図ないし第7図の各図において、40〜
43は、平均粒径1.5 amのAhOi 92重量%
、5t(h4重量量Z 、 CaO2重量%およびMg
02重量%の組成からなる混合粉末100重量部に対し
て、ブチラール樹脂12重量部およびジブチルフタレー
ト(BDP) 6重量部を添加し、有機溶剤中で混合
してスラリーとしてドクターブレードを用いて形成した
グリーンシートであり、この内グリーンシート40は厚
さ1鶴、グリーンシート41は厚さ0.2鶴、グリーン
シート42および43は厚さ0.8鶴に予め作成した。
43は、平均粒径1.5 amのAhOi 92重量%
、5t(h4重量量Z 、 CaO2重量%およびMg
02重量%の組成からなる混合粉末100重量部に対し
て、ブチラール樹脂12重量部およびジブチルフタレー
ト(BDP) 6重量部を添加し、有機溶剤中で混合
してスラリーとしてドクターブレードを用いて形成した
グリーンシートであり、この内グリーンシート40は厚
さ1鶴、グリーンシート41は厚さ0.2鶴、グリーン
シート42および43は厚さ0.8鶴に予め作成した。
更に図中44ないし49は、pt粉末に7%のAh(h
粉を添加した配合の白金ペーストにより厚膜印刷したパ
ターンであって導電部に相当し、その内44および45
は検出素子11の電極となる電極パターン、46は検出
素子11を加熱するためのヒーターとなる発熱抵抗体パ
ターン、そして47ないし49は発熱抵抗体パターン4
6や検出素子11に電源を印加したり又は検出信号を抽
出するための端子パターンである。
粉を添加した配合の白金ペーストにより厚膜印刷したパ
ターンであって導電部に相当し、その内44および45
は検出素子11の電極となる電極パターン、46は検出
素子11を加熱するためのヒーターとなる発熱抵抗体パ
ターン、そして47ないし49は発熱抵抗体パターン4
6や検出素子11に電源を印加したり又は検出信号を抽
出するための端子パターンである。
ガス検出器10の製造は第2図に示す如く、まずグリー
ンシート40上に上記44ないし49の各パターンを白
金ペーストで厚膜印刷することにより始められ、次いで
第3図に示す如く端子パターン47ないし49上に線径
0,2mmの白金リード線51ないし53を夫々接続す
る。
ンシート40上に上記44ないし49の各パターンを白
金ペーストで厚膜印刷することにより始められ、次いで
第3図に示す如く端子パターン47ないし49上に線径
0,2mmの白金リード線51ないし53を夫々接続す
る。
次に第4図に示す如く、グリーンシート41にあちらか
じめ電極パターン44および45の先端部が露出するよ
う打抜きによって形成した開口55を設けておいて、電
極パターン44および45の先端部を除くすべてののパ
ターンを覆って、グリーンシート40上にグリーンシー
ト41を積層熱圧着する。この積層熱圧着されたグリー
ンシート40とグリーンシート41との積層体は、セラ
ミック基板Bに相当し、後に開口55内に素子層に相当
する検出素子11を積層する。
じめ電極パターン44および45の先端部が露出するよ
う打抜きによって形成した開口55を設けておいて、電
極パターン44および45の先端部を除くすべてののパ
ターンを覆って、グリーンシート40上にグリーンシー
ト41を積層熱圧着する。この積層熱圧着されたグリー
ンシート40とグリーンシート41との積層体は、セラ
ミック基板Bに相当し、後に開口55内に素子層に相当
する検出素子11を積層する。
続いて第5図に示す如く、グリーンシート41上にグリ
ーンシート42を積層熱圧着し、さらに第6図に示す如
くグリーンシート42上にグリーンシート43を階段状
に積層熱圧着する。
ーンシート42を積層熱圧着し、さらに第6図に示す如
くグリーンシート42上にグリーンシート43を階段状
に積層熱圧着する。
ここで上記グリーンシート42は第1のセラミック層f
に相当し、又グリーンシート43は第2のセラミックJ
ISに相当するものである。
に相当し、又グリーンシート43は第2のセラミックJ
ISに相当するものである。
その後、グリーンシートと同一材質になる粒径約100
μmのセラミックボールをグリーンシート41の開口5
5内にてグリーンシート41の表面に塗布し、凹凸層を
設ける。
μmのセラミックボールをグリーンシート41の開口5
5内にてグリーンシート41の表面に塗布し、凹凸層を
設ける。
このようにして、白金リード線51ないし53の一部が
突出し、又、電極パターン44および45の先端部がセ
ラミック基板Bの開口55内に露出した階段状の積層板
を作成する。
突出し、又、電極パターン44および45の先端部がセ
ラミック基板Bの開口55内に露出した階段状の積層板
を作成する。
次にこの積層板を1500℃の大気雰囲気焼成炉内にて
2時間放置することによって、第1のセラミック層fと
第2のセラミック層Sをセラミック基板Bと合体焼成す
る。
2時間放置することによって、第1のセラミック層fと
第2のセラミック層Sをセラミック基板Bと合体焼成す
る。
その後第7図に示す如く開口55内に検出素子11を設
けるのであるが、この検出素子11は例えば平均粒径1
.2μmのTiO□粉末100モル部に対して3重量%
のエチルセルロースを添加し、ブチルカルピトール(2
−(2−ブトキシエトキシ)エタノールの商品名)内で
混合し300ポアズに粘度調整した、Ti0zペースト
を開口55内に充塞し、かつ、電極パターン44および
45の先端に被着するよう厚膜印刷した後、再び120
0℃の大気雰囲気焼成炉内に1時間放置して焼付け、多
孔質ガス感応体として成形する。
けるのであるが、この検出素子11は例えば平均粒径1
.2μmのTiO□粉末100モル部に対して3重量%
のエチルセルロースを添加し、ブチルカルピトール(2
−(2−ブトキシエトキシ)エタノールの商品名)内で
混合し300ポアズに粘度調整した、Ti0zペースト
を開口55内に充塞し、かつ、電極パターン44および
45の先端に被着するよう厚膜印刷した後、再び120
0℃の大気雰囲気焼成炉内に1時間放置して焼付け、多
孔質ガス感応体として成形する。
このようにして焼成した検出素子11に対し、下記の3
種のサンプルを製作した。
種のサンプルを製作した。
(八)塩化白金酸(200gム0液を2μ!滴下し、次
いでプロパンバーナー中で950℃にて急熱分解し、p
t担持をさせたもの(通例のもの)。このものは多孔体
の素子の空隙の内部均一にptが担持されている。
いでプロパンバーナー中で950℃にて急熱分解し、p
t担持をさせたもの(通例のもの)。このものは多孔体
の素子の空隙の内部均一にptが担持されている。
(B)塩化白金酸(200g八〇液へ2μ1滴下し、水
素炉中で700℃21(rにわたり、熱分解し、ついで
更に2μ1滴下し、(A)工程をとおしたもの。
素炉中で700℃21(rにわたり、熱分解し、ついで
更に2μ1滴下し、(A)工程をとおしたもの。
(C)塩化白金酸(2QOg/ 1 )液で、白金リー
ド線51゜52.53を一極にし、白金電極を子種にし
て2V。
ド線51゜52.53を一極にし、白金電極を子種にし
て2V。
10分で電気めっきを実施したのち(A)工程をとおし
たもの。
たもの。
次に、得られた各ガス検出器10の外部に突出した白金
リード線51ないし53と端子31ないし33との接続
は、第8図に示す如く、厚さ0.3 mのニッケル板に
エツチング加工によって一体形成されたランナ一つき端
子31ないし33を、白金リード線51ないし53に夫
々適合させて溶接した。なお、この端子31ないし33
が一体形成されたニッケル板はガス検出器10が主体金
具12に固定され、その後ガス検出器10の基板の一部
及び白金11−ド線51ないし53と端子31ないし3
3との接合部分がガラスシール17によって保護され、
内筒14 内に固定された後に所定の長さに切断して
ランナは切捨てる。なお第8図におけるCB>はガス検
出器10の平面図、(ロ)はその右側面図である。
リード線51ないし53と端子31ないし33との接続
は、第8図に示す如く、厚さ0.3 mのニッケル板に
エツチング加工によって一体形成されたランナ一つき端
子31ないし33を、白金リード線51ないし53に夫
々適合させて溶接した。なお、この端子31ないし33
が一体形成されたニッケル板はガス検出器10が主体金
具12に固定され、その後ガス検出器10の基板の一部
及び白金11−ド線51ないし53と端子31ないし3
3との接合部分がガラスシール17によって保護され、
内筒14 内に固定された後に所定の長さに切断して
ランナは切捨てる。なお第8図におけるCB>はガス検
出器10の平面図、(ロ)はその右側面図である。
発熱抵抗体パターン46を加熱し、検出素子11を活性
化させ、リード線22及び23間に亘る検出素子11の
酸素濃度に依存した抵抗値の変化を検出することによっ
てその酸素濃度が検出できる。
化させ、リード線22及び23間に亘る検出素子11の
酸素濃度に依存した抵抗値の変化を検出することによっ
てその酸素濃度が検出できる。
1掲(A) (B)および(C)の3種の検出素子11
を用いた酸素センサーを、λ=0.9、ガス温350℃
のプロパンバーナー中で内部抵抗を測定し、ついで90
0℃のガス温のブンゼンバーナー中で、5分加熱、5分
冷却の0N−OFFサイクル後の内部抵抗を測定した。
を用いた酸素センサーを、λ=0.9、ガス温350℃
のプロパンバーナー中で内部抵抗を測定し、ついで90
0℃のガス温のブンゼンバーナー中で、5分加熱、5分
冷却の0N−OFFサイクル後の内部抵抗を測定した。
測定及び耐久試験中には、リード線51に+12v1同
じ<53にアース、そして52−53間に50 kΩの
固定抵抗を接続した。測定径大気中で±極を逆接合し5
時間放置後、再び内部抵抗を測定し、回復性を調べた結
果を表1に示す。
じ<53にアース、そして52−53間に50 kΩの
固定抵抗を接続した。測定径大気中で±極を逆接合し5
時間放置後、再び内部抵抗を測定し、回復性を調べた結
果を表1に示す。
表 1
表1のように、発明品は耐久後の内部抵抗が安定してい
る。従来品が回復テストで大幅に性能が回復しているこ
とにより、内部抵抗の上昇は、基板や素子中の不純物が
直流の印加により陰極に拡散し電極界面に濃縮し、界面
抵抗を高めていることが推定され、界面での電気導電性
を高めた発明品(B) (C)は比較の従来品(A)に
くらべて著しい改良効果が認められた。
る。従来品が回復テストで大幅に性能が回復しているこ
とにより、内部抵抗の上昇は、基板や素子中の不純物が
直流の印加により陰極に拡散し電極界面に濃縮し、界面
抵抗を高めていることが推定され、界面での電気導電性
を高めた発明品(B) (C)は比較の従来品(A)に
くらべて著しい改良効果が認められた。
この発明に従う検出素子(B) (C)はチタニア−電
極界面にてpt導電材が充てんされ、チタニア−電極間
の空間をみたして両者を立体的に電気的接合を保ってい
ることがわかる。
極界面にてpt導電材が充てんされ、チタニア−電極間
の空間をみたして両者を立体的に電気的接合を保ってい
ることがわかる。
(発明の効果)
この発明の厚膜型ガス感応体素子はその作動安定性と耐
久性の顕著な改善が著しく、またこの発明の製法による
・と高性能のこの種検出素子の安定が能率的な生産が可
能である。
久性の顕著な改善が著しく、またこの発明の製法による
・と高性能のこの種検出素子の安定が能率的な生産が可
能である。
第1図は左半の断面を表した側面図、
第2図ないし第7図は酸素センサーに適用した実施例の
工程説明図、 第8図はガス検出器の正面図と断面図である。 第1図 第2図 第3図 第4図
工程説明図、 第8図はガス検出器の正面図と断面図である。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミック基板上に設けた電極と、この電極表面を
被覆する多孔質ガス感応体厚膜および、この多孔質ガス
感応体の電極との界面に介在してそれらの間の電気的接
合性を高める導電材とからなる、厚膜型ガス感応体素子
。 2、電極を具備させたセラミック基板上に、多孔質ガス
感応体厚膜を焼成により被覆形成し、ついで白金を主成
分とする化合物溶液を含浸させて炉中にて熱処理を行い
、厚膜と電極との界面に白金の凝縮析出による、導電材
を介在させることからなる、厚膜型ガス感応体素子の製
法。 3、白金を主成分とする化合物溶液中への含浸が陰極電
解工程を含む2、記載の製法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60143847A JPS625165A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 厚膜型ガス感応体素子とその製法 |
US07/281,881 US4909066A (en) | 1985-07-02 | 1988-12-08 | Thick-film gas sensor of a laminar structure and a method of producing the same |
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DE2904069A1 (de) * | 1979-02-03 | 1980-08-07 | Bosch Gmbh Robert | Festelektrolyt fuer elektrochemische anwendungen und verfahren zur herstellung desselben |
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Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JPS5950352A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Nippon Denso Co Ltd | 窒素酸化物検出素子 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01212342A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガス検出器およびその製造法 |
JPH01274056A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガスセンサーの製法 |
EP0360159A2 (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-28 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Method of producing thick-film gas sensor element having improved stability |
US5202154A (en) * | 1988-09-19 | 1993-04-13 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of producing thick-film gas sensor element having improved stability |
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