JPS6237575B2 - - Google Patents
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- JPS6237575B2 JPS6237575B2 JP56057673A JP5767381A JPS6237575B2 JP S6237575 B2 JPS6237575 B2 JP S6237575B2 JP 56057673 A JP56057673 A JP 56057673A JP 5767381 A JP5767381 A JP 5767381A JP S6237575 B2 JPS6237575 B2 JP S6237575B2
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- transistors
- signal
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- modulated
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーダイオードの光出力をパルス振
幅変調するときに使用するレーザーダイオード駆
動回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a laser diode drive circuit used when pulse amplitude modulating the optical output of a laser diode.
従来、レーザーダイオードの光出力をパルス振
幅変調するための回路は提供されていない。 Conventionally, no circuit has been provided for pulse amplitude modulating the optical output of a laser diode.
本発明の目的は光出力をパルス振幅変調できる
レーザーダイオード駆動回路を提供することにあ
る。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a laser diode drive circuit capable of pulse amplitude modulation of optical output.
本発明の駆動回路は、エミツタ相互が接続され
た２つのトランジスタと、該２つのトランジスタ
のどちらか一方のトランジスのコレクタと接続さ
れたレーザーダイオードとから構成され、前記２
つのトランジスタのどちらか一方のトランジスタ
のベースに被変調信号を入力しかつ前記２つのト
ランジスタのエミツタ接続点に変調信号を入力す
ることにより前記レーザーダイオードの光出力を
パルス振幅変調するよう構成されている。 The drive circuit of the present invention includes two transistors whose emitters are connected to each other, and a laser diode connected to the collector of one of the two transistors.
The optical output of the laser diode is configured to pulse amplitude modulate the optical output of the laser diode by inputting a modulated signal to the base of one of the two transistors and inputting a modulating signal to the emitter connection point of the two transistors. .
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。 Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図で
ある。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
本実施例は、不飽和型電流切換回路を構成する
ようエミツタ相互が接続された２つのトランジス
タ１０および１４と、インピーダンス９を介して
トランジスタ１０のコレクタと接続されたレーザ
ーダイオード７と、インピーダンス２を介してト
ランジスタ１０のベースと接続された被変調波発
振器１と、インピーダンス１１を介してトランジ
スタ１０および１４のエミツタ接続点３に接続さ
れた変調波電流源１３とを備えている。ここで参
照数字４，５，１５および１６はバイアス抵抗、
同数字６は可変抵抗、同数字８は自動光出力制御
回路用出力端子、同数字１７は電源端子である。 This embodiment consists of two transistors 10 and 14 whose emitters are connected to each other to form an unsaturated current switching circuit, a laser diode 7 which is connected to the collector of the transistor 10 via an impedance 9, and an impedance 2. A modulated wave oscillator 1 is connected to the base of a transistor 10 through an impedance 11, and a modulated wave current source 13 is connected to an emitter connection point 3 of transistors 10 and 14 through an impedance 11. where reference numbers 4, 5, 15 and 16 are bias resistors;
The number 6 is a variable resistor, the number 8 is an output terminal for an automatic light output control circuit, and the number 17 is a power supply terminal.
被変調波発信器１からトランジスタ１０のベー
スにトランジスタ１０および１４（不飽和型電流
切換回路を構成している）が交互に導通状態およ
び不導通状態となるような大振幅の被調信号（例
えば、第３図ａまたはｂに示すような信号）を供
給するとともに変調波電流源１３からレーザーダ
イオード７のしきい値電流以上の電流の変調波電
流信号（例えば、第３図ｃに示すような信号）を
エミツタ接続点３に供給すると、トランジスタ１
０のコレクタ側に接続されたレーザーダイオード
７からはパルス振幅変調された光出力（第３図ｄ
に示すような光出力）が得られる。 A large amplitude modulated signal (for example , a signal as shown in FIG. 3 a or b)) and a modulated wave current signal (for example, as shown in FIG. When a signal) is supplied to emitter connection point 3, transistor 1
The laser diode 7 connected to the collector side of the laser output pulse amplitude modulated light output (Fig. 3d)
(light output as shown in ) is obtained.
第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図で
ある。図において、第１図に示した参照数字と同
一の参照数字は同一の回路要素を示す。本実施例
においては、トランジスタ１０ではなくトランジ
スタ１４のコレクタ側にレーザーダイオードを接
続した点が第１の実施例と異なるが、動作原理は
同じである。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. In the figures, reference numerals that are the same as those shown in FIG. 1 indicate the same circuit elements. This embodiment differs from the first embodiment in that a laser diode is connected to the collector side of the transistor 14 instead of the transistor 10, but the operating principle is the same.
以上、本発明には極めて簡単にレーザーダイオ
ードの光出力をパルス振幅変調することができる
という効果がある。 As described above, the present invention has the advantage that the optical output of a laser diode can be pulse amplitude modulated extremely easily.
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図、
第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図およ
び第３図ａ〜ｄは各部の信号波形図である。
図において、１……被変調波発振器、２，９，
１１……インピーダンス、３……エミツタ接続
点、４，５，１５，１６……バイアス抵抗、６…
…可変抵抗、７……レーザーダイオード、８……
自動光出力制御回路用出力端子、１０，１４……
トランジスタ、１２……変調波入力端子、１３…
…変調波電流源、１７……電源端子。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIGS. 3a to 3d are signal waveform diagrams of various parts. In the figure, 1...modulated wave oscillator, 2, 9,
11... Impedance, 3... Emitter connection point, 4, 5, 15, 16... Bias resistance, 6...
...Variable resistor, 7...Laser diode, 8...
Output terminals for automatic optical output control circuit, 10, 14...
Transistor, 12...Modulated wave input terminal, 13...
...Modulated wave current source, 17...Power terminal.
Claims (1)
タと、該２つのトランジスタのどちらか一方のト
ランジスタのコレクタと接続されたレーザーダイ
オードとから構成され、前記２つのトランジスタ
のどちらか一方のトランジスタのベースに被変調
信号を入力しかつ前記２つのトランジスタのエミ
ツタ接続点に前記レーザーダイオードのしきい電
流以上の電流の変調信号を入力することにより前
記レーザーダイオードの光出力をパルス振幅変調
するようにしたことを特徴とするレーザーダイオ
ード駆動回路。1 Consisting of two transistors whose emitters are connected to each other, and a laser diode connected to the collector of one of the two transistors, the laser diode is modulated by the base of one of the two transistors. The optical output of the laser diode is pulse-amplitude modulated by inputting a signal and inputting a modulation signal of a current higher than the threshold current of the laser diode to the emitter connection point of the two transistors. Laser diode drive circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057673A JPS57171854A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Laser diode driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057673A JPS57171854A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Laser diode driving circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57171854A JPS57171854A (en) | 1982-10-22 |
| JPS6237575B2 true JPS6237575B2 (en) | 1987-08-13 |
Family
ID=13062429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56057673A Granted JPS57171854A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Laser diode driving circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57171854A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07112173B2 (en) * | 1986-08-26 | 1995-11-29 | 日本電気株式会社 | Light modulation circuit |
| JP3725235B2 (en) * | 1996-03-29 | 2005-12-07 | 富士通株式会社 | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
-
1981
- 1981-04-16 JP JP56057673A patent/JPS57171854A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57171854A (en) | 1982-10-22 |
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