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JPS6229914A - 新規なきのこ類の栽培方法及びそれに使用する資材 - Google Patents

新規なきのこ類の栽培方法及びそれに使用する資材

Info

Publication number
JPS6229914A
JPS6229914A JP60166915A JP16691585A JPS6229914A JP S6229914 A JPS6229914 A JP S6229914A JP 60166915 A JP60166915 A JP 60166915A JP 16691585 A JP16691585 A JP 16691585A JP S6229914 A JPS6229914 A JP S6229914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
cultivation
irradiation
wavelength range
mushrooms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60166915A
Other languages
English (en)
Inventor
義久 鈴木
伊神 光男
原沢 勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Carbide Industries Co Inc
Original Assignee
Nippon Carbide Industries Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Carbide Industries Co Inc filed Critical Nippon Carbide Industries Co Inc
Priority to JP60166915A priority Critical patent/JPS6229914A/ja
Publication of JPS6229914A publication Critical patent/JPS6229914A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Mushroom Cultivation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、きのこ類の栽培に関し、さらに詳しくは、き
のこ類の子実体を特定波長領域の光線の積極的照射下に
栽培することによって、該きのこ類の品質および生産性
を向上させるきのこ類の栽培方法及びそれに使用する栽
培用資材に関する。
本発明者等は、各種有用植物の生育、有用植物に対する
病害糸状菌の繁殖防除、藻類植物の培養等において、光
質条件が如何に影響するかを研究している過程において
、全く偶然的に、きのこ類の子実体の栽培を少くとも2
80nmおよびそれ以上の波長域の光線を実質的に含有
した光線の積極的照射下に栽培すると、きのこ類の品質
および生産性が大いに向上することを見い出し本発明を
完成するに至った。
かくして、本発明に従がえば、きのこ類を栽培する方法
において、該きのこ類の子実体の栽培を少くとも280
nmおよびそ九以上の波長域の光線を実質的に含有した
光線の積極的照射下で行うことを特徴とするきのこ類の
栽培方法及び、人工光及び/又は自然光の光質雰囲気を
調節するきのと類栽培用資材であって、少くとも280
nmおよびそれ以上の波長域の光線を実質的に含有した
光線を照射することを特徴とするきのこ類栽培用資材が
提供される。
従来、きのこ類の栽培は通常、光線が実質的に回避され
た条件下で行われている。本発明は、かかる従□来のき
のこ類の栽培方法とは対照的に、上記特定の光線を積極
的に照射しながら、きのこ類の栽培を行うものであり、
この点本発明の方法は、従来の栽培方法とは、本質的に
相違するものである。さらに、例えば従来エノキダケの
栽培では、培養基に接種された菌糸を17〜18℃下で
繁殖させ、次いで、13〜14℃下で、子実体を形成さ
せ、さらに、形成された子実体を丸く、かつ硬くそろえ
るため、4℃に保持し、最後に6〜7℃下で子実体を白
く仕上げ、生育させて製品化している。この様にきのこ
類の栽培では、生育に合せて、温度を種々変え、さらに
温度管理も極めて厳密にする必要があるため、栽培者は
、各種温度で管理された栽培室を別々に建設する必要が
あった。
本発明に従がえば、子実体形成時から特定光線を照射す
ることにより、温度を種々変えることなく一定温度でも
、製品化することが可能となり、従来、栽培者の主業務
である温度管理が、−挙に解決することが可能となる。
本明細書において、「きのこ類」とは、今関六也他共著
「標準原色図鑑全集第14巻菌類(きのこ・かび)」〔
昭和56年7月1日12刷、■保育社発行〕第17〜2
4頁および27〜128頁記載のきのとを示し、中でも
、エノキタケ(Flammulina)属、スギタケ(
Pholiota)属、ヒラタケ(Pleurotus
)属、ハラタケ(Agaricus)属、クリタケ(N
aematoloma )属、及びキクラゲ(Auri
cularj&)属が好ましい。
また「子実体」とは、接種され繁殖したきのこ類の菌糸
から発芽、生育してくるきのこ類の茎部及び傘部をいう
照射しうる光線は、少なくとも280 nmおよびそれ
以上の波長域の光線を実質的に含有する限り、特に制限
はなく、上記特定波長域光を実質的に含有する光線であ
れば、人工光線のみならず、自然光線も使用することが
できる。
しかして、人工光線及び/又は自然光線を用いる場合に
は、必要に応じ光フィルターを用い、少なくとも280
nmおよびそれ以上の波長域の光線を実質的に含有する
光線の照射光量が100,000μw/i以下、好まし
くは30,000 ttvt/crl以下、更に好まし
くは10,000〜1μw/dに抑制された人工光線の
照射下に培養することが好ましい。
本発明の方法に従い、きのと類の栽培系に照射される前
記光線の強度は、厳密に制限されるものではなく、栽培
すべききのこ類の種類やその他の栽培条件等により異な
り、個々の場合における最適の照射条件は当業者であれ
ば小規模の実験を行なうことにより容易に決定しうるが
、一般には、400nm〜800nmの範囲の波長の可
視光線領域の光量が100,000μw/i以下、好ま
しくは50,000〜1μwAd、さらに好ましくは1
0,000〜1 ttw/cnJ 、特に好ましくは5
,000〜1μw10Jの範囲内に調節された光線を照
射するのが有利である。また、300nm〜400nm
の波長の紫外線領域の光線はあ寸り強くない方が好まし
く、通常該波長範囲の紫外線の強度は一般に80.00
0 aw/crA以下、好ましくは40,000μW層
以下、さらに好ましくはio、oon〜1μW肩特に好
ましくは4,000〜1μ町勺とするのが望゛ましい。
また、本発明の方法に従い、きのこ類の栽培系に対して
前記特定の光線を積極的に照射する具体的方法としては
、例えば、実質的に外光線から閉鎖された系内において
、少なくとも280nmおよびそれ以上の波長域の光線
を実質的に含有する光線、好ましくは、300〜800
nm、さらに好ましくは350〜600nm 、特に好
ましくは、380〜550nm、最も好ましくけ400
〜500nmの波長域光を実質的に含有する人工光線(
この場合、人工光線源それ自体がかかる光質特性の光を
発するものであってもよく、或いは人工光線源を適当が
フィルターで覆うことにより照射される光が上記のよう
な光質特性をもつようにしてもよい)を照射する方法:
太陽又は自然光線の照射下に、少なくとも280nmお
よびそれ以上の波長域の光線を実質的に含有する光線、
好ましくは、300〜8001m、さらに好ましくは3
50〜600nm、特に好ましくは、380〜550n
m、最も好ましくは400〜500nmの波長域光を実
質的に含有する光を透過する、透明な無色乃至有色の有
機質又は無機質の被覆材(例えば、紫外線吸収剤を配合
した合成樹脂フィルム)により被覆した条件下に栽培を
行なう方法;並びに上記両方法の組合わせ等が考えられ
る。
なお、該光線の照射の仕方としては、例えば、直接照射
を行う方法、鏡・プリズム等を介して行う方法、光ファ
イバー(ケーブル)等を利用して行う方法、その他、そ
れらを組み合せた方法等、種々の方法が考えられ、必要
に応じて適宜選択することができる。
本発明の方法に従かい上記特定波長域光を実質的に含有
する光線のきのこ類に対する照射開始時期は厳密に制限
されるものではなく、栽培、スべききのこ類の種類やそ
の他の栽培条件等により異なり、個々の場合における最
適の照射開始時期は、当業者であれば、小規模の実験を
行゛うことにより、容易に決定しうるが一般的には、栽
培系内のきのこ類の菌糸培養期後期〜発芽生育前期が好
ましい。
また、上記特定の波長域光を実質的に含有する光線を照
射する期間としては、前記の照射開始時点より栽培が終
了する時点まで、あるいは栽培がある過程に達する時点
まで等あげられるが、好ましくは栽培が終了する時点ま
でである。
なお、照射形式としては、続けて照射を行う連続照射法
、照射と暗黒とを交互にくり返す間欠照射法、およびこ
れらの組み合せ法等があり、適宜選択することが出来る
本発明でいうr 280nmおよびそれ以上の波長域の
光線を実質的に含有する」とは照射する全光線量のうち
、280 nm未溝の波長域の紫外線が完全に存在しな
いことのみならず、該紫外線が本発明の培養に悪影響を
及ぼさない程度の範囲で僅かに含有していても支障はな
いことを意味する。
更にまた、本発明でいう、V X −Y n mの波長
域の光を実質的に含有する」とは、照射する全光線量の
うち、X−Ynmの波長域光が100係の場合のみなら
ず、50係以上、好ましくは、70優以上更に好ましく
は80%以上である。
本発明の方法に従うきのこ類の栽培は、上記特定の光線
の照射下に行なうとhう条件と温度条件とを除けば、従
来から行なわれている条件と全く同様の条件下に行なう
ことができる。例えば、きのこ類を適当な栄養基中で栽
培する際の培基の栄養源、窒素源及び無機塩類等は、使
用するきのこ類や栽培手段に応じて適宜変更選択される
が、きのこ類の培養に通常用いられるものが広く使用さ
れる。栄養源としては、同化可能な栄養源であればよく
、例えばブナ、スギ、カラマツ、ブナハンノキ、サクシ
、ナラ、クリ、クルミ、カキ、コナラ、クヌギ、及びト
チ等の木材及びこれ等水利のおが゛くず、米ぬか、とう
もろこしぬか等のぬか類、モミガラ、コヌカ、澱粉。等
が使用される。
きのこ類の具体的な栽培条件は、個々のきのこ類によっ
て異なるが、次にエノキダケのびん栽培法について、従
来法と本発明法について説明する。
〈従来法〉 栽培作業内容と栽培条件は次の通りである。
エノキタケはナメコやヒラタケと異なり原木栽培がほと
んどなく、びん栽培であるから栽培室も同じ構造のもの
が多い。びん栽培に必要な部屋は、おがくずやコメぬか
に水を混合して培養基を作り、びんに詰めて殺菌する作
業室と、殺菌された培養基を冷却し種菌を接種する接種
 室、菌糸を培養基に繁殖させる菌糸培養室、びん内の
培養基に菌糸が繁殖したら古い種菌を取り除く菌かき室
、菌かきしたびんに子実体を発生させる芽出し室、子実
体が発生したら茎や傘の大きさをそろえ品質の良い子実
体を作る抑制室、茎を伸ばして傘が大きくならないよう
扇状のロー質紙を巻く生育室、収穫した子実体を調製し
袋詰めする作業室、収穫がすんだ栽培びんから不用にな
った培養基をかき出すかき出し室等がある。
この中でとくに構造的に注意しなければならないものは
、接種、菌糸培養、芽出し、抑制、生育室であり、これ
らの部屋の作り方がエノキタケ栽培を左右することが多
い。
接種室は殺菌された培地にふたを取って種菌を接種する
部屋であるから雑菌のいない無菌状態にしておくことは
もちろんであるが、接種時に培養基温度が高いとバクテ
リヤなどの害菌が発生しやすいので、ファンクーラーな
どを設置し培養基温度が15〜18℃に下がるようにす
ることがたいせつである。
菌糸培養室はびん内の培地に良い菌糸を充分に繁殖させ
る所であるから、室内温度が17〜18℃に維持できる
よう冷暖房設備をするほか、菌糸の呼吸作用によって炭
酸ガスが蓄積しやすいから、2〜3時間に15分程度の
間隔で強制換気ができるようタイマー付の換気栓を取り
付けるか、全熱交換機を設置する。
芽出し室は、菌かきした栽培びん金入れ菌床面に菌糸を
再生し、菌糸上に子実体を形成させる部屋であるので、
室温を13〜14℃に保ち乾燥しないよう湿度を85〜
90係にしておく。
そのため冷房には風の出ないファンクーラーを設置する
とともに、加湿機を入れる。
抑制室は、発芽した子実体をそろえ丸くて硬いキノコを
作る部屋であり、室温は栽培室の中でもつとも低く、4
℃前後を保つほか、子実体に風をあて傘や茎の水分蒸散
を図るため、冷房には下吹きのユニットクーラーを入れ
換気栓か全熱交換機を設置する。
生育室は、子実体がびん口まで伸びたものを移動し2〜
3crn伸びたら紙巻きを行い、茎を伸ばして子実体を
乾かし白く仕上げる所であるから、室温は抑制室よりや
や高目とし6〜7℃を維持するが、冷房は横吹きのユニ
ットクーラーでもよい。
く本発明法〉 従来法における菌糸培養後期〜発芽生育前期に前記特定
光線を照射すること及び芽出し以降の温度を4〜18℃
と低温管理することなく常温近くで管理すること以外は
特に従来法と変った栽培管理をする必要はない。
菌糸培養温度は、従来通り(17〜18℃)であるが、
子実体の栽培即ち、繁殖した菌糸から、発芽してくるき
のこの、茎及び傘の部分の栽培管理温度を示すと、芽出
し温度は、15〜25℃好ましくは、16℃〜22℃、
抑制温度は、5〜20℃好ましくは、7〜15℃さらに
好ましくは、10〜15℃、生育温度は、8〜25℃好
1しくは、10〜20℃である。
しかして、本発明によれば、上記光線の透過特性を有す
るきのこ類の栽培用の被覆材が提供される。
本発明の資材としては、上記の光線透過特性を有するも
のであれば、その材質等は特に制限されるものではなく
、どのようなタイプの資材でも使用することができる。
そしてかかる資材は通常無機質又は有機質のフィルム、
板、その他の成形体から成ることができる。しかして、
例えば無機質フィルム又は板としては、典型的には染料
又は顔料(例:エメラルドグリーン)を配合したガラス
板、下記に示す紫外線吸収剤を含有する合成樹脂膜を塗
布又は積層したガラス板およびガラスフィルター等が挙
げられ、また、有機質フィルム又は板としては、特に紫
外線吸収剤を塗布又は含有せしめた合成樹脂フィルム又
は板が好適である。
この成形に使用しうる樹脂としては、後述する熱可塑性
樹脂の他、例えば、メラミン樹脂、フX)−ル樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂、アルキッド樹
脂、了りルフタレート樹脂等の熱硬化性樹脂もまた用い
ることができる。
本発明に使用し得る透明フィルム又は板は、例えば通常
のフィルム形成性熱可塑性樹脂に適当な紫外線吸収剤を
配合し、フィルム又は板に成形することにより製造する
ことができる。
使用し得るフィルム成形性熱可塑性合成樹脂としては、
例えばポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、
ポリアミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリアクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル
アルコール、含フツ素樹脂、セルロース系樹脂、ABS
樹脂等、又はこれら重合体を主体(好ましくけ50重量
係以上)とする共重合体もしくはブレンド物が包含され
、特に耐光性、強度、光線透過性の理由からポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、
含フツソ系樹脂、セルロース系樹脂及びポリカーボネー
トが好適である。
本発明に使用し得る人工光源として、上記した特定波長
域の光線を放射する光源であれば、いづれものでも使用
できる。そして、かかる光源としては例えば、螢光灯、
水銀灯、陽光ランプ、一般電球、投光用電球、特殊電球
(東芝ランプカタログより、東芝電拐株式会社)等があ
る。更に具体的には、螢光灯〔0内は、商品名を示す。
〕として、日照灯(FL 40 Fw−E/M 。
東芝)、プラントルクス(FL 40 B /NL、東
芝)、フィッシュルクス(FL 405BRF/NL、
東芝)、青色(F’L 40 B/NL、東芝)、青白
色(FL40BWΔ化、東芝)、白色(FL 40 S
D/NL、東芝)、昼光色(F’L 40 SD/NL
、東芝)、デラックス(FI。
405W−DL−X/NL、東芝)、温白色(FL40
SW/ NL、 FL 405W−A/NL、東芝)、
葉たばこ用6100°K (FL40SRD−8DL6
100”K、東芝)、写真撮影用(FL 405D−8
DL−CP/NL、 東芝)、高演色性螢光灯(FL 
205W−EDL−50に、東芝)及び捕虫用螢光灯(
FL20SBA−37に、東芝)ブラックライトブルー
(FL20S−BLB、東芝)、健康線用ランプ(FL
20SE、東芝)等があり、このうち、青色および青白
色灯が好捷しい。
以上述べた本発明の方法に従えば、特定の光線照射条件
下できのこ類を栽培することにより、きのこ類の品質お
よび生産性を向上させることができ、農業、食品分野に
資する所、極めて甚大である。
次に実施例を挙げて、本発明をさらに説明する。
実施例1〜3.比較例1 7ケ月問屋外に堆積し、タンニンや樹脂を充分除去した
スギのおがくず300重量部及び米ぬか100重量部及
び水分が62係になる様水分添加し、これ等ラミキサ−
で20分間攪拌し均一混合した。得られた培養基を80
0−ポリプロピレン製ビン(40個)中に4902づつ
詰め、次いでこれ等を120℃×15分間の条件で殺菌
した。殺菌された培養基にエノキダケの種菌を接種し、
暗黒下、18℃×17日間、湿度80係の条件下で菌糸
を繁殖させ、次いで、培養基上表面の菌糸を除去(菌か
き)を行った。
菌かきを終えたビンを1グル一プ10個になる様4グル
ープに分け、表−1及び図1〜2に示した光線を照射し
つつ、発芽、ならし、抑制等の工程を20℃下のもとで
行い、子実体の生育を行った。光照射開始25日後の各
グループの子実体重量(指数)及び各グループから35
本づつ任意に選んだ子実体の茎の直径と傘の大きさの平
均値を表−2に示した。
表−1 表  −2 実施例4〜5.比較例2 菌糸培養後期における培養基上表面の菌かき作業を除き
、実施例1〜3と全く同様の方法で栽培を行なった。培
養基にエノキダケの種菌を接種した後、18℃で15日
間の暗黒培養を行なった。ついで、菌かき作業を施さず
に光照射を開始し、室温20℃下で発芽させ、子実体を
生育させた。光照射開始後25日目の各々のグループの
子実体重指数及び各々のグループから40本ずつ任意に
選んだ子実体の茎の直径と傘の大きさの平均値を表−3
に示した。
表  −6 また、ナメコ(スギタケ属)及びヒラタケ(ヒラタケ属
)及びマツシュルーム()飄うタケ属)でもエノキタケ
同様、光照射により、子実体の太い、高品質のものが多
量、収穫することができた。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、実施例及び比較例で使用した照射
光の波長別比エネルギー曲線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、きのこ類を栽培する方法において、該きのこ類の子
    実体の栽培を少くとも280nmおよびそれ以上の波長
    域の光線を実質的に含有した光線の照射下で栽培するこ
    とを特徴とするきのこ類の栽培方法。 2、該栽培を少くとも300〜800nmの波長域光を
    実質的に含有する光線の照射下で栽培する特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 3、該栽培を少くとも350〜600nmの波長域光を
    実質的に含有する光線の照射下で栽培する特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 4、該栽培を少くとも380〜550nmの波長域光を
    実質的に含有する光線の照射下で栽培する特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 5、該栽培を少くとも400〜500nmの波長域光を
    実質的に含有する光線の照射下で栽培する特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 6、該光線の照射強度が100,000〜1μw/cm
    ^2の範囲である特許請求の範囲第1〜5項記載の方法
    。 7、該光線の照射開始時期が該栽培系内のきのこ類の菌
    糸培養後期〜発芽生育前期である特許請求の範囲第1〜
    6項記載の方法。 8、該光照射以後の栽培管理温度を5〜25℃とする特
    許請求の範囲第1項記載の方法。 9、該光線が人工光線及び/又は、自然光線である特許
    請求の範囲第1〜7項記載の方法。 10、該きのこ類が、エノキダケ、およびナメコである
    特許請求の範囲第1〜8項記載の方法。 11、人工光及び/又は自然光照射下の光質雰囲気を調
    節するきのこ類栽培用資材であつて、少くとも、280
    nmおよびそれ以上の波長域の光線を実質的に含有した
    光線を照射することを特徴とするきのこ類栽培用資材。 12、該照射波長域が、少くとも300〜800nmで
    ある特許請求の範囲第10項記載のきのこ類栽培用資材
    。 13、該照射波長域が少くとも380〜550nmであ
    る特許請求の範囲第10項記載のきのこ類栽培用資材。
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