JPS62289848A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、非晶質炭素膜を電荷輸送層とした感光体に関
する。

従来の技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてセな。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物等の有機物
質が挙げられる。また、その構成形態としては、これら
の物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散させ
て用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷
輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
として発火性の強いシランガスを必要とするため、製造
上の危険性が高い。また、シランガスを多量に必要とす
る反面、高価なガスであることから、出来上がった電子
写真感光体も、従来の感光体に比べ大幅に高価なものと
なる。また、成膜速度が遅く、成膜時に爆発性を有する
多量のシラン未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産
上の不都合も多い。この粉塵が製造時に感光層中に混入
した場合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。また
、アモルファスシリコンは、元来、比誘電率が貰いため
帯電性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電する
ためには、帯電器に高出力が要求される。

また一方、近年ではプラズマ有機重合膜を感光体に用い
ることが提案されている。

プラズマ有機重合膜自体は古くより知られており、例え
ばジエン（Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ、ＢｅＬ　
Ｌ）らにより、１９７３年のジャーナル・オブ・アプラ
イド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　
ＡｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ）第１
７巻の８８５〜８９２頁に於て、あらゆる有機化合物の
ガスから作製されうる事が、また、同著者により、１９
７９年のアメリカンケミカルソサエティ（Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性ｈ；論じら
れている。

しカルながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用も）られ、即ちそ
れらの膜は通常のポリエチレン膜の如く１ｏ”Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成きれるｌ　Ｑ、１３〜１０１５Ωａｍの高抵抗のプラ
ズマ重合膜をＩＯＡ〜１００Ａ設けた上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたア
モルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散
するのを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の
炭素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されてい
る。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板と
その上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改
善するために、接着層として２００Ａ〜２μｍのダイヤ
モンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留
電荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている
。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコルト層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるボッマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００Ａ〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２ｕｍ以下が好ましいとされている。特
開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５ｕｍ
程度の無定形炭素又は硬質炭素膜を表面保護層として用
いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光体活
性に悪影響が及ぶときれている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

Ｂが解決しようとする間“点 以上の様に、従来、電子写真感光体に用いられているプ
ラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオー
バーコート層として使用されていたが、それらはキャリ
アの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜が
絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従って
その膜厚も扁々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか用
いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過するか
、トンネル効果が期待で伊ない場合には、残留電位の発
生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜でし
か用いられていない。

機能分離型電子写真感光体においては、電荷輸送層はキ
ャリア輸送性に優れている必要があり、キャリア易動度
として少なくとも１０−’［ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃ〕以上
の値が必要である。また、電子写真システムの中で好適
に使用するために電電性能に優れている必要があり、少
なくとも１０［Ｖ／μｍ］以上の耐圧が要求され、ざら
に帯電器の負荷を抑えるために比誘電率にして６以下の
値を有する事が好ましい。

、占　　２　るための 本発明は、従来の感光体が有する欠点を解消し、電荷輸
送層として直鎮状炭化水素と環式炭化水素との混合有機
気体の低圧力下でのプラズマ重合反応により生成きれ、
水素原子を全構成原子中０．１乃至６７原子％含む非晶
質炭素膜を有することを特徴とする感光体に関する。該
電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の
波長の光に対しては、明確なる光導電性は有しないが、
好適な電荷輸送性を提供し、ざらに、苓電能、耐久性、
耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、
しかも透光性にも優れるため、機能分離型感光体として
の積層構造を形成する場合に於ても極めて高い自由度が
得られるものである。

本発明者らは、プラズマ有機重合膜の感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、直鎖状炭化水素と環式炭化水素の混合
有機気体を原料とし、かつ、重合膜中の水素量を適正化
することにより比抵抗が低下し、容易に電荷輸送性を示
し始めることを見出した。その理論的解釈には本発明者
においても不明確な点が多く詳細に亙り言及はできない
が、電荷発生層中に捕捉されている比較的不安定なエネ
ルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリ
ーラジカル等が、直鎖状炭化水素と環式炭化水素により
形成きれた網目構造の中に環式構造が局在することによ
る、分極もしくは立体的構造等の変化により、電荷輸送
性に効果的に寄与するためと推定される。

ここで本発明による非晶質炭素膜（以下、ａ　−〇膜と
称する）の炭素原子、及び水素原子の量は元素分析の常
法、例えば有機元素（ＣＨＮ）分析等を用いる事によっ
て知ることが可能である。

本発明に於ては、ａ−ＣｐＪを形成するための有機気体
として少なくとも直鎖状炭化水素と環式炭化水素の二種
類が用いられる。該炭化水素における相状態は常温常圧
において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しろるものであ
れば、液相でも固相でも使用可能である。該直鎖状炭化
水素としては、飽和炭化水素及び不飽和炭化水素、該環
式炭化水素としては、脂環式炭化水素及び芳香族炭化水
素が用いられる。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン等のノルマルパラフィン、並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン、２
．４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルヘプタン
、２，２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２．２．３−トリメチルペンタン、２．２．４
−）ジメチルペンタン、２゜３．３−トリメチルペンタ
ン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノン等の
イソパラフィン等が用いられる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オク
テン、１−ノネン、１−デセン等のオレフィン、並びに
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタジェン等のジオレフィン、
並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサト
リエン等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、メチ
ルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン
、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノ
ニン、１−デシン等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロブンテ゛カン、シクロドデカン、シクロトリ
デカン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シ
クロヘキサデカン等のシクロパラフィン、並びに、シク
ロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン等のシクロオレフィン、並びに、リモ
ネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ポルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロデカンチエン、トリシクレン、ビサ
ボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカ
ルブレン、ミレン等のテルペン、並びに、ステロイド等
が用いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等が用いられる
。

本発明における直鎖状炭化水素と環式炭化水素との流量
比は、装置形態、成膜条件等によってもある程度具なる
が、一般的には、両者の流量の和に対してＭ鎖状炭化水
素の流量が５乃至９５％、好適には１０乃至９０％とな
るように設定することが好ましい。直鎖状炭化水素の流
量が５％より低い場合、輸送性が低下し好適な感度が得
らｎない。これは環式炭化水素が架橋に寄与する率が高
くなるため本来環式炭化水素が有する環式構造が失われ
、前述の如き輸送性に寄与しうる電子の形成が不十分に
なるためと推定される。また、直鎖状炭化水素による架
橋性が低下することがら成膜性が低下し、プラズマ反応
を行なっても固相の膜になりにくく、粉体状または油状
の反応生成物しか得られない場合が多くなる。直鎖状炭
化水素の流量が９５％より高い場合にも、輸送性が低下
し好適な感度が得られない。これはａ−Ｃ膜中に添加き
れる環式構造の低下により、前述の如き輸送性に寄与し
うる電子の形成が不十分になるためと推定される。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、炭素原子と水素原子の総量に対して０゜１乃至６７原
子％、好適には３０乃至６０原子％である。水素原子の
量が０．１原子％より低い場合には、輸送性能が低下し
好適な光感度が得られない。水素原子の量が６７原子％
より高い場合には、帯電能の低下と成膜性の劣化を招く
。

本発明に於けるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化きせる
ことか可能であり、水素量を低くするには、例えば、基
板温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガス
の希釈率を低くする、印加電力を高くする、交番電界の
周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流電界強
度を高くする、等の手段により制御することが可能であ
る。

本発明に於ける電荷輸送層としてのａ−Ｃ膜の膜厚は、
通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５０
ｕｍ、特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより薄
いと、帯電電位が低いため充分な複写画偉濃度を得るこ
とが出来ない。また、５０Ｌ１ｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵
抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様
に５μｍ以上としてもキャリアはトラップされること無
く輸送され明減衰に寄与することが可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、更には、これらの組み
合わせにより形成きれてもよい。その際重要な事は、該
ａ−Ｃ膜が少なくとも直鎖状炭化水素と環式炭化水素の
二種類を原料ガスとしたプラズマ重合反応により生成き
れた、水素原子の量が前述の範囲の非晶質炭化水素とな
る様に形成することである。

本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性を変えるため場
合により異種元素（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、弗素、燐、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム、等
）を含有せしめたアモルファスシリコン等の無機物質、
ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、金属フタ
ロシアニン系化合物、アブ系化合物、ペリレン系化合物
、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン系
化合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系化
合物、スチリル系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサ
ゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサジアゾー
ル系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物、
ビリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジゴ
系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾー
ル系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム系
化合物等の有機物質を用いる事が可能である。これ以外
にも、照射光により効率よく光励起キャリアを発生し、
そのキャリアを電荷輸送層中に効率よく注入しうる材料
であれば、いずれの材料であっても使用することができ
る。

また、該電荷発生層は製造方法においても制限を受ける
ことはなく、例えば、本発明における電荷輸送層（ａ−
Ｃ膜）と同様の製造方法によってもよいし、液相中での
電着法、スプレー或はディッピング等による塗布法、等
によって形成してもよい。中でも、本発明における電荷
輸送層と同様の製造方法にり成膜した場合には、製造装
置コスト、工程の省力化にもつながり好ましい。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯を器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行視、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行視、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が電荷輸送層（２）中を導電性基板（１）に向
は走行すると共に、同時に電荷発生層（３）で発生した
電子が上側の電荷輸送層（２）中を感光体表面に向は走
行し、好適な明減衰に保証された静電潜像の形成が行な
われる。反対に感光体表面を負帯電した後、画像露光し
て使用する場合に於ては、電子と正孔の挙動を入れ代え
て、キャリアーの走行性を解すればよい。第２図及び第
３図では、画像露光用の照射光が電荷輸送層中を通過す
ることになるが、本発明による電荷輸送層は透光性に優
れることから、好適な潜像形成を行なうことが可能であ
る。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が本発明においては特に限定
を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合実用
上の耐久性を確保するために表面保護層を設けることが
好ましい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐
久性に優れた本発明による電荷輸送層であるため、表面
保護層を設けなくてもよいが、例えば現像剤の付着によ
る感光体表面の汚れを防止するような、複写機内の各種
エレメントに対する整合性を調整する目的から、表面保
護層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面が本発明に於ては特に
限定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合
接着性及び注入阻止効果を確保するために中間層を設け
ることが好ましい。第１図及び第３図の構成の場合、導
電性基板との接合面が、接着性及び注入阻止効果に優れ
た本発明による電荷輸送層であるため、中間層を設けな
くてもよいが、例えば導電性基板の前処理方法のような
、感光層形成以前の製造工程との整合性を調整する目的
から、中間層を設けることもざらなる一形態と成りうる
。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第２図及び第３図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的ニモ、！
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明にょるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以
下に留める必要がある。

本発明においては、ａ　−Ｃ電荷輸送層の静電特性を調
節するために、該電荷輸送層中に炭素及び水素以外のへ
テロ原子を混入させてもよい。例えば、正孔の輸送特性
をざらに向上きせるために、周期律表第１ＩＩ族原子或
はハロゲン原子を混入してもよい。電子の輸送特性をざ
らに向上きせるために、周期律表第■族原子或はアルカ
リ金属原子を混入してもよい。正負両キャリアの輸送特
性をざらに向上させるために、シリコン原子、ゲルマニ
ウム原子、アルカリ土類金属原子、或はカルコゲン原子
を混入してもよい。これらの原子は複数用いてもよいし
、目的により電荷輸送層内で特定の位置だけに混入して
もよいし、濃度分布等を有してもよいが、いずれの場合
においても重要な事は、該電荷輸送層を形成する際、直
鎖状炭化水素と環式炭化水素との流量比を、両者の流量
の和に対して直鎮状炭化水素の流量が５乃至９５％、好
適には１０乃至９０％となるようにして成膜することで
ある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示二図中（
７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある原
料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タン
クで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）〜
（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（７
１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１）
は常温において液相または固相状態にある原料化合物を
封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のため
第１乃至第３加熱器（７２２）〜（７２４）により与熱
可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁（
７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７２
８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは混
合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介し
て反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、常
温において液相または固相状態にあった原料化合物が気
化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置され
た配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされている
。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７
３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（
７３７）により与熱可能ときれている。電力印加電極（
７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介して
高周波電源（７３９）、低周波電力用整合藷（７４０）
を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ（７
４２）を介して直流電源（７４３）が接続されており、
接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電力
が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧力は
圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応室（
７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介して
、拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８）、或
は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブースター
ポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）により行な
われる。排ガスについては、更に適当な除外装置（７５
３）により安全無害化した後、大気中に排気される。こ
れら排気系配管についても、常温において液相または固
相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝
結しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４）
により、与熱可能とされている。反応室（７３３）も同
様の理由から反応室加熱器（７５１）により与熱可能と
され、内部に配きれた電極上に導電性基板（７５２）が
設置される。第７図において導電性基板（７５２）は接
地電極（７３５）に固定して配されているが、電力印加
電極（７３６）に固定して配されてもよく、更に双方に
配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（７３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様である。

第８図において、反応室（７３３）内部には、第７図に
於ける接地電極（７３５）を兼ねた円筒形の導電性基板
（７５２）が設置され、内側には電極加熱器（７３７）
が配されている。導電性基板（７５２）周囲には同じく
円筒形状をした電力印加電極（７３６）が配され、外側
には電極加熱器（７３７）が配されている。導電性基板
（７５２）は、外部より駆動モータ（７５４）を用いて
自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から適宜ｌ鎖状炭化水素並びに環式炭化水素よ
りなる原料ガスを第１乃至第９流量制御器を用いて定流
量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反応
室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後
、接続選択スイッチにより、例えば高周波電源を選択し
、電力印加電極に高周波電力を投入する。両電極間には
放電が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形成さ
れる。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達し
たところで放電を停止し、本発明によるａ−Ｃ膜を電荷
輸送層として得る。

このａ−σ膜は、本発明による直鎖状炭化水素と環式炭
化水素の二種類の炭化水素を原料ガスとしたプラズマ重
合反応により生成きれ、水素原子が炭素原子と水素原子
の総量に対して０．１乃至６７原子％含有される事を特
徴とする膜である。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ
、反応室内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成
が得られる場合には反応室内の真空を破り、反応室より
本発明による感光体を取り出す。更に所望の感光体構成
に於て、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされ
る場合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一
旦真空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設
け、本発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

Ｘ施釘上 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程（ＣＴＬ）： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８
）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び
第２タンク（７０２）より直鎮状炭化水素としてエチレ
ンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ’の下で第１、及
び第２流量制御器（７１３、及び７１４）内へ、同時に
、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７，１９
）より環式炭化水素としてスチレンを第１加熱器（７２
２）温度２５℃の下で気化し、第７流量制御器（７２８
）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整し
て、水素ガスの流量を４０ＳＣＣｍ、エチレンガスの流
量を３０ｓｃＣｍ、及びスチレンガスの流量を１８ｓｅ
ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介
して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入し
た。ここで、直鎖状炭化水素の流量比は、全炭化水素の
流量に対して６２．５％に相当する。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．６５Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方
、導電性基板（７５２）としては、縦５ｏｘ櫂５０×厚
３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１００℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周
波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に
１００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で
印加して３ｏ分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１０μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜にっキＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４３原子％であった。

電荷発生層形成工程（ＣＧＬ）： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を
調整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、及びシラン
ガスをの流量を９０ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、１５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印加し、グロ
ー放電を発生させた。この放電を１５分間行ない、厚ざ
０．３５μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約３ｏ秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解きれた。また、−５
ｏｏｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０■ま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は約３゜３ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

火旅豊旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程： 作製の具体的手法は、実施例１に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例１と全く同様
にして行なった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約４０秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解きれた。また、＋５
００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０ｖま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は約５゜８ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
る事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

実施例３ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 第８図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８
）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び
第２タンク（７０２）より直鎖状炭化水素としてプロピ
レンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、
及び第２流量制御器（７１３、及び７１４）内へ、同時
に、第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９
）より環式炭化水素としてベンゼンを第１加熱器（７２
２）温度６０℃の下で気化し、第７流量制御器（７２８
）内へ流入きせた。そして各流量制御器の目盛を調整し
て、水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍ、プロとレンガスの
流量を６０ｓｅｃｍ、及びベンゼンガスの流量を２０ｓ
ｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を
介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入
した。ここで、盲鎮状炭化水素の流量比は、全炭化水素
の流量に対して７５％に相当する。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．７Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、直径８ｏｘ長き３３０ｍ
ｍの円筒形アルミニウム基板を用いて、予め１゜０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加
して３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（
７５２）上に厚ざ２０μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜にっきＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５２原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を
調整して水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍ、及びシラン
ガスをの流量を１００　ｓ　ｅ　ｃｍに設定し、反応室
（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜
が形成きれている導電性基板（７５２）は、１５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で
電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を印加
し、グロー放電を発生きせた。この放電を１５分間行な
い、厚に０．３５ｕｍのａ−３ｉ：Ｈｌ電荷発生層形成
した。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高置型電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰
するのに要した時間は約２５秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有する事が理解された。また、−５
００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０Ｖま
で明減衰させたところ必要ときれた光量は約２゜９ルツ
クス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有す
ることが理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスを用いた複写機の中で、作像し
て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

衷施彰歪 本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程： 作製の具体的手法は、実施例３に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例１と全く同様
にして行なった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にて＋６００Ｖから＋５５０■にまで暗減衰
するのに要した時間は約３０秒であり、このことから充
分な電荷保持性能を有することが理解された。また、＋
５００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０■
まで明減衰させたとこる必要とされた光量は約５．４ル
ツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有
することが理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスを用いた複写機の中で、作像し
て転写したところ、鮮明な画像が得られた。

実施例Ｓ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、直鎖状炭化水素としてのエチレンガ
スと環式炭化水素としてのスチレンガスの流量を変える
以外は、実施例１と同様にして本発明による電荷輸送層
を作製した。このとき、水素ガスの流量を４０　ｓ　ｃ
　ａｍ、エチレンガスの流量を３ｓｅｃｍ、及びスチレ
ンガスの流量を２７ＳＣＣｍとなるように設定して、直
鎮状炭化水素の流量比を、全炭化水素の流量に対して１
０％とした。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１５ＬＬｍ
であり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される
水素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して５５
原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解された
。また、暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減
衰するのに要した時間は約２５秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解された。また、
−５００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０
Ｖまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は約３、フ
ルックス・秒であり、このことから充分な光感度性能を
有することが理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

大旅健旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程： 作製の具体的手法は、実施例５に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例Ｓと全く同様
にして行なった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解された
。また、暗中にて＋６００■から＋５５０Ｖにまで暗減
衰するのに要した時間は約３５秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解された。また、
＋５００■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０
Ｖまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は約６．２
ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を
有することが理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

大施皿ヱ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、直鎖状炭化水素としてのエチレンガ
スと環式炭化水素としてのスチレンガスの流量を変える
以外は、実施例１と同様にして本発明による電荷輸送層
を作製した。このとき、水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍ
、エチレンガスの流量を９０ｓｅｃｍ、及びスチレンガ
スの流量を１０１０５ｅとなるように設定して、直鎖状
炭化水素の流量比を、全炭化水素の流量に対して９ｏ％
とした。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１２μｍで
あり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して４０原
子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ−ｔｏｏｏｖｔ−ｓえる最高帯電電位が得られ
、このことから充分な帯電性能を有することが理解され
た。また、暗中にて一６００■から一５５０■にまで暗
減衰するのに要した時間は約４０秒であり、このことか
ら充分な電荷保持性能を有することが理解きれた。また
、−５００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５
０■まで明減衰させたとこる必要とされた光Ｉは約２．
８ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能
を有することが理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

実施別品 本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示す如き、
導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設けた
感光体を作製した。

工程： 作製の具体的手法は、実施例７に於てＣＴＬ工程とＣＧ
Ｌ工程の順番を入れ換えた以外は、実施例７と全く同様
にして行なった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解された
。また、暗中にて＋６００■から＋５５０■にまで暗減
衰するのに要した時間は約４０秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解された。また、
＋５００Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０
Ｖまで明′ｇ衰させたところ必要とされた光量は約５．
９ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能
を有することが理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

Ｘ旅皿旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、直鎮状炭化水素としてのエチレンガ
スと環式炭化水素としてのスチレンガスの流量を変える
以外は、実施例１と同様にして本発明による電荷輸送層
を作製した。このとき、水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍ
、エチレンガスの流量を２ｓｅｃｍｓ及びスチレンガス
の流量を３８５ＣＣｍとなるように設定して、直鎖状炭
１ヒ水素の流量比を、全炭化水素の流量に対して５％と
した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は２１μｍで
あり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して５８原
子％であった。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖ程度の最高帯電電位が得られ、膜
厚から１μｍ当り約５０Ｖ程度の帯電能を有することが
分り、実施例８までと比較して、若干低いものの、実用
上問題のない帯電性能を有することが理解された。また
、暗中にて一６００Ｖから一５５０■にまで暗減衰する
のに要した時間は約２０秒であり、このことから充分な
電荷保持性能を有することが理解された。また、−５ｏ
ｏｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０■まで
明減衰させたとこる必要とされた光量は約１１．５ルツ
クス・秒であり、実施例８までと比較して、若干低いも
のの、実用上問題のない光感度性能を有することが理解
された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、照射光量を高くして作
像して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

去旅皿よ夏 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、１ｉｉｓｔ状炭化水素としてのエチ
レンガスと環式炭化水素としてのスチレンガスの流量を
変える以外は、実施例１と同様にして本発明による電荷
輸送層を作製した。このとき、水素ガスの流量を４０ｓ
ｅｃｍ、エチレンガスの流量を１９０ｓｅｃｍ、及びス
チレンガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定して
、直鎖状炭化水素の流量比を、全炭化水素の流量に対し
て９５％とした。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は１５μｍで
あり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して３８原
子％であった。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
充分な帯電性能を有することが理解きれた。また、暗中
にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰するのに要
した時間は約３０秒であり、このことから充分な電荷保
持性能を有することが理解された。また、−５００Ｖに
初期帯電した後、白色光を用いて一１５０■まで明減衰
させたところ必要ときれた光量は約８．９ルツクス・秒
であり、実施例８までと比較して、若干低いものの、実
用上問題のない光感度性能を有することが理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、照射光量を高くして作
像して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

衷五伝上１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空にし
た後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）を
解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第２
タンク（？。

２）より直鎮状炭化水素としてノルマルブタンガスを各
々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量
制御器（７１３、及び７１４）内へ、同時に、第７調節
弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）より環式炭
化水素としてシクロヘキサンを第１加熱器（７２２）温
度６０℃の下で気化し、第７流量制御器（７２８）内へ
流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水
素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、ブタンガスの流量を５０
ｓｅｃｍ、及びシクロヘキサンガスの流量を２０ｓｅｃ
ｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介し
て、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した
。ここで、ｌ鎖状炭化水素の流量比は、全炭化水素の流
量に対して７１゜４％に相当する。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×厚３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め１００℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電
源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１０
０Ｗａｔｔの電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して３
Ｏ分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２
）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ摸を電荷輸送層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につキＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を
調整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、及びシラン
ガスをの流量を９０ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、１２０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、寓周波電！
　（７３９）より周波数１３．５６．ＭＨｚの下で電力
印加電極（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印加し、
グロー放電を発生きせな。この放電を１５分間行ない、
厚き０．３５μｍのａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一１０００Ｖを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解された
。また、暗中にて一６００Ｖから一５ｓｏｖにまで暗減
衰するのに要した時間は約２０秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解された。また、
−５００■に初期帯電した後、白色光を用いて一１５０
■まで明減衰させたところ必要とされた光量は約２．８
ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を
有することが理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体Ｌｔ、［ｔ
した性能を有するものである。また、この感光体に対し
て常用のカールソンプロセスの中で、作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。

実流グ１旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）
を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第
２タンク（７０２）よりｌ鎖状炭化水素としてブタジェ
ンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及
び第２流量制御器（７１３、及び７１４）内へ、同時に
、第７ｙＡ節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９
）より環式炭化水素としてシクロヘキサンを第１加熱器
（７２２）温度７０℃の下で気化し、第７流量制御器（
７２８）内へ流入させた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を６０ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を５０ｓｅｃｍ
、及びシクロヘキサンガスの流量を４０ｓｅｃｍとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。ここで
、直鎖状炭化水素の流量比５よ、全炭化水素の流量に対
して５５゜６％に相当する。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基
板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのア
ルミニウム基板を用いて、予め１００℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７
３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１２０Ｗａ
ｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加した。

このとき併せて接続しておいたｉｉｉ流電源（７４３）
から、バイアス電圧−８０［Ｖ］を同時に重畳印加した
。こうして３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚き１６μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜にっキＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３６原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−３ｉ）工程： 本発明による電荷輸送層形成後、リークし試料を取り出
した。次いで別の真空蒸着装置を用いて、Ａｓ２Ｓｅ３
を抵抗加熱法にてＩＬｌｍの膜厚となるようにＣＴＬ工
程で得られた電荷輸送層上に設けた。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解きれた
。また、暗中にて＋６００■から＋５５０Ｖにまで暗減
衰するのに要した時間は約２５秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解された。また、
＋５００■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０
Ｖまで明減衰させたとこる必要とされた光量は約２．２
ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を
有することが理解された。

叉施皿工旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に示した如き
、導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層、をこの順に設
けた感光体を作製した。

ＣＧＬ（ａ−３ｉ）工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に於て、まず、反応装
置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１調節弁（７０７）、及び第６調節弁（７１
２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及
び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫ
ｇ／ａｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３、
及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調
整して水素ガスの流量を２１０ｓｅｃｍ、及びシランガ
スをの流量を９０ＳＣＣｍに設定し、反応室（７３３）
内に流入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が１．ＯＴ○ｒｒとなるように圧力調
節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成され
ている導電性基板（７，５２）は、２００℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電ｔｉ（７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させな。この放電を１５分間行ない、厚
ｔｏ、３５ｕｍのａＳｉ：ＨＥｔ荷発生１層を形成した
。

ＣＴＬ工程： 次いで、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）
を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第
２タンク（７０２）より直鎖状炭化水素としてプロパン
ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、及び
第２流量制御器（７１３、及び７１４）内へ、同時に、
第７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）よ
り環式炭化水素としてシクロヘキサンを第１加熱器（７
２２）温度７５℃の下で気化し、第７流量制御器（７２
８）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整
して、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ１プロパンガスの
流量を１０１０５ｅ、及びシクロヘキサンガスの流量を
５５ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３
１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内
へ流入した。ここで、直鎖状炭化水素の流量比は、全炭
化水素の流量に対して１５．４％に相当する。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．６
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５
０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１２０
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３
６）に１００Ｗａｔｔの電力を屑波数３０ＫＨｚの下で
印加して３０分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１９μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成し感光体を得た。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につｔｃＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ＋１００ＯＶを越える最高帯電電位が得られ、
このことから充分な帯電性能を有することが理解された
。また、暗中にて＋６００■から＋５５０■にまで暗減
衰するのに要した時間は約２５秒であり、このことから
充分な電荷保持性能を有することが理解きれた。また、
＋５００■に初期帯電した後、白色光を用いて＋１５０
■まで明減衰させたとこる必要ときれた光量は約３．５
ルツクス・秒であり、このことから充分な光感度性能を
有することが理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、優れた
性能を有するものである。また、この感光体に対して常
用のカールソンプロセスの中で、作像して転写したとこ
ろ、鮮明な画像が得られた。

比鷲望１ 本発明に係わる製造装置を一部に用いて、図１に示した
如き、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に
設けた感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 通常市販されているポリスチレンフィルムの裏面にアル
ミニウムを蒸着し、導電性基板の代用とした。

ＣＧＬ工程： 次いで、このフィルムを第７図に示した本発明に係わる
装置の導電性基板（７５２）として設置し、反応室（７
３３）内を充分に排気した。第１調節弁（７０７）　、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、及び第６
流Ｉ制御藷（７１３、及び７１８）内へ流入させた。各
流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２１０Ｓ
　ＣＣｍ　ｓ及びシランガスをの流量を９０ｓｅｃｍに
設定し、反応室（７３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ポリスチレン膜が設置されている導電
性基板（７５２）は、予め５０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状−フ、予め接続選択スイッチ
（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３
６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を１５分間行ない、厚き０．３５μｍ
のａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層を形成した。

特性： 得られた感光体は、高帯電能を示したが、照射光に対し
て全く明減衰を示ざず、感光体としての機能を全く有き
ないものであった。

比較盟旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、直鎖状炭化水素としてのエチレンガ
スの流量を６０　ｓ　ｅ　ｃｍとし、環式炭化水素を用
いず、ざらに成膜時間を５時間とすること以外は、実施
例１と同様にして本発明による電荷輸送層を作製した。

従ってこのとぎの直鎖状炭化水素の流量比は、全炭化水
素の流量に対して１００％とした。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は成膜速度が
遅いため５μｍであり、ＣＨＮ定量分析を行なったとこ
ろ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原子の総
量に対して３５原子％であった。

ＣＧＬ　（ａ−Ｓｉ）工程： 次いで、実施例１と同様にして、電荷発生層を形成した
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ一６５０Ｖ程度の最高帯′：／Ｘ電位が得られ
、膜厚が低い割には良好な帯電性能を有することが理解
された。また、暗中にて一６００■から一５５０■にま
で暗減衰するのに要した時間は約２５秒であり、このこ
とから充分な電荷保持性能を有することが理解された。

しかし、−５ＱＯＶに初期帯電した後、白色光を用いて
一１５０Ｖまで明減衰させたところ、低電場領域での減
衰特性が悪く、即ち、所謂ＬＤＣの裾野が高く、必要と
された光量は約９０ルツクス・秒であり、実用上使用不
可能な光感度性能しか有さないことが理解された。

以上より、本比較例に示した感光体は、不十分な性能を
有するものであり、また、この感光体に対して常用のカ
ールソンプロセスの中で、作像して転写したところ、所
謂カブリを有する画像しかｆｌうれなかった。このこと
から、本発明による直鎮状炭化水素と環式炭化水素から
形成されたａ−Ｃ膜の優位性が理解された。

比較Ａ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、環式炭化水素としてのスチレンガス
の流量を３０ｓｅｃｍとし、直鎖状炭化水素を用いない
こと以外は、実施例１と同様にして本発明による電荷輸
送層を作製した。従ってこのときの直鎖状炭化水素の流
量比は、全炭化水素の流量に対して０％とした。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜の膜厚は２２μｍで
あり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有される水
素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して６Ｑ原
子％てあった。

ＣＧＬ工程； しかしなから、膜質は牛油状を呈しており、その上に電
荷発生層を設けることは、不可能であった。

このことから、本発明による直鎖状炭化水素と環式炭化
水素から形成されたａ−ＣＬｊの優位性が理解された。

比暫望戟 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示した如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程： 実施例１において、環式炭化水素としてスチレンの代り
にシクロヘキサンを使用し、そのガス流量を２５ｓｅｃ
ｍとし、直鎮状炭化水素を用いないこと以外は、実施例
１と同様にして本発明による電荷輸送層を作製した。従
ってこのと伊の直鎖状炭化水素の流量比は、全炭化水素
の流量に対して０％とした。

以上のようにして得られたａ−ＣＦＪの膜厚はＩＴｕｍ
であり、ＣＨＮ定量分析を行なったところ、含有きれる
水素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して５２
原子％であった。

ＣＧＬ工程： しかしながら、膜質は油状を呈しており、その上に電荷
発生層を設けることは、不可能であった。

このことから、本発明による直鎮状炭化水素と環式炭化
水素から形成されたａ−Ｃ膜の優位性が理解された。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明に係わる感光体の構成例を示
す図、第７図及び第８図は本発明に係わる感光体の製造
装置を示す図である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第７／図　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを少なくとも有する感光体に
   おいて、該電荷輸送層は水素原子を全構成原子中に０．
   １乃至６７原子％含み、直鎖状炭化水素と環式炭化水素
   の混合気体をプラズマ重合した非晶質炭素膜であること
   を特徴とする感光体。