JPS62287653A - 半導体冷却装置 - Google Patents
半導体冷却装置Info
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- JPS62287653A JPS62287653A JP13211486A JP13211486A JPS62287653A JP S62287653 A JPS62287653 A JP S62287653A JP 13211486 A JP13211486 A JP 13211486A JP 13211486 A JP13211486 A JP 13211486A JP S62287653 A JPS62287653 A JP S62287653A
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- semiconductor element
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- Pending
Links
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 20
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- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子を内蔵する電子機器に使用して好
適な半導体冷却装置に関する。
適な半導体冷却装置に関する。
例えば、ダイオード、サイリスクおよびトランジスタ等
の半導体素子においては、温度によってその特性が変化
し易いだけでなく、放熱環境が悪い場所にあっては局部
発熱によって破壊する危険性を有している。
の半導体素子においては、温度によってその特性が変化
し易いだけでなく、放熱環境が悪い場所にあっては局部
発熱によって破壊する危険性を有している。
そこで、従来より半導体素子を冷却するために種々の装
置が提案されており、この中には半導体素子に良熱伝導
体による放熱板を取り付けて空気中に熱を放散させ、さ
らに油浸したものがある。
置が提案されており、この中には半導体素子に良熱伝導
体による放熱板を取り付けて空気中に熱を放散させ、さ
らに油浸したものがある。
・そして、近年では、密閉容器中にフレオン等の冷媒を
封入し、この冷媒の沸騰、凝縮による潜熱の移動を利用
して半導体素子を冷却する装置が実用化されてきた。こ
の種の装置は第2図(a)および(b)に示すように構
成されており、これを同図に基づいて概略説明すると、
同図において、符号1で示すスタックには、半導体素子
2の許容上限温度以下の温度で沸騰する冷媒3を内臓す
る内部沸騰フィン4が組み込まれており、蒸気凝縮部5
を風冷することにより前記半導体素子2の発熱で発生し
た冷媒蒸気を凝縮している。なお、6は前記半導体素子
2に接続する電極端子7を有する冷媒沸騰部、8は放熱
フィンである。
封入し、この冷媒の沸騰、凝縮による潜熱の移動を利用
して半導体素子を冷却する装置が実用化されてきた。こ
の種の装置は第2図(a)および(b)に示すように構
成されており、これを同図に基づいて概略説明すると、
同図において、符号1で示すスタックには、半導体素子
2の許容上限温度以下の温度で沸騰する冷媒3を内臓す
る内部沸騰フィン4が組み込まれており、蒸気凝縮部5
を風冷することにより前記半導体素子2の発熱で発生し
た冷媒蒸気を凝縮している。なお、6は前記半導体素子
2に接続する電極端子7を有する冷媒沸騰部、8は放熱
フィンである。
ところで、この種の半導体冷却装置においては、半導体
素子2を挟む2つの内部沸騰フィン4にかかる高電圧に
対する危険防止対策として間隔りを安全度の高い寸法に
設定する必要がある。このため、蒸気凝縮部5の表面積
がどうしても小さくなり、この結果凝縮熱抵抗が大幅に
高くなって放熱効果が低下するという問題があった。
素子2を挟む2つの内部沸騰フィン4にかかる高電圧に
対する危険防止対策として間隔りを安全度の高い寸法に
設定する必要がある。このため、蒸気凝縮部5の表面積
がどうしても小さくなり、この結果凝縮熱抵抗が大幅に
高くなって放熱効果が低下するという問題があった。
そこで、第3図(a)および(blに示すように蒸気凝
縮部5と冷媒沸騰部6との間にセラミック等の絶縁リン
グ9を介装し、蒸気凝縮部5の表面積を大きくすること
が考えられるが、両蒸気凝縮部5間の間隔りを5R以下
に設定することが一般的であり、このため凝縮熱抵抗を
大幅に低減することはできなかった。
縮部5と冷媒沸騰部6との間にセラミック等の絶縁リン
グ9を介装し、蒸気凝縮部5の表面積を大きくすること
が考えられるが、両蒸気凝縮部5間の間隔りを5R以下
に設定することが一般的であり、このため凝縮熱抵抗を
大幅に低減することはできなかった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、高電圧
に対する安全性を保持することができるだけでなく、放
熱効果を大幅に向上させることができる半導体冷却装置
を提供するものである。
に対する安全性を保持することができるだけでなく、放
熱効果を大幅に向上させることができる半導体冷却装置
を提供するものである。
C問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体冷却装置は、半導体素子両側に一体
に結合され冷媒沸騰部および蒸気凝縮部からなる2つの
容器を備え、これら両容器の蒸気凝縮部と冷媒沸騰部と
の間に絶縁リングを介装すると共に、両蒸気凝縮部の外
側に多数の放熱フィンを設け、一方側の放熱フィンのう
ち互いに隣り合う2つの放熱フィン間に他方側の各放熱
フィンを臨ませたものである。
に結合され冷媒沸騰部および蒸気凝縮部からなる2つの
容器を備え、これら両容器の蒸気凝縮部と冷媒沸騰部と
の間に絶縁リングを介装すると共に、両蒸気凝縮部の外
側に多数の放熱フィンを設け、一方側の放熱フィンのう
ち互いに隣り合う2つの放熱フィン間に他方側の各放熱
フィンを臨ませたものである。
本発明においては、冷媒沸騰部と蒸気凝縮部を電気的に
絶縁することができると共に、放熱面積を大きくするこ
とができる。
絶縁することができると共に、放熱面積を大きくするこ
とができる。
第1図(a)および(blは本発明に係る半導体冷却装
置を示す破断正面図と局部破断側面図である。同図にお
いて、符号11および12で示すものは内部沸騰フィン
を構成する2つの容器で、スタンク13内の半導体素子
14両側に一体に結合されている。これら両容器11.
12は各々が互いに連通し容積が大小異なる冷媒沸騰部
15と蒸気凝縮部16とから構成されている。そして、
これら両容器11.12の冷媒沸騰部15の外側には前
記半導体素子14に接続する電極端子17が限ろうある
いはエポキシ系接着剤によって接合されており、蒸気凝
縮部16の外側には多数の放熱フィン18.19が設け
られている。そして、一方側の放熱フィン18のうち互
いに隣り合う2つの放熱フィン18間には他方側の前記
各放熱フィン19力→nんでいる。なお、前記容器11
.12の冷媒沸騰部15には前記半導体素子14の許容
上限温度より低い温度で沸騰する冷媒20が内蔵されて
いる。21はセラミック等の絶縁リングで、前記冷媒沸
騰部15と前記蒸気凝縮部16との間に介装されている
。
置を示す破断正面図と局部破断側面図である。同図にお
いて、符号11および12で示すものは内部沸騰フィン
を構成する2つの容器で、スタンク13内の半導体素子
14両側に一体に結合されている。これら両容器11.
12は各々が互いに連通し容積が大小異なる冷媒沸騰部
15と蒸気凝縮部16とから構成されている。そして、
これら両容器11.12の冷媒沸騰部15の外側には前
記半導体素子14に接続する電極端子17が限ろうある
いはエポキシ系接着剤によって接合されており、蒸気凝
縮部16の外側には多数の放熱フィン18.19が設け
られている。そして、一方側の放熱フィン18のうち互
いに隣り合う2つの放熱フィン18間には他方側の前記
各放熱フィン19力→nんでいる。なお、前記容器11
.12の冷媒沸騰部15には前記半導体素子14の許容
上限温度より低い温度で沸騰する冷媒20が内蔵されて
いる。21はセラミック等の絶縁リングで、前記冷媒沸
騰部15と前記蒸気凝縮部16との間に介装されている
。
このように構成された半導体冷却装置においては、冷媒
沸騰部15と蒸気凝縮部16を絶縁リング21によって
電気的に絶縁することができ、しかも一方側の放熱フィ
ン19を他方側の放熱フィン18間に臨ませることによ
り放熱面積を大きくすることができる。
沸騰部15と蒸気凝縮部16を絶縁リング21によって
電気的に絶縁することができ、しかも一方側の放熱フィ
ン19を他方側の放熱フィン18間に臨ませることによ
り放熱面積を大きくすることができる。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子両側に
一体に結合された2つの容器を備え、これら両容器の蒸
気凝縮部と冷媒沸騰部との間に絶縁リングを介装すると
共に、両蒸気凝縮部の外側に多数の放熱フィンを設け、
一方側の放熱フィンのうち互いに隣り合う2つの放熱フ
ィン間に他方側の各放熱フィンを臨ませたので、冷媒沸
騰部と蒸気凝縮部を電気的に絶縁することができ、しか
も放熱面積を大きくすることができる。したがって、高
電圧に対する安全性を保持することができるだけでなく
、放熱効果を大幅に向上させることができる。
一体に結合された2つの容器を備え、これら両容器の蒸
気凝縮部と冷媒沸騰部との間に絶縁リングを介装すると
共に、両蒸気凝縮部の外側に多数の放熱フィンを設け、
一方側の放熱フィンのうち互いに隣り合う2つの放熱フ
ィン間に他方側の各放熱フィンを臨ませたので、冷媒沸
騰部と蒸気凝縮部を電気的に絶縁することができ、しか
も放熱面積を大きくすることができる。したがって、高
電圧に対する安全性を保持することができるだけでなく
、放熱効果を大幅に向上させることができる。
第1図(alおよび(111は本発明に係る半導体冷却
装置を示す破断正面図と局部破断側面図、第2図(a)
3(blおよび第3図(al、 (b)は従来の半導体
冷却装置を示す破断正面図と局部破断側面図である。 11、.12・・・・容器、14・・・・半導体素子、
15・・・・冷媒沸騰部、16・・・・蒸気凝縮部、1
7・・・・電極端子、18.19・・・・放熱フィン、
21・・・・絶縁リング。 代 理 人 大 岩 増 雄一
装置を示す破断正面図と局部破断側面図、第2図(a)
3(blおよび第3図(al、 (b)は従来の半導体
冷却装置を示す破断正面図と局部破断側面図である。 11、.12・・・・容器、14・・・・半導体素子、
15・・・・冷媒沸騰部、16・・・・蒸気凝縮部、1
7・・・・電極端子、18.19・・・・放熱フィン、
21・・・・絶縁リング。 代 理 人 大 岩 増 雄一
Claims (1)
- 半導体素子の両側に一体に結合されこの半導体素子に接
続する電極端子を有する冷媒沸騰部およびこの冷媒沸騰
部に連通する蒸気凝縮部からなる2つの容器を備え、こ
れら両容器の蒸気凝縮部と冷媒沸騰部との間に絶縁リン
グを介装すると共に、両蒸気凝縮部の外側に多数の放熱
フィンを設け、一方側の放熱フィンのうち互いに隣り合
う2つの放熱フィン間に他方側の各放熱フィンを臨ませ
たことを特徴とする半導体冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13211486A JPS62287653A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13211486A JPS62287653A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62287653A true JPS62287653A (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15073752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13211486A Pending JPS62287653A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62287653A (ja) |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13211486A patent/JPS62287653A/ja active Pending
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