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JPS62281142A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

Info

Publication number
JPS62281142A
JPS62281142A JP12535986A JP12535986A JPS62281142A JP S62281142 A JPS62281142 A JP S62281142A JP 12535986 A JP12535986 A JP 12535986A JP 12535986 A JP12535986 A JP 12535986A JP S62281142 A JPS62281142 A JP S62281142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate layer
layer
aluminum nitride
magneto
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12535986A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0770096B2 (en
Inventor
Hideki Ishizaki
石崎 秀樹
Masaru Takayama
勝 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP61125359A priority Critical patent/JPH0770096B2/en
Publication of JPS62281142A publication Critical patent/JPS62281142A/en
Publication of JPH0770096B2 publication Critical patent/JPH0770096B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve recording and reproducing characteristics and to prevent the deterioration of a thin magnetic film layer by incorporating nitrogen into an intermediate layer formed of aluminum nitride in such a manner that the nitrogen content on the substrate side is larger than the nitrogen content on the thin magnetic film layer side. CONSTITUTION:The intermediate layer 3 is formed of the aluminum nitride and the N/Al atomic ratio in the aluminum nitride intermediate layer 3 is 0.4-0.9, more preferably 0.5-0.8 in average over the entire part. The prescribed nitrogen concn. distribution in which the nitrogen content on the substrate side in the intermediate layer 3 is larger than the nitrogen content on the thin magnetic film layer 4 side exists in the thickness direction of the intermediate layer 3. The recording and reproducing characteristics are thereby improved and the deterioration of the thin magnetic film layer with age is lessened.

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背)jE 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
Detailed Description of the Invention ■Background of the Invention)jE Technical Field The present invention relates to a magneto-optical recording medium for recording and reproducing information using heat and light such as laser light.

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnB1.MnAffiGe、MnSb、MnCuB1
.GdFe、TbFe、 GdCo、PtCo、TbCo。
Prior art and its problems As a recording medium for magneto-optical memory, MnB1. MnAffiGe, MnSb, MnCuB1
.. GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbCo.

TbFeCo、GdFeCo、 TbFe0.  、 Gd1G、  GdTbFe 、
GdTbFeCoB  i  、 Co F e 2 
o4等の材料が知られている。 これらは、真空蒸着法
やスパッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス
等の透明基板−ヒに薄膜として形成される。 これらの
光磁気記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が1漠而に垂直方向にあり、ざらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。
TbFeCo, GdFeCo, TbFe0. , Gd1G, GdTbFe,
GdTbFeCoBi, CoFe2
Materials such as o4 are known. These are formed as a thin film on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. The common characteristics of these magneto-optical recording media are that the axis of easy magnetization is vaguely perpendicular, and that the Kerr effect and Faraday effect are large.

このような媒体に要求されることは、 第1に、キューリ一点が100〜200℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第2に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第3に比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な
膜か得られることがあげられる。
What is required of such a medium is that firstly, the Curie point is around 100 to 200°C and the compensation point is around room temperature, and secondly, defects such as grain boundaries that cause noise are relatively free. Thirdly, a magnetically and mechanically uniform film can be obtained over a relatively large area.

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
上類−遷移金属の非晶質重直磁性薄1漠が大きな注目を
集めている。
In response to such demands, among the above-mentioned materials, amorphous biorthomagnetic thin films of rare upper-transition metals have attracted much attention in recent years.

しかし、このような希上類−遷移金属非晶質薄)漠から
なる光電気記録媒体において、磁性溝1漠層は、大気に
接したまま保存されると、火気中の酸素や水により希上
類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。
However, in such an optoelectric recording medium made of a rarefied transition metal (amorphous thin layer), if the magnetic groove layer is stored in contact with the atmosphere, it will be diluted by oxygen and water in the fire. The upper class is selectively corroded or oxidized, making it impossible to record or reproduce information.

そこで、一般には、前記磁性溝1漠層の表面に保護層を
設けた構成の光磁気記録媒体か多く研究されている。
Therefore, in general, many studies have been conducted on magneto-optical recording media having a structure in which a protective layer is provided on the surface of the first layer of magnetic grooves.

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケイ
素、7二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、
硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着1原や樹脂1漠等を設け
る試み(特開昭58−80142号等)が開示されてい
る。
Conventionally, such moisture-proof protective layers include silicon oxide, silicon dioxide, aluminum nitride, silicon nitride,
Attempts have been made to provide inorganic vacuum evaporation materials such as zinc sulfide, resin materials, etc. (Japanese Patent Laid-Open No. 58-80142, etc.).

光磁気記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのが
有利であり、基板としては透明性のものを用いる。
In magneto-optical recording media, it is advantageous to perform recording and reproduction from the substrate side, and a transparent substrate is used as the substrate.

光デイスク用の基板としては、製造の容易さ、取り扱い
易さ等の点で、樹脂性のものが好ましく、これらのうち
では、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等が好適である。
As the substrate for optical disks, resin-based substrates are preferable from the viewpoint of ease of manufacture and handling.Among these, acrylic resins, especially acrylic resins, are preferred from the viewpoints of transparency, productivity, economy, etc. Polycarbonate resin etc. are suitable.

このような樹脂性の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。
On such a resinous substrate, an intermediate layer of an inorganic material is usually formed, and a magnetic thin film layer is provided through this intermediate layer.

この中間層はモ渉層としての機能を有し、C/N比を向
上させ、かつ磁性溝1漠層の劣化を防上1−る耐食作付
!アの機能を有する。
This intermediate layer has a function as a magnetic layer, improves the C/N ratio, and prevents deterioration of the magnetic groove layer.1-Corrosion-resistant cropping! It has the following functions.

このような中間層の材質としては、例えば5iO5Si
02等の酸化’7−(素、ARN、Si3N4、ZnS
、Si、Geなどが提案されている(特開昭58−80
142号等)。
The material for such an intermediate layer is, for example, 5iO5Si.
Oxidation '7-(element, ARN, Si3N4, ZnS
, Si, Ge, etc. have been proposed.
No. 142, etc.).

これらのうち、窒化アルミニウムは、C/N比、耐久性
等の点で好適であるが、従来使用されていた膜構造では
、C/N比、耐食性、耐久性等の点で未だ不十分であり
、より一層の向上か必要である。
Among these, aluminum nitride is preferable in terms of C/N ratio, durability, etc., but the film structure used conventionally is still insufficient in terms of C/N ratio, corrosion resistance, durability, etc. Yes, further improvement is necessary.

■ 発明の目的 一ムーツクLI11−1/7”1IENyl→壬、1仝
^、7ffノ←片〕;ネJ←1.−71111÷11か
も磁性薄膜層の劣化が防H二され、耐食性、耐久性に優
れ、さらには、ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐ
れた光磁気記録媒体を提供することにある。
■ Purpose of the invention 1 MOTSUK LI11-1/7"1IENyl→壬、1仝^、7ffノ←片〕;NeJ←1.-71111÷11 Also prevents deterioration of the magnetic thin film layer and improves corrosion resistance and durability. The object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium which has excellent properties and also has excellent stability in dimensional accuracy against warping and the like.

■ 発明の開示 このような目的・は、以下の本発明によって達成される
■Disclosure of the Invention These objects are achieved by the present invention as described below.

すなわち、本発明は、樹脂製の基板上に窒化アルミニウ
ムから形成される中間層を有し、この中間層−ヒに希上
類−遷移金属の磁性薄膜層を仔する光磁気記録媒体にお
いて、上記中間層における基板側窒素含有量が磁性8膜
層側のそれと比べ大きいことを特徴とする光磁気記録媒
体である。
That is, the present invention provides a magneto-optical recording medium having an intermediate layer formed of aluminum nitride on a resin substrate, and having a magnetic thin film layer of a rare transition metal in the intermediate layer. This is a magneto-optical recording medium characterized in that the nitrogen content on the substrate side in the intermediate layer is larger than that on the magnetic eight layer side.

■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の光磁気記録媒体の一実施例か、第1図に示され
ている。
An embodiment of the magneto-optical recording medium of the present invention is shown in FIG.

第1図において、本発明の光磁気記録媒体1は、基板2
上に中間層3を有する。
In FIG. 1, a magneto-optical recording medium 1 of the present invention includes a substrate 2
It has an intermediate layer 3 on top.

本発明の中間層3は、窒化アルミニウムから形成される
The intermediate layer 3 of the present invention is formed from aluminum nitride.

窒化アルミニウム中間層3中のN/Aj2原子比は層全
体の平均として0.4〜0.9、より好ましくは0.5
〜0.8である。
The N/Aj2 atomic ratio in the aluminum nitride intermediate layer 3 is 0.4 to 0.9, more preferably 0.5 as an average of the entire layer.
~0.8.

このときN/Ax比が0.4未満となると反射光fft
が減少し特性に悪fis 9を与えてしまう。
At this time, if the N/Ax ratio is less than 0.4, the reflected light fft
decreases and gives a bad fis 9 to the characteristics.

また、0,9をこえると、みかけ上のカー回転角が減少
し、同様に特性に悪影響を与えてしまう。
On the other hand, if it exceeds 0.9, the apparent Kerr rotation angle decreases, which also adversely affects the characteristics.

このような中間層3の厚さ方向には、中間層3中におけ
る基板側の窒素含存置か後述する磁性薄膜層4側のそれ
と比へ大きくなるような所定の窒素濃度分布が存在する
In the thickness direction of the intermediate layer 3, there is a predetermined nitrogen concentration distribution such that the nitrogen content on the substrate side in the intermediate layer 3 is larger than that on the magnetic thin film layer 4 side, which will be described later.

このような窒化アルミニウム中間層3中の窒素濃度分布
は、例えば、窒化アルミニウム中間層3の基板2側から
1/4までの位置のN/A2原r−比が、電性源II!
2層4側から1/4までの位置のN/A ffi原子比
の1.4倍以上、特に、2.0〜4,5倍、より好まし
くは2.5〜3.5倍となるようにする。
Such a nitrogen concentration distribution in the aluminum nitride intermediate layer 3 is such that, for example, the N/A2 original r-ratio at a position up to 1/4 from the substrate 2 side of the aluminum nitride intermediate layer 3 is equal to the electric power source II!
The N/A ffi atomic ratio at a position up to 1/4 from the second layer 4 side is 1.4 times or more, particularly 2.0 to 4.5 times, more preferably 2.5 to 3.5 times. Make it.

この値が1.4倍未満となると、C/N比、耐食性、耐
火性が悪化する。 −・方、この値が上記の好適範囲で
ある2、5〜3.5倍になると、C/N比、耐久性は格
段と向上する。
When this value is less than 1.4 times, the C/N ratio, corrosion resistance, and fire resistance deteriorate. - On the other hand, when this value becomes 2.5 to 3.5 times the above preferred range, the C/N ratio and durability are significantly improved.

窒化アルミニウム中間層3中に上記のような窒素濃度外
ノ11をもたせることにより、上記の作用が生じる。
By providing the above-mentioned nitrogen concentration outside 11 in the aluminum nitride intermediate layer 3, the above-mentioned effect is produced.

すなわち、第1に、窒化アルミニウム中間層3の基板側
の窒素濃度を適当に設定することにより、JLk<ポリ
カーボネート樹脂では830nmにて屈折率約1.57
)と窒化アルミニウム中間層3との界面での反射を有効
に防止でき、良好な記録・再生特性が得られる。
That is, firstly, by appropriately setting the nitrogen concentration on the substrate side of the aluminum nitride intermediate layer 3, the refractive index at 830 nm for JLk<polycarbonate resin is approximately 1.57.
) and the aluminum nitride intermediate layer 3 can be effectively prevented, and good recording/reproducing characteristics can be obtained.

7trJ2に、磁性薄膜層4側の窒化アルミニウム中間
層3中の窒素濃度を低くおさえることによって、後述す
るFeおよびCoを必須含有成分とする磁性薄膜層4の
劣化を有効に防止することができる。
By keeping the nitrogen concentration in the aluminum nitride intermediate layer 3 on the side of the magnetic thin film layer 4 low to 7trJ2, deterioration of the magnetic thin film layer 4 containing Fe and Co as essential components, which will be described later, can be effectively prevented.

なお、窒素濃度外I5は、連続的であっても非連続的で
あってもよい。
Note that the nitrogen concentration outside I5 may be continuous or discontinuous.

このような窒化アルミニウム中間層3の膜厚方向に存在
するN/ARの原子比分布は、例えば以下に述べる方法
によって測定される。
The atomic ratio distribution of N/AR existing in the thickness direction of the aluminum nitride intermediate layer 3 is measured, for example, by the method described below.

すなわち、まず最初に、窒化アルミニウム中間層3を磁
性薄膜層4側から一定のエツチング速度でイオンエツチ
ングを行いながら、SIMS (2次イオン質量分析)
、AES(オージェ分光分析)、ESCAなどで元素分
析を行う。 そして、ポリカーボネート樹脂等の基板2
に到達し、炭素Cが検出されるまでの時間をd(11定
する。
That is, first, while performing ion etching on the aluminum nitride intermediate layer 3 from the magnetic thin film layer 4 side at a constant etching rate, SIMS (secondary ion mass spectrometry) is performed.
Perform elemental analysis using , AES (Auger spectroscopy), ESCA, etc. Then, a substrate 2 made of polycarbonate resin, etc.
The time it takes for carbon C to be detected is set as d(11).

この要した時間の最初から1/4までの時間および3/
4から基板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果
より、層中所定箇所のN/An平均原子比が算出される
The time from the beginning to 1/4 and 3/
The average atomic ratio of N/An at a predetermined location in the layer is calculated from the elemental analysis results in the layer during the time from 4 to the time it reaches the substrate.

きることはいうまでもない。Needless to say, it is possible.

このように1漠厚方向に窒素濃度分布か存在する窒化ア
ルミニウム中間層3を設層するには、AffiNおよび
AQをターゲットに用い、両者のスパッタレートを制御
して、これを変化させながら成1t!Aする2元スパッ
タ法、あるいは、窒素を含む雰囲気中で、AMをターゲ
ットに用い、窒素濃度を制御して、これを変化させて成
j模する反応性スパッタ等を用いる。
In order to form the aluminum nitride intermediate layer 3 in which the nitrogen concentration distribution exists in the thickness direction, AffiN and AQ are used as targets, and the sputtering rate of both is controlled and the sputtering rate is varied while the growth rate is increased. ! A binary sputtering method is used, or reactive sputtering is used in which AM is used as a target in an atmosphere containing nitrogen, the nitrogen concentration is controlled, and the nitrogen concentration is varied to simulate the formation.

これらスパッタリングにおける条件は、通常のものであ
ってよい。
These sputtering conditions may be normal conditions.

また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えば、蒸着
等を適宜用いることも可能である。
Furthermore, it is also possible to use other vapor phase film forming methods, such as vapor deposition, as appropriate.

このように設層される窒化アルミニウム中間層3の膜厚
は、300〜1500人、より好ましくは600〜90
0人である。
The thickness of the aluminum nitride intermediate layer 3 formed in this way is 300 to 1500, more preferably 600 to 90.
There are 0 people.

なお、通常、窒化アルミニウム中間層は、多結晶ないし
は非晶T〔状、態にある。
Note that the aluminum nitride intermediate layer is usually in a polycrystalline or amorphous T state.

てもよい。It's okay.

その他、場合によっては少量の2n、Si、Cr、Ba
等の元素を添加してもよい。
In addition, in some cases, small amounts of 2n, Si, Cr, Ba
You may add elements such as.

上述の窒化アルミニウム中間層3が設層される基板2は
、樹脂によって形成される。
The substrate 2 on which the aluminum nitride intermediate layer 3 described above is formed is formed of resin.

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などが
あげられる。
Preferred resins include acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, and polymethylpentene resin.

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
Among these resins, polycarbonate resins are preferred in terms of durability, particularly resistance to warping and the like.

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳6族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。 こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。 中
でもビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。
The polycarbonate resin in this case may be any of aliphatic polycarbonate, hexaaromatic-aliphatic polycarbonate, and aromatic polycarbonate, but aromatic polycarbonate resin is particularly preferred. Among these, polycarbonate resins made from bisphenol are preferred in terms of melting point, crystallinity, handling, etc. Among them, bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.

また、ポリカーボネート樹j指の数平均分子量は、10
,000〜15,000程度であルコとが好ましい。
In addition, the number average molecular weight of the polycarbonate tree is 10
,000 to about 15,000, preferably Ruco.

このような基板2の830 nmの屈折率は通常1.5
5〜1.59程度である。
The refractive index of such a substrate 2 at 830 nm is usually 1.5.
It is about 5 to 1.59.

なお、記録は基板2をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。
Note that since recording is performed through the substrate 2, the transmittance for writing light or reading light is set to 86% or more.

また、基板2は、通常ディスク状とし51.2〜1.5
n程度の厚さとする。
Further, the substrate 2 is usually disk-shaped and has a diameter of 51.2 to 1.5
The thickness is approximately n.

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。
Tracking grooves may be formed on the magnetic thin film layer forming surface of such a disk-shaped substrate.

溝の深さは、λ/ 8 n程度、特にλ/ 6 n〜λ
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
される。 また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。
The depth of the groove is about λ/8n, especially λ/6n~λ
/ 12 n (where n is the refractive index of the substrate). Further, the width of the groove is approximately the width of a track.

そして、通常、この溝の四部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。
In general, it is preferable to use the magnetic thin film layer located at the four parts of the groove as a recording track part, and to irradiate the writing light and the reading light from the back side of the substrate.

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
With this configuration, the writing sensitivity and the reading C/N ratio are improved, and the tracking control signal is also increased.

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
In addition, other shapes of the substrate may be used, such as a tape or a drum.

前述した窒化アルミニウム中間層3の上には、磁性薄膜
層4が設層される。
A magnetic thin film layer 4 is provided on the aluminum nitride intermediate layer 3 described above.

本発明の磁性薄膜層4は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換してilF生するもの
である。
In the magnetic thin film layer 4 of the present invention, information is magnetically recorded by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is converted into ilF by magneto-optical conversion.

このようを磁性薄膜層4の材質としては、Gd、Tb等
の希上類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッ
タ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したものであ
り、しかもFeとCOを必須含有成分とするものである
The material of the magnetic thin film layer 4 is an amorphous film made of an alloy of rare metals such as Gd and Tb and transition metals such as Fe and Co by sputtering, vapor deposition, etc. Moreover, it contains Fe and CO as essential components.

この場合、FeとCOの総含仔量は、65〜85aL%
であることが好ましい。
In this case, the total content of Fe and CO is 65-85aL%
It is preferable that

そ1.て Ji!円(6寸1て?pt■1ζ−、M; 
1−植仝h更 4噂「Gdおよび/またはTbである。
Part 1. Te Ji! Yen (6 sun 1te?pt■1ζ-, M;
1-Sugar 4 Rumor: “Gd and/or Tb.

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFe
Co、GdTbFeCo等がある。
Suitable examples include TbFeCo, GdFe
Co, GdTbFeCo, etc.

なお、これら磁性薄膜層中には10aし%以下の範囲で
Cr、Affi、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、V、
Ni、Cu、Zn、Ge。
In addition, these magnetic thin film layers contain Cr, Affi, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V,
Ni, Cu, Zn, Ge.

Au等が含有されてもよい。Au etc. may be contained.

また、希上類元素として10at%以下の範囲でSc、
Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy
、Ho、Er、Tm、Yb。
In addition, as a rare element, Sc in a range of 10 at% or less,
Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy
, Ho, Er, Tm, Yb.

Lu等を含有してもよい。It may also contain Lu or the like.

このような磁性薄膜層のI漠Jゾは、0.01〜1μm
が好ましい。
The diameter of such a magnetic thin film layer is 0.01 to 1 μm.
is preferred.

さらに、このような磁性薄膜層4の基板2と反対側には
、各種の保護層を1層以上設けることが好ましい。
Furthermore, it is preferable to provide one or more various protective layers on the opposite side of the magnetic thin film layer 4 from the substrate 2.

第1図においては、保護層5と保護膜6とが設けられて
いる。
In FIG. 1, a protective layer 5 and a protective film 6 are provided.

この上2合、保′、@入η5の材質として6寸 4q 
3萩■としての機能を有するものであれば特に制限はさ
れないが、好ましくは酸化物、窒化物の薄II!2であ
る。
6 sun 4q as the material of the upper 2 go, hold', @enter η5
There is no particular restriction as long as it has the function of 3 Hagi ■, but thin II of oxides and nitrides are preferred. It is 2.

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。
Suitable oxides include silicon oxides such as -silicon oxide and silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, and zinc oxide.

また、空化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。
In addition, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, boron nitride, etc. are suitable as the vacuole.

これらの中では、特に窒化アルミニウムが好適である。Among these, aluminum nitride is particularly suitable.

このような薄1反の厚さは0.1〜10μm程度とする
The thickness of such a thin strip is about 0.1 to 10 μm.

なお、保護層5の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。
Note that the protective layer 5 may be formed by vacuum deposition, sputtering, or the like.

一方、保護膜6の材質としては、通常、公知の種々の有
機系の物質を用いればよい。
On the other hand, as the material for the protective film 6, various known organic substances may be used.

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as an electron beam or ultraviolet rays is used.

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を任
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合9′i、燥する基を分子中に含イ■または
4人したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げ
ることができる。
The radiation-curable compounds to be used include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds, which are sensitive to ionization energy and have unsaturated double bonds that exhibit radical polymerization, and acrylic double bonds such as diallyl phthalate. Crosslinking or polymerization by radiation irradiation of allylic double bonds, unsaturated double bonds such as maleic acid, maleic acid derivatives, etc., monomers, oligomers and oligomers containing a drying group in the molecule. Examples include polymers and the like.

放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子H2ooo〜100
00のものか用いられる。
As a radiation-curable monomer, a compound with a molecular weight of less than 2000 is used, and as an oligomer, a compound with a molecular weight of H2ooo~100 is used.
00 is used.

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレンクリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1.6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート (メ
タクリレート)、ペンタエリスリトールアクリレート(
メタクリレート)、トリメチロールプロパントリアクリ
レート(メタクリレート)、トリメチロールプロパンジ
アクリレート(メタクリレート)、多官能オリゴエステ
ルアクリレート(アロニックスM− 7100、M−5400、M−5500,M−5700
、M−6250、M−6500,M−8030、M−8
060、M−8100等、東亜合成)、ウレタンエラス
トマーにツボラン4040)のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにC0OH等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート(
メタクリレート)、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基(メタクリル基)またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 1)  (CH2=CHCOOCH2)3−CCH20
H(特殊アクリレートA) 2)   (CH2=CHCOOCH2)3−CCH2
CH3(特殊アクリレートB) 3)   (CH2=CHC0(OC3Hs )n −
0CH2)3−CCH2CH3(特殊アクリレートC) ()、′欣アクリレートD) (り、′欣アクリレートE) 曇 CH2CH2C00CH=CH2 (特殊アクリレートF) 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、 m=l、a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Bという)、m=1、a=6、b=
oの化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物C
という)、m=2、a=6、b=oの化合物(以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという)、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
These include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, etc., but are particularly preferred. These include pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (
methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate (Aronix M-7100, M-5400, M-5500, M-5700
, M-6250, M-6500, M-8030, M-8
060, M-8100, etc. (Toagosei), urethane elastomers with acrylic modified products of Tuborane 4040), or products with functional groups such as C0OH introduced into these, acrylates of phenol ethylene oxide adducts (
methacrylate), an acrylic group (methacrylic group) or ε in the pentaerythritol condensed ring represented by the general formula below.
-Caprolactone-A compound with an acrylic group, 1) (CH2=CHCOOCH2)3-CCH20
H (special acrylate A) 2) (CH2=CHCOOCH2)3-CCH2
CH3 (special acrylate B) 3) (CH2=CHC0(OC3Hs)n −
0CH2) 3-CCH2CH3 (Special Acrylate C) (), 'Kin Acrylate D) (Ri, 'Kin Acrylate E) Cloudy CH2CH2C00CH=CH2 (Special Acrylate F) In the formula, m = 1, a = 2, b = 4 Compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate A), compound where m=l, a=3, b=3 (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate B), m=1, a=6, b=
o compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C
), m=2, a=6, b=o (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate), and special acrylates represented by the general formula below.

8)  CH2=CHCOO−(CH2CH20)4−
COCH=CH2悸す朱アクリレートH) CH2CH2C00CH=CH2 (特殊アクリレートI) (特殊アクリレートJ) A:アクリレート、   X:多価アルコールY:多塩
μ酸     (特殊アクリレートK)12)  A千
M−N+−M−A A:アクリノ4、   M:2価アルコールN、2塩滴
唆     (特殊アクリレートし)また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴニスデルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにC0OH等の官
能基か導入されたもの等が挙げられる。
8) CH2=CHCOO-(CH2CH20)4-
COCH=CH2 red acrylate H) CH2CH2C00CH=CH2 (special acrylate I) (special acrylate J) A: acrylate, M-A A: Acryno 4, M: Dihydric alcohol N, 2 salt droplets (special acrylate) In addition, as radiation-curable oligomers, polyfunctional oligomer acrylates represented by the following general formula and urethane elastomer acrylic Examples include modified products, or products in which a functional group such as C0OH is introduced into these products.

(式中R,、R2:アルキル、n、整数)また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。
(In the formula, R,, R2: alkyl, n, an integer) Furthermore, a radiation-curable compound obtained by radiation-sensitizing modification of a thermoplastic resin may be used.

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
Specific examples of such radiation-curable resins include acrylic acid, methacrylic acid, or acrylic double bonds such as ester compounds thereof, and diallylphthalate, which exhibits an unsaturated double bond that has radical polymerizability. It is a thermoplastic resin in which groups that can be crosslinked or polymerized by radiation irradiation, such as allylic double bonds and unsaturated bonds such as maleic acid and maleic acid derivatives, are contained or introduced into the molecule of the thermoplastic resin.

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ;f−樹脂、フ
ェノキシ;f−樹脂、繊維素1銹導体等を挙げることか
できる。
Examples of thermoplastic resins that can be modified into radiation-curable resins include vinyl chloride copolymers, saturated polyvinyl sulfate resins,
Examples include polyvinyl alcohol resin, epoxy; f-resin, phenoxy; f-resin, cellulose conductor, and the like.

その他、放射、1!11感応変性に用いることのできる
樹脂としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテル
ニスデル樹脂、ポリビニルビロリドン樹脂および誘導体
(pvpオレフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、
水酸基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエ
ステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル;f
−樹脂等も有効である。
Other resins that can be used for radiation and 1!11 sensitive modification include polyfunctional polyester resins, polyether Nisder resins, polyvinyl pyrrolidone resins and derivatives (pvp olefin copolymers), polyamide resins, polyimide resins, Phenolic resin, spiroacetal resin,
Acrylic containing at least one kind of acrylic ester and methacrylic ester containing a hydroxyl group as a polymerization component; f
- Resin etc. are also effective.

このような放射線硬化型化合物の保護膜6の11Q J
グは0.1〜30μl、より好ましくは1〜10μmで
ある。
11Q J of the protective film 6 of such a radiation-curable compound
The size of the tube is 0.1 to 30 μl, more preferably 1 to 10 μm.

この膜厚かO,1μm未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄IIl;!、層4の耐久性が向上しない。 また
、30μmをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮に
より記録媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用
に耐えない。
If the film thickness is less than 0.1 μm, it will not be possible to form a uniform film, and the moisture-proofing effect will not be sufficient in a humid atmosphere.
Magnetic thin IIl;! , the durability of layer 4 does not improve. If the thickness exceeds 30 μm, the recording medium may warp or cracks may occur in the protective film due to shrinkage during curing of the resin film, making it unsuitable for practical use.

このようなffi IIQは、通常、スピンナーコート
、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、柚
々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。 この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
Such ffi IIQ can usually be deposited using a combination of known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating, and dipping. The conditions for forming the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of coating film composition, the intended coating thickness, etc.

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、′1′
「子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
In order to cure such a coating film and make it into a protective layer, '1'
``The paint film can be irradiated with radiation such as ultraviolet radiation or ultraviolet radiation.

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧1
00〜750KV、好ましくは150〜300KVの放
射線加速惺を用い、吸収線量を0.5〜20メガラツド
になるように照射するのが好都合である。
When using an electron beam, the radiation characteristics include acceleration voltage 1
It is advantageous to use a radiation acceleration of 0.00 to 750 kV, preferably 150 to 300 kV, and to deliver an absorbed dose of 0.5 to 20 megarads.

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerizable sensitizer is usually added to the radiation-curable compound as described above.

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノヘンシフエノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ヘンシルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィト類等を挙げることかできる。 
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、01〜10重量%の
範囲が望ましい。
The photopolymerization sensitizer may be a conventionally known one, such as benzoin-based sensitizers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, α-chlordeoxybenzoin, benzophenone, acetophenone, bisdialkylaminohensiphenone, etc. , quinones such as acedraquinone and phenanthraquinone, and sulfites such as hensyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide.
The photopolymerization sensitizer is desirably in a range of 01 to 10% by weight based on the solid content of the resin.

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
In order to cure a coating film containing such a photopolymerizable sensitizer and a radiation-curable compound using ultraviolet rays, various known methods may be used.

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
For example, an ultraviolet light bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.

このような保護膜6の上には、通常接着剤層7を介して
保護板8が設けられる。
A protective plate 8 is usually provided on the protective film 6 with an adhesive layer 7 interposed therebetween.

1−なわち、直配の基板2の裏面(磁性薄II!2層4
を設けていない側の面)側からのみ記録・再生を行う、
いわゆる片面記録の場合にのみ、この保護板8を用いる
1- That is, the back surface of the directly mounted substrate 2 (magnetic thin II!2 layer 4
Recording/playback is performed only from the side without
This protection plate 8 is used only in the case of so-called single-sided recording.

このような保護板8の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例シげ ボリエ千1ノ
ン ポリ現イヒビニル ポリスチレン、ポリプロピレン
、ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド
、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタ
ール、ふっ素樹脂等の各種照射りJ性樹脂、フェノール
樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケ
イ素樹脂等の各種熱IiT塑性樹脂等が使用可能である
The resin material of the protective plate 8 is not particularly required to have transparency, and may be made of various resins, such as polystyrene, polypropylene, polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide, polyester, etc. Various irradiated J-type resins such as vinylidene chloride, polycarbonate, polyacetal, and fluororesin, various thermal IiT plastic resins such as phenol resin, urea resin, unsaturated polyester resin, polyurethane, alkyd resin, melamine resin, epoxy resin, silicone resin, etc. is available.

なお、ガラス、セラミック等の各種!!l:機材質全材
質板8として用いてもよい。
In addition, various types of glass, ceramic, etc. ! l: All materials may be used as the plate 8.

このものの形状、寸法等は上記の基板2のそわとほぼ同
様とされる。
The shape, dimensions, etc. of this material are substantially the same as those of the substrate 2 described above.

このような保護板8は、前述したように接着剤層7を介
して接着される。 接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は1〜100μm程度
とされる。
Such a protection plate 8 is adhered via the adhesive layer 7 as described above. The adhesive layer is usually an adhesive such as hot melt resin, and has a thickness of about 1 to 100 μm.

他方、上記の保護板8を用いる代りに、上記の磁性薄1
112層4、保護層5.保護膜6等を打する基板をさら
に1セツト用いて、画題性薄+!A層を内側にして対向
させて、接着剤層7を用いて貼り合せて、内基板の裏面
側から−Fき込みを行なう、いわゆる両面記録タイプと
してもよい。
On the other hand, instead of using the above-mentioned protective plate 8, the above-mentioned magnetic thin film 1 is used.
112 layer 4, protective layer 5. By using one more set of substrates for applying the protective film 6, etc., the image quality is thinner! A so-called double-sided recording type may be used, in which the A layer is placed on the inside and the substrates are bonded together using the adhesive layer 7, and -F is recorded from the back side of the inner substrate.

さらに、これらの基板2や保護板8の裏面(Wl性薄膜
層4を設けていない側の面)には各種保護11Qとして
のハードコート層を設けることが好ましい。
Furthermore, it is preferable to provide a hard coat layer as various types of protection 11Q on the back surfaces of these substrates 2 and protection plates 8 (the surfaces on which the Wl thin film layer 4 is not provided).

ハードコート層の材質としては、重連した保護膜6の材
質と同様なものとしてもよい。
The material of the hard coat layer may be the same as that of the continuous protective film 6.

■ 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、樹脂性基板と磁性薄膜層と
の間に所定の窒素濃度分布をもつ窒化アルミニウム中間
層を有している。 そのため、記録、再生特性に優れ、
しかも磁性薄膜層の経時劣化も少ない。
(2) Effects of the Invention The magneto-optical recording medium of the present invention has an aluminum nitride intermediate layer having a predetermined nitrogen concentration distribution between the resinous substrate and the magnetic thin film layer. Therefore, it has excellent recording and playback characteristics,
Furthermore, there is little deterioration of the magnetic thin film layer over time.

特に、基板がポリカーボネート樹脂で形成される場合、
磁PN層の経時劣化はより少なくなる。  し    
り等に対する耐性もより一層向上する。
Especially when the substrate is made of polycarbonate resin,
Deterioration of the magnetic PN layer over time is less. death
Resistance to corrosion, etc. is also further improved.

■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
(2) Specific Examples of the Invention The present invention will be described in more detail below with reference to Examples.

[実施例1] 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールAiの
ポリカーボネート樹脂(分子量15000)からなる基
板上に、窒化アルミニウム中間層を反応性スパッタリン
グにより、!1さ700人に設層した。
[Example 1] An intermediate layer of aluminum nitride was formed on a substrate made of bisphenol Ai polycarbonate resin (molecular weight 15,000) with a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm by reactive sputtering! A total of 700 people were appointed.

なお、スパッタリングに際して、窒化アルミニウム中間
層に所定の窒素濃度分布を設けるために、窒素を含むA
r雰囲気中で、作動圧IPaにてA2をターゲットとし
て用い、窒素濃度を時間的に制御した。
Note that during sputtering, in order to provide a predetermined nitrogen concentration distribution in the aluminum nitride intermediate layer, nitrogen-containing A
A2 was used as a target at an operating pressure of IPa in an r atmosphere, and the nitrogen concentration was temporally controlled.

設層後、膜中の元素分析を、イオンエツチングしなから
オージェ分光分析にて行ったところ、基板側から膜厚の
l/4の位置までのN / A ILJQ:F比(×1
)は0.9であり、磁性薄1漠層側から1/4の位置ま
でのN/An原子比(X4 )は0.3であった。
After layer formation, elemental analysis in the film was performed using Auger spectroscopy without ion etching, and the N/A ILJQ:F ratio (×1
) was 0.9, and the N/An atomic ratio (X4) from the magnetic thin layer side to the 1/4th position was 0.3.

また1漠全体の平均N/Afi原子比(X)は0.6で
あった。
Moreover, the average N/Afi atomic ratio (X) of the whole area was 0.6.

この窒化アルミニウム中間層のうえに21aし% Tb
  、  68aL% Fe  、  7at% CO
、4aL%Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚
さ800人に設層し、磁性薄膜層とした。
On top of this aluminum nitride intermediate layer, 21% Tb
, 68aL% Fe, 7at% CO
, 4aL%Cr alloy thin film was deposited to a thickness of 800 mm by sputtering to form a magnetic thin film layer.

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、C
rチップをのせたものを用いた。
In addition, the target is Fe target with Tb, Co, and C.
The one with the r chip on it was used.

このi性薄膜層上にAfiNの保護層を膜厚1000人
にスパッタリンつて設層し、この保護層のうえに下記の
放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を保護膜としてス
ピンナーコートで設層した。
On this i-type thin film layer, a protective layer of AfiN was sputtered to a thickness of 1000 mm, and a coating composition containing the following radiation-curable compound was applied as a protective film on top of this protective layer by spinner coating. did.

(塗布組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤            5重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。
(Coating Composition) 100 parts by weight of polyfunctional oligoester acrylate 5 parts by weight of photosensitizer After the coating composition was formed, it was crosslinked and cured by irradiation with ultraviolet rays for 15 seconds to obtain a cured film.

この時のII!2JrAは5μmであった。II at this time! 2JrA was 5 μm.

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行った
。 さらに保護膜上に直径13cmのポリカーボネート
樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着し、本発明のサン
プルとした(サンプルNo、1)。 これに準じてサン
プルNo、  1の窒化アルミニウム中間層を下記表1
に示す窒素濃度分布をもつ窒化アルミニウム中間層とし
た以外は、No、  1の場合と同様にして各種サンプ
ルを作製した。
Note that a similar process was also performed on the back surface of the above substrate. Furthermore, a polycarbonate resin protective plate having a diameter of 13 cm was adhered onto the protective film using an adhesive to prepare a sample of the present invention (sample No. 1). According to this, the aluminum nitride intermediate layer of sample No. 1 was prepared in Table 1 below.
Various samples were prepared in the same manner as in case No. 1, except that the aluminum nitride intermediate layer had the nitrogen concentration distribution shown in FIG.

以上のサンプルについて、以下に示すような特性値を測
定した。
The following characteristic values were measured for the above samples.

(1)C/N比(保存劣化) 初期のC/N比と、60℃、90%RHにて1000時
間保存後のC/N比の変化量を下記の条件で6111定
した。
(1) C/N ratio (deterioration on storage) The initial C/N ratio and the amount of change in the C/N ratio after storage for 1000 hours at 60° C. and 90% RH were determined under the following conditions.

回転スピード         4 m / s e 
c搬送周波数         500KHz分解能 
           30KHz記録パワー(830
nm)     3〜4mW再生パワー(830nm)
       1mW(2)ピットエラーレート 初期と、60℃、90%RHにて1000時間保存後の
EFM信号のピットエラーレートを測定した。
Rotation speed 4 m/s e
cCarrier frequency 500KHz resolution
30KHz recording power (830
nm) 3~4mW reproduction power (830nm)
1 mW (2) Pit error rate The pit error rate of the EFM signal was measured at the initial stage and after storage for 1000 hours at 60° C. and 90% RH.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

表      1 表1に示される結果より、本発明の効果が明らかである
Table 1 From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

すなわち、No、  1 xNo、 4で示される本発
明のものは、X、がx4より太きく x + / X 
4が164以上、またXが0.4〜0.9であるので、
C/N比、ピットエラーレート、これらの保存後の値の
いずれも良好な結果を示す。 特にNo、 1〜No、
 3はXが0.5〜0.8、X 1 / X 4の値が
2〜4.5と好ましい範囲内にあるため、きわめてすぐ
れた結果を示す。
That is, in the case of the present invention indicated by No. 1 x No. 4, X is thicker than x4 x + /
Since 4 is 164 or more and X is 0.4 to 0.9,
The C/N ratio, pit error rate, and these values after storage all show good results. Especially No, 1~No,
No. 3 shows extremely excellent results because X is 0.5 to 0.8 and the value of X 1 /

さらに、No、  1とNo、 2は、X I/ X 
4が2.5〜3.5と最適範囲になるため、保存劣化の
防上効果はきわめて大きいことがわかる。
Furthermore, No. 1 and No. 2 are X I/X
4 is in the optimum range of 2.5 to 3.5, which indicates that the effect of preventing storage deterioration is extremely large.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の1例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 (・・・光磁気記録媒体、 2・・・基板、 3・・−窒化アルミニウム中間層、 4・・・磁性源l15!層、 5・・・保護層、 6・・・保護膜、 7・・・接着剤層、 8・・・保護板 出願人  ティーディーケイ株式会社 、−゛  ご、
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing one example of the present invention. Explanation of symbols (...magneto-optical recording medium, 2...substrate, 3...-aluminum nitride intermediate layer, 4...magnetic source l15! layer, 5...protective layer, 6...protective film , 7... Adhesive layer, 8... Protective plate applicant TDC Co., Ltd., -゛go,

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)樹脂製の基板上に窒化アルミニウムから形成され
る中間層を有し、この中間層上に希上類−遷移金属の磁
性薄膜層を有する光磁気記録媒体において、 上記中間層における基板側窒素含有量が磁性薄膜層側の
それと比べ大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
(1) In a magneto-optical recording medium that has an intermediate layer formed of aluminum nitride on a resin substrate, and a magnetic thin film layer of a rare class transition metal on the intermediate layer, the substrate side of the intermediate layer A magneto-optical recording medium characterized in that the nitrogen content is greater than that on the magnetic thin film layer side.
(2)窒化アルミニウム中間層の基板側から1/4まで
の位置の窒化アルミニウム中間層中のN/Al原子比が
、磁性薄膜層側から1/4までの位置の窒化アルミニウ
ム中間層中の N/Al原子比の1.4倍以上である特許請求の範囲第
1項に記載の光磁気記録媒体。
(2) The N/Al atomic ratio in the aluminum nitride intermediate layer at a position up to 1/4 from the substrate side of the aluminum nitride intermediate layer is lower than the N/Al atomic ratio in the aluminum nitride intermediate layer at a position up to 1/4 from the magnetic thin film layer side. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the atomic ratio of Al/Al is 1.4 times or more.
(3)窒化アルミニウム中間層の層全体の平均のN/A
l原子比が0.4〜0.9である特許請求の範囲第1項
または第2項に記載の光磁気記録媒体。
(3) Average N/A of the entire aluminum nitride intermediate layer
The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, wherein the l atomic ratio is from 0.4 to 0.9.
(4)樹脂製の基板がポリカーボネート樹脂である特許
請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光磁
気記録媒体。
(4) The magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin substrate is made of polycarbonate resin.
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