JPS62279805A - カルボン酸基含有ポリスルホン分離膜およびその製造方法 - Google Patents
カルボン酸基含有ポリスルホン分離膜およびその製造方法Info
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- JPS62279805A JPS62279805A JP12344486A JP12344486A JPS62279805A JP S62279805 A JPS62279805 A JP S62279805A JP 12344486 A JP12344486 A JP 12344486A JP 12344486 A JP12344486 A JP 12344486A JP S62279805 A JPS62279805 A JP S62279805A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/06—Organic material
- B01D71/66—Polymers having sulfur in the main chain, with or without nitrogen, oxygen or carbon only
- B01D71/68—Polysulfones; Polyethersulfones
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液状混合物の成分、特に海水およびカン水を
脱塩して淡水化することができる逆浸透膜や、コロイド
次元の浮遊粒子の分離に使用される限外濾過、精密濾過
膜として有用なカルボン酸基含有ポリスルホン分離膜に
関する。
脱塩して淡水化することができる逆浸透膜や、コロイド
次元の浮遊粒子の分離に使用される限外濾過、精密濾過
膜として有用なカルボン酸基含有ポリスルホン分離膜に
関する。
従来からポリスルホンおよびスルホン化ポリスルホンは
、逆浸透膜、限外濾過膜、精密濾過膜用素材として有効
であることが知られている。ここでいう膜はポリスルホ
ン又はスルホン化ポリスルホンを適当な溶媒に溶解し、
これをシート状にした後、浴中で凝固するか又は、高分
子支持体上にコーティングし、溶媒を蒸発させることに
よって形成せしめた膜である。このようにして得られた
逆浸透膜、限外濾過膜、精密濾過膜は熱水、加熱スチー
ム、酸、アルカリの他多くの薬品に絶える膜として開発
が進められている。
、逆浸透膜、限外濾過膜、精密濾過膜用素材として有効
であることが知られている。ここでいう膜はポリスルホ
ン又はスルホン化ポリスルホンを適当な溶媒に溶解し、
これをシート状にした後、浴中で凝固するか又は、高分
子支持体上にコーティングし、溶媒を蒸発させることに
よって形成せしめた膜である。このようにして得られた
逆浸透膜、限外濾過膜、精密濾過膜は熱水、加熱スチー
ム、酸、アルカリの他多くの薬品に絶える膜として開発
が進められている。
（発明が解決しようとする問題点〕
従来、ポリスルホン膜は、耐久性の優れた膜でおる事が
知られているが、その分離性能が低い点や、目づまりに
よる造水量の低下が問題であった。
知られているが、その分離性能が低い点や、目づまりに
よる造水量の低下が問題であった。
本発明者らは、イオン性基であるカルボン酸基をポリス
ルホン鎖に導入することによってアニオン性物質による
造水量低下を防ぐことを目的として鋭意検討した結果、
カルボン酸基を有するポリスルホン膜は、造水量が低下
する事なく目的物質を分離する事を見い出し本発明に到
達した。
ルホン鎖に導入することによってアニオン性物質による
造水量低下を防ぐことを目的として鋭意検討した結果、
カルボン酸基を有するポリスルホン膜は、造水量が低下
する事なく目的物質を分離する事を見い出し本発明に到
達した。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明は下記の構成からなる。
［（１） ポリスルホンからなる分離膜において、該
ポリスルホンの主鎖を構成するベンゼン環のいずれかの
位置にカルボン１１を有することを特徴とするカルボン
酸基含有ポリスルホン分離膜。
ポリスルホンの主鎖を構成するベンゼン環のいずれかの
位置にカルボン１１を有することを特徴とするカルボン
酸基含有ポリスルホン分離膜。
（２） カルボン酸基を有するポリスルホン分離膜の
製造方法において、ポリスルホンをアセチル化し、その
後ハロホルム反応によりアセチル基をカルボン酸基に変
換し分離膜とすることを特徴とするカルボン酸基含有ポ
リスルホン分離膜の製造方法。」 本発明により、工業的に生産されているポリスルホンに
イオン性基であるカルボンｌの導入が可能となりその結
果長期運転による造水量低下の原因となる目づまり物質
とカルボン酸基含有ポリスルホンとの電子的反発が起こ
り、目づまりによる造水量低下を防ぐことが可能となっ
た。
製造方法において、ポリスルホンをアセチル化し、その
後ハロホルム反応によりアセチル基をカルボン酸基に変
換し分離膜とすることを特徴とするカルボン酸基含有ポ
リスルホン分離膜の製造方法。」 本発明により、工業的に生産されているポリスルホンに
イオン性基であるカルボンｌの導入が可能となりその結
果長期運転による造水量低下の原因となる目づまり物質
とカルボン酸基含有ポリスルホンとの電子的反発が起こ
り、目づまりによる造水量低下を防ぐことが可能となっ
た。
本発明の一般式［Ｉ］、［ｎ］中のＲ１〜Ｒ１Ｂ、式［
ＩＩＩ］中のＲ１−Ｒ１゜、式［ＩＶ］中のＲ１−Ｒ８
のうちカルボン酸基以外の置換基として、水素、低級ア
ルキル基、アミノ基、アミノメチル基、アミノエチル基
、水酸基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、
クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモメチル基、ブ
ロモエチル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素、メトキシ基、エトキシ基、ス
ルホン酸基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基
などが挙げられるが、膜の分離性能を左右する水との親
和性および化合物の安定性から好ましくはスルホン酸基
および水素でおる。
ＩＩＩ］中のＲ１−Ｒ１゜、式［ＩＶ］中のＲ１−Ｒ８
のうちカルボン酸基以外の置換基として、水素、低級ア
ルキル基、アミノ基、アミノメチル基、アミノエチル基
、水酸基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、
クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモメチル基、ブ
ロモエチル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素、メトキシ基、エトキシ基、ス
ルホン酸基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基
などが挙げられるが、膜の分離性能を左右する水との親
和性および化合物の安定性から好ましくはスルホン酸基
および水素でおる。
式［１］、［ｎ］中のＲ１−Ｒ１６、式［Ｉ［］中のＲ
１−Ｒ１２、式［Ｎ］中のＲ１−Ｒ８の中で、水素以外
の置換基であるカルボン酸基は、１繰り返し巾位尚たり
平均０．０３〜３個のうちから任意に選ぶことができ、
膜の分離性能を考慮すると０．２〜１個であることが好
ましい。
１−Ｒ１２、式［Ｎ］中のＲ１−Ｒ８の中で、水素以外
の置換基であるカルボン酸基は、１繰り返し巾位尚たり
平均０．０３〜３個のうちから任意に選ぶことができ、
膜の分離性能を考慮すると０．２〜１個であることが好
ましい。
本発明においては、ポリスルホンは公知のいかなるもの
でおってもよいが、１例を示すと下記の如きものでおる
。
でおってもよいが、１例を示すと下記の如きものでおる
。
（ただし式［Ｉ］、［ｎ］中のＲ１〜ＲＩＢ、式［ＩＩ
Ｉ］中のＲ１〜Ｒ１□、式［ＩＶ］中のＲ１−Ｒ８のう
ち少なくとも１つはカルボキシル基を示す。）本発明に
おいて分離膜とする技術は、公知のいかなる装膜技術も
使用できる。たとえば、上記のカルボキシル化ホリスル
ホンをジメチルホルムアミドなどの溶媒に溶かしてキャ
スト液とし、これを布帛などの支持体のうえにキャスト
して脱溶媒する方法などである。
Ｉ］中のＲ１〜Ｒ１□、式［ＩＶ］中のＲ１−Ｒ８のう
ち少なくとも１つはカルボキシル基を示す。）本発明に
おいて分離膜とする技術は、公知のいかなる装膜技術も
使用できる。たとえば、上記のカルボキシル化ホリスル
ホンをジメチルホルムアミドなどの溶媒に溶かしてキャ
スト液とし、これを布帛などの支持体のうえにキャスト
して脱溶媒する方法などである。
本発明の式［Ｉ］〜［ＩＶ］の重合体は、好ましくは第
１段階において、前記一般式［Ｉ］、［］Ｉ］中のＲ１
−Ｒ１６、式［ＩＩＩ］中のＲ１−Ｒ１２、式［Ｉυコ
コ中Ｒ１−Ｒ８が全て水素原子であるポリスルホンに、
フリーデルクラフッ反応によりアセチル基を導入する。
１段階において、前記一般式［Ｉ］、［］Ｉ］中のＲ１
−Ｒ１６、式［ＩＩＩ］中のＲ１−Ｒ１２、式［Ｉυコ
コ中Ｒ１−Ｒ８が全て水素原子であるポリスルホンに、
フリーデルクラフッ反応によりアセチル基を導入する。
この時用いられる触媒としては各種のルイス酸、例えば
、塩化アルミニウム１、五塩化アンチモン、塩化第二鉄
、塩化第一鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、塩化第
二スズ、塩化ビスマス、塩化亜鉛、塩化水銀などが用い
られる仙、フッ化水素、硫酸、ポリリン酸なども用いら
れる。しかし、反応性を考慮すると塩化アルミニウムが
特に好ましいが、塩化第二スズ、塩化亜鉛もよく用いら
れる。）８媒としては、ニトロベンゼン、二硫化炭素、
ジクロロメタン、四塩化炭素、１．２−ジクロロエタン
が用いられるが、溶解性および反応性を考慮すると１．
２−ジクロロエタンが好ましい。第１段階で得られた、
アセチル化ポリスルホンは、第２段階における相間移動
反応によるハロホルム反応を行なう事によってカルボキ
シル基含有ポリスルホンを１ｑる。相間移動反応の触媒
としては、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、臭化テト
ラエチルアンモニウム、塩化プロピルアンモニウム、臭
化７１〜５７口ピルアンモニウム、硫酸水素テトラブチ
ルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモ
ニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、臭化テト
ラペンタアンモニウム、臭化テトラヘキサアンモニウム
、臭化テトラヘプタアンモニウム、臭化テトラオクタア
ンモニウムなどのアンモニウム塩が用いられるが、反応
性および取り扱い易さの点から臭化テトラブチルアンモ
ニウムが好ましい。この臭化テトラブチルアンモニウム
は、水相しか溶解しない次亜塩素酸イオンをアセチル化
ポリスルホンが溶解している有殿相へ移動させ、その為
にハロホルム反応を行なう事が可能となる。
、塩化アルミニウム１、五塩化アンチモン、塩化第二鉄
、塩化第一鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、塩化第
二スズ、塩化ビスマス、塩化亜鉛、塩化水銀などが用い
られる仙、フッ化水素、硫酸、ポリリン酸なども用いら
れる。しかし、反応性を考慮すると塩化アルミニウムが
特に好ましいが、塩化第二スズ、塩化亜鉛もよく用いら
れる。）８媒としては、ニトロベンゼン、二硫化炭素、
ジクロロメタン、四塩化炭素、１．２−ジクロロエタン
が用いられるが、溶解性および反応性を考慮すると１．
２−ジクロロエタンが好ましい。第１段階で得られた、
アセチル化ポリスルホンは、第２段階における相間移動
反応によるハロホルム反応を行なう事によってカルボキ
シル基含有ポリスルホンを１ｑる。相間移動反応の触媒
としては、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、臭化テト
ラエチルアンモニウム、塩化プロピルアンモニウム、臭
化７１〜５７口ピルアンモニウム、硫酸水素テトラブチ
ルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモ
ニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、臭化テト
ラペンタアンモニウム、臭化テトラヘキサアンモニウム
、臭化テトラヘプタアンモニウム、臭化テトラオクタア
ンモニウムなどのアンモニウム塩が用いられるが、反応
性および取り扱い易さの点から臭化テトラブチルアンモ
ニウムが好ましい。この臭化テトラブチルアンモニウム
は、水相しか溶解しない次亜塩素酸イオンをアセチル化
ポリスルホンが溶解している有殿相へ移動させ、その為
にハロホルム反応を行なう事が可能となる。
具体的な製造方法を以下に示す。
本発明の上記式［Ｉ］の共重合体は、例えば次の製造方
法に従って製造される。
法に従って製造される。
第１段階 １
第２段階
第１段階：２塩化エタンに溶解したポリスルホンに、塩
化アルミニウム存在下塩化アセ チルを反応させて、式［Ｂ］の化合物 を製造する。
化アルミニウム存在下塩化アセ チルを反応させて、式［Ｂ］の化合物 を製造する。
第２段階：式［Ｂ］の化合物を塩化メチレンに溶解し、
これを臭化テトラブチルアンモ ニウム水溶液と共に攪拌することによ って、式［Ｃ’］の化合物を製造する。
これを臭化テトラブチルアンモ ニウム水溶液と共に攪拌することによ って、式［Ｃ’］の化合物を製造する。
本発明で原料化合物として用いるポリスルホンは市販さ
れており（例えば、ユニオン・カーバイト社製の商品名
Ｕｄｅｌ Ｐ−１７００）容易に入手することができる
。
れており（例えば、ユニオン・カーバイト社製の商品名
Ｕｄｅｌ Ｐ−１７００）容易に入手することができる
。
上記した反応プロセスにより、前記式［Ｉ］のカルボキ
シル化ポリスルホンはもちろん、その他の共重合体（た
とえば式［■］、式［■］、式［１１１１１］などの共
重合体も製造することができる。
シル化ポリスルホンはもちろん、その他の共重合体（た
とえば式［■］、式［■］、式［１１１１１］などの共
重合体も製造することができる。
次に、同様の例についての実施例により本発明を更に詳
しく説明する。
しく説明する。
カルボキシル化ポリスルホンの前駆体であるアセチル化
ポリスルホンは参考例に示す方法によって合成した。
ポリスルホンは参考例に示す方法によって合成した。
参考例１
■ アセチル化ポリスルホンの合成
窒素気流下、４．３０Ｃ］の塩化アセチルをジクロロエ
タンに溶解し、更に７．’１１ＣＪの塩化アルミニウム
を溶解した。この溶液を、窒素気流下、１１、ＯＯｇ、
ポリスルホン（ユニオン・カーバイト社製の商品名Ｕｄ
ｅｌ Ｐ−１７００）のジクロロエタン溶液１００ｍ１
中に、滴下した。この時の溶液温度は、３℃であった。
タンに溶解し、更に７．’１１ＣＪの塩化アルミニウム
を溶解した。この溶液を、窒素気流下、１１、ＯＯｇ、
ポリスルホン（ユニオン・カーバイト社製の商品名Ｕｄ
ｅｌ Ｐ−１７００）のジクロロエタン溶液１００ｍ１
中に、滴下した。この時の溶液温度は、３℃であった。
更に４°Ｃで７０分間攪拌した後に、反応溶液を１αの
メタノール中に注いだ、析出した白色沈澱を１戸別し、
更に、４５℃／ ２ ｍｍＨｇの条件下で乾燥を行なっ
た。
メタノール中に注いだ、析出した白色沈澱を１戸別し、
更に、４５℃／ ２ ｍｍＨｇの条件下で乾燥を行なっ
た。
収徂＝１１．５２に］
■ 分析結果
赤外吸収：’１６８０，１５８２，１２５０゜１ ’１
４５ｃｍ−１ 核磁気共鳴（ＣＤ（４３，ＴＭＳ）：δ７，８９８〜６
．８８０ （ｍ＞、２．５１１ （Ｓ）、１．６９２ （Ｓ）ｐｐｍ 核磁気共鳴スペクトル分析より、１．３８ｍｍｏｌ／ｇ
アセチル化されている。
４５ｃｍ−１ 核磁気共鳴（ＣＤ（４３，ＴＭＳ）：δ７，８９８〜６
．８８０ （ｍ＞、２．５１１ （Ｓ）、１．６９２ （Ｓ）ｐｐｍ 核磁気共鳴スペクトル分析より、１．３８ｍｍｏｌ／ｇ
アセチル化されている。
カルボキシル化ポリスルホンは、実施例１，２で示す方
法によって合成した。
法によって合成した。
実施例１
アセチル化ポリスルホン１．ＯＯＣ］を１００ｍ１のジ
オキサンに溶解し、そこに市販次亜塩素酸ナトリウム水
溶液（２０ｍｌ）を滴下し、その後６０°Ｃで３時間加
熱した。反応溶液を酸性にしてから４００ｍ１の水中に
沈澱した後、）戸別し、これを再び１００１ｉ１１のジ
オキサンに溶かした後に２０ｍ１の次亜塩素酸ナトリウ
ムを滴下した。６０℃で１時間加熱すると２相に分離し
たので有機相を分離した。更に５０ｍ１の次亜塩素酸ナ
トリウム水滴液を滴下し、６０’Ｃで１時間加熱したと
ころ、不溶性の化合物が得られたので、溶液を酸性にし
た後に戸別、乾燥した。赤外吸収スペクトルは第１図に
示す。
オキサンに溶解し、そこに市販次亜塩素酸ナトリウム水
溶液（２０ｍｌ）を滴下し、その後６０°Ｃで３時間加
熱した。反応溶液を酸性にしてから４００ｍ１の水中に
沈澱した後、）戸別し、これを再び１００１ｉ１１のジ
オキサンに溶かした後に２０ｍ１の次亜塩素酸ナトリウ
ムを滴下した。６０℃で１時間加熱すると２相に分離し
たので有機相を分離した。更に５０ｍ１の次亜塩素酸ナ
トリウム水滴液を滴下し、６０’Ｃで１時間加熱したと
ころ、不溶性の化合物が得られたので、溶液を酸性にし
た後に戸別、乾燥した。赤外吸収スペクトルは第１図に
示す。
実施例２
２００ｆｆ１１３つロフラスコに、次亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液３Ｑｍｌ、０．５００の臭化テトラブチルアン
モニウムそれに、３０ｍ１の塩化メチレンに溶解した０
、５０に］のアシル化ポリスルホンを入れ、空温で激し
く澄拌した。反応溶液をビー力に移し、２０ｍ１の塩化
メチレンと２Ｑｍｌの水を加えた。亜硫酸水素ナトリウ
ムを加えた後に、１ＮＨＣ０，で水相を酸性にした。有
機相を分離後、ｎ−ヘキサンで再沈澱すると白色粉末が
析出したのでこれを戸別、乾燥した。イオン交換容量は
、１．０５ｍｅＱ／ｇ＜１繰り返し単位当たり０．３個
）であった。得られたポリマの赤外吸収スペクトルを第
２図に示す。実施例２で得られたカルボン酸基含有ポリ
スルホン化合物の製膜法を実施例３に示す。
ム水溶液３Ｑｍｌ、０．５００の臭化テトラブチルアン
モニウムそれに、３０ｍ１の塩化メチレンに溶解した０
、５０に］のアシル化ポリスルホンを入れ、空温で激し
く澄拌した。反応溶液をビー力に移し、２０ｍ１の塩化
メチレンと２Ｑｍｌの水を加えた。亜硫酸水素ナトリウ
ムを加えた後に、１ＮＨＣ０，で水相を酸性にした。有
機相を分離後、ｎ−ヘキサンで再沈澱すると白色粉末が
析出したのでこれを戸別、乾燥した。イオン交換容量は
、１．０５ｍｅＱ／ｇ＜１繰り返し単位当たり０．３個
）であった。得られたポリマの赤外吸収スペクトルを第
２図に示す。実施例２で得られたカルボン酸基含有ポリ
スルホン化合物の製膜法を実施例３に示す。
実施例３
タテ３０ｃｍ、ヨコ２０ｃｍの大きさのポリエステル繊
維からなる不織布をガラス板上に固定し、その上にポリ
スルホン（ユニオン・カーム４１〜社製）Ｕｄｅｌ Ｐ
−３５００）とカルボン酸基含有ポリスルホン化合物を
６：４（ｆｆｌｉ比）の割合で含む１６重伍％ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）溶液を２５０μｍの厚みで空温
（２０’Ｃ）でキャストし、ただちに純水中に浸漬して
５分間放置することによって繊維補強ポリスルホン膜を
作製した。このようにして得られた膜を、温度２５°Ｃ
１圧力５に９／ｍ２、原水１１０００ｐｌ）ポリエチレ
ングリコール（ＰＥＧ−１０００００）水溶液で運転開
始３時間後と２１時間後のポリエチレングリコール排除
率と造水量を第１表に示す。
維からなる不織布をガラス板上に固定し、その上にポリ
スルホン（ユニオン・カーム４１〜社製）Ｕｄｅｌ Ｐ
−３５００）とカルボン酸基含有ポリスルホン化合物を
６：４（ｆｆｌｉ比）の割合で含む１６重伍％ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）溶液を２５０μｍの厚みで空温
（２０’Ｃ）でキャストし、ただちに純水中に浸漬して
５分間放置することによって繊維補強ポリスルホン膜を
作製した。このようにして得られた膜を、温度２５°Ｃ
１圧力５に９／ｍ２、原水１１０００ｐｌ）ポリエチレ
ングリコール（ＰＥＧ−１０００００）水溶液で運転開
始３時間後と２１時間後のポリエチレングリコール排除
率と造水量を第１表に示す。
比較例
タテ３Ｑｃｍ、ヨコ２０ｃｍの大きさのポリエステル繊
維からなる不織布をガラス板上に固定し、その上にポリ
スルホン（ユニオン・カーバイト社製の商品名Ｕｄｅｌ
Ｐ−１７００）の１５＠０％ジメチルホルムアミド（
ＤＭＦ＞溶液を２００μｍの厚みで空温（２０’Ｃ）で
キャストし、ただちに純水中に浸漬して５分間放置する
ことによって繊維補強ポリスルホン膜を得た。このよう
にして得られたポリスルホン膜を実施例と同様の方法に
よって評価を行なった。その結果を第１表に示す。
維からなる不織布をガラス板上に固定し、その上にポリ
スルホン（ユニオン・カーバイト社製の商品名Ｕｄｅｌ
Ｐ−１７００）の１５＠０％ジメチルホルムアミド（
ＤＭＦ＞溶液を２００μｍの厚みで空温（２０’Ｃ）で
キャストし、ただちに純水中に浸漬して５分間放置する
ことによって繊維補強ポリスルホン膜を得た。このよう
にして得られたポリスルホン膜を実施例と同様の方法に
よって評価を行なった。その結果を第１表に示す。
第１表
第１表において膜性能を示す数字は、
［排除率（％）−造水＠（ｍ３／ｍ２・日〉１の形式％
式％ （発明の効果〕 本発明により、市販されている化合物を用いてカルボン
酸基含有ポリスルホンを容易に供給することができるよ
うになる。このカルボン酸基含有ポリスルホンは製膜す
ることにより、良好な分離膜性能を示し、運転時間によ
り造水量の低下する事のない膜を製造することができる
。
式％ （発明の効果〕 本発明により、市販されている化合物を用いてカルボン
酸基含有ポリスルホンを容易に供給することができるよ
うになる。このカルボン酸基含有ポリスルホンは製膜す
ることにより、良好な分離膜性能を示し、運転時間によ
り造水量の低下する事のない膜を製造することができる
。
第１図は本発明の実施例１のカルボン酸基含有ポリスル
ホンの赤外吸収スペクトルを示す。 第２図は本発明の実施例２のカルボン酸基含有ポリスル
ホンの赤外吸収スペクトルを示す。 特許出願人 東 し 株 式 会 社１２図
ホンの赤外吸収スペクトルを示す。 第２図は本発明の実施例２のカルボン酸基含有ポリスル
ホンの赤外吸収スペクトルを示す。 特許出願人 東 し 株 式 会 社１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ポリスルホンからなる分離膜において、該ポリス
ルホンの主鎖を構成するベンゼン環のいずれかの位置に
カルボン酸基を有することを特徴とするカルボン酸基含
有ポリスルホン分離膜。 （２）ポリスルホンが、下記式［ I ］〜［IV］から選
ばれることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
のカルボン酸基含有ポリスルホン分離膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］ （ただし式［ I ］、［II］中のＲ＿１〜Ｒ＿１＿６、
式［III］中のＲ＿１〜Ｒ＿１＿２、式［IV］中のＲ＿
１〜Ｒ＿８のうち少なくとも１つはカルボキシル基を示
す。）（３）カルボン酸基が、ポリスルホンの１繰り返
し単位当り０．０３〜３個であることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載のカルボン酸基含有ポリスル
ホン分離膜。 （４）カルボン酸基が、ポリスルホンの１繰り返し単位
当り０．２〜１個であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載のカルボン酸基含有ポリスルホン分離
膜。 （５）カルボン酸基を有するポリスルホン分離膜の製造
方法において、ポリスルホンをアセチル化し、その後ハ
ロホルム反応によりアセチル基をカルボン酸基に変換し
分離膜とすることを特徴とするカルボン酸基含有ポリス
ルホン分離膜の製造方法。 （６）アセチル化触媒がルイス酸から選ばれることを特
徴とする特許請求の範囲第（５）項記載のカルボン酸基
含有ポリスルホン分離膜の製造方法。 （７）アセチル化触媒が、塩化アルミニウムまたは塩化
第二スズから選ばれることを特徴とする特許請求の範囲
第（５）項記載のカルボン酸基含有ポリスルホン分離膜
の製造方法。 （８）ハロホルム反応が、テトラアルキルアンモニウム
塩を触媒とし、アルカリハイポハライトを相間移動反応
によって反応させることを特徴とする特許請求の範囲第
（５）項記載のカルボン酸基含有ポリスルホン分離膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12344486A JPS62279805A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | カルボン酸基含有ポリスルホン分離膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12344486A JPS62279805A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | カルボン酸基含有ポリスルホン分離膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279805A true JPS62279805A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14860752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12344486A Pending JPS62279805A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | カルボン酸基含有ポリスルホン分離膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62279805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1099468A3 (de) * | 1999-11-10 | 2002-04-24 | DEUTSCHE INSTITUTE FÜR TEXTIL- UND FASERFORSCHUNG STUTTGART Stiftung des öffentlichen Rechts | Mikroporöse hydrophile Membran |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12344486A patent/JPS62279805A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1099468A3 (de) * | 1999-11-10 | 2002-04-24 | DEUTSCHE INSTITUTE FÜR TEXTIL- UND FASERFORSCHUNG STUTTGART Stiftung des öffentlichen Rechts | Mikroporöse hydrophile Membran |
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