JPS62275790A - 薄膜電磁変換器 - Google Patents
薄膜電磁変換器Info
- Publication number
- JPS62275790A JPS62275790A JP61119311A JP11931186A JPS62275790A JP S62275790 A JPS62275790 A JP S62275790A JP 61119311 A JP61119311 A JP 61119311A JP 11931186 A JP11931186 A JP 11931186A JP S62275790 A JPS62275790 A JP S62275790A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- coil
- card
- magnetic flux
- thin
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜電磁変換器に係り、特に半導体メモリを内
蔵したカード内に設けられる薄膜電磁変換器に関する。
蔵したカード内に設けられる薄膜電磁変換器に関する。
（従来の技術）
近年情報巳の増加に伴ない大量の情報を記憶するＨＥの
開発が進められている。このため、例えばクレジットカ
ード等のカードにおいても、磁気ストライブの代わりに
半導体メモリを内蔵させて、記憶する情報旦を多くする
ことが試みられている。この場合、半導体メモリと読み
取り装置間の信号の授受の方法として、従来はカード側
の端子と読み取り装置側の端子とを接触させて信号の授
受を行なっていた。しかしながらこの方法によると芸域
的接触の信頼性に問題があった。そこでこの問題を解決
するためカード上に電磁変換器を設けて、カードと読み
取り装置の間で非接触で磁気的に信号の授受を行なう方
法が提案されている。
開発が進められている。このため、例えばクレジットカ
ード等のカードにおいても、磁気ストライブの代わりに
半導体メモリを内蔵させて、記憶する情報旦を多くする
ことが試みられている。この場合、半導体メモリと読み
取り装置間の信号の授受の方法として、従来はカード側
の端子と読み取り装置側の端子とを接触させて信号の授
受を行なっていた。しかしながらこの方法によると芸域
的接触の信頼性に問題があった。そこでこの問題を解決
するためカード上に電磁変換器を設けて、カードと読み
取り装置の間で非接触で磁気的に信号の授受を行なう方
法が提案されている。
この方法の一例としてカード内にスパイラル状に形成さ
れた薄膜またはシートコイルから成る電磁変換器を設け
たものがおる。
れた薄膜またはシートコイルから成る電磁変換器を設け
たものがおる。
ところで半導体メモリを内蔵したカードを現行の磁気ス
トライブを有するカードに代えて使用する場合、現行の
読み取り装置でも使用できることが望まれる。この場合
、現行の読み取り装置に用いられている再生ヘッドは、
その一部を切り欠いたリング状コアに信号検出用コイル
を巻回した型のものであり、効率よく信号を検出するた
めには、切り欠いた空隙部の一端からコアに流入する磁
束が途中で外部へ洩れることなくコア中を流れ、前記空
隙部における他の一端へ向かうようなリターンパスを形
成する必要がある。
トライブを有するカードに代えて使用する場合、現行の
読み取り装置でも使用できることが望まれる。この場合
、現行の読み取り装置に用いられている再生ヘッドは、
その一部を切り欠いたリング状コアに信号検出用コイル
を巻回した型のものであり、効率よく信号を検出するた
めには、切り欠いた空隙部の一端からコアに流入する磁
束が途中で外部へ洩れることなくコア中を流れ、前記空
隙部における他の一端へ向かうようなリターンパスを形
成する必要がある。
しかしながら従来の電磁変換器はカード内の基板上に薄
膜コイルまたはシートコイルのみを直接設けたものであ
り、このコイル近傍へ再び磁束を戻す強制的なリターン
パスは形成されていなかった。このため現行の読み取り
装置で読み取る場合発生した磁束は読み取り装置の再生
ヘッドへ流入するが、途中で外部へ洩れる割合が多く、
再生ヘッドに巻回された検出コイルに所定の大きざの信
号を生じざぜるためには大きな起電力を必要とし、効率
が悪いという問題があった。
膜コイルまたはシートコイルのみを直接設けたものであ
り、このコイル近傍へ再び磁束を戻す強制的なリターン
パスは形成されていなかった。このため現行の読み取り
装置で読み取る場合発生した磁束は読み取り装置の再生
ヘッドへ流入するが、途中で外部へ洩れる割合が多く、
再生ヘッドに巻回された検出コイルに所定の大きざの信
号を生じざぜるためには大きな起電力を必要とし、効率
が悪いという問題があった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はカードに内蔵される基板上に薄膜電磁変換器を
設けて同じくカードに内蔵された半導体メモリから情報
を読み取る場合、従来の電磁変換器において問題であっ
たリターンパスが形成されず磁束が途中で外部に洩れる
割合が多いという問題を解決し、従来のカード読み取り
装置を使用しても効率良くカードに内蔵されたメモリ中
の情報を取り出すことのできる薄膜電磁変換器を提供す
ることを目的とする。
設けて同じくカードに内蔵された半導体メモリから情報
を読み取る場合、従来の電磁変換器において問題であっ
たリターンパスが形成されず磁束が途中で外部に洩れる
割合が多いという問題を解決し、従来のカード読み取り
装置を使用しても効率良くカードに内蔵されたメモリ中
の情報を取り出すことのできる薄膜電磁変換器を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記の目的を達成するために、半導体メモリを
内蔵したカードに内蔵される基板表面に軟磁性材料より
なる薄膜を形成し、この薄膜上にスパイラル状の薄膜コ
イルを形成して薄膜電磁変換器を構成したものである。
内蔵したカードに内蔵される基板表面に軟磁性材料より
なる薄膜を形成し、この薄膜上にスパイラル状の薄膜コ
イルを形成して薄膜電磁変換器を構成したものである。
（作用）
上記の構成によると、基板上に形成されたコイルの中心
に発生した磁束が、このコイル近傍に再び強制的に戻さ
れるため、読み取り装置の再生ヘッドへ流入した磁束は
この再生ヘッドのコアを流れ、再びコイル近傍へ向う。
に発生した磁束が、このコイル近傍に再び強制的に戻さ
れるため、読み取り装置の再生ヘッドへ流入した磁束は
この再生ヘッドのコアを流れ、再びコイル近傍へ向う。
従って、再生へラドコアからの磁束の洩れは少なく効率
よく信号が検出できる。
よく信号が検出できる。
（実施例）
以下、本発明に係る薄膜電磁変換器の一実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図に本発明の一実施例の構造を示す。図において、
カードに内蔵される基板１上に高透磁率を有する軟磁性
体の薄膜２が形成されており、この薄膜２上に絶縁ｌ１
１３が形成されている。この絶縁膜３上にはスパイラル
状に巻かれた薄膜コイル４が形成されており、コイル４
の両端のコイル端子５ａ、５ｂを介して基板１に内蔵さ
れた図示せぬ半導体メモリに接続されている。
カードに内蔵される基板１上に高透磁率を有する軟磁性
体の薄膜２が形成されており、この薄膜２上に絶縁ｌ１
１３が形成されている。この絶縁膜３上にはスパイラル
状に巻かれた薄膜コイル４が形成されており、コイル４
の両端のコイル端子５ａ、５ｂを介して基板１に内蔵さ
れた図示せぬ半導体メモリに接続されている。
次に本実施例の作用を第２図及び第３図を参照して説明
する。第２図において、６はコイル４に流れる信号電流
により生じた磁束であり、高透磁率を有する薄膜２どの
間に図示するような磁路が形成される。そしてコイル４
の中心に生じた磁束はこの近傍で強制的に薄膜２へ向う
ような磁路となる。
する。第２図において、６はコイル４に流れる信号電流
により生じた磁束であり、高透磁率を有する薄膜２どの
間に図示するような磁路が形成される。そしてコイル４
の中心に生じた磁束はこの近傍で強制的に薄膜２へ向う
ような磁路となる。
このように構成された本実施例によるＮ磁度換器の上方
に、第３図に示すようにコイル７が巻回された読み取り
用再生へラドコア８を配置すると、コイル４により矢印
へ方向に生じた磁束６はヘッドコア８に入る。このヘッ
ドコア８を流れる磁束６は高透磁率の基板２へ向うため
へラドコア８を流れる間の磁束６の外部への洩れは小さ
い。すなわちコイル４の内側に発生した磁束６の大部分
はヘッドコア８を通り簿膜２へ向うバスを形成するため
、４検出用コイル７を効率よく貫くことになる。
に、第３図に示すようにコイル７が巻回された読み取り
用再生へラドコア８を配置すると、コイル４により矢印
へ方向に生じた磁束６はヘッドコア８に入る。このヘッ
ドコア８を流れる磁束６は高透磁率の基板２へ向うため
へラドコア８を流れる間の磁束６の外部への洩れは小さ
い。すなわちコイル４の内側に発生した磁束６の大部分
はヘッドコア８を通り簿膜２へ向うバスを形成するため
、４検出用コイル７を効率よく貫くことになる。
本実施例によれば、コイル４の中心に発生した磁束６が
再生へラドコア８内を通って高透磁率簿膜２へ向うため
、ヘッドコア８からの磁束の洩れは小ざく、カードに内
蔵されたメモリ中の情報を効率よく検出することができ
る。
再生へラドコア８内を通って高透磁率簿膜２へ向うため
、ヘッドコア８からの磁束の洩れは小ざく、カードに内
蔵されたメモリ中の情報を効率よく検出することができ
る。
本実施例ではコイル４を絶縁膜３を介して高透磁率薄膜
２上に形成した場合について説明したが、薄膜２がフェ
ライトのような比抵抗の大きい材料で形成された場合は
絶縁膜３は必要なく、直接薄膜２上にコイル４を形成し
てもよい。
２上に形成した場合について説明したが、薄膜２がフェ
ライトのような比抵抗の大きい材料で形成された場合は
絶縁膜３は必要なく、直接薄膜２上にコイル４を形成し
てもよい。
［発明の効果］
上述したように本発明によれば、半導体メモリを内蔵し
たカードに内蔵される基板の表面に、軟磁性材料よりな
る高透磁率の薄膜を形成し、この薄膜上にスパイラル状
の薄膜コイルを形成して薄膜電磁変換器を構成したので
、読み取り用再生へラドコアからの磁束の洩れは小さく
、従来のカード読み取り装置を使用しても効率よくカー
ドに内蔵されたメモリ中の゛清報を読み出すことができ
る。
たカードに内蔵される基板の表面に、軟磁性材料よりな
る高透磁率の薄膜を形成し、この薄膜上にスパイラル状
の薄膜コイルを形成して薄膜電磁変換器を構成したので
、読み取り用再生へラドコアからの磁束の洩れは小さく
、従来のカード読み取り装置を使用しても効率よくカー
ドに内蔵されたメモリ中の゛清報を読み出すことができ
る。
第１図は本発明に係る薄膜電磁変換器の一実施例を示す
斜視図、第２図及び第３図は第１図に示す薄膜電磁変換
器の作用を示す模式図である。 １・・・カード状基板 ２・・・軟磁性体簿膜 ４・・・コイル 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 宇治 弘
斜視図、第２図及び第３図は第１図に示す薄膜電磁変換
器の作用を示す模式図である。 １・・・カード状基板 ２・・・軟磁性体簿膜 ４・・・コイル 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 宇治 弘
Claims (1)
- 半導体メモリを内蔵したカードに内蔵される基板の表面
に軟磁性材料よりなる薄膜を形成し、この薄膜上にスパ
イラル状の薄膜コイルを形成したことを特徴とする薄膜
電磁変換器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119311A JPS62275790A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 薄膜電磁変換器 |
| US07/053,758 US4818853A (en) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Data card with inductive signal transfer device |
| EP87304623A EP0249356B1 (en) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Data card with inductive signal transfer device |
| DE8787304623T DE3771588D1 (de) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Datenkarte mit induktiver signaluebertragungseinrichtung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119311A JPS62275790A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 薄膜電磁変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275790A true JPS62275790A (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=14758296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119311A Pending JPS62275790A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 薄膜電磁変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62275790A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390371U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| JP2010025891A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 加速度センサ及びサーボ型加速度計 |
| JP2014095742A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Toppan Forms Co Ltd | 情報表示媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176188A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体カ−ド |
| JPS60211582A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃカ−ド結合方式 |
| JPS61283981A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-13 | Nippon Denzai Kogyo Kenkyusho:Kk | 集積回路カ−ド |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61119311A patent/JPS62275790A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176188A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体カ−ド |
| JPS60211582A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃカ−ド結合方式 |
| JPS61283981A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-13 | Nippon Denzai Kogyo Kenkyusho:Kk | 集積回路カ−ド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390371U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| JP2010025891A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 加速度センサ及びサーボ型加速度計 |
| JP2014095742A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Toppan Forms Co Ltd | 情報表示媒体 |
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