JPS6223087A - Display elememt - Google Patents
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- JPS6223087A JPS6223087A JP16124985A JP16124985A JPS6223087A JP S6223087 A JPS6223087 A JP S6223087A JP 16124985 A JP16124985 A JP 16124985A JP 16124985 A JP16124985 A JP 16124985A JP S6223087 A JPS6223087 A JP S6223087A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電極を有する基板間に電気光学媒体を挟持して
なる表示素子に関するものであり、特に電極を構成する
導電性薄膜の少なくとも一部が絶縁膜をはさみ三層構造
を有している表示素子に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a display element comprising an electro-optic medium sandwiched between substrates having electrodes, and particularly relates to a display element having an electro-optic medium sandwiched between substrates having electrodes. The present invention relates to a display element having a three-layer structure with an insulating film sandwiched therebetween.
[従来の技術]
最近OA機器端末やポータプルテレビ等への要求から薄
形ディスプレイ開発が盛んに行われている。その中でも
大容量グラフィック表示に対応するために行列状に電極
を配置した情報表示装置においては、前記電極交差点部
に能動素子を配して駆動を行うアクティブマトリクス方
式と能動素子を配せずに高デユーティ−の駆動を行なう
方式の2種類が研究されている。これらの向後者の方式
は既にパーソナルコンビューター、ワードブロセーツサ
ー等に使用されてい偽が、表示字数が増加すると表示品
位が低下するという問題点を有し、前者は多数の能動素
子を欠陥なしに製造することが困難なため実用化の展開
は遅れている。[Prior Art] Recently, development of thin displays has been actively conducted due to demands for office automation equipment terminals, portable televisions, and the like. Among these, in information display devices in which electrodes are arranged in rows and columns in order to support large-capacity graphic displays, there are two types of information display devices: an active matrix method in which active elements are arranged at the intersections of the electrodes, and a high Two types of methods for driving the duty are being studied. These latter methods are already used in personal computers, word browsers, etc., but they have the problem that display quality deteriorates as the number of displayed characters increases, and the former method causes many active elements to become defective. Practical implementation has been delayed because it is difficult to manufacture without.
[発明の解決しようとする問題点1
このような能動素子を用いない表示素子の場合において
は、表示画素数が多くなると引き出される端子数が増加
し、またはリード線として使用される導電性薄膜の基板
上での引き回しが複雑となり、導電性SSを絶縁層をは
さんで2層に配線するようにして配線の自由度を向上さ
せることが望まれており、このためにこの上の導電性薄
膜と下の導電性薄膜の容易な導電接続方法が望まれてい
た・・
また、能動素子を用いる表示素子の場合においては、視
認性の良い高密度情報表示が可能となるが、導電性薄膜
を絶縁膜をはさみ積層してその一部で上下の導電性薄膜
の導電接続をとる必要がある。さらにこの場合には、1
画素に少なくとも1個の割合で能動素子が必要なため数
多くの能動素子を無欠陥で作る事は非常に困難な事であ
り、この欠陥を補修するためにも上下の導電性薄膜の導
電接続をとる必要がある。[Problem to be Solved by the Invention 1] In the case of a display element that does not use such an active element, as the number of display pixels increases, the number of terminals to be drawn out increases, or the number of conductive thin films used as lead wires increases. As wiring on the substrate becomes complicated, it is desired to increase the degree of freedom in wiring by wiring conductive SS in two layers with an insulating layer in between. In addition, in the case of display elements using active elements, it is possible to display high-density information with good visibility, but it is not possible to connect the conductive thin film underneath. It is necessary to sandwich and stack insulating films, and use a portion of the insulating films to conductively connect the upper and lower conductive thin films. Furthermore, in this case, 1
Since at least one active element is required for each pixel, it is extremely difficult to produce a large number of active elements without defects, and in order to repair these defects, conductive connections between the upper and lower conductive thin films are required. I need to take it.
[問題点を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、絶縁性基板上に電極を配した基板を用い、該一対の
基板間に電気光学媒体を挟持してなる表示素子において
、該基板の少なくとも一方の基板の電極の一部が絶縁膜
をはさみ、上下が導電性f11膜とからなる三層構造の
部分を有し、該三層構造の部分の少なくとも一部がレー
ザ照射により上下方向の導通がとられている構造を有す
ることを特徴とする表示素子である。[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and uses a substrate in which electrodes are arranged on an insulating substrate, and an electro-optic medium is placed between the pair of substrates. A display element having a three-layer structure in which a part of the electrode of at least one of the substrates sandwiches an insulating film and conductive F11 films on the upper and lower sides; This is a display element characterized by having a structure in which at least a part of the portion is vertically electrically connected by laser irradiation.
本発明は、絶縁膜をはさみ上下が導電性薄膜とからなる
三層構造の部分を有し、該三層構造の部分の少なくとも
一部の部分でレーザにより上下方向の導通を取ることに
よって、電気的に導電接続することを特徴としている。The present invention has a three-layer structure consisting of an insulating film and a conductive thin film on the upper and lower sides, and conducts electricity in the vertical direction using a laser in at least a part of the three-layer structure. It is characterized by a conductive connection.
ここで本方式による接続法の簡単な説明を加える。3層
構造部分の断面図を第1図(a)に示す、(1)はガラ
ス基板、 (2)、 (4)は導電性薄膜を、(3)は
絶縁膜を示す。この構造の基板に対し上方からレーザを
照射すると、(b)に示すような形状になる。この時上
部もしくは、下部の導電性材料が絶縁膜露出面を覆い、
上下の導電性薄膜の導通が取れるようになる。この導電
接続は洗浄工程、通電試験等にも安定であり、信頼性の
良い導電接続が可能となり、かつ絶縁膜の特定位置に例
えばコンタクトホールのような穴をあらかじめ形成する
ためのマスクを必要としなく、生産性がよいとともに、
導電接続をとる位置が変化してもレーザ照射の位置を変
化させるだけでよいため、多くの品種の生産や場所が決
まっていない不良箇所の修理に適している。A brief explanation of the connection method using this method will be added here. A cross-sectional view of the three-layer structure is shown in FIG. 1(a), where (1) shows the glass substrate, (2) and (4) the conductive thin films, and (3) the insulating film. When a substrate with this structure is irradiated with a laser from above, it becomes shaped as shown in (b). At this time, the upper or lower conductive material covers the exposed surface of the insulating film,
Conductivity can be established between the upper and lower conductive thin films. This conductive connection is stable during cleaning processes, current tests, etc., and enables reliable conductive connection, and does not require a mask to form a hole, such as a contact hole, in a specific position in the insulating film. Not only is productivity good, but
Even if the position of the conductive connection changes, it is only necessary to change the position of the laser irradiation, so it is suitable for the production of many types of products and for repairing defective parts whose locations have not been determined.
この不良箇所の修理のためには、不良箇所を有する導電
性薄膜と接続されていない補助配線を形成しておき、こ
れをバイパスとして使用することが好ましく、基板上の
所望箇所に本来の導電性薄膜には接続されていない補助
配線を形成しておき、不良箇所が生じた時には、この不
良箇所を切断等により削除した後、この補助配線を使用
して本来の機能をはたさせることができる。またこの補
助配線は、導電性薄膜を絶縁膜をはさんで製造する構造
をとる場合には、それらの導電性薄膜のうちいずれか一
方の導電性薄膜と同時に形成できるので、工程的には増
やさずに修復機能を付加しているばかりでなく、あらか
じめ接続しやすいようにパターン形状を工夫して種々の
欠陥に対応できるように補助配線を配しておくことで、
この方法をより容易で確実なものにすることができると
いった特徴を有する。In order to repair this defective area, it is preferable to form an auxiliary wiring that is not connected to the conductive thin film that has the defective area and use this as a bypass. Auxiliary wiring that is not connected to the thin film is formed, and when a defective point occurs, this defective point can be removed by cutting, etc., and then this auxiliary wiring can be used to perform its original function. . In addition, when manufacturing a structure in which a conductive thin film is sandwiched between insulating films, this auxiliary wiring can be formed at the same time as one of the conductive thin films, so there is no need to increase the number of manufacturing steps. Not only does it have a repair function without any defects, but the pattern shape is devised in advance to make it easier to connect, and auxiliary wiring is arranged to deal with various defects.
This method has the characteristics of making this method easier and more reliable.
例えば、一方の基板にセグメント側の電極をライン状に
多数配置し、他方の基板のコモン側の電極はこれに直行
するように多数のライン状の電極を配置することにより
、能動素子を使用しないドツトマトリクス表示素子が構
成できるが、このよう層表示素子においては、このライ
ン状の電極が製造過程で切断された場合その切断箇所か
ら先は表示されなくなってしまう、この場合、第2図に
示すように表示に関係しない部分を用いて補助配線をし
ておくことにより、この補助配線をバイパスとして使用
し、この欠陥を補修することができる。第2図の例は、
セグメント側基板の電極である導電性薄膜のパターンを
示したものであり、本来必要とされるセグメント電極(
11)の外にその左側に第2の補助配線(12)、図の
基板の上側に本来必要とされるセグメント電極(11)
と絶縁膜を介して第1の補助配線(13)及び下側に本
来必要とされるセグメント電極(11)と絶縁膜を介し
て第3の補助配線(14)が形成されている。もし、セ
グメント電極(11)の切断があった場合には、第1の
補助配線(13)とセグメント電極(11)の交差部分
(15)、第2の補助配線(12)と第1の補助配線(
13)の交差部分(1B)、第2の補助配線(12)と
第3の補助配線(14)の交差部分(!7)及び第3の
補助配線(14)とセグメント電極(11)の”交差部
分(18)の4箇所にレーザ照射を行なうことによりセ
グメント電極(11)の上側の部分を第1の補助配線(
13)、第2の補助配線(12)と第3の補助配線(1
4)を通じてセグメント電極(11)の下側に接続でき
、これにセグメント電極(11)全体を外部へ引き出す
ことができ欠陥を修理することができる。For example, by arranging a large number of segment-side electrodes in a line on one board, and arranging a large number of line-shaped electrodes perpendicular to the common-side electrode on the other board, no active elements are used. A dot matrix display element can be constructed, but in such a layered display element, if this line-shaped electrode is cut during the manufacturing process, the display beyond the cut point will no longer be visible.In this case, as shown in Fig. 2. By arranging auxiliary wiring using a portion not related to display, this auxiliary wiring can be used as a bypass to repair this defect. The example in Figure 2 is
This shows the pattern of the conductive thin film that is the electrode on the segment side substrate.
In addition to 11), there is a second auxiliary wiring (12) on the left side, and a segment electrode (11) that is originally required on the upper side of the board in the figure.
A first auxiliary wiring (13) is formed through an insulating film, and a third auxiliary wiring (14) is formed below with an originally required segment electrode (11) through an insulating film. If the segment electrode (11) is cut, the intersection of the first auxiliary wiring (13) and the segment electrode (11) (15), the second auxiliary wiring (12) and the first auxiliary wiring wiring(
13), the intersection (!7) of the second auxiliary wiring (12) and the third auxiliary wiring (14), and the intersection of the third auxiliary wiring (14) and the segment electrode (11). The upper part of the segment electrode (11) is connected to the first auxiliary wiring (
13), second auxiliary wiring (12) and third auxiliary wiring (1
4) can be connected to the lower side of the segment electrode (11), and the entire segment electrode (11) can be pulled out to the outside and defects can be repaired.
もちろん、この場合第2の補助配線(12)をそのまま
外部へ取り出す端子としてもよいし、補助配線を複数並
列に配置してもよく、補助配線の取り方としては種々の
応用が可能である。Of course, in this case, the second auxiliary wiring (12) may be used as a terminal to be taken out to the outside as it is, or a plurality of auxiliary wirings may be arranged in parallel, and various applications are possible as to how to arrange the auxiliary wiring.
本発明では、上記の例のように本来必要とされる電極と
絶縁した補助配線を形成しておくことにより容易にその
欠陥を修理することができる。In the present invention, the defect can be easily repaired by forming an auxiliary wiring insulated from the originally required electrode as in the above example.
もちろん1本発明は欠陥の修理のみでなく。Of course, the present invention is not limited to repairing defects.
積層された電極同志の導電接続一般にも使用できること
は明らかである。It is clear that it can also be used for electrically conductive connections between stacked electrodes in general.
さらに、本発明は上記のような能動素子を使用しない表
示素子に限られなく、能動素子を各画素に1個以上形成
した悌動素子へ基板の場合にも適用でき、修理の工程に
おいては、レーザ照射による導電接続をするのみでなく
、短絡を生じた導電性薄膜の短絡部分での切除の工程ま
たは不良能動素子の切り離しの工程も必要に応じて併用
すればよい。Furthermore, the present invention is not limited to display elements that do not use active elements as described above, but can also be applied to a substrate for a wobbling element in which one or more active elements are formed in each pixel, and in the repair process, In addition to making a conductive connection by laser irradiation, a process of cutting off the short-circuited part of the conductive thin film where a short circuit has occurred or a process of cutting off the defective active element may be used in conjunction with the process, if necessary.
この場合、この切除の工程は、導電接続に用いるレーザ
装置をそのまま転用することができるため、1台の装置
で切断、接続の両方の機能を持たせることができる。さ
らに真空引き、ガス導入等は必要としないので基板処理
能力も大幅に向上させることができる。In this case, since the laser device used for conductive connection can be used for this cutting process, one device can have both the cutting and connecting functions. Furthermore, since evacuation, gas introduction, etc. are not required, the substrate processing capacity can be greatly improved.
またさらに、能動素子基板においては欠陥の発生場所は
任意であり、近接した能動素子が欠陥となる確率は極め
て低いので、1つの画素に複数の能動素子を設け、初期
状態では第1の能動素子のみを行列状の電極及び表示画
素電極に接続しておき、第1の能動素子に欠陥がある場
合には欠陥部分を削除、即ち第1の能動素子を行列状の
電極及び表示画素電極から切り離し、さらに第2のt@
動素子を行列状電極及び表示画素電極に導電接続するこ
とにより、第2の能動素子を使用しうる事ができるよう
に接続し、線欠陥、点欠陥をなくして能動素子基板の歩
留りを向上する事を可1#、にする。Furthermore, defects can occur at any location on the active element substrate, and the probability that adjacent active elements become defective is extremely low. Therefore, one pixel is provided with multiple active elements, and in the initial state, the first If there is a defect in the first active element, the defective part is deleted, that is, the first active element is separated from the matrix electrode and the display pixel electrode. , and a second t@
By conductively connecting the active element to the matrix electrode and the display pixel electrode, the second active element can be used, eliminating line defects and point defects, and improving the yield of the active element substrate. Make things possible 1#.
これらの1戯動素子基板の場合においても行列状電極、
能動素子の電極及び表示画素電極から電気的に絶縁され
た補助電極を形成しておくことにより、修復が容易にな
る。Even in the case of these single-driving element substrates, matrix electrodes,
Repair is facilitated by forming an auxiliary electrode that is electrically insulated from the active element electrode and the display pixel electrode.
特に本発明では、例えば能動素子基板のように導電性薄
膜がもともと2層以上形成される場合にその効果が大き
く、補助電極の形成のために新たな絶縁膜及び導電性S
膜形成工程の付加を必要としなくてすみ、生産性を低下
させなくてすむ。In particular, the present invention is particularly effective when two or more layers of conductive thin films are originally formed, such as in the case of an active element substrate.
There is no need to add a film forming process, and there is no need to reduce productivity.
本発明では、絶縁膜を介して積層される導電性薄膜は、
ITO(1n20+−9nO2) 、 5nOz等の
透明導電性薄膜であっても、またA1. Cr等の金属
導電性薄膜であってもよい0例えば第2図の例において
は、セグメント電極(11)は透明導電性薄膜であり、
第1の補助配線(12)と第2の補助配線(14)は透
明導電性薄膜であっても金属導電性薄膜であってもよい
。In the present invention, the conductive thin film laminated via the insulating film is
Even if it is a transparent conductive thin film such as ITO (1n20+-9nO2) or 5nOz, A1. For example, in the example of FIG. 2, the segment electrode (11) is a transparent conductive thin film, which may be a metal conductive thin film such as Cr.
The first auxiliary wiring (12) and the second auxiliary wiring (14) may be a transparent conductive thin film or a metal conductive thin film.
本発明の能動素子としては、薄膜トランジスタ、薄膜ダ
イオード、MIM(金属−絶縁膜−金属)等のがあり、
いずれの能動素子にも適応が回部である。Active elements of the present invention include thin film transistors, thin film diodes, MIM (metal-insulating film-metal), etc.
Adaptation to any active element is the rotation part.
本発明は、電極を配した基板を電極面が相対向するよう
に配置し、その間に電気光学媒体を挟持したものであり
、液晶表示素子、エレクトロクロミック表示素子、電気
泳動表示素子等に適用可能である。The present invention consists of substrates on which electrodes are arranged so that the electrode surfaces face each other, and an electro-optic medium is sandwiched between them, and is applicable to liquid crystal display elements, electrochromic display elements, electrophoretic display elements, etc. It is.
[作用]
本発明の表示素子によれば、導電性薄膜が絶縁膜を介し
て積層されている三層構造部分にレーザを照射すること
により容易に導電接続できるものであり、レーザ照射の
位置をかえるのみで導電接続の位置を変えることが容易
であるため、基板毎に導電接続をとる位置の異ならせる
場合及び多品種の製造の場合にも容易に適用しうる。[Function] According to the display element of the present invention, conductive connection can be easily made by irradiating a laser beam to a three-layer structure portion in which a conductive thin film is laminated with an insulating film interposed therebetween, and the position of the laser irradiation can be adjusted. Since it is easy to change the position of the conductive connection by simply changing the position, it can be easily applied to the case where the position of the conductive connection is changed for each board and to the case of manufacturing a wide variety of products.
また1本発明の表示素子によれば、一部の導電性P!膜
の切除と導電接続を同一のレーザ装置で可能であり、生
産性がよいものである。Furthermore, according to the display element of the present invention, some of the conductive P! It is possible to cut the film and conduct the conductive connection using the same laser device, resulting in good productivity.
さらに、レーザ照射により一部の導電性薄膜の切除と導
電接続により、導電性薄膜や能動素子の不良、相互の短
絡等による欠陥を容易に修復し、無欠陥表示を行うこと
が可能になる。この方法によれば製造歩留りを容易に1
00%に近づけられるので、能動素子を使用した表示素
子を情報表示装置として用いる際に、従来から用いられ
ているドツトマトリクス等と比べた時の製造コストが高
いといった欠点を充分補うことができる。Furthermore, by ablating a portion of the conductive thin film and making conductive connections using laser irradiation, defects caused by defects in the conductive thin film or active elements, mutual short circuits, etc. can be easily repaired, and a defect-free display can be performed. According to this method, the manufacturing yield can be easily increased by 1
00%, when using a display element using active elements as an information display device, it is possible to sufficiently compensate for the disadvantage of high manufacturing cost compared to conventionally used dot matrix and the like.
「実施例」
実施例1
以下に本発明による補助配線を用いたドツトマトリクス
表示素子の実施例を示す6表示素子の構造は前出の第2
図に示したものと同一である。絶縁性基板としてのガラ
ス基板上に導電性薄膜として、ITO(In203−!
Jrr!p2) g膜を形成し。``Example'' Example 1 The structure of the six display elements shown below is an example of a dot matrix display element using auxiliary wiring according to the present invention.
It is the same as shown in the figure. ITO (In203-!) was deposited as a conductive thin film on a glass substrate as an insulating substrate.
Jr! p2) Form a g film.
コレラパターニングしてセグメント電極と第1の補助配
線を形成した後、5i02の絶縁膜を介してセグメント
電極の端子側の端と反対側の端とに、セグメント電極と
その一部が絶縁膜を介して積層されるようにAIの薄膜
を形成してセグメント基板とするとともに、コモン電極
を形成したコモン基板を作成した。After forming the segment electrode and the first auxiliary wiring by cholera patterning, the segment electrode and a part of it are connected to the end of the segment electrode on the terminal side and the end opposite to the end of the segment electrode via the insulating film of 5i02. A thin film of AI was formed so as to be laminated to form a segment substrate, and a common substrate on which a common electrode was formed was created.
このセグメント電極に断線が生じていることが検査でわ
かったものには、その断線したセグメント電極の端子側
と反対の端の第1の補助配線と積層されている部分、第
1の補助配線と第2の補助配線の積層部分、第2の補助
配線と第3の補助配線の積層部分及び第3の補助配線と
セグメント電極の端子側の部分との積層部分4箇所にレ
ーザ照射を行い導電接続をとることにより断線セグメン
ト電極の修理が行われた。If it is found through inspection that a disconnection has occurred in this segment electrode, the portion where the disconnected segment electrode is laminated with the first auxiliary wiring at the end opposite to the terminal side, the first auxiliary wiring Laser irradiation is performed on four locations of the laminated portion of the second auxiliary wiring, the laminated portion of the second auxiliary wiring and the third auxiliary wiring, and the laminated portion of the third auxiliary wiring and the terminal side portion of the segment electrode to establish conductive connection. The broken segment electrode was repaired by taking the following steps.
次いで、このセグメント基板とコモン基板とを電極面が
相対向するように配置して、周辺をシール材でシールし
て内部に液晶を充填しだ液晶表示素子を形成した。Next, the segment substrate and the common substrate were arranged so that the electrode surfaces faced each other, the periphery was sealed with a sealing material, and the inside was filled with liquid crystal to form a liquid crystal display element.
実施例2
第3図に積層配線しなければ表示できないノくターンの
表示をした例を示すものであり、表示パターンとしてバ
ーグラフを枠で囲ったパターンを示している。第3図(
a)は、下の層の導電性薄膜のパターンを示し、(b)
は上の層の導電性薄膜のパターンを示す。Embodiment 2 FIG. 3 shows an example of a cross-shaped display that cannot be displayed without laminated wiring, and the display pattern is a bar graph surrounded by a frame. Figure 3 (
a) shows the pattern of the conductive thin film of the underlying layer; (b)
shows the pattern of the conductive thin film in the upper layer.
ガラス基板上にI 丁O(I n203−SmO2)薄
膜を形成し、これをパターニングして枠のセグメント電
極(21)及びバーグラフの各セグメント電極(22)
に接続するためのリード用の導電性薄膜(23)、(2
0及びリード用の第1の補助配線(25)、 (28)
。A thin film of In203-SmO2 is formed on a glass substrate and patterned to form segment electrodes (21) of the frame and each segment electrode (22) of the bar graph.
Conductive thin film (23) for leads to connect to (2)
0 and first auxiliary wiring for leads (25), (28)
.
(27)を形成し、次いでS i02の絶縁膜を介して
再度ITO薄膜を形成し、枠パターン表示用のセグメン
ト電極(21)、バーグラフパターン表示用のセグメン
ト電極(22)及び第2の補助配線(28)とを形成し
た0次いで、この上の層の導電性薄膜と下の層の導電性
薄膜とを第3図の(28)の部分でレーザ照射により導
電接続をとり、下の層の導電性薄−膜を通して端子に連
結したセグメント基板を形成した。なお、この場合にお
いても、本来のリード用パターンである導電性薄膜に短
絡、切断等の不良箇所が生じた場合には、短絡の場合に
は短絡部分を切除した上で、補助配線として形成した予
備のリード用パターン第3図の(30)の部分でレーザ
照射により導電接続することにより、容易に修復するこ
とができた。(27) is formed, and then an ITO thin film is formed again through the Si02 insulating film, and a segment electrode (21) for displaying a frame pattern, a segment electrode (22) for displaying a bar graph pattern, and a second auxiliary The conductive thin film on the upper layer and the conductive thin film on the lower layer are then electrically connected by laser irradiation at the part (28) in FIG. A segment substrate was formed which was connected to the terminal through the conductive thin film. In this case as well, if a defective part such as a short circuit or cut occurs in the conductive thin film that is the original lead pattern, the short circuit part should be cut out and formed as an auxiliary wiring in the case of a short circuit. Repair could be easily made by making a conductive connection using laser irradiation at the portion (30) of the preliminary lead pattern in FIG.
このセグメント基板と対応する位置にコモン電極を形成
したコモン基板とを相対向せしめて液晶表示素子を作成
した。この液晶表示素子の場合には、2層の導電性薄膜
はもともと形成しているため、補助配線は何ら新たな工
程なしで形成できるという利点があった。なお、この例
では単純な配線例しか使用しなかったが、必要に応じて
、ある電極と他の電極を接続するために、2箇所以上の
導電接続点、2本以上の補助配線例えば上の導電性薄膜
の補助配線と下の導電性薄膜の補助配線を夫々1回以上
経て接続してもよいことは明らかである。A liquid crystal display element was fabricated by facing this segment substrate and a common substrate on which common electrodes were formed at corresponding positions. In the case of this liquid crystal display element, since the two-layer conductive thin film is originally formed, there is an advantage that the auxiliary wiring can be formed without any new process. Although only a simple wiring example was used in this example, if necessary, in order to connect one electrode to another, two or more conductive connection points, two or more auxiliary wirings, such as the above It is clear that the auxiliary wiring of the conductive thin film and the auxiliary wiring of the underlying conductive thin film may each be connected one or more times.
実施例3
1画素に2個の薄膜トランジスタ(TPT)を有する基
板を形成した。この基板では、第1のTPTと第2のT
PTは同一構造を有するようにした。このため第1のT
PTのドレイン電極と第2のTPTのゲート電極を接続
する必要があり、第1のTPTのドレイン電極と第2の
TPTのゲート電極は絶縁膜を介して導電接続されるか
、さらに他の補助配線を利用してかつ絶縁膜を介して導
電接続されるため、この導電接続をレーザ照射により行
った。同時に、表示画素電極と第2のTPTの導電接続
や、パワーラインと第2のTPTのソース電極の導電接
続等を行うこともできる。Example 3 A substrate having two thin film transistors (TPT) in one pixel was formed. In this substrate, the first TPT and the second TPT
PT was made to have the same structure. Therefore, the first T
It is necessary to connect the drain electrode of the PT and the gate electrode of the second TPT. Since conductive connection was made using wiring and via an insulating film, this conductive connection was made by laser irradiation. At the same time, conductive connection between the display pixel electrode and the second TPT, conductive connection between the power line and the source electrode of the second TPT, etc. can also be performed.
このTPT基板と、対応する部分に透明導電性薄膜を形
成した基板とを相対向せしめて液晶表示素子を作成した
。A liquid crystal display element was prepared by placing this TPT substrate and a substrate on which a transparent conductive thin film was formed in the corresponding portions to face each other.
[発明の効果]
本発明の表示素子では、導電性薄膜が絶縁膜を介して積
層されている三層構造部分にレーザを照射することによ
り容易に導電接続できるものであり、レーザ照射の位置
をかえるのみで導電接続の位置を変えることが容易であ
り、基板毎に導電接続をとる位置を異ならせる場合及び
多品種の製造の場合にも容易に適用しうる。[Effects of the Invention] In the display element of the present invention, conductive connection can be easily made by irradiating a laser beam onto a three-layer structure portion in which a conductive thin film is laminated with an insulating film interposed therebetween. It is easy to change the position of the conductive connection by simply changing the position, and it can be easily applied to the case where the position of the conductive connection is made different for each board and to the case of manufacturing a wide variety of products.
また、本発明の表示素子では、導電性薄膜の切除と導電
接続を同一のレーザ装置で可能であり、生産性がよいも
のでもある。Furthermore, in the display element of the present invention, the cutting of the conductive thin film and the conductive connection can be performed using the same laser device, and the productivity is high.
さらに、レーザ照射により一部の導電性薄膜の切除と導
電接続により、導電性薄膜や能動素子の不良、相互の短
絡等による欠陥を容易に修復することができ、製造歩留
りを高くできるため、製造コストを低くでき、ひいては
アクティブマドリスクパネルの実用化に大きく貢献でき
るものである。Furthermore, by ablating a part of the conductive thin film and making conductive connections using laser irradiation, defects caused by defects in the conductive thin film or active elements, mutual short circuits, etc. can be easily repaired, and manufacturing yields can be increased. This can reduce costs and, in turn, greatly contribute to the practical application of active Madrisk panels.
さらに、前記説明においては、液晶表示素子を中心に説
明したが、当然エレクトロクロミック表示素子や電気泳
動表示素子等にも適用が可能であり、今後種々の応用が
回部である。Further, in the above description, the explanation has been mainly given to liquid crystal display elements, but it is naturally applicable to electrochromic display elements, electrophoretic display elements, etc., and various applications will be made in the future.
第1図(a)、 (b)は本発明により土工坊向の導通
を取る前の状態(a)と取った後の状態(b)を示す断
面図。
第2図は本発明の表示素子用のセグメント電極基板の導
電性薄膜のパターンの例を示す平面図。
第3図は実施例2のパターンを示す平面図であり、(a
)は下の層の導電性薄膜のパターンを示し、(b)は上
の層の導電性薄膜のパターンを示す。
ガラス基板 : 1
導電性薄M:2,4
絶縁膜 : 3
セグメント電極:11
第2の補助配線:12
第1の補助配線:13
第3の補助配線:14
交差部分 : 15. IEi、 17.18第
/VJ
第 3)1
(α)FIGS. 1(a) and 1(b) are cross-sectional views showing a state (a) before electrical conduction is established in the earthwork head and a state (b) after electrical conduction is established according to the present invention. FIG. 2 is a plan view showing an example of a pattern of a conductive thin film of a segment electrode substrate for a display element of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing the pattern of Example 2, and (a
) shows the pattern of the conductive thin film in the lower layer, and (b) shows the pattern of the conductive thin film in the upper layer. Glass substrate: 1 Conductive thin M: 2,4 Insulating film: 3 Segment electrode: 11 Second auxiliary wiring: 12 First auxiliary wiring: 13 Third auxiliary wiring: 14 Intersection: 15. IEi, 17.18th
/VJ 3rd) 1 (α)
Claims (4)
の基板間に電気光学媒体を挟持してなる表示素子におい
て、該基板の少なくとも一方の基板の電極の一部が絶縁
膜をはさみ、上下が導電性薄膜とからなる三層構造の部
分を有し、該三層構造の部分の少なくとも一部がレーザ
照射により上下方向の導通がとられている構造を有する
ことを特徴とする表示素子。(1) In a display element using a substrate in which electrodes are arranged on an insulating substrate, and an electro-optic medium is sandwiched between the pair of substrates, a part of the electrode of at least one of the substrates has an insulating film. The scissors have a three-layer structure consisting of conductive thin films on the upper and lower sides, and at least a part of the three-layer structure has a structure in which conduction is established in the vertical direction by laser irradiation. display element.
、他の導電性薄膜から絶縁された補助配線である特許請
求の範囲第1項記載の表示素子。(2) The display element according to claim 1, wherein at least one conductive thin film of the three-layer structure is an auxiliary wiring insulated from other conductive thin films.
ある特許請求の範囲第1項または第2項記載の表示素子
。(3) The display element according to claim 1 or 2, wherein at least one of the conductive thin films is a transparent conductive thin film.
を有し該行列状の電極交差点近傍に薄膜能動素子を設け
た基板である特許請求の範囲第1項または第2項記載の
表示素子。(4) Claim 1 or 2, wherein the substrate having the three-layer structure is a substrate having electrodes arranged in rows and columns, and a thin film active element provided near the intersection of the electrodes in the rows and columns. display element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16124985A JPS6223087A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Display elememt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16124985A JPS6223087A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Display elememt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6223087A true JPS6223087A (en) | 1987-01-31 |
Family
ID=15731491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16124985A Pending JPS6223087A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Display elememt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6223087A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63183481A (en) * | 1987-01-27 | 1988-07-28 | 三菱電機株式会社 | Circuit board and repairs thereof |
US5442134A (en) * | 1992-08-20 | 1995-08-15 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Lead structure of semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16124985A patent/JPS6223087A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63183481A (en) * | 1987-01-27 | 1988-07-28 | 三菱電機株式会社 | Circuit board and repairs thereof |
US5442134A (en) * | 1992-08-20 | 1995-08-15 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Lead structure of semiconductor device |
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