JPS62229992A - 多層印刷配線基板 - Google Patents
多層印刷配線基板Info
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- JPS62229992A JPS62229992A JP7302486A JP7302486A JPS62229992A JP S62229992 A JPS62229992 A JP S62229992A JP 7302486 A JP7302486 A JP 7302486A JP 7302486 A JP7302486 A JP 7302486A JP S62229992 A JPS62229992 A JP S62229992A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電子機器に使用される多層印刷配線基板に係
わり、特に11間絶縁材料の改良をはかった多層印刷配
線基板に関する。
わり、特に11間絶縁材料の改良をはかった多層印刷配
線基板に関する。
(従来の技術)
近年、電子回路基板は高密度化の要求から、様々な多層
化が行われている。中でもセラミック基板上の印刷多層
化においては、例えばガラス誘電体を絶縁層として用い
たものがある。この構成を第5図に示す。ここで、51
はセラミック基板、52.53.54は導体、55はR
uO2系印刷抵抗体、56はガラスXjffi体、57
は部品、58はオーバコートである。
化が行われている。中でもセラミック基板上の印刷多層
化においては、例えばガラス誘電体を絶縁層として用い
たものがある。この構成を第5図に示す。ここで、51
はセラミック基板、52.53.54は導体、55はR
uO2系印刷抵抗体、56はガラスXjffi体、57
は部品、58はオーバコートである。
この構成の場合は、ガラス誘電体56の焼成行程におい
て600〜1000[’C3の高温処理を必要とするた
め、RLJO2系印刷抵抗体55の1氏抗値が変化して
しまう。その結果としてRuO2系印刷抵抗体55のト
リミングがオーバコート58の形成後のプロセスとなっ
てくるため、印刷抵抗体上への多層化は不可能であり、
実装密度は低いものであった。また、Aa/Pd系導体
52゜54間でのマイグレーションにも問題があった。
て600〜1000[’C3の高温処理を必要とするた
め、RLJO2系印刷抵抗体55の1氏抗値が変化して
しまう。その結果としてRuO2系印刷抵抗体55のト
リミングがオーバコート58の形成後のプロセスとなっ
てくるため、印刷抵抗体上への多層化は不可能であり、
実装密度は低いものであった。また、Aa/Pd系導体
52゜54間でのマイグレーションにも問題があった。
上記の欠点に対して、第1導体及び抵抗層を高温焼成厚
膜ペーストで形成し樹脂絶縁層を介し、同じく樹脂系ペ
ーストを用いて回路構成するという提案(特開昭60−
160687号)もなされているが、ここで用いる樹脂
は主にエポキシ樹脂であり、これはマイグレーション及
び絶縁の耐湿劣化が問題となっていた。一方、絶縁性能
が優れている熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂は、層
間の絶縁体として好的な材料であるがセラミック基材と
の接着性に乏しいという欠点を有していた。
膜ペーストで形成し樹脂絶縁層を介し、同じく樹脂系ペ
ーストを用いて回路構成するという提案(特開昭60−
160687号)もなされているが、ここで用いる樹脂
は主にエポキシ樹脂であり、これはマイグレーション及
び絶縁の耐湿劣化が問題となっていた。一方、絶縁性能
が優れている熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂は、層
間の絶縁体として好的な材料であるがセラミック基材と
の接着性に乏しいという欠点を有していた。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来、絶縁層の材料としてガラスlff1体
を用いたものは、その焼成の際にRLI02系印刷抵抗
体の抵抗値変化が生じると云う問題があった。また、絶
縁層の材料としてエポキシ樹脂等を用いた場合、マイグ
レーション及び絶縁層の耐湿劣化、更にはセラミック基
材との接着性に乏しい等の問題を招いた。
を用いたものは、その焼成の際にRLI02系印刷抵抗
体の抵抗値変化が生じると云う問題があった。また、絶
縁層の材料としてエポキシ樹脂等を用いた場合、マイグ
レーション及び絶縁層の耐湿劣化、更にはセラミック基
材との接着性に乏しい等の問題を招いた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、RuO2系印刷抵抗体の抵抗値変化及
びマイグレーションの発生を防止でき、且つ絶縁層とセ
ラミック基材との接着性を良好なものとすることができ
、実用性に優れた多層印刷配線基板を提供することにあ
る。
とするところは、RuO2系印刷抵抗体の抵抗値変化及
びマイグレーションの発生を防止でき、且つ絶縁層とセ
ラミック基材との接着性を良好なものとすることができ
、実用性に優れた多層印刷配線基板を提供することにあ
る。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、配線層間の絶縁層の材n選択により、
上記目的を達成することにある。
上記目的を達成することにある。
即ち本発明は、セラミック基材上に厚膜導電ペースト及
び抵抗体ペーストにより第1の配線層を形成したのら、
コンタクトホールを有する絶縁層を形成し、次いで該絶
縁層上に第2の配ll1層を形成し、且つ第1及び第2
の配線層を電気的接続する多層印刷配線基板において、
前記絶縁層の材料としてエポキシ変性ポリブタジェン樹
脂を用いるようにし−たものである。
び抵抗体ペーストにより第1の配線層を形成したのら、
コンタクトホールを有する絶縁層を形成し、次いで該絶
縁層上に第2の配ll1層を形成し、且つ第1及び第2
の配線層を電気的接続する多層印刷配線基板において、
前記絶縁層の材料としてエポキシ変性ポリブタジェン樹
脂を用いるようにし−たものである。
(作用)
上記の構成であれば、ガラス誘電体等に比して焼成温度
の低い樹脂材料を絶縁層として用いることにより、該樹
脂材料を焼成する際にRuO2系印刷抵抗体の抵抗層が
変化する等の不都合は生じない。また、エポキシ変性ポ
リブタジェン樹脂は、セラミックとの接着性が良好であ
るから、絶縁層とセラミック基材との接着を良好なもの
とすることが可能となる。
の低い樹脂材料を絶縁層として用いることにより、該樹
脂材料を焼成する際にRuO2系印刷抵抗体の抵抗層が
変化する等の不都合は生じない。また、エポキシ変性ポ
リブタジェン樹脂は、セラミックとの接着性が良好であ
るから、絶縁層とセラミック基材との接着を良好なもの
とすることが可能となる。
(実施例)
まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原理につい
て説明する。
て説明する。
本発明者等は、従来の多層印刷配線基板の欠点であった
焼成の繰返し行程におけるRLIQ2系印刷抵抗体の抵
抗値変化を防ぐために、比較的焼成湿度の低い樹脂系ペ
ーストに着眼し、各種評価試験を行った。その結果、樹
脂材料にエポキシ変性ポリブタジェン樹脂を使用するこ
とにより、セラミック基材との密着性が優れ、且つマイ
グレーションを含む電気的性能が良い多層構造を見出し
た。
焼成の繰返し行程におけるRLIQ2系印刷抵抗体の抵
抗値変化を防ぐために、比較的焼成湿度の低い樹脂系ペ
ーストに着眼し、各種評価試験を行った。その結果、樹
脂材料にエポキシ変性ポリブタジェン樹脂を使用するこ
とにより、セラミック基材との密着性が優れ、且つマイ
グレーションを含む電気的性能が良い多層構造を見出し
た。
本発明について図面を参照して、更に詳しく説明する。
第1図に本発明に係わる多層印刷配線板の構成図を示す
。図中11はアルミナ基板、12゜16.17は導体層
、13はRuO2系印刷抵抗体、14.15は絶縁層、
18は部品である。
。図中11はアルミナ基板、12゜16.17は導体層
、13はRuO2系印刷抵抗体、14.15は絶縁層、
18は部品である。
第is体J112はAa/PdJ9[111パターンで
あり、第1の配線層を形成する第1導体Ji12及びR
uO2系印刷抵抗体13は、いずれも800〜900
[’C]の高温中にて焼成されたものである。
あり、第1の配線層を形成する第1導体Ji12及びR
uO2系印刷抵抗体13は、いずれも800〜900
[’C]の高温中にて焼成されたものである。
コンタクトホールを有する樹脂組nw114は、エポキ
シ変性ポリブタジェン樹脂を主成分とするものである。
シ変性ポリブタジェン樹脂を主成分とするものである。
ここで、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂が本発明の目
的に対して他の絶縁樹脂材料よりも優れていることは、
以下の実験により実証した。
的に対して他の絶縁樹脂材料よりも優れていることは、
以下の実験により実証した。
まず、第2図に示す如く、アルミナ基板21上に絶縁層
としての有機高分子体層22.23を形成し、さらにこ
の上にCu1f極24を形成した。
としての有機高分子体層22.23を形成し、さらにこ
の上にCu1f極24を形成した。
使用した有機高分子体12.13の構成を下記第1表に
示す。
示す。
第 1 表
このような試料をPCT (121℃、 2ati )
中に放置し、20H140H後の絶縁抵抗の測定を行っ
た。その結果を第3図に示す。この図からAの構成のも
のは103 [Ωαコ程度の絶縁抵抗の低下が見られる
が、それでも固有抵抗にして10!3[Ωax ]以上
であり、十分実用可能な値である。また、Bの構成にす
ることにより、絶縁抵抗の低下が102 [Ωcrtt
]以下になる。これに対し、Dの構成のものは10日
[Ωca]、Eの構成のものは10 [ΩcIR1の
低下が見られ、実用上支障となるものであった。また、
Cの構成のものはBの構成のものど同梯であるが、アル
ミナ基板21との接着性が悪く、絶縁層として望ましく
なかった。
中に放置し、20H140H後の絶縁抵抗の測定を行っ
た。その結果を第3図に示す。この図からAの構成のも
のは103 [Ωαコ程度の絶縁抵抗の低下が見られる
が、それでも固有抵抗にして10!3[Ωax ]以上
であり、十分実用可能な値である。また、Bの構成にす
ることにより、絶縁抵抗の低下が102 [Ωcrtt
]以下になる。これに対し、Dの構成のものは10日
[Ωca]、Eの構成のものは10 [ΩcIR1の
低下が見られ、実用上支障となるものであった。また、
Cの構成のものはBの構成のものど同梯であるが、アル
ミナ基板21との接着性が悪く、絶縁層として望ましく
なかった。
その他にも、マイグレーション試験においてもA、Bの
構成のものは顕著に良かった。試料として第1図の構成
のものを用い、第2層目の導体16にパターン間0.5
[am]の2本のCu導体を形成し、この導体間に1
0[V]の電圧を加え、PCT(121℃、 2#lm
)中1’408通電試験を行った。その結果、有機高
分子体層(絶縁層)としてエポキシ変性ポリブタジェン
樹脂を用いたものは、マイグレーションの発生は215
0であった。また、熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂
では0150であり、またエポキシについては4515
0、ポリイミドについては50150のマイグレーショ
ンの発生が見られた。
構成のものは顕著に良かった。試料として第1図の構成
のものを用い、第2層目の導体16にパターン間0.5
[am]の2本のCu導体を形成し、この導体間に1
0[V]の電圧を加え、PCT(121℃、 2#lm
)中1’408通電試験を行った。その結果、有機高
分子体層(絶縁層)としてエポキシ変性ポリブタジェン
樹脂を用いたものは、マイグレーションの発生は215
0であった。また、熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂
では0150であり、またエポキシについては4515
0、ポリイミドについては50150のマイグレーショ
ンの発生が見られた。
この実験から考えられることは、エポキシ、ポリイミド
に関しては、これらの樹脂が分子中に親水基を多く持っ
ているため水を吸収しやすく、それが絶縁抵抗の低下及
びマイグレーションの発生の原因となっている。これに
対し、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂には、この親水
基がかなり少ない。さらに、熱硬化型1−2ポリブタジ
エン樹脂には親木基が無いために、この差が顕著に表わ
れたものと思われる。しかし、熱硬化型1−2ポリブタ
ジエン樹脂は耐水性に非常に優れた性質を持っているが
、セラミックスとの接着性が悪く、単独で用いるとクラ
ックとか、剥がれが生じ実用的ではない。そこで、エポ
キシ変性ポリブタジェン樹脂は、耐水性も従来のエポキ
シ、ポリイミドなどに比較すると優れており、またセラ
ミックとのMIW力も良いことから本発明に用いた。こ
こで、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂と熱硬化型1−
2ポリブタジエン樹脂との複合もしくは組合せにより用
いることにより、さらに耐水性が良くなること明確であ
る。
に関しては、これらの樹脂が分子中に親水基を多く持っ
ているため水を吸収しやすく、それが絶縁抵抗の低下及
びマイグレーションの発生の原因となっている。これに
対し、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂には、この親水
基がかなり少ない。さらに、熱硬化型1−2ポリブタジ
エン樹脂には親木基が無いために、この差が顕著に表わ
れたものと思われる。しかし、熱硬化型1−2ポリブタ
ジエン樹脂は耐水性に非常に優れた性質を持っているが
、セラミックスとの接着性が悪く、単独で用いるとクラ
ックとか、剥がれが生じ実用的ではない。そこで、エポ
キシ変性ポリブタジェン樹脂は、耐水性も従来のエポキ
シ、ポリイミドなどに比較すると優れており、またセラ
ミックとのMIW力も良いことから本発明に用いた。こ
こで、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂と熱硬化型1−
2ポリブタジエン樹脂との複合もしくは組合せにより用
いることにより、さらに耐水性が良くなること明確であ
る。
次いで、第2の導体層は、有機金属と金属フィラー、例
えばQu粉末、へ〇粉末等を主成分とするペーストを用
いた印刷、またはメッキ、例えば、CU等を無電解メッ
キにて有機高分子体層上に形成したのちエツチングにて
パターンを形成する方法、その他にも蒸着、転写法など
によってパターンを形成してもよい。この中でも印刷法
は、作業性もよくドライで製造できるので好ましい。
えばQu粉末、へ〇粉末等を主成分とするペーストを用
いた印刷、またはメッキ、例えば、CU等を無電解メッ
キにて有機高分子体層上に形成したのちエツチングにて
パターンを形成する方法、その他にも蒸着、転写法など
によってパターンを形成してもよい。この中でも印刷法
は、作業性もよくドライで製造できるので好ましい。
次いで、多層化を増やしていく場合には、有機高分子体
層と第2の導体層の作成条件を繰返していけばよい。こ
こで、最上部層に必要に応じてカーボン抵抗体などの低
温硬化型の抵抗体を付けても本発明の趣旨からはずれな
い。
層と第2の導体層の作成条件を繰返していけばよい。こ
こで、最上部層に必要に応じてカーボン抵抗体などの低
温硬化型の抵抗体を付けても本発明の趣旨からはずれな
い。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
〈実施例1〉
前記第1図の構成において、基板11としてアルミナ9
6%基板(50,8MX 50.8#l X O,83
5try )を用い、その表面にトリクレン脱帽洗浄を
行った。
6%基板(50,8MX 50.8#l X O,83
5try )を用い、その表面にトリクレン脱帽洗浄を
行った。
その後、Ac+/Pdペースト(昭栄化学(株)製D
−4344)によりスクリーン印刷を行い、次いで12
0[℃]で5分乾燥後、大気中850[℃]にて焼成を
行い、第1導体層12を形成した。
−4344)によりスクリーン印刷を行い、次いで12
0[℃]で5分乾燥後、大気中850[℃]にて焼成を
行い、第1導体層12を形成した。
次いで、RLJQz系抵抗ペースト(昭栄化学(株)製
R−5000シリーズ)を用い、スクリーン印刷を行い
、120[℃]で15分乾燥後、大気中850[’C]
にて焼成を行い、Ru Q 2系印刷抵抗体13を形成
した。
R−5000シリーズ)を用い、スクリーン印刷を行い
、120[℃]で15分乾燥後、大気中850[’C]
にて焼成を行い、Ru Q 2系印刷抵抗体13を形成
した。
次いで、エポキシ変性ポリブタジェン樹脂(日本曹達(
株)製E P −1054)を主成分とする下記第2表
の組成のものを配合し、3本ロールにてペースト状にな
るまで混練した。
株)製E P −1054)を主成分とする下記第2表
の組成のものを配合し、3本ロールにてペースト状にな
るまで混練した。
第 2 表
次いで、このペーストに印刷直前にイミダゾール系硬化
剤を5[%]配合し、スクリーン印刷を行い、150
[℃]にて15分乾燥後、窒素雰囲気中350[’C]
にて焼成を行い、コンタクトホールを有する絶縁!!1
4を形成した。
剤を5[%]配合し、スクリーン印刷を行い、150
[℃]にて15分乾燥後、窒素雰囲気中350[’C]
にて焼成を行い、コンタクトホールを有する絶縁!!1
4を形成した。
その後、CUペースト(東芝ケミカル(株)製CT−2
21)によりスクリーン印刷を行い、120 [℃]で
10分乾燥後、窒素雰囲気350[”C]にて焼成を行
い、第2導体層16を形成した。次いで、上記と同様に
して、第2の絶縁層15及び第3導体層17を形成し、
多層印刷配線基板を作成した。
21)によりスクリーン印刷を行い、120 [℃]で
10分乾燥後、窒素雰囲気350[”C]にて焼成を行
い、第2導体層16を形成した。次いで、上記と同様に
して、第2の絶縁層15及び第3導体層17を形成し、
多層印刷配線基板を作成した。
ここで、作成した多層印刷配線基板のRu0z系印刷低
印刷抵抗時の抵抗値と、各350[”C]の焼成プロセ
スにおける抵抗値の変化を第4図(a)〜(C)に示す
。この図から判るように、抵抗値の変化は0.6[%]
以下であった。また、PCT(121℃、2atm)中
40 H後の絶縁抵抗の低下は初期値に対して3桁に止
まり、実用上支障はなかった。また、マイグレーション
発生に関しては、PCT(121℃、 2atta )
中10[V]通電試験を40H行ったところ、試料数5
0個中2151!Jのマイグレーションの発生であった
が、従来のエポキシ或いはポリイミド等の樹脂と比較す
ると穫めて少ない発生率であった。
印刷抵抗時の抵抗値と、各350[”C]の焼成プロセ
スにおける抵抗値の変化を第4図(a)〜(C)に示す
。この図から判るように、抵抗値の変化は0.6[%]
以下であった。また、PCT(121℃、2atm)中
40 H後の絶縁抵抗の低下は初期値に対して3桁に止
まり、実用上支障はなかった。また、マイグレーション
発生に関しては、PCT(121℃、 2atta )
中10[V]通電試験を40H行ったところ、試料数5
0個中2151!Jのマイグレーションの発生であった
が、従来のエポキシ或いはポリイミド等の樹脂と比較す
ると穫めて少ない発生率であった。
く実1例2〉
第1図中の絶縁層の第1導体12の上を実施例1と同様
のエポキシ変性ポリブタジェン樹脂を用い、第2導体1
6の下を熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂(日本a達
(株)製B −3000)を主成分とする組成のものを
配合し、3本ロールペースト状になるまで混練したペー
ストを用いて絶縁層14.15を形成し、実施例1と同
様の多層印刷配線基板を作成した。
のエポキシ変性ポリブタジェン樹脂を用い、第2導体1
6の下を熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂(日本a達
(株)製B −3000)を主成分とする組成のものを
配合し、3本ロールペースト状になるまで混練したペー
ストを用いて絶縁層14.15を形成し、実施例1と同
様の多層印刷配線基板を作成した。
ここでのRLJ Q z未印刷抵抗体13の抵抗値の変
化は0.6[%]であった。また、PCT(121℃、
2atm )中40H後の絶11抵抗の低下は初期値
に対して2桁に止ま゛す、実用上支障はなかった。また
、マイグレーション発生に関しては、PCT(121℃
、 2atm ) 10 [Vコ通電試験を408行っ
たところ、試料数50個中0150個のマイグレーショ
ンの発生であり良好であった。
化は0.6[%]であった。また、PCT(121℃、
2atm )中40H後の絶11抵抗の低下は初期値
に対して2桁に止ま゛す、実用上支障はなかった。また
、マイグレーション発生に関しては、PCT(121℃
、 2atm ) 10 [Vコ通電試験を408行っ
たところ、試料数50個中0150個のマイグレーショ
ンの発生であり良好であった。
く比較例1〉
第1図中の絶縁11114.15にガラス誘電体ペース
ト(昭栄化学(株)製G −5232>を用いた実施例
1と同様の多層印刷配線基板を作成した。ここで、ガラ
ス誘電体の乾燥は150[’C]15分の後、焼成は8
50[’C]大気中にて行った。
ト(昭栄化学(株)製G −5232>を用いた実施例
1と同様の多層印刷配線基板を作成した。ここで、ガラ
ス誘電体の乾燥は150[’C]15分の後、焼成は8
50[’C]大気中にて行った。
この後、RuO2系印刷抵抗体形成時の抵抗値と850
[’C]の焼成プロセスにおける抵抗値の変化は±50
[%]前後であり、実用上支障となるものであった。
[’C]の焼成プロセスにおける抵抗値の変化は±50
[%]前後であり、実用上支障となるものであった。
く比較例2〉
第1図中の絶縁層14.15にエポキシ樹脂系絶縁樹脂
(アサヒ化(研) !IIccR−5064) ヲff
Jい実施例1と同様の多層印刷配線基板を作成した。
(アサヒ化(研) !IIccR−5064) ヲff
Jい実施例1と同様の多層印刷配線基板を作成した。
ここで、エポキシの硬化は150[’C]にて20分行
った。
った。
この後、RL+−02系印刷抵抗体の形成時の抵抗値と
350[’C]プロセス後の変化は0.6U%コ以下と
良好であったが、PCT(121℃、2atl )中4
0H後の絶縁抵抗の低下は初期値に対して8桁以上低下
した。また、マイグレーションの発生に関しては、PC
T(121℃、2atm)10[1通電試展を408行
ったところ、試料数50111に対して45150vI
Aにマイグレーションが発生し、実用上支障となるもの
であった。
350[’C]プロセス後の変化は0.6U%コ以下と
良好であったが、PCT(121℃、2atl )中4
0H後の絶縁抵抗の低下は初期値に対して8桁以上低下
した。また、マイグレーションの発生に関しては、PC
T(121℃、2atm)10[1通電試展を408行
ったところ、試料数50111に対して45150vI
Aにマイグレーションが発生し、実用上支障となるもの
であった。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、
RuQz系印刷低印刷抵抗体セスによる抵抗値の変化を
極めて少なくすることができ、且つ耐湿性の向上及びマ
イグレーションの発生防止をはかり得る。しかも、絶縁
層とセラミック基材との接着性を良くすることができる
。このため、高密度実装可能な信頼性の^い厚膜多層印
刷配!基板を提供することができる。
極めて少なくすることができ、且つ耐湿性の向上及びマ
イグレーションの発生防止をはかり得る。しかも、絶縁
層とセラミック基材との接着性を良くすることができる
。このため、高密度実装可能な信頼性の^い厚膜多層印
刷配!基板を提供することができる。
第1図は本発明に係わる多層印刷配線基板基板の概略構
成を示す断面図、第2図は絶縁層の耐湿試験用サンプル
の構成を示す断面図、第3図はIP!縁抵抗抵抗時変化
を示す特性図、第4図は温度プロセスによるRuO2系
印刷低抗体の抵抗変化率を示す特性図、第5図は従来の
高温焼成型ガラス誘電体を用いた多層印刷配線基板の概
略構成を示す断面図である。 11・・・アルミナ基板(セラミック基材)、12゜1
6.17・・・導体、13・・・RLJO2系印刷抵抗
体、14.15・・・絶縁層、18・・・部品。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 In 208 40H(時間)−。 第3図
成を示す断面図、第2図は絶縁層の耐湿試験用サンプル
の構成を示す断面図、第3図はIP!縁抵抗抵抗時変化
を示す特性図、第4図は温度プロセスによるRuO2系
印刷低抗体の抵抗変化率を示す特性図、第5図は従来の
高温焼成型ガラス誘電体を用いた多層印刷配線基板の概
略構成を示す断面図である。 11・・・アルミナ基板(セラミック基材)、12゜1
6.17・・・導体、13・・・RLJO2系印刷抵抗
体、14.15・・・絶縁層、18・・・部品。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 In 208 40H(時間)−。 第3図
Claims (3)
- (1)セラミック基材上に厚膜ペースト及び抵抗ペース
トにより第1の配線層を形成したのち、コンタクトホー
ルを有する絶縁層を形成し、次いで該絶縁層上に第2の
配線層を形成し、且つ第1及び第2の配線層を電気的に
接続する多層印刷配線基板において、前記絶縁層にエポ
キシ変性ポリブタジエン樹脂を用いたことを特徴とする
多層印刷配線基板。 - (2)前記絶縁層として、エポキシ変性ポリブタジエン
樹脂と熱硬化型1−2ポリブタジエン樹脂との複合また
は組合せた樹脂を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の多層印刷配線基板。 - (3)前記第1の配線層以外の導体層として、有機高分
子体と金属フィラーとを主成分とするペーストを用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の多層印刷
配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7302486A JPS62229992A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 多層印刷配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7302486A JPS62229992A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 多層印刷配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229992A true JPS62229992A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13506359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7302486A Pending JPS62229992A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 多層印刷配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229992A (ja) |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7302486A patent/JPS62229992A/ja active Pending
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