JPS6222889A - ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物 - Google Patents
ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物Info
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- JPS6222889A JPS6222889A JP60162684A JP16268485A JPS6222889A JP S6222889 A JPS6222889 A JP S6222889A JP 60162684 A JP60162684 A JP 60162684A JP 16268485 A JP16268485 A JP 16268485A JP S6222889 A JPS6222889 A JP S6222889A
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- smectic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶組成物に係わり、特に、2色性色
素を含むゲスト・ホスト型の表示素子として好適な強誘
電性液晶材料に関する。
素を含むゲスト・ホスト型の表示素子として好適な強誘
電性液晶材料に関する。
〔従来の技術〕
現在、液晶化合物は表示材料として広く用いられている
が、そうした液晶表示素子の殆んどFiT N (Tw
isted Nematle )型表示方式によるもの
であり、用いられる液晶材料はネマチック相に属するも
のである。仁のTNII示方式による表示素子は受光屋
でわる鳥目が疲れない、消費電力が極めて少ない、軽量
小型であるなどという特徴を生かして急激に使用される
ようになシ、最近ではディスプレイの面積の大きな物も
できているが、応答が遅い、見る角度によっては表示が
見えないといった欠点が未解決である。
が、そうした液晶表示素子の殆んどFiT N (Tw
isted Nematle )型表示方式によるもの
であり、用いられる液晶材料はネマチック相に属するも
のである。仁のTNII示方式による表示素子は受光屋
でわる鳥目が疲れない、消費電力が極めて少ない、軽量
小型であるなどという特徴を生かして急激に使用される
ようになシ、最近ではディスプレイの面積の大きな物も
できているが、応答が遅い、見る角度によっては表示が
見えないといった欠点が未解決である。
液晶表示素子の長所を生かし、かつその欠点を補う為に
はTNjlfi示方式に代わる新しい表示方式の開発が
不可欠である。そうした試みの一つにN、A、C1ar
k等による強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用し
た表示素子がある。
はTNjlfi示方式に代わる新しい表示方式の開発が
不可欠である。そうした試みの一つにN、A、C1ar
k等による強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用し
た表示素子がある。
(アブライドフイジツクスレターズ(Appl。
Phys、 Latt、) u 、899(1980)
参照)。強誘電性液晶は1975年にR,B、Meye
r等によってその存在が初めて明らかにされたもので(
ジュルナルドフイジイーク(J、d@Phys、)36
L 69(1975)参照)、らせん構造を有するスメ
クチック相(カイラルスメクチック相)においてのみ強
誘電性が発現する。カイラルスメクチック相としては、
スメクチックC相、!相、F相、C相及びH相(以下、
それぞれSc*相、SI*相、SF*相、S♂相及びS
♂相と略記する)が知られている。カイラルスメクチッ
ク相においては、液晶分子は層を形成しており、かつ分
子は層面に対して傾いており、傾く方向は層から層へと
少しずつずれてらせん構造を形成しており、らせん軸は
この層面に対して垂直である。カイラルスメクチック相
では、自発分極が生じる為、この層に平行方向の直流電
界を印加すると、その極性に応じて分子はらせん軸を回
転軸として反転する。強誘電性液晶を使用した表示素子
はこのスイッチング現象を利用したものである。
参照)。強誘電性液晶は1975年にR,B、Meye
r等によってその存在が初めて明らかにされたもので(
ジュルナルドフイジイーク(J、d@Phys、)36
L 69(1975)参照)、らせん構造を有するスメ
クチック相(カイラルスメクチック相)においてのみ強
誘電性が発現する。カイラルスメクチック相としては、
スメクチックC相、!相、F相、C相及びH相(以下、
それぞれSc*相、SI*相、SF*相、S♂相及びS
♂相と略記する)が知られている。カイラルスメクチッ
ク相においては、液晶分子は層を形成しており、かつ分
子は層面に対して傾いており、傾く方向は層から層へと
少しずつずれてらせん構造を形成しており、らせん軸は
この層面に対して垂直である。カイラルスメクチック相
では、自発分極が生じる為、この層に平行方向の直流電
界を印加すると、その極性に応じて分子はらせん軸を回
転軸として反転する。強誘電性液晶を使用した表示素子
はこのスイッチング現象を利用したものである。
カイラルスメクチック相のうち現在特に注目されている
のはSc*相である。SC*相のスイッチング現象を利
用した表示方式としては、二つの方式が考えられる。一
つの方式は2枚の偏光子を使用する複屈折量でアシ、他
の一つの方式は二色性色素を利用するゲスト・ホスト凰
である。
のはSc*相である。SC*相のスイッチング現象を利
用した表示方式としては、二つの方式が考えられる。一
つの方式は2枚の偏光子を使用する複屈折量でアシ、他
の一つの方式は二色性色素を利用するゲスト・ホスト凰
である。
これらの表示方式の特徴は
(1) 応答速度が非常に速い
(2) メモリー性がある
(3) 視角依存性が小さい
などがあげられ、高密度表示への可能性を有しておシ、
非常に魅力にあふれたものである。これに加えて、ゲス
トホスト型の表示方式では偏光板を1枚しか使用しない
ため、 (4) レターデーショアによる着色がないというす
ぐれた特徴がある。これは表示素子としてのセルの厚さ
を正確にコントロールしなくても良いことを意味してお
シ、工業的には大変都合の良い表示方式である。
非常に魅力にあふれたものである。これに加えて、ゲス
トホスト型の表示方式では偏光板を1枚しか使用しない
ため、 (4) レターデーショアによる着色がないというす
ぐれた特徴がある。これは表示素子としてのセルの厚さ
を正確にコントロールしなくても良いことを意味してお
シ、工業的には大変都合の良い表示方式である。
ゲストホスト型の表示素子としての強誘電性液晶材料に
求められる主な条件は (1)傾き角が30°〜60’にあること、(2)室温
で安定に動作可能なSC*相を有すること、(3)自発
分極が大きいこと、 (4)らせんピッチが長いこと などである。特に傾き角については上記の角度範囲にお
さまらないと表示素子に用いた場合、コントラストの低
下をまねくことになるので、必須の条件である。上記角
度範囲は次のように算出される。傾き角θのゲストホス
ト型表示素子の色素による吸収強度は 5in2(2θ
)に比例し、0=45°で最大となる。ここで最大吸収
強度の75%の吸収強度でも、θ=45°のものとコン
トラストの面からは実用上大差がないことから、最大吸
収強度の75%の吸収強度を与えるθの範囲、つまりコ
ントラストの間で許容できるθの限界は、30°と60
°と計算できる。
求められる主な条件は (1)傾き角が30°〜60’にあること、(2)室温
で安定に動作可能なSC*相を有すること、(3)自発
分極が大きいこと、 (4)らせんピッチが長いこと などである。特に傾き角については上記の角度範囲にお
さまらないと表示素子に用いた場合、コントラストの低
下をまねくことになるので、必須の条件である。上記角
度範囲は次のように算出される。傾き角θのゲストホス
ト型表示素子の色素による吸収強度は 5in2(2θ
)に比例し、0=45°で最大となる。ここで最大吸収
強度の75%の吸収強度でも、θ=45°のものとコン
トラストの面からは実用上大差がないことから、最大吸
収強度の75%の吸収強度を与えるθの範囲、つまりコ
ントラストの間で許容できるθの限界は、30°と60
°と計算できる。
現在、知られている強誘電性液晶化合物は表1に例示さ
れる。これらの報告者と出典は、PH,Martino
t−Lagarde @ta1..Mol、Cry@t
。
れる。これらの報告者と出典は、PH,Martino
t−Lagarde @ta1..Mol、Cry@t
。
Lig、Cryst、、 75.249(1981):
犬飼孝他、第1O回液晶討論会予稿集pp164. p
p166(1984):堀佳也子、第10回液晶討論会
予稿集ppH2(1984)などである。
犬飼孝他、第1O回液晶討論会予稿集pp164. p
p166(1984):堀佳也子、第10回液晶討論会
予稿集ppH2(1984)などである。
表1からも判るように殆んどの化合物のlc〜における
傾き角は30°以下であるものが多い。
傾き角は30°以下であるものが多い。
また45°のものは非常にらせんピッチが短い(例えば
、M、F、Bone at al:Mo1.cryat
、Liq。
、M、F、Bone at al:Mo1.cryat
、Liq。
Cryst、、 102 (1984) 331参照)
。
。
さらに、強誘電性を示す温度範囲が室温よりも高いもの
が多く、シかもその範囲が狭いことからこれらをそのま
まゲストホスト型の表示素子材料に用いることはできな
い。
が多く、シかもその範囲が狭いことからこれらをそのま
まゲストホスト型の表示素子材料に用いることはできな
い。
〔発明が解決しようとする問題点3
以上に述べたことから明らかなように本発明の主目的は
、傾き角が30〜60°の範囲にめる強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物を提供することである。本発明
の他の目的は以下の記述によシ明らかにされる。
、傾き角が30〜60°の範囲にめる強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物を提供することである。本発明
の他の目的は以下の記述によシ明らかにされる。
本発明者等は強誘電性液晶化合物および該化合物を成分
とする強訴を性液晶組成物について、その相転移の態様
とS−相における傾き角との相関々係に着目して研究し
た結果、本発明を完成した。
とする強訴を性液晶組成物について、その相転移の態様
とS−相における傾き角との相関々係に着目して研究し
た結果、本発明を完成した。
強誘電性液晶化合物もしくは組成物の中、そのSc相の
高温側にSA相を有する物のSc*相に* おける傾き角は30℃よりも小さく、一方、Sc*相の
高温側にSA相を示さない物ではその傾き角は30℃よ
シ大きいという驚くべき事実を本発明者等は見出した。
高温側にSA相を有する物のSc*相に* おける傾き角は30℃よりも小さく、一方、Sc*相の
高温側にSA相を示さない物ではその傾き角は30℃よ
シ大きいという驚くべき事実を本発明者等は見出した。
すなわち、本発明の帛−社
(1)強誘電性カイラルスメクチックC相の高温側に、
スメクチック人相を示さないカイラルスメクチック液晶
化合物、もしくは、スメクチックC相の高温側にスメク
チック人相を示さないスメクチック液晶化合物を主成分
とすることを特徴とする、スメクチックC相の高温側に
スメクチック人相を示さない強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物、 であシ、その態様は (2)以下の一般式(1)または(II)で表わされる
スメクチック液晶化合物であって、かつ、カイラルスメ
クチックC相もしくはスメクチックC相の高温側にスメ
クチック人相を示さない化合物を少くとも1つ含有する
、前記第(1)項に記載の強vj電−N=CH−1−C
H20−1たは一0CH2−を、Xl、X2、X3およ
びX4はそれぞれハロゲン原子、水X原子またけシアン
基を、Yは単結合または−OC−を示しR1は炭素数4
〜18のアルキル基、アルキルオキシ基、アルカノイル
オキシ基またはアルコキシカルボニル基を 12は不斉
炭素原子を有する炭素数4〜lOのアルキル基またはア
ルキルオキシ基をそれぞれ示す。) である。本発明の第二は (3)強誘電性力イラルスメクデックC相の高温側にス
メクチック人相を示さないカイ2ルスメクテツタ液晶化
合物、または、スメクチックC相の高温側にスメクチッ
ク人相を示さないスメクチック液晶化合物を主成分とし
、カイラルスメクチックC相の高温側にスメクチック人
相を示さない強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物
を使用することを特徴とする光スイツチング素子である
。
スメクチック人相を示さないカイラルスメクチック液晶
化合物、もしくは、スメクチックC相の高温側にスメク
チック人相を示さないスメクチック液晶化合物を主成分
とすることを特徴とする、スメクチックC相の高温側に
スメクチック人相を示さない強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物、 であシ、その態様は (2)以下の一般式(1)または(II)で表わされる
スメクチック液晶化合物であって、かつ、カイラルスメ
クチックC相もしくはスメクチックC相の高温側にスメ
クチック人相を示さない化合物を少くとも1つ含有する
、前記第(1)項に記載の強vj電−N=CH−1−C
H20−1たは一0CH2−を、Xl、X2、X3およ
びX4はそれぞれハロゲン原子、水X原子またけシアン
基を、Yは単結合または−OC−を示しR1は炭素数4
〜18のアルキル基、アルキルオキシ基、アルカノイル
オキシ基またはアルコキシカルボニル基を 12は不斉
炭素原子を有する炭素数4〜lOのアルキル基またはア
ルキルオキシ基をそれぞれ示す。) である。本発明の第二は (3)強誘電性力イラルスメクデックC相の高温側にス
メクチック人相を示さないカイ2ルスメクテツタ液晶化
合物、または、スメクチックC相の高温側にスメクチッ
ク人相を示さないスメクチック液晶化合物を主成分とし
、カイラルスメクチックC相の高温側にスメクチック人
相を示さない強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物
を使用することを特徴とする光スイツチング素子である
。
本発明の強誘電性液晶組成物の成分として好ましく用い
られる化合物は、前記の一般式(1)または(II)で
表わされる、SlまたはSc相を有する化合物で、その
相転移の態様がS”相もしくはSc相の高温側KSA相
を示さない物である。
られる化合物は、前記の一般式(1)または(II)で
表わされる、SlまたはSc相を有する化合物で、その
相転移の態様がS”相もしくはSc相の高温側KSA相
を示さない物である。
これらの化合物の例をst相もしくはSc相の高温側の
相ならびに高温側相への転移温度(Tc )よシも20
℃低い温R(T)における傾き角の値とともに以下に示
す。
相ならびに高温側相への転移温度(Tc )よシも20
℃低い温R(T)における傾き角の値とともに以下に示
す。
なお、以下に例示する化合物以外でも、S!相もしくは
Sc相の、高温側の相としてSA相を有さない化合物で
あれば例示される化合物と同様に本発明の液晶組成物の
成分として用いられる。
Sc相の、高温側の相としてSA相を有さない化合物で
あれば例示される化合物と同様に本発明の液晶組成物の
成分として用いられる。
以下においてchはコレステリック相を、Nはネマチッ
ク相を、■は等方性液相をそれぞれ示す。
ク相を、■は等方性液相をそれぞれ示す。
*
前述した様に強誘電性液晶相の傾き角は、SC相*
の高温側の相の種類によって異なシ、SC相の高温側に
SA相を示す場合には、傾き角は小さく(θく30°)
、一方、S人相を示さない場合には、傾き角は大きく(
θ≧300)なる傾向がおる。次に、このことがS吉相
を有する液晶組成物についてもあてはまることを例を挙
げながら説明する。
SA相を示す場合には、傾き角は小さく(θく30°)
、一方、S人相を示さない場合には、傾き角は大きく(
θ≧300)なる傾向がおる。次に、このことがS吉相
を有する液晶組成物についてもあてはまることを例を挙
げながら説明する。
*
図1および図2は、SC相の高温側KSA相を示し、傾
き角が小さい化合物として、 S”相の高温側にSA相を示さない、傾き角が大きい化
合物として、 からなる二成分混合系における傾き角と相転移置* 度の濃度依存性をそれぞれ示している。SC相の高温側
KSA相を示さない化合物Bの濃度が増えるにつれて傾
き角は大きくなり、化合物Bの譲度が約40モルチでS
A相は消失し、それに対応して傾き角も大きくなり、3
00以上になっている。
き角が小さい化合物として、 S”相の高温側にSA相を示さない、傾き角が大きい化
合物として、 からなる二成分混合系における傾き角と相転移置* 度の濃度依存性をそれぞれ示している。SC相の高温側
KSA相を示さない化合物Bの濃度が増えるにつれて傾
き角は大きくなり、化合物Bの譲度が約40モルチでS
A相は消失し、それに対応して傾き角も大きくなり、3
00以上になっている。
*
図3および図4は、SC相の高温側にSA相を示し、傾
き角が小さい化合物として、 * SC相の高温側にSA相を示さない、傾き角が太きい化
合物として、 からなる二成分混合系における傾き角と相転移温度の濃
度依存性をそれぞれ示している。前述* の例と同じく、SC相の高温側にSA相を示さない化合
物りの濃度が約80モルチでSA相は消失したのに対応
して、傾き角が急激に大きくなっている。
き角が小さい化合物として、 * SC相の高温側にSA相を示さない、傾き角が太きい化
合物として、 からなる二成分混合系における傾き角と相転移温度の濃
度依存性をそれぞれ示している。前述* の例と同じく、SC相の高温側にSA相を示さない化合
物りの濃度が約80モルチでSA相は消失したのに対応
して、傾き角が急激に大きくなっている。
*
図5および図6は、前述した、SC相の高温側*
Ic5A相を示し、傾き角が小さい化合物AとSC相の
高温側にSA相を示さない、傾き角が大きい化合物りと
の二成分混合系における傾き角と相転移温度の濃度依存
性をそれぞれ示している。前述の二つの例と同様な傾向
が見られ、化合物りく。
高温側にSA相を示さない、傾き角が大きい化合物りと
の二成分混合系における傾き角と相転移温度の濃度依存
性をそれぞれ示している。前述の二つの例と同様な傾向
が見られ、化合物りく。
以上の様に、組成物についても化合物と同じ*
<、SC相の高温側にSA相を示し、傾き角が小さ*
い化合物を使用しても、組成物としてSC相の高温側に
SA相を示さなければ傾き角は大きくなることか判る。
SA相を示さなければ傾き角は大きくなることか判る。
このように一般式(1)又は(II)で示*
される化合物群の中で、SC相の高温側にSA相を示さ
ない化合物を主成分とし、組成物としてS″!′相。高
温側K Sag ?:示ヶヶいようよ留、ttア組成比
を調節すれば、ゲスト・ホスト製表示素子材料としてみ
めて適した強誘電性液晶組成物物の混合系の例であるが
、このことはカイラルスメクチック液晶化合物と不斉中
心を有さないスメクチック液晶化合物との混合系につい
ても同じことが言える。すなわち、SC相の高温側に* かな様にSc相の高温側にSA相を示す化合物人と化合
物Gの混合糸においては、いかなる組成* においてもSc相の高温側にSA相を示し、その傾* き角は30’以上にならず、Sc相の高温側にSA相が
存在する場合は、ゲスト・ホスト型表示素子材料として
不適当であると思われる。
ない化合物を主成分とし、組成物としてS″!′相。高
温側K Sag ?:示ヶヶいようよ留、ttア組成比
を調節すれば、ゲスト・ホスト製表示素子材料としてみ
めて適した強誘電性液晶組成物物の混合系の例であるが
、このことはカイラルスメクチック液晶化合物と不斉中
心を有さないスメクチック液晶化合物との混合系につい
ても同じことが言える。すなわち、SC相の高温側に* かな様にSc相の高温側にSA相を示す化合物人と化合
物Gの混合糸においては、いかなる組成* においてもSc相の高温側にSA相を示し、その傾* き角は30’以上にならず、Sc相の高温側にSA相が
存在する場合は、ゲスト・ホスト型表示素子材料として
不適当であると思われる。
以上に説明した例から明らかなように1本発明を適用す
ることによシ、傾き角が30’〜60’の強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物が得られ、該組成物を用い
ることにょシコントラストのすぐれたゲスト・ホスト型
表示素子が得られる。
ることによシ、傾き角が30’〜60’の強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物が得られ、該組成物を用い
ることにょシコントラストのすぐれたゲスト・ホスト型
表示素子が得られる。
以下に実施例によシ本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
又、自発分極の大きさくPs)はソーヤ・タワー法にて
測定し、らせんピッチ(P)は、セル厚約200μmの
ホモジニアス配向を施したセルを使用し、らせんピッチ
に対応する縞模様(デカイラリゼイション ライン)の
間隔を直接測定することにより求めた。そして傾き角(
θ)は、直交ニコル下にて、ホモジニアス配向させたセ
ルに、臨界電場以上の十分に高い電場を印加したときの
消光位と、それから極性を反転させた時の消光位との移
動角(20に対応)よシ求めた。組成物の調製は液晶性
化合物を所定の重量を秤量し試料ビン中で加熱溶解しな
がら混合することにより行なった。
測定し、らせんピッチ(P)は、セル厚約200μmの
ホモジニアス配向を施したセルを使用し、らせんピッチ
に対応する縞模様(デカイラリゼイション ライン)の
間隔を直接測定することにより求めた。そして傾き角(
θ)は、直交ニコル下にて、ホモジニアス配向させたセ
ルに、臨界電場以上の十分に高い電場を印加したときの
消光位と、それから極性を反転させた時の消光位との移
動角(20に対応)よシ求めた。組成物の調製は液晶性
化合物を所定の重量を秤量し試料ビン中で加熱溶解しな
がら混合することにより行なった。
実施例1
*
Sc相の高温側にS人相を示さないカイラルスメクチッ
ク液晶化合物 ツク液晶化合物 からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成* 物は、28℃から82℃の温度範囲でSC相を示し、そ
の高温側でch相になシ、96℃で等方性液体となる。
ク液晶化合物 ツク液晶化合物 からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成* 物は、28℃から82℃の温度範囲でSC相を示し、そ
の高温側でch相になシ、96℃で等方性液体となる。
この液晶組成物の自発分極、らせんピッチ及び傾き角は
30℃で、それぞれ、20nC/j、4μm及び38’
であり、傾き角が非常に大きい、ゲスト・ホスト型表示
方式に非常に適した強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物が得られた。
30℃で、それぞれ、20nC/j、4μm及び38’
であり、傾き角が非常に大きい、ゲスト・ホスト型表示
方式に非常に適した強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物が得られた。
実施例2
*
SC相の高温側KSA相を示すカイラルスメクチック液
晶化合物 * 及び、SC相の高温側にSA相を示さないカイラルスメ
クチック液晶化合物 からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成* − 物は、25℃から75℃の温度範囲でSC相を下し、そ
の高温側でch相になり、130℃で等方性液体となる
。
晶化合物 * 及び、SC相の高温側にSA相を示さないカイラルスメ
クチック液晶化合物 からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成* − 物は、25℃から75℃の温度範囲でSC相を下し、そ
の高温側でch相になり、130℃で等方性液体となる
。
この液晶組成物の自発分極、らせんピッチ及び傾き角は
30℃で、各々、2nC/j、3μm及び34°であ)
、ゲスト・ホス)W表示方式に非常に適した強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物が得られた。
30℃で、各々、2nC/j、3μm及び34°であ)
、ゲスト・ホス)W表示方式に非常に適した強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物が得られた。
実施例3
*
SC相の高温側にSA相を示さないカイラルスメクチッ
ク液晶化合物 20重量% 20重量− * SC相の高温側KS人相を示すカイラルスメクチック液
晶化合物 及びネマチック液晶化合物である からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成物* は、0℃から66℃の温度範囲でSC相を示し、その高
温側でch相になシ、82℃で等方性液体となる。この
液晶組成物の自発分極、らせんピッチ及び傾き角は25
℃でそれぞれ、12 n C/ui、8μm及び39°
であシ、ゲストホスト型表示方式液晶組成物が得られた
。
ク液晶化合物 20重量% 20重量− * SC相の高温側KS人相を示すカイラルスメクチック液
晶化合物 及びネマチック液晶化合物である からなる組成のカイラルスメクチック液晶組成物* は、0℃から66℃の温度範囲でSC相を示し、その高
温側でch相になシ、82℃で等方性液体となる。この
液晶組成物の自発分極、らせんピッチ及び傾き角は25
℃でそれぞれ、12 n C/ui、8μm及び39°
であシ、ゲストホスト型表示方式液晶組成物が得られた
。
実施例4
実施例3で調製した強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物にに色性色素として、アントラキノ/系色素であ
るD −16(BDH社製)を3重量%添加して、いわ
ゆるゲストホスト製表示用にした組成物を、配向処理剤
としてPVAを塗布し、表面をラビングして平行配向処
理を施したセル厚8μmの透明電極を備えたセルに注入
し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に平行になる様に設
置し、0.5Hz、30Vの低周波数の又流を印加した
ところ、非常にコントラストの良い明瞭なスイッチング
現象が観察された。この時の応答時間を透過光強度の変
化から求めると、25℃で約2m5ecと非常に応答の
速いゲストホスト沢表示素子が得られた。
組成物にに色性色素として、アントラキノ/系色素であ
るD −16(BDH社製)を3重量%添加して、いわ
ゆるゲストホスト製表示用にした組成物を、配向処理剤
としてPVAを塗布し、表面をラビングして平行配向処
理を施したセル厚8μmの透明電極を備えたセルに注入
し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に平行になる様に設
置し、0.5Hz、30Vの低周波数の又流を印加した
ところ、非常にコントラストの良い明瞭なスイッチング
現象が観察された。この時の応答時間を透過光強度の変
化から求めると、25℃で約2m5ecと非常に応答の
速いゲストホスト沢表示素子が得られた。
図1〜図8は、それぞれ前記した化合物人と化合物B1
化合物Cと化合物D1化合物Aと化合物り及び化合物A
と化合@aとの二成分混合系における傾き角と相転移温
度の濃度依存性を示す図で* ある。図中、SC,SA、Ch及びISOは、それぞれ
カイラルスメクチックC相、スメクチックA相、コレス
テリック相及び等方性液相を示す。 以 上
化合物Cと化合物D1化合物Aと化合物り及び化合物A
と化合@aとの二成分混合系における傾き角と相転移温
度の濃度依存性を示す図で* ある。図中、SC,SA、Ch及びISOは、それぞれ
カイラルスメクチックC相、スメクチックA相、コレス
テリック相及び等方性液相を示す。 以 上
Claims (3)
- (1)カイラルスメクチックC相の高温側にスメクチッ
クA相を示さないカイラルスメクチック液晶化合物、ま
たはスメクチックC相の高温側にスメクチックA相を示
さないスメクチック液晶化合物を主成分とすることを特
徴とする、カイラルスメクチックC相の高温側にスメク
チックA相を示さない強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) または ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (( I )式および(II)式において、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼および▲数式、化学式、表等があります▼はそれぞれ
独立に▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼を、L^1およびL^2はそれぞ
れ独立に単結合、−N=N−、▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、−CH=N−、−N=
CH−、−CH_2O−または−OCH_2−を、X^
1、X^2、X^3およびX^4はそれぞれ独立にハロ
ゲン原子、水素原子またはシアノ基を、Yは単結合また
は▲数式、化学式、表等があります▼を示し、R^1は
炭素数4〜18のアルキル基、アルキルオキシ基、アル
カノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基を、R
^2は不斉炭素原子を有する炭素数4〜10のアルキル
基またはアルキルオキシ基を示す。) にて表わされ、かつカイラルスメクチックC相もしくは
スメクチックC相の高温側にスメクチックA相を示さな
い化合物を少くとも一つ含有する、特許請求の範囲第(
1)項記載の強誘電性液晶組成物。 - (3)カイラルスメクチックC相の高温側にスメクチッ
クA相を示さないカイラルスメクチック液晶化合物また
はスメクチックC相の高温側にスメクチックA相を示さ
ないスメクチック液晶化合物を主成分とする、カイラル
スメクチックC相の高温側にスメクチックA相を示さな
い強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物を用いるこ
とを特徴とする光スイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60162684A JPS6222889A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60162684A JPS6222889A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6222889A true JPS6222889A (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=15759330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60162684A Pending JPS6222889A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6222889A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0220747A2 (en) * | 1985-11-01 | 1987-05-06 | Chisso Corporation | Ferroelectric smectic C mixture, method for controlling its tilt angle, and light switching element |
JPH01299258A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-04 | Kanto Chem Co Inc | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
US4913837A (en) * | 1986-01-03 | 1990-04-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Heterocyclic compounds |
US4913838A (en) * | 1987-03-20 | 1990-04-03 | Chisso Corporation | Liquid crystal compound with a 4-(optically active alkyl)-3-cyanophenyl group |
US4997942A (en) * | 1988-04-25 | 1991-03-05 | Dainippon Ink And Chemical, Inc. | 2,4-disubstituted pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, and liquid crystal containing the same |
US5055221A (en) * | 1985-05-24 | 1991-10-08 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid-crystalline phases |
US5130049A (en) * | 1988-05-13 | 1992-07-14 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Thermochromic esters |
US5190691A (en) * | 1988-04-06 | 1993-03-02 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP60162684A patent/JPS6222889A/ja active Pending
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US5128472A (en) * | 1988-04-25 | 1992-07-07 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | 2,5-disubstituted pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, and liquid crystal containing the same |
US5130049A (en) * | 1988-05-13 | 1992-07-14 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Thermochromic esters |
JPH01299258A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-04 | Kanto Chem Co Inc | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
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