JPS62216285A - Drive circuit for light-emitting element - Google Patents
Drive circuit for light-emitting elementInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電界効果トランジスタのソースにツェナー・ダイオード
を接続してソース電位を一定に抑える構成を有し、当該
電界効果トランジスタによって発光素子を駆動する発光
素子駆動回路において、上記電界効果トランジスタのゲ
ートに印加するパルス列電圧の振幅レベルを、マーク率
によって制御するよう構成することによって1発光素子
出力がマーク率によって変動することを防止するように
したことが開示されている。[Detailed Description of the Invention] [Summary] A light-emitting element drive circuit that has a configuration in which a Zener diode is connected to the source of a field-effect transistor to keep the source potential constant, and that drives a light-emitting element by the field-effect transistor, It is disclosed that the amplitude level of the pulse train voltage applied to the gate of the field effect transistor is controlled according to the mark rate, thereby preventing the output of one light emitting element from varying depending on the mark rate.
(産業上の利用分齋〕
本発明は2発光素子駆動回路、特にツェナー・ダイオー
ドを用いてソース電位を一定に保つようにした電界効果
トランジスタ(以下FETと略す)による発光素子(以
下LDと略す)駆動回路において、マーク率の変動に起
因する出力の変動を抑止した発光素子駆動回路に関する
。(Industrial Application) The present invention relates to a two-light emitting element drive circuit, particularly a light emitting element (hereinafter abbreviated as LD) using a field effect transistor (hereinafter abbreviated as FET) that uses a Zener diode to keep the source potential constant. ) The present invention relates to a light emitting element drive circuit that suppresses fluctuations in output due to fluctuations in mark ratio in the drive circuit.
従来から9発光素子駆動回路は、第4図(a)図示の如
き構成をもっている。図中の符号1はFET。Conventionally, a nine-light emitting element drive circuit has a configuration as shown in FIG. 4(a). The code 1 in the figure is an FET.
2はLD(又はLED)、3はツェナー・ダイオード、
4はバイパス・コンデンサを表している。2 is LD (or LED), 3 is Zener diode,
4 represents a bypass capacitor.
FET 1のソースに接続されているツェナー・ダイ
オード3は、ソース電位を一定に保持するためのもので
ある。FET 1のゲートに図示の如きパルス列電圧
が供給されると、それに対応してLD 2がパルス状
に発光する。A Zener diode 3 connected to the source of the FET 1 is for keeping the source potential constant. When a pulse train voltage as shown in the figure is supplied to the gate of FET 1, LD 2 emits light in a pulsed manner in response.
第4図(a)図示の如き構成においては、ゲートに供給
されるパルス列電圧のマーク率が小さくなるにつれて、
ツェナー・ダイオード3が導通ずる期間が減少しツェナ
ー・ダイオードの両端の電位差は平均的に小さくなる。In the configuration shown in FIG. 4(a), as the mark rate of the pulse train voltage supplied to the gate becomes smaller,
The period during which the Zener diode 3 is conductive is reduced, and the potential difference across the Zener diode becomes smaller on average.
従って、ソース電圧は。Therefore, the source voltage is.
−■に近づくことになり、平均的な値で与えられるソー
ス電位が第4図(b1図示の如く低下する。ソース電位
の低下により、ドレイン電圧が1、Dの電圧降下により
一定であるとするとゲートとソース間電圧が大きくなっ
てLDに流れる電流は増加し第4図(C)図示の如く、
マーク率が小になるにつれて出力パルスが増大する形と
なる。-■, and the source potential given as an average value decreases as shown in Figure 4 (b1).Assuming that the drain voltage is 1 due to the decrease in the source potential and is constant due to the voltage drop of D. As the voltage between the gate and source increases, the current flowing through the LD increases, as shown in FIG. 4(C).
The output pulse increases as the mark rate decreases.
この点を防止するには、ソース電位を何らかの手段によ
ってマーク率に依らず一定に保持すればよいが、適切な
手段が存在しなかった。To prevent this problem, the source potential should be kept constant regardless of the mark rate by some means, but no suitable means existed.
本発明は上記の点を解決しており、第1図+alは本発
明の原理構成図を示す。図中の符号1はFET、 2
はLD(又はLED)、3はツェナー・ダイオード、4
はコンデンサ、5は本発明において用意されるレベル制
御回路を表している。The present invention solves the above-mentioned problems, and FIG. 1+al shows a basic configuration diagram of the present invention. Code 1 in the figure is FET, 2
is LD (or LED), 3 is Zener diode, 4
5 represents a capacitor, and 5 represents a level control circuit prepared in the present invention.
レベル制御回路5は、FETIのゲートに印加すべく入
力されるパルス列電圧のマーク率に対応して、第1図(
1))図示の如く、パルス列電圧の振幅レベルを制御す
る。即ち、従来の回路を参照して第4図の説明に関連し
て説明した如く、ツェナー・ダイオード3によってつく
られるソースの電位が第4図(b1図示のように変動す
ることから、この変動の影響を打ち消すように、ゲート
に供給されるパルス列電圧の振幅レベルを制御する。The level control circuit 5 controls the mark rate of the pulse train voltage input to be applied to the gate of the FETI as shown in FIG.
1)) Control the amplitude level of the pulse train voltage as shown. That is, as explained in conjunction with the explanation of FIG. 4 with reference to the conventional circuit, since the potential of the source created by the Zener diode 3 fluctuates as shown in FIG. The amplitude level of the pulse train voltage supplied to the gate is controlled so as to cancel out the effects.
レベル制御回路5に供給されるマーク率信号は。The mark rate signal supplied to the level control circuit 5 is as follows.
例えば、ゲートに印加すべく入力されるパルス列電圧を
ロー・バス・フィルタに導入して直流電圧を抽出するよ
うにすればよい。For example, a pulse train voltage input to be applied to the gate may be introduced into a low-pass filter to extract a DC voltage.
ゲートに印加すべく入力されるパルス列電圧は。 The pulse train voltage input to be applied to the gate is:
レベル制御回路5において、マーク率に対応して第1図
(h1図示の関係をもつように振幅レベルを制御される
。In the level control circuit 5, the amplitude level is controlled so as to have the relationship shown in FIG. 1 (h1) in accordance with the mark rate.
この結果、ソース電位がマーク率によって変動しても、
それを補うようにパルス列電圧の振幅レベルが制御され
、第1図(Q)図示の如く、出力はマーク率に依存しな
いものとなる。As a result, even if the source potential varies depending on the mark rate,
The amplitude level of the pulse train voltage is controlled to compensate for this, and as shown in FIG. 1 (Q), the output becomes independent of the mark rate.
第2図は本発明の実施例構成を示す。図中の符号1.
2. 3. 4. 5は第1図に対応し、6はコンパレ
ータであってマーク率に対応した電圧を出力するもの、
7は制御用トランジスタ、8は駆動トランジスタ、9は
クランプ回路を表している。FIG. 2 shows the configuration of an embodiment of the present invention. Code 1 in the figure.
2. 3. 4. 5 corresponds to FIG. 1, 6 is a comparator that outputs a voltage corresponding to the mark rate,
7 represents a control transistor, 8 represents a drive transistor, and 9 represents a clamp circuit.
コンパレータ6に対してマーク率情報が与えられ、トラ
ンジスタ7のベース電位を制御する。これによってトラ
ンジスタ8の電流が制御され、FET 1のゲートに
供給されるパルス列電圧の振幅が制御される。そして、
クランプ回路9が用いられて、FETIのゲートに入力
される信号の“0″レベルの電位が固定され、@1″レ
ベルの電位のみが変化せしめられる。Mark rate information is given to comparator 6, which controls the base potential of transistor 7. This controls the current in transistor 8 and the amplitude of the pulse train voltage supplied to the gate of FET 1. and,
The clamp circuit 9 is used to fix the "0" level potential of the signal input to the gate of the FETI, and only change the @1" level potential.
第3図は本発明の回路を光通信におけるオートマチック
・パワー・コントロール(A P C)回路に利用した
応用例を示している。FIG. 3 shows an example of application of the circuit of the present invention to an automatic power control (APC) circuit in optical communications.
図中の符号2は第2図に対応し、10は第2図図示の回
路(点線部分を除<)、11はバイアス電流制御回路で
あって第2図図示の点線部分からバイアス電流を供給す
るもの、12はモニタ用水ト・ダイオード、13はコン
パレータを表している。Reference numeral 2 in the figure corresponds to that in Figure 2, 10 is the circuit shown in Figure 2 (excluding the dotted line), and 11 is a bias current control circuit that supplies bias current from the dotted line in Figure 2. 12 is a monitor water diode, and 13 is a comparator.
1、D2からの出力がモニタ用ホト・ダイオード12に
よって検出される。そしてコンパレータ13をへて、パ
ワー制御が行われるが、第3図図示の場合2図示回路1
0においてマーク率の変動に起因するパワーの変動分が
抑止されており、パワー制御が有効に行われる。1, the output from D2 is detected by a monitoring photodiode 12. Then, power control is performed through the comparator 13, and in the case shown in FIG.
At 0, power fluctuations due to mark rate fluctuations are suppressed, and power control is effectively performed.
以上説明した如く1本発明によれば、FETのゲートに
印加されるべきパルス列電圧のマーク率の変動に起因す
る出力の変動を抑止することが可能となる。As described above, according to one aspect of the present invention, it is possible to suppress fluctuations in the output caused by fluctuations in the mark rate of the pulse train voltage to be applied to the gate of the FET.
第1図は本発明の原理構成図、第2図は本発明の実施例
構成、第3図は本発明の応用例、第4図は従来の問題を
説明する説明図を示す。
図中、1は電界効果トランジスタ、2は発光素回路を表
す。FIG. 1 shows the principle configuration of the present invention, FIG. 2 shows an embodiment of the invention, FIG. 3 shows an application example of the invention, and FIG. 4 shows an explanatory diagram for explaining a conventional problem. In the figure, 1 represents a field effect transistor, and 2 represents a light emitting element circuit.
Claims (1)
)を接続すると共に当該電界効果トランジスタ(1)の
ソースにツェナー・ダイオード(3)を接続し、ゲート
に印加されるパルス列電圧に対応して上記発光素子(2
)を駆動する発光素子駆動回路において、 上記ゲートに印加すべく入力されるパルス列電圧のマー
ク率を検出した結果にもとづいて、上記入力されるパル
ス列電圧の振幅レベルを制御するレベル制御回路(5)
をもうけ、該レベル制御回路(5)によって振幅レベル
を制御されたパルス列電圧が上記電界効果トランジスタ
(1)のゲートに供給される ことを特徴とする発光素子駆動回路。[Claims] A light emitting element (2) is connected to the drain of the field effect transistor (1).
) and a Zener diode (3) is connected to the source of the field effect transistor (1), and the light emitting element (2) is connected in response to the pulse train voltage applied to the gate.
), the level control circuit (5) controls the amplitude level of the input pulse train voltage based on the result of detecting the mark rate of the input pulse train voltage to be applied to the gate.
1. A light emitting device driving circuit characterized in that the pulse train voltage whose amplitude level is controlled by the level control circuit (5) is supplied to the gate of the field effect transistor (1).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049383A JPS62216285A (en) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | Drive circuit for light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049383A JPS62216285A (en) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | Drive circuit for light-emitting element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS62216285A true JPS62216285A (en) | 1987-09-22 |
Family
ID=12829494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61049383A Pending JPS62216285A (en) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | Drive circuit for light-emitting element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62216285A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237087A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Canon Inc | Laser diode driving circuit and driving method thereof |
CN106340799A (en) * | 2016-03-10 | 2017-01-18 | 北京国科欣翼科技有限公司 | Laser device control system |
CN106340800A (en) * | 2016-03-10 | 2017-01-18 | 北京国科欣翼科技有限公司 | Laser device |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049383A patent/JPS62216285A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237087A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Canon Inc | Laser diode driving circuit and driving method thereof |
CN106340799A (en) * | 2016-03-10 | 2017-01-18 | 北京国科欣翼科技有限公司 | Laser device control system |
CN106340800A (en) * | 2016-03-10 | 2017-01-18 | 北京国科欣翼科技有限公司 | Laser device |
CN106340800B (en) * | 2016-03-10 | 2019-03-12 | 北京国科欣翼科技有限公司 | Laser |
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