JPS62211377A - Sputtering device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は１．アルミニウムあるいはアルミニウム合金
をスパッタして基板に付着させるスパッタ装置において
、スパッタ室に導入するガス導入系として、アルゴンガ
スを導入する第１のガス導入系と、添加ガスを導入する
第２のガス導入系とを設け、スパッタ中に夫々のガス流
量を互いに独立に制御するようにしている。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention has the following features: 1. In a sputtering apparatus that sputters aluminum or aluminum alloy to adhere it to a substrate, the gas introduction systems introduced into the sputtering chamber include a first gas introduction system that introduces argon gas and a second gas introduction system that introduces additive gas. and are provided so that the respective gas flow rates can be controlled independently from each other during sputtering.
本発明は、半導体素子の製造工程などで使用されるアル
ミニウムあるいはアルミニウム合金をスパッタして基板
に付着させるスパッタ装置に関するものである。The present invention relates to a sputtering apparatus for sputtering aluminum or aluminum alloy to adhere it to a substrate, which is used in the manufacturing process of semiconductor devices.
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕従来、
ＩＣ配線用のアルミニウムあるいはアルミニウム合金を
スパッタして基板上に生成したスパッタ膜は、（１１比
抵抗、（２）鏡面反射率、（３）ステップカバレッジ特
性、（４）グレインサイズなどが評価の対象となってい
た。このうち（４）グレインサイズについては、エレク
トロマイグレーションに対する寿命の観点から、グレイ
ンサイズは大きい方が良いという評価基準があった。こ
のため、スパッタ室の残留ガス圧力を可及的に小さくし
、ステップカバレッジを向上させるという意味を兼ねて
、基板の予備加熱を行うことによって大きさが数μｍの
グレインサイズからなるスパッタ膜を得ていた。ところ
が、ＩＣの配線が微細化し、配線幅が１μｍ程度に狭く
なると共に、配線用のアルミニウム膜あるいはアルミニ
ウム合金膜に対する新たな要求が生じてきた。これは、
上記の（１）ないしく３）の評価項目の特性を損なわず
に、グレインサイズを小さくしたいということである。[Problems to be solved by conventional technology and invention] Conventionally,
Sputtered films produced on substrates by sputtering aluminum or aluminum alloy for IC wiring are evaluated for (11) specific resistance, (2) specular reflectance, (3) step coverage characteristics, (4) grain size, etc. Regarding (4) grain size, there was an evaluation standard that the larger the grain size, the better from the viewpoint of longevity against electromigration.For this reason, the residual gas pressure in the sputtering chamber should be kept as low as possible. By preheating the substrate, a sputtered film consisting of a grain size of several micrometers was obtained in order to reduce the size and improve step coverage.However, as IC wiring became finer, the wiring As the width has become narrower to around 1 μm, new demands have arisen for aluminum films or aluminum alloy films for wiring.
It is desired to reduce the grain size without impairing the characteristics of the evaluation items (1) to 3) above.
数μｍ程度のグレインサイズを有するアルミニウム膜な
どを幅１μｍ程度の配線パターンに形成した場合、配線
パターン上のグレインの境界が竹の節状の構造となる。When an aluminum film or the like having a grain size of about several μm is formed into a wiring pattern with a width of about 1 μm, the boundaries of the grains on the wiring pattern have a bamboo knot-like structure.
この場合、エレクトロマイグレーションの経路であるグ
レイン境界が減少しているため、確かにエレクトロマイ
グレーションに対する寿命は向上する。しかし、反面、
複数の試料に対するこの寿命のバラツキが非常に増大し
、品質管理上好ましくないことが知られている。更に、
アルミニウム膜などの応力が原因となって断線が生じや
すいことも報告されている。これらの欠点を克服するた
めには、グレインサイズを小さくしなければならない、
ところが、現在の生産工程で使用されているロードロッ
ク機構（スパッタ室の真空を大気圧にすることなくウェ
ハーを交換可能な機構）を備えたスパッタ装置では、残
留ガス圧力が小さいため、１μｍ程度以下のグレインサ
イズのスパッタ膜を得ることが困難である。そこで、積
極的に外部から不純ガス（添加ガス）をスパッタ室に導
入してグレインサイズを制御しようとする試みがなされ
ている。しかし、この場合、適当なグレインサイズでか
つ前記（１１ないしく３）の条件を満足するアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金のスパッタ膜を生成するの
に必要なガス添加量が、１００ないし１１０００ｐｐ程
度であるため、従来の装置を用いてこれを行おうとして
も、スパッタ室に導入するガスの流量およびスパッタ室
の圧力の制御が難しく、特に生産用の装置に望まれる特
性の１つである制御性に劣るという問題点があった。In this case, since the grain boundaries, which are electromigration paths, are reduced, the lifetime against electromigration is certainly improved. However, on the other hand,
It is known that this variation in lifespan among multiple samples increases significantly, which is unfavorable in terms of quality control. Furthermore,
It has also been reported that wire breakage is likely to occur due to stress in the aluminum film, etc. To overcome these drawbacks, the grain size must be reduced,
However, with sputtering equipment equipped with a load-lock mechanism (a mechanism that allows wafers to be replaced without raising the vacuum in the sputtering chamber to atmospheric pressure) used in current production processes, the residual gas pressure is small, so the It is difficult to obtain a sputtered film with a grain size of . Therefore, attempts have been made to actively introduce impurity gas (additional gas) from the outside into the sputtering chamber to control the grain size. However, in this case, the amount of gas added necessary to generate a sputtered film of aluminum or aluminum alloy with an appropriate grain size and satisfying the conditions (11 to 3) above is about 100 to 11,000 pp. Even if we try to do this using conventional equipment, it is difficult to control the flow rate of gas introduced into the sputtering chamber and the pressure in the sputtering chamber, and it is said that controllability, which is one of the characteristics desired especially in production equipment, is poor. There was a problem.
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記問題点を解決するために、スパッタ室に
導入するガス導入系として、アルゴンガスを導入する第
１のガス導入系と、添加ガスを導入する第２のガス導入
系とを設け、スパッタ中に夫々のガス流量を互いに独立
に制御するようにしている。Means for Solving Problem c] In order to solve the above problem, the present invention provides a first gas introduction system for introducing argon gas into the sputtering chamber, and a first gas introduction system for introducing an additive gas into the sputtering chamber. A second gas introduction system is provided to control the respective gas flow rates independently of each other during sputtering.
第１図に示す本発明の１実施例構成を用いて問題点を解
決するための手段を説明する。Means for solving the problems will be explained using the configuration of one embodiment of the present invention shown in FIG.
第１図において、流量制御器２は、アルゴンガス（Ａｒ
ガス）ボンベ３から供給されたアルゴンガスを所定の流
量に制御例えばスパッタ室１内の圧力が所定値に保持さ
れるように制御するものである。In FIG. 1, the flow rate controller 2 uses argon gas (Ar
The argon gas supplied from the gas cylinder 3 is controlled at a predetermined flow rate, for example, so that the pressure inside the sputtering chamber 1 is maintained at a predetermined value.
真空計４は、スパッタ室内の圧力を測定するものである
。The vacuum gauge 4 measures the pressure inside the sputtering chamber.
流量制御器５は、添加ガスボンベ６から供給された添加
ガス例えば酸素（０； ）ガスを所定の流量に制御例え
ばスパッタ室の当該添加ガスの分圧を所定値に保持する
ように制御するものである。The flow rate controller 5 controls an additive gas, such as oxygen (0; be.
四重極質量分析計７は、スパッタ室１内のガスの分圧を
測定するものであって、例えば添加ガスなどの分圧を測
定するものである。The quadrupole mass spectrometer 7 measures the partial pressure of gas in the sputtering chamber 1, for example, the partial pressure of an additive gas.
真空排気系８は、四重極質量分析計７を用いて質量分析
して添加ガスの分圧を測定するために真空排気するもの
である。The evacuation system 8 evacuates the gas in order to perform mass spectrometry using the quadrupole mass spectrometer 7 and measure the partial pressure of the added gas.
ｍ御器９は、四重極質量分析計７をＩＩＩＭｍシて添加
ガスの分圧を測定するものである。The m controller 9 measures the partial pressure of the added gas by turning the quadrupole mass spectrometer 7 into an IIIMm.
制御部１０は、四重極分析計７を用いて測定した分圧例
えば添加ガスの分圧を所定値に保持するように流量制御
器５を制御するものである。The control unit 10 controls the flow rate controller 5 so as to maintain the partial pressure measured using the quadrupole analyzer 7, for example, the partial pressure of the added gas, at a predetermined value.
第１図に示す構成を採用し、真空計４を用いて測定した
スパッタ室ｌ内の圧力が、所定値に保持されるように、
流量制御器２を制御してアルゴンガスボンベ３から供給
されるアルゴンガスをスパッタ室１に導入する。また、
四重極質量分析計７を用いて測定した添加ガスの分圧が
予め定めた所定値に保持されるように、制御部１０は、
流量制御器５を制御して添加ガスボンベ６から供給され
る添加ガスをスパッタ室１に導入する。The configuration shown in FIG. 1 is adopted, and the pressure inside the sputtering chamber l measured using the vacuum gauge 4 is maintained at a predetermined value.
Argon gas supplied from an argon gas cylinder 3 is introduced into the sputtering chamber 1 by controlling the flow rate controller 2 . Also,
In order to maintain the partial pressure of the added gas measured using the quadrupole mass spectrometer 7 at a predetermined value, the control unit 10
The additive gas supplied from the additive gas cylinder 6 is introduced into the sputtering chamber 1 by controlling the flow rate controller 5 .
以上の如き制御によってスパッタ中におけるスパッタ室
１内の圧力が所定値に保持されるようにアルゴンガスを
導入すると共に、スパッタ室１内の添加ガスの分圧が所
定値に保持されるように添加ガスを導入することにより
、後述するように、所望のダレインサイズのアルミニウ
ム膜などをスパッタによって安定に作成することが可能
となる。Through the above control, argon gas is introduced so that the pressure inside the sputtering chamber 1 is maintained at a predetermined value during sputtering, and the argon gas is added so that the partial pressure of the additive gas inside the sputtering chamber 1 is maintained at a predetermined value. By introducing the gas, as will be described later, it becomes possible to stably form an aluminum film or the like with a desired particle size by sputtering.
（実施例〕
次に、第２図に示す本発明の１実施例構成および動作を
詳細に説明する。(Embodiment) Next, the configuration and operation of one embodiment of the present invention shown in FIG. 2 will be described in detail.
第２図において、スパッタ室１には、アルゴンガスを導
入するための第１のガス導入系および添加ガスを導入す
るための第２のガス導入系が接続されてい、る、第１の
ガス導入系は、流量制御器２、真空計４、バルブｖｌお
よびアルゴンガス（Ａｒガス）ボンベ３から構成され、
アルゴンガスボンベ３から供給されるアルゴンガスは、
バルブＶ。In FIG. 2, a first gas introduction system for introducing argon gas and a second gas introduction system for introducing additive gas are connected to the sputtering chamber 1. The system is composed of a flow rate controller 2, a vacuum gauge 4, a valve vl, and an argon gas (Ar gas) cylinder 3,
The argon gas supplied from the argon gas cylinder 3 is
Valve V.
および流量制御器２を介してスパッタ室１内に導入され
ている。この際、スパッタ室１内に導入されるアルゴン
ガスの流量は、スパッタ室ｌに接続された真空計４を用
いて測定した圧力が、予め定めた所定値に保持されるよ
うに制御される。and is introduced into the sputtering chamber 1 via the flow rate controller 2. At this time, the flow rate of argon gas introduced into the sputtering chamber 1 is controlled so that the pressure measured using the vacuum gauge 4 connected to the sputtering chamber 1 is maintained at a predetermined value.
一方、第２のガス導入系は、流量制御器５、バルブｖｔ
および添加ガスボンベ６からなる添加ガスをスパッタ室
１内に導入する部分と、バルブＶ３、オリフィス１２、
バルブｖ４、四重極質量分析計７、ターボ分子ポンプ８
−１、油回転ポンプ８−２、および四重極質量分析計制
御器９−１からなる添加ガスなどの分圧を測定する測定
部と、この測定部によって測定された添加ガス分圧が予
め定めた所定の分圧に保持されるように流量制御器５を
制御するマイクロプロセッサ１０−１とから構成されて
いる。ここで、ターボ分子ポンプ８−１および油回転ポ
ンプ８−２は、四重極質量分析計７を動作させろための
ものである。On the other hand, the second gas introduction system includes a flow rate controller 5, a valve vt
and a portion for introducing the additive gas into the sputtering chamber 1 consisting of the additive gas cylinder 6, a valve V3, an orifice 12,
Valve v4, quadrupole mass spectrometer 7, turbomolecular pump 8
-1, an oil rotary pump 8-2, and a quadrupole mass spectrometer controller 9-1. The microprocessor 10-1 controls the flow rate controller 5 to maintain a predetermined partial pressure. Here, the turbo molecular pump 8-1 and the oil rotary pump 8-2 are for operating the quadrupole mass spectrometer 7.
次に、ＡＮ−１％Ｓｌを実際にスパッタしてスパッタ膜
を基板（図示せず）に耐着・堆積させる場合について詳
細に説明する。Next, a case in which AN-1% Sl is actually sputtered to adhere and deposit a sputtered film on a substrate (not shown) will be described in detail.
まず、添加ガスボンベ６内にアルゴンガスに１％の酸素
ガス（０，）を混入したものを予め格納しておく、そし
て、第１に、スパッタ室１を、タライオボンプ１１を用
いて十分良質な高真空に排気例えば・２Ｘ１０−４Ｔｏ
ｒｒ以下に排気する。第２に、第１のガス導入系を作動
させて、アルゴンガスボンベ３からアルゴンガスをスパ
ッタ室１内に導入し、真空計４によって測定される圧力
が予め定めた所定の圧力例えば８Ｘ１０−”Ｔｏｒｒに
なるように流量制御器２を制御する。第３に、第２のガ
ス導入系を作動させて、添加ガスボンベ６から１％酸素
ガスをスパッタ室１内に導入し、四重極質量分析計７に
よって測定される添加ガス（Ｏｌ）の分圧が、予め定め
た所定値例えば１０−６ないし１０−％Ｔａｒｔに保持
されるように流量制御器５を゛制御する。第４に、この
状態が保持されるよう制御を行いつつ、Ａｆｉ−１％Ｓ
ｉを例えば成膜速度１μｍ／ｍｉｎが得られるようにス
パッタを行う。First, argon gas mixed with 1% oxygen gas (0,) is stored in the additive gas cylinder 6 in advance. Exhaust to vacuum e.g. 2X10-4To
Exhaust to below rr. Second, the first gas introduction system is activated to introduce argon gas into the sputtering chamber 1 from the argon gas cylinder 3, and the pressure measured by the vacuum gauge 4 is set to a predetermined pressure, for example, 8X10-''Torr. The flow rate controller 2 is controlled so that The flow rate controller 5 is controlled so that the partial pressure of the additive gas (Ol) measured by 7 is maintained at a predetermined value, for example, 10-6 to 10-% Tart.Fourth, in this state While controlling to maintain Afi-1%S
Sputtering is performed such that a film formation rate of 1 μm/min is obtained for i, for example.
以上の手順を用いて作成したスパッタ膜のグレインサイ
ズの大きさを、走査型電子顕微鏡を用いて測定し、その
測定した結果の平均値を第３図に示す、第３図図中横軸
は、添加ガスであるＯ！ガスの分圧（Ｔｏｒｒ）を示し
、縦軸は、測定して算出した平均のグレインサイズ（μ
ｍ）を示す。The grain size of the sputtered film created using the above procedure was measured using a scanning electron microscope, and the average value of the measured results is shown in Figure 3. The horizontal axis in Figure 3 is , the added gas O! The gas partial pressure (Torr) is shown, and the vertical axis is the measured and calculated average grain size (μ
m).
この第３図図示曲線から判明するように、添加ガスであ
るＯ、ガスの分圧を制御することにより、基板上に成膜
されたスパッタ膜のグレインサイズを、約２μｍから約
０．４μｍの範囲でＩ御することが可能となる。As can be seen from the curve shown in Figure 3, by controlling the partial pressure of the O additive gas and the gas, the grain size of the sputtered film formed on the substrate can be changed from about 2 μm to about 0.4 μm. It becomes possible to control I within the range.
第４図は本発明の他の実施例構成図を示す、この第４図
図中には、第２のガス導入系のガス導入部のみを示し、
他の部分は第２図図示のものと同一であるので省略した
。尚、第２図図示実施例構成では、予め添加ガス例えば
０□ガスをアルゴンガスで希釈したものを添加ガスボン
ベ６に格納したものを準備する必要があったが、この第
４図図来信の１実施例構成では、希釈したしたものを必
ずしも準備する必要がない、以下説明する。FIG. 4 shows a configuration diagram of another embodiment of the present invention. In this FIG. 4, only the gas introduction part of the second gas introduction system is shown,
The other parts are the same as those shown in FIG. 2 and are therefore omitted. In the configuration of the embodiment shown in FIG. 2, it was necessary to prepare in advance an additive gas such as 0□ gas diluted with argon gas and stored in the additive gas cylinder 6. In the embodiment configuration, it is not necessarily necessary to prepare a diluted solution, which will be explained below.
第４図において、油回転ポンプ１３は、流ｆｉｔ制御器
５とスパッタ室１との間に設けた荒引き用の真空ポンプ
であって、流量制御器５からスパッタ室１に向けて流れ
る添加ガスを途中で一部分大気中に排気するものである
。この流量制御器５から放出され、スパッタ室１内に導
入される添加ガスの流量Ｇｌと、油回転ポンプ１３によ
って大気中に放出される添加ガスの流量Ｇ、との比Ｇ＋
／Ｇ８は、はぼ１／１００程度になるようにスパッタ室
１に接続された配管のコダクタンスおよび油回転ポンプ
１３に接続された配管のコンダクタンスを調整する。In FIG. 4, the oil rotary pump 13 is a vacuum pump for rough pumping provided between the flow fit controller 5 and the sputtering chamber 1, and is used to direct the additive gas flowing from the flow rate controller 5 toward the sputtering chamber 1. A portion of the gas is exhausted into the atmosphere along the way. The ratio G+ of the flow rate Gl of the additive gas released from the flow rate controller 5 and introduced into the sputtering chamber 1 and the flow rate G of the additive gas released into the atmosphere by the oil rotary pump 13
/G8 adjusts the conductance of the piping connected to the sputtering chamber 1 and the conductance of the piping connected to the oil rotary pump 13 so that the conductance is approximately 1/100.
以上説明したような構成を採用することにより、添加ガ
スボンベ６中にアルゴン、ガスを用いて１％程度に希釈
したものを格納しておかなくても、第２図を用いて説明
したと同様に第２のガス導入系を用いて添加ガスを所定
の圧力でスパッタ室１内に安定に導入することができる
。また、第４図に示す構成と、希釈した添加ガスとを併
用することにより、スパッタ室１内の添加ガスの分圧を
更に微妙に制御することも可能である。By adopting the configuration as explained above, the same effect as explained using FIG. The additive gas can be stably introduced into the sputtering chamber 1 at a predetermined pressure using the second gas introduction system. Further, by using the configuration shown in FIG. 4 in combination with diluted additive gas, it is also possible to more delicately control the partial pressure of the additive gas in the sputtering chamber 1.
尚、第２図および第４図図示実施例構成では、添加ガス
として０２ガスを用いたが、添加ガスとしてＮ重、Ｈｚ
０１ＣＯ！などの他の不純ガスを用いても同様な効果
が得られる。また、以上説明した構成を用いて作成した
いずれのスパッタ膜も、良好な鏡面反射率および低い抵
抗率を示し、ステップカバレッジもガス無添加で作成し
たものと同等であった。Note that in the embodiment configurations shown in FIGS. 2 and 4, 02 gas was used as the additive gas;
01CO! A similar effect can be obtained by using other impure gases such as. Moreover, all the sputtered films created using the configuration described above showed good specular reflectance and low resistivity, and the step coverage was also equivalent to that created without adding gas.
〔発明の効果〕 。〔Effect of the invention〕 .
以上説明したように、本発明によれば、スパッタ室に導
入するガス導入系として、アルゴンガスを導入する第１
のガス導入系と、添加ガスを導入する第２のガス導入系
とを設け、スパッタ中に夫々のガス流量を互いに独立に
制御し得る構成を採用しているため、特にスパッタ中の
添加ガスの分圧を非常に精度良好に制御して所望のグレ
インサイズのアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金
膜を安定に成膜することが可能となった。As explained above, according to the present invention, as the gas introduction system to be introduced into the sputtering chamber, the first
A gas introduction system and a second gas introduction system for introducing additive gas are provided, and the flow rate of each gas can be controlled independently of each other during sputtering. It has become possible to stably form an aluminum film or an aluminum alloy film with a desired grain size by controlling the partial pressure with very high precision.
第１図は本発明の原理的構成図、第２図は本発明の１実
施例構成図、第３図はＡＪ−１％Ｓｉ膜の平均ダレイン
サイズのＯｔガス分圧依存曲線、第４図は本発明の他の
実施例構成図を示す。
図中、１はスパッタ室、２．５は流量制御器、３はアル
ゴンガスボンベ、４は真空計、６は添加ガスボンベ、７
は四重極質量分析計、８は真空排気系、９は制御器、１
０は制御部、１１はクライオポンプを表わす。FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of one embodiment of the present invention, FIG. The figure shows a configuration diagram of another embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a sputtering chamber, 2.5 is a flow rate controller, 3 is an argon gas cylinder, 4 is a vacuum gauge, 6 is an additive gas cylinder, and 7
is a quadrupole mass spectrometer, 8 is a vacuum pumping system, 9 is a controller, 1
0 represents a control unit, and 11 represents a cryopump.
Claims (4)
タして基板に付着させるスパッタ装置において、 スパッタ室に導入するガス導入系として、アルゴンガス
を導入する第１のガス導入系および添加ガスを導入する
第２のガス導入系を備え、スパッタ中に夫々のガス流量
を互いに独立に制御するよう構成したことを特徴とする
スパッタ装置。(1) In a sputtering device that sputters aluminum or aluminum alloy to adhere it to a substrate, the gas introduction system introduced into the sputtering chamber includes a first gas introduction system that introduces argon gas and a second gas introduction system that introduces additive gas. 1. A sputtering apparatus comprising an introduction system and configured to independently control each gas flow rate during sputtering.
ガス導入系が、当該スパッタ室の圧力を測定する真空計
と、この真空計によって測定された圧力に対応する所定
の流量を当該スパッタ室に導入する第１のガス流量制御
器とを備え、かつ添加ガスを導入する第２のガス導入系
が、当該スパッタ室中のガス成分を分析する質量分析計
と、この質量分析計を動作させる差動排気装置と、この
質量分析計によって測定された添加ガス分圧に対応して
所定の流量を当該スパッタ室に導入する第２のガス流量
制御器とを備え、スパッタ中の全圧に対する添加ガス分
圧を所定値に保持するよう制御を行うことを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のスパッタ装置。(2) The first gas introduction system that introduces the argon gas into the sputtering chamber includes a vacuum gauge that measures the pressure in the sputtering chamber, and a predetermined flow rate corresponding to the pressure measured by the vacuum gauge in the sputtering chamber. A second gas introduction system for introducing the additive gas into the sputtering chamber includes a mass spectrometer for analyzing gas components in the sputtering chamber, and a second gas introduction system for operating the mass spectrometer. It is equipped with a differential pumping device and a second gas flow rate controller that introduces a predetermined flow rate into the sputtering chamber in accordance with the partial pressure of the added gas measured by the mass spectrometer, and is equipped with The sputtering apparatus according to claim 1, wherein control is performed to maintain the gas partial pressure at a predetermined value.
が、添加ガスとアルゴンガスとの混合ガスであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項および第（２）項
記載のスパッタ装置。(3) Claims (1) and (2), characterized in that the gas introduced into the sputtering chamber from the second gas introduction system is a mixed gas of additive gas and argon gas. sputtering equipment.
スパッタ室との間に、真空排気系を接続し、添加ガスの
一部を大気中に放出することにより、スパッタ室に導入
する添加ガスの流量を減少させるよう構成したことを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項および第（２）項記
載のスパッタ装置。(4) In the second gas introduction system, a vacuum exhaust system is connected between the second flow rate controller and the sputtering chamber, and a part of the added gas is introduced into the sputtering chamber by releasing it into the atmosphere. The sputtering apparatus according to claims (1) and (2), characterized in that the sputtering apparatus is configured to reduce the flow rate of the additive gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051519A JP2515977B2 (en) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Spatter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051519A JP2515977B2 (en) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Spatter device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211377A true JPS62211377A (en) | 1987-09-17 |
| JP2515977B2 JP2515977B2 (en) | 1996-07-10 |
Family
ID=12889256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051519A Expired - Lifetime JP2515977B2 (en) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Spatter device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515977B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049251A (en) * | 1988-06-10 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Sputtering method for fabricating thin film |
| EP0849810A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing photovoltaic element |
| US5998730A (en) * | 1997-05-13 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method for deposited film, production method for photoelectric conversion element, production apparatus for deposited film, production apparatus for photoelectric conversion element |
| US6743341B2 (en) * | 1996-03-14 | 2004-06-01 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Apparatus for applying thin layers to a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974278A (en) * | 1982-10-20 | 1984-04-26 | Hitachi Ltd | Formation of film by sputtering |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP61051519A patent/JP2515977B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974278A (en) * | 1982-10-20 | 1984-04-26 | Hitachi Ltd | Formation of film by sputtering |
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| US6743341B2 (en) * | 1996-03-14 | 2004-06-01 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Apparatus for applying thin layers to a substrate |
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| US6132569A (en) * | 1996-12-18 | 2000-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing photovoltaic element |
| US5998730A (en) * | 1997-05-13 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method for deposited film, production method for photoelectric conversion element, production apparatus for deposited film, production apparatus for photoelectric conversion element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2515977B2 (en) | 1996-07-10 |
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