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JPS62202395A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number
JPS62202395A
JPS62202395A JP61044645A JP4464586A JPS62202395A JP S62202395 A JPS62202395 A JP S62202395A JP 61044645 A JP61044645 A JP 61044645A JP 4464586 A JP4464586 A JP 4464586A JP S62202395 A JPS62202395 A JP S62202395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
circuit
address
input
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61044645A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sakashita
和広 坂下
Satoru Kishida
悟 岸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61044645A priority Critical patent/JPS62202395A/en
Publication of JPS62202395A publication Critical patent/JPS62202395A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To attain write inhibition at the designation of a special address without adding a complicated circuit by providing a decoder circuit constituted so as not to output a selection signal to a specific address designation executed when a write prevention signal is inputted from a write prevention signal input terminal. CONSTITUTION:One of word lines W1-Wn is selected by the combination of address signals inputted to address input terminals A0-A1 of a decoder circuit 12 and a selection signal is outputted. A unit memory circuit string of one line connected to the selected word line is selected readably and writably and the exchange of a signal to and from a corresponding bit line is attained. An input/output circuit 3 executes read/write of data between data input/output terminals DIO1-DIOk via bit lines B1-Bm by the designation of an R/W signal. In this case, when an inhibit signal functioning as a write prevention signal is applied to an inhibit signal input terminal INH of the decoder circuit 12, all the word lines are not selected only at the specific address designation.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、特定のアドレスが指定された場合にメそり
セルの選択を行わせない機構を備えた半導体集積回路装
置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a mechanism for not selecting a mesori cell when a specific address is specified.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図は一般に知られているメモリ回路(この例ではR
AM回路)を示すブロック図である。第4図においてs
Ao〜A1は1入力のアドレス入力端子、W1〜Wnは
各行の単位メモリ回路行を選択するワードライン%BI
〜B1.lは各列の単位メモリ回路列とデータを受は渡
丁ビットライン、R/WはRAM回路のリード・ライト
モードな制御する信号の入力端子、Dlo、〜DIOk
はRAM回路と外部回路間でデータ信号を受は渡丁デー
タ入出力端子、2はデコーダ回路で、1本の7ドレス入
力信号からn本のうちの1本のワードラインに選択信号
を生成する。111〜1a□は1行X m 9111c
配列された単位メモリ回路、3は入出力回路で、ビット
ラインB、〜BIIlからの信号をデータ入出力端子0
10、〜D I Ok へ波形整形して伝達したり、デ
ータ入出力端子DIO+〜DIOkからのデータ人力峯
Figure 4 shows a generally known memory circuit (in this example, R
FIG. 2 is a block diagram showing an AM circuit. In Figure 4, s
Ao to A1 are 1-input address input terminals, and W1 to Wn are word lines %BI for selecting unit memory circuit rows in each row.
~B1. l is the bit line that receives the unit memory circuit column and data of each column, R/W is the input terminal of the signal that controls the read/write mode of the RAM circuit, Dlo, ~DIOk
2 is a data input/output terminal that receives data signals between the RAM circuit and the external circuit, and 2 is a decoder circuit that generates a selection signal from one 7-dress input signal to one of the n word lines. . 111~1a□ is one line X m 9111c
The arranged unit memory circuits, 3 is an input/output circuit, which transmits signals from bit lines B, ~BIIl to data input/output terminal 0.
10. Waveform shaping and transmission to ~DIOk, data input/output terminals DIO+~DIOk.

信号ヒツトライン81〜Bmへ波形整形して伝達する。The waveform is shaped and transmitted to the signal hit lines 81 to Bm.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記のような従来のRAM回路を使用した半導体集積回
路装置を構成する場合、特定の条件の場合に特定の7ド
レスのみアドレス指定を無効にするような構成としたい
場合がある。このような場合、これまでのRAM回路で
はその特定の条件の検出と合せて特定のアドレスの検出
を行い、その両方がなりたったとぎに几AM全体の読み
書きを無効に−fるような回路を外部に設置する必要が
生じ、一般にこの回路は複雑で、多大のチップ面積を必
要とする。
When configuring a semiconductor integrated circuit device using the conventional RAM circuit as described above, it may be desired to have a configuration in which addressing is disabled only for seven specific addresses under specific conditions. In such cases, conventional RAM circuits detect a specific address in addition to detecting the specific condition, and when both of these conditions are met, a circuit is created that disables reading and writing of the entire RAM. This requires external installation, and the circuitry is generally complex and requires a large amount of chip area.

例えば、マイクロプロセッサLSI内で汎用レジスタと
して几AM回路を用い、ある特定の命令がきたときに特
定の汎用レジスタに対しては書き込み禁止にして使用す
る場合、従来はその命令と、その命令のレジスタの指定
アドレス部分を認識したうえで、その指定アドレスが書
き込み禁止のアドレスだった場合に、命令の実行を中止
するような処置を施す必要があり、これを実現するため
に、一般にマイクロプログラムと呼ばれるマイクロプロ
セッサの制御プログラムに、このための処理ルーチンの
追加を行う。このマイクロプログラムは、通常マイクロ
ROMと呼ばれるROM回路内に入れられており、結果
として、ROM容量の増大を招き、ひいてはチップサイ
ズの増大およびチップコストの増大を招くという問題点
があった。
For example, when using a digital AM circuit as a general-purpose register in a microprocessor LSI, and when a certain general-purpose register is used with writing prohibited when a certain instruction comes, conventionally, that instruction and the register of that instruction are After recognizing the specified address part of A processing routine for this purpose is added to the microprocessor control program. This microprogram is usually stored in a ROM circuit called a micro ROM, which results in an increase in ROM capacity, which in turn leads to an increase in chip size and chip cost.

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、特定の7ドレス指定のときKWき込み禁止にでき
、マイクロプログラムの増大が抑えられ、小形化および
低コスト化が可能な半導体集積回路装置を得ることを目
的とする。
This invention was made to solve this problem, and it is possible to prohibit KW writing when specifying a specific 7-dress, suppress the increase in microprograms, and realize semiconductor integration that can be made smaller and lower in cost. The purpose is to obtain a circuit device.

〔問題点を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

この発明に係る半導体集積回路装置は、書き込み防止信
号入力端子を有し、この書き込み防止信号入力端子より
書き込み防止信号が入力されているときに行われる特定
の7ドレス指定に対【、てその選択信号を出力しないよ
うに構成したデコーダ回路回路を備えたものである。
The semiconductor integrated circuit device according to the present invention has a write-protection signal input terminal, and responds to a specific 7-dress designation performed when a write-protection signal is input from the write-protection signal input terminal. It is equipped with a decoder circuit configured so as not to output a signal.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、デコーダ回路Kitき込み防止信
号が入力されているときに特定の7ドレス指定が行われ
てもその選択信号は出力されない。
In this invention, even if a specific 7-dress designation is made while the decoder circuit Kit write prevention signal is being input, the selection signal is not output.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
すブロック図である。第1図において、第4図と同一符
号は同一部分を示し、12はデコーダ回路、INHは書
き込み防止信号入力端子であるインヒビット信号入力端
子である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as in FIG. 4 indicate the same parts, 12 is a decoder circuit, and INH is an inhibit signal input terminal which is a write prevention signal input terminal.

また第2図は第1図に示したデコーダ回路12の構成の
一実施例を示す図である。第2図において、第1図と同
一符号は同一部分を示し、4はエンへンスメント型Nチ
ャネルMO8)ランジスタ(以下単にNMO8Tという
)、5はデプレッション型NチャネルMO8)ランジス
タ(以下単KDMOS Tという)、6はインバータ、
W1〜W8は反転された後、ワードラインW1%W、に
送出される出力を示す。
Further, FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the decoder circuit 12 shown in FIG. 1. In FIG. 2, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts, 4 is an enhancement type N-channel MO8) transistor (hereinafter simply referred to as NMO8T), and 5 is a depletion type N-channel MO8) transistor (hereinafter simply referred to as single KDMOS T). ), 6 is an inverter,
W1-W8 indicate the outputs sent to the word line W1%W after being inverted.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第1図の半導体集積回路装置において、デコーダ回路1
2のアドレス入力端子へ〇〜A1  に入力されるアド
レス信号の組み合せKより、ワードラインW1〜Wnの
うちの1本が選択され選択信号が出力される。そして、
選択されたワードラインに接続された1行の単位メモリ
回路列は読み書き可能に選択され、それぞれ対応するビ
ットラインとの信号のやり取りが可能になる。入出力回
路3は、R/W信号の指定によりビットライン日、〜8
−を介してデータ入出力端子DI01〜DIOkと単位
メモリ回路間のデータの読み書きを実施する。この時、
デコーダ回路12のインヒビット信号入力端子INHK
薔き込み防止信号であるイ/ヒビット信号が印加される
と、特定のアドレス指定の場合にのみすべてのワードラ
インが非選択状態になる。
In the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.
One of the word lines W1 to Wn is selected from the combination K of address signals input to the address input terminals 2 to A1, and a selection signal is output. and,
One row of unit memory circuit columns connected to the selected word line is selected to be readable and writable, and signals can be exchanged with the corresponding bit lines. The input/output circuit 3 receives the bit line from 8 to 8 according to the R/W signal designation.
- reads and writes data between the data input/output terminals DI01 to DIOk and the unit memory circuit. At this time,
Inhibit signal input terminal INHK of decoder circuit 12
When an enable/hibit signal, which is an infill prevention signal, is applied, all word lines become unselected only in the case of specific addressing.

第2図のデコーダ回路12においては、各出力端子が3
段の2分岐回路により接地端子まで接続され、結果とし
て、3個のNMOS T 4の縦列接続で接地端子に接
続され、各々1個のDMOS T5により電源端子に接
続されている。この場合、DMOS T 5のゲート端
子はそのソース端子と接続されているので、逆にンース
・ドレイン間は導通状態にある。
In the decoder circuit 12 of FIG. 2, each output terminal has three
A two-branch circuit of the stage is connected to the ground terminal, resulting in a cascade of three NMOS T4s connected to the ground terminal, each connected to the power supply terminal by one DMOS T5. In this case, since the gate terminal of the DMOS T 5 is connected to its source terminal, conversely, the source and drain are in a conductive state.

この状態で、3個のNMOS T 4が導通状態になっ
た時、出力端子にはDMOS T 5と3個のNMo 
S T 4の縦列接続のオン抵抗の抵抗分割比による電
位が出力される(この電位は十分にIll L 1″電
位になるように設定される)。それ以外の場合には、出
力端子にはDMOS T 5を通して9H”電位が出力
される。
In this state, when three NMOS T 4 become conductive, DMOS T 5 and three NMOS
The potential according to the resistance division ratio of the cascade-connected on-resistance of ST 4 is output (this potential is set to be sufficiently Ill L 1" potential). Otherwise, the output terminal is A 9H" potential is output through the DMOS T5.

一方、アドレス入出力端子A0〜Ajから入力されたア
ドレス信号の一部はインバータ6を介して反転、アドレ
ス信号とされ、2分岐回路の各段のNMOS T 4は
、対応するアドレス信号または反転アドレス信号のいず
れかが接続され、結果として、それぞれの7ドレス信号
の組み合せ1つに対し、1つの出力端子のみが接地端子
と電流パスを形成してIT L I+電位を出力する構
成になっている。
On the other hand, a part of the address signal input from the address input/output terminals A0 to Aj is inverted via the inverter 6 and used as an address signal, and the NMOS T 4 in each stage of the two-branch circuit outputs the corresponding address signal or inverted address. Any of the signals is connected, and as a result, for each combination of 7 dress signals, only one output terminal forms a current path with the ground terminal and outputs the IT L I+ potential. .

ただし、2分岐回路の1つの枝にNMOS T 4が縦
列に接続され、そのゲート端子がインヒビット信号入力
端子INHへ接続されているため、インヒビット信号が
1H″電位の場合には、すべての7ドレスの組み合せに
対し上記のような動作をするが、インヒビット信号が1
L”電位の場合には出力Wフ〜W8が″L′″電位にな
らず、アドレス信号の組み合せで特定のアドレスとして
ワードラインW。
However, since NMOS T4 is connected in series to one branch of the two-branch circuit, and its gate terminal is connected to the inhibit signal input terminal INH, when the inhibit signal is at 1H'' potential, all 7 The above operation is performed for the combination of , but when the inhibit signal is 1
In the case of the "L" potential, the outputs Wf to W8 do not become the "L" potential, and the word line W is output as a specific address by the combination of address signals.

およびW8を選択するような場合、丁ぺての出力W1〜
W、が@H”レベルになる。すなわち、いずれのワード
ラインも選択されないことになる。ここで第3図は@ 
H@レベルを論理値++11″、′Lルベルを論理値@
0”K対応させたワードラインW1〜Waを選択する場
合の真理値表を図示したものである。
And when selecting W8, the output W1~
W, becomes @H” level. In other words, none of the word lines are selected. Here, FIG. 3 shows @
H@level is logical value ++11'', 'L level is logical value@
A truth table is illustrated when word lines W1 to Wa corresponding to 0''K are selected.

なお、上記実施例では、DMOS T 51cより1H
″電位を出力するような場合について説明したが、Pチ
ャネルMO8)ランジスタを用いた構成としてもよい。
In addition, in the above example, 1H from DMOS T 51c
Although the case where a "potential" is output has been described, a configuration using a P-channel MO8) transistor may also be used.

また2分岐回路の幹の方に相当するNMOS T4のソ
ースは接地端子に接続したが、チップセレクト信号端子
に接続してもよい。
Furthermore, although the source of the NMOS T4 corresponding to the trunk of the two-branch circuit is connected to the ground terminal, it may be connected to the chip select signal terminal.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明は以上説明したとおり、書き込み防止信号入力
端子を有し、この書き込み防止信号入力端子より薔き込
み防止信号が入力されているときに行われる特定のアド
レス指定に対してその選択信号を出力しないように構成
したデコーダ回路を備えたので、複雑な回路を付加する
ことなく特定のアドレス指定時KiNき込み禁止ができ
、小形化および低コスト化が可能になるという効果があ
る。
As explained above, this invention has a write prevention signal input terminal, and outputs a selection signal for a specific address designation performed when a write prevention signal is input from this write prevention signal input terminal. Since a decoder circuit configured to prevent this from occurring, it is possible to prohibit KiN input when specifying a specific address without adding a complicated circuit, and this has the effect of making it possible to reduce the size and cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
すブロック図、第2図はデコーダ回路の構成の一実施例
を示す図、第3図は真理値表を示す図、第4図は従来の
メモリ回路を示すブロック図である。 図において、1,1〜111111は単位メモリ回路、
3は入出力回路、12はデコーダ回路、INHはインヒ
ビット信号入力端子である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄  (外2名) 第1図 INHインCヒ゛ット信号入力膚子 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発)
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the configuration of a decoder circuit, FIG. 3 is a truth table, and FIG. 1 is a block diagram showing a conventional memory circuit. In the figure, 1,1 to 111111 are unit memory circuits,
3 is an input/output circuit, 12 is a decoder circuit, and INH is an inhibit signal input terminal. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masuo Oiwa (2 others) Figure 1 INH input C hit signal input Figure 2 Figure 3 Figure 4 Procedure amendment (voluntary)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  行と列のマトリクス状に配列された単位メモリ回路と
、アドレス指定により選択信号を出力し前記単位メモリ
回路の特定の行を選択するデコーダ回路を備えた半導体
集積回路装置において、書き込み防止信号入力端子を有
し、この書き込み防止信号入力端子より書き込み防止信
号が入力されているときに行われる特定のアドレス指定
に対してその選択信号を出力しないように前記デコーダ
回路を構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
In a semiconductor integrated circuit device that includes unit memory circuits arranged in a matrix of rows and columns and a decoder circuit that outputs a selection signal in response to address specification and selects a specific row of the unit memory circuit, a write protection signal input terminal is provided. and wherein the decoder circuit is configured so as not to output a selection signal in response to a specific address designation performed when a write protection signal is input from the write protection signal input terminal. Integrated circuit device.
JP61044645A 1986-02-28 1986-02-28 Semiconductor integrated circuit device Pending JPS62202395A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61044645A JPS62202395A (en) 1986-02-28 1986-02-28 Semiconductor integrated circuit device

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JP61044645A JPS62202395A (en) 1986-02-28 1986-02-28 Semiconductor integrated circuit device

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JPS62202395A true JPS62202395A (en) 1987-09-07

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JP61044645A Pending JPS62202395A (en) 1986-02-28 1986-02-28 Semiconductor integrated circuit device

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JP (1) JPS62202395A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406516A (en) * 1992-01-17 1995-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device

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JPS59218694A (en) * 1983-05-27 1984-12-08 Hitachi Ltd Mos static ram

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