JPS62179750A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62179750A JPS62179750A JP61023110A JP2311086A JPS62179750A JP S62179750 A JPS62179750 A JP S62179750A JP 61023110 A JP61023110 A JP 61023110A JP 2311086 A JP2311086 A JP 2311086A JP S62179750 A JPS62179750 A JP S62179750A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特にリードフレームを用いて、外
部リード付けを行い樹脂で封止した樹脂封止型の半導体
装置に関する。
部リード付けを行い樹脂で封止した樹脂封止型の半導体
装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は、セラミック封止型半導
体装置と比べて、安価で、大量生産に向いているという
理由から、主流の半導体装置となっておシ、特にモール
ド樹脂封止方式が多く用いられている。
体装置と比べて、安価で、大量生産に向いているという
理由から、主流の半導体装置となっておシ、特にモール
ド樹脂封止方式が多く用いられている。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第2図の断面図に示す
ように、上面に金や銀などの内部メッキ4が施されたリ
ードフレームの半導体素子載置部2に半導体素子lをろ
う材などで接着し、同じく内部メッキ4の施されたリー
ドフレームのリード部3の内端のボンティング部と半導
体素子lの電極パッドとの間をボンディング・ワイヤ6
で電気的に接続した後、モールド樹脂7により封止して
いた。
ように、上面に金や銀などの内部メッキ4が施されたリ
ードフレームの半導体素子載置部2に半導体素子lをろ
う材などで接着し、同じく内部メッキ4の施されたリー
ドフレームのリード部3の内端のボンティング部と半導
体素子lの電極パッドとの間をボンディング・ワイヤ6
で電気的に接続した後、モールド樹脂7により封止して
いた。
上述のような従来の半導体装置では、モールド樹脂の密
着性が乏しいことにより、半田浸し等の急激な熱ストレ
スを加えると、半導体素子とモールド樹脂との界面に剥
離を生じ、耐湿性が低下するという欠点があった。
着性が乏しいことにより、半田浸し等の急激な熱ストレ
スを加えると、半導体素子とモールド樹脂との界面に剥
離を生じ、耐湿性が低下するという欠点があった。
上記問題点に対し、種々検討の結果、半導体素子を搭載
したリードフレームの上面側と下面側との表面状態が異
なる場合、換言すれば、上面側と樹脂、下面側と樹脂と
の密着力の差が大きい場合、熱ストレスによる界面剥離
が生じやすいことを見出した。よって本発明では、リー
ドフレームの半導体素子載置部の裏面に、この載置部に
載置した半導体素子表面層と同じ材質の膜を形成してい
る。
したリードフレームの上面側と下面側との表面状態が異
なる場合、換言すれば、上面側と樹脂、下面側と樹脂と
の密着力の差が大きい場合、熱ストレスによる界面剥離
が生じやすいことを見出した。よって本発明では、リー
ドフレームの半導体素子載置部の裏面に、この載置部に
載置した半導体素子表面層と同じ材質の膜を形成してい
る。
以下本発明の実施例について、図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、リードフレームの素子載置部2の裏面には、半導体素
子1の表面と同様なパッシベーション膜、例えば、窒化
シリコン膜5を、それからリードフレームのリード部3
の内端のボンディング部の裏面には、表側と同様な内部
メッキ層4を各々設けである。そのため、リードフレー
ムのリード部ボンディング部およびリードフレームの半
導体素子を含む素子載置部2の上面側と下面側の表面状
態が略同−となり、密着力のバランスがとれ、急激な熱
ストレスを加えても界面剥離が生じにくくなり、耐湿性
の劣化を防止することができる。
、リードフレームの素子載置部2の裏面には、半導体素
子1の表面と同様なパッシベーション膜、例えば、窒化
シリコン膜5を、それからリードフレームのリード部3
の内端のボンディング部の裏面には、表側と同様な内部
メッキ層4を各々設けである。そのため、リードフレー
ムのリード部ボンディング部およびリードフレームの半
導体素子を含む素子載置部2の上面側と下面側の表面状
態が略同−となり、密着力のバランスがとれ、急激な熱
ストレスを加えても界面剥離が生じにくくなり、耐湿性
の劣化を防止することができる。
以上説明したように、本発明によれば、封止樹脂で包ま
nる内部物体の上下の密着カバランスをとることにより
、半田浸し咎の急激な熱ストレスに起因する耐湿性劣化
を防止でき、高信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
nる内部物体の上下の密着カバランスをとることにより
、半田浸し咎の急激な熱ストレスに起因する耐湿性劣化
を防止でき、高信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図り従来の樹
脂封止型半導体装置の断面図である。 l・・・・・・半導体素子、2・・・・・・リードフレ
ームの半導体素子載置部、3・・・・・・リードフレー
ムリード部、4・・・・・・内部メッキ、5・・・・・
・パッシベーション膜、6・・・・・−ポンディングワ
イヤ、7・・・・−・封止樹脂。
脂封止型半導体装置の断面図である。 l・・・・・・半導体素子、2・・・・・・リードフレ
ームの半導体素子載置部、3・・・・・・リードフレー
ムリード部、4・・・・・・内部メッキ、5・・・・・
・パッシベーション膜、6・・・・・−ポンディングワ
イヤ、7・・・・−・封止樹脂。
Claims (1)
- リードフレームの半導体素子載置部に半導体素子を載置
し樹脂封止した半導体装置において、前記半導体素子の
表面層と同じ材質の膜が前記半導体素子載置部の裏面に
形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61023110A JPS62179750A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61023110A JPS62179750A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62179750A true JPS62179750A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12101332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61023110A Pending JPS62179750A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62179750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5455453A (en) * | 1991-07-01 | 1995-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plastic package type semiconductor device having a rolled metal substrate |
-
1986
- 1986-02-04 JP JP61023110A patent/JPS62179750A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5455453A (en) * | 1991-07-01 | 1995-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plastic package type semiconductor device having a rolled metal substrate |
US5643834A (en) * | 1991-07-01 | 1997-07-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for manufacturing a semiconductor substrate comprising laminated copper, silicon oxide and silicon nitride layers |
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