JPS621662B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS621662B2 JPS621662B2 JP56110134A JP11013481A JPS621662B2 JP S621662 B2 JPS621662 B2 JP S621662B2 JP 56110134 A JP56110134 A JP 56110134A JP 11013481 A JP11013481 A JP 11013481A JP S621662 B2 JPS621662 B2 JP S621662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass frit
- borosilicate glass
- conductive paint
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
この発明は導電塗料に関するものである。
導電塗料はたとえばセラミツクコンデンサの電
極、ガラス基板やセラミツク基板などの基板の上
に形成する厚膜回路用の導電被膜として用いられ
る。 この種の導電塗料はAg,Au,Pt,Pdおよびこ
れらを混合したものからなる貴金属粉末とガラス
フリツトを不活性有機ビヒクルに分散させたもの
であり、ガラスフリツトとしては、硼硅酸鉛、硼
硅酸ビスマスなどの硼硅酸系ガラス、硼酸亜鉛系
ガラスおよび硼酸カドミウム系ガラスなどが用い
られている。このような導電塗料は基板上に塗布
され、乾燥されたのち焼付けされ、導電被膜とし
て形成される。 かかる導電被膜は使用上半田付け処理されるに
際して、貴金属が半田への溶解が大きいため、そ
の形成膜厚如何で半田付けの信頼性に問題があつ
た。かかる問題に対処するため、焼付けしたのち
導電被膜の表面に半田に溶解しにくい金属、たと
えばNi,Cuなどで被覆し、さらにその表面上を
酸化防止と半田付け性を容易にする目的でSn,
Sn−Pb合金などで被覆するという処理がなされ
ていた。このようなNi,Cuなどによる導電被膜
への表面被覆処理は量産的、経済的効率から電解
メツキ法による形成方法がもつとも一般的なもの
として実施されてきた。ところが、電解メツキ法
によつて表面被覆処理すると、基板と導電被膜の
接着強度が大きく低下するという現象がみられ
た。これは電解メツキ時に導電被膜とメツキ液と
の接触界面において、電気分解による水素の発生
があり、還元雰囲気状態になるためと推察され
る。特に、ガラスフリツト成分中の主成分である
酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化カドミウ
ムなどが還元されることによつて酸素欠陥状態と
なり、ガラスの結晶構造が崩れて接着強度が低下
するものと推察される。 上述した被覆金属であるNi,Cu,Sn,Sn−Pb
合金などの電解メツキ浴は酸性浴であり、ガラス
質フリツトとしてはかかる酸性浴に対して劣化し
ない耐酸性、耐還元性のあるものが要求される。
導電塗料に用いられるガラスフリツトのうちもつ
とも耐酸性の良いのは硼硅酸鉛ガラスであるが、
この中に含まれる酸化鉛は還元されやすい酸化物
であり、酸化鉛の含有量を少なくして硅酸を高含
有させないと電解メツキに耐えることができな
い。しかし高硅酸鉛ガラスは融点が1000℃以上と
高温となり、焼付けタイプの導電塗料用ガラスフ
リツトとしては実用に供さないものである。ま
た、硼硅酸ビスマスガラス、硼酸カドミウムガラ
スはいずれも耐酸性、耐還元性を有しないもので
あり、電解メツキに耐えうるガラスフリツトでは
ない。一方、硼酸亜鉛ガラスは耐酸性には劣る
が、耐還元性があるため、還元雰囲気中で焼付け
される卑金属塗料用のフリツトとして従来より用
いられたものであり、耐酸性を強化することによ
つて上述した問題点を解消することができるもの
と考えられる。 したがつて、この発明は焼付けして得られた導
電被膜の表面に電解メツキ法により金属被覆処理
を行つても劣化しない導電塗料を提供するもので
ある。 すなわち、この発明の要旨は、貴金属粉末と、
アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含有する
ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとを不活性有機
質ビヒクルに分散させてなる導電塗料である。 ここで、貴金属粉末としてはAg,Au,Pt,Pd
およびこれらの混合物がある。 また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を
含有するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトはその
組成成分がZnOと、B2O3と、SiO2と、MgO,
CaO,BaOのうち少なくとも一種、および
Li2O,Na2O,K2Oのうち少なくとも一種とから
なるもの、またはさらに必要に応じCdOと、
SnO2を含有させたものからなる。 このホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトは、貴金
属粉末70〜99重量%の割合に対して1〜30重量%
の配合比で添加含有される。つまり、その配合比
の限定理由としては、貴金属粉末が99重量%を越
え、ホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末が1重量%未満
になると、焼付けた導電部分と基板との接着強度
が低下し、 また貴金属粉末が70重量%未満、ホウケイ酸亜
鉛系ガラスフリツトが30重量%を越えると、導電
成分が少なくなり、良好な導電性が得られなくな
るからである。 かかる貴金属粉末およびホウケイ酸亜鉛系ガラ
スフリツトは不活性有機質ビヒクル、たとえばエ
チルセルロースをテルピネオールに溶解させたも
の13〜60重量%の割合に対して40〜87重量%の配
合比で混練され、ペースト状に作られる。 また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの成分
組成の具体的な組成比を示せば次のようなものと
なる。つまり、ZnO30〜55重量%、B2O325〜45
重量%、SiO25〜15重量%、Li2O,Na2O,K2Oの
うち少なくとも一種1〜10重量%,MgO,
CaO,BaOのうち少なくとも一種2〜20重量%で
ある。また必要に応じて含有されるものである
CdOについては2〜8重量%,SnO2については
2〜10重量%の範囲で選択される。 ガラスフリツトについて上述した組成比に限定
した理由は次のとおりである。つまり、ZnOは硼
硅酸鉛系ガラスのPbOと同様にガラスの基本的な
修飾成分になりうるものであるが、30重量%未満
では融点が高くなりガラス化が困難となり、55重
量%を越えると失透しやすくなるとともに、ZnO
が金属Znに還元され、遊離しやすくなる。B2O3
は熱膨脹率をあまり大きくすることなくガラス化
温度を下げるように作用し、ガラスフリツト調合
原料のガラス化を容易なものにするが、25重量%
未満ではガラス化が起こらず、45重量%を越える
と融点が高くなり失透してしまう。SiO2はガラ
スの基本組成の核となるものであるが、5重量%
未満ではガラス化せず、15重量%を越えると融点
が高くなつてしまう。アルカリ金属成分の
Li2O,Na2O,K2Oはガラスの融点を下げるとと
もに、流動性を与えて基板との接着性を向上させ
るものであるが、1重量%未満では良好な流動性
が得られず、10重量%を越えると粘性が低くなり
すぎるとともに化学的に不安定になり、耐水性、
耐酸性が著しく低下する。アルカリ土類金属成分
のMgO,CaO,BaOは上述したSiO2とともにガ
ラスの基本組成の核となり、ガラスの粘性を上げ
てアルカリ金属成分を含有させたことに起因する
流動性を抑制するものであるが、2重量%未満に
なると粘性を上げる効果が得られず、20重量%を
越えると融点が高くなつてしまう。また必要に応
じて含有されるCdOは導電部分の表面の酸化防
止に効果があるが、2重量%未満ではその効果が
現われず、8重量%を越えるとガラス化が困難と
ある。SnO2はアルカリ金属成分とともに接着強
度を向上させるのに効果があるが、2重量%未満
ではその効果がなく、10重量%を越えるとガラス
化しにくくなり失透してしまう。 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 実施例 1 固形成分である貴金属粉末とガラスフリツト
A,B,を第1表に示す割合で配合し、この固形
成分70重量%と有機質ビヒクル30重量%を混合し
てペースト状とした。このペースト状を酸化チタ
ン系の誘電体基板上に塗布し、130℃で5分間乾
燥したのち最高温度850℃で焼付けして電極を形
成した。さらに電極表面に厚さ2μmのニツケル
電解メツキ膜を形成した。こののち得られた試料
であるコンデンサを230℃の半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。 かかる試料につき、電解メツキ膜形成前後の電
極の接着強度とコンデンサのQを測定し、その結
果も第1表に合わせて示した。 なお、ガラスフリツト組成AはZnO45重量%、
B2O330重量%、SiO210重量%、Li2O6重量%、
BaO9重量%からなるもの、ガラスフリツト組成
BはZnO41重量%、B2O328重量%、SiO28重量
%、Na2O7重量%、CaO4重量%、CdO6重量%、
SnO26重量%からなるものである。 第1表から明らかなように、この発明範囲内の
もの(試料番号3〜10)は電解メツキ膜を形成し
ても、膜形成前後では接着強度、Qともに劣化が
見られず、耐半田付け性を向上させる目的でニツ
ケルなどの電解メツキ膜、さらに錫などのメツキ
膜を形成しても何ら問題のない導電被膜が得られ
ている。なお、※印を付したものはこの発明範囲
外のもの(試料番号1,2,11,12)で接着強度
の低下、またはQの劣化が見られる。
極、ガラス基板やセラミツク基板などの基板の上
に形成する厚膜回路用の導電被膜として用いられ
る。 この種の導電塗料はAg,Au,Pt,Pdおよびこ
れらを混合したものからなる貴金属粉末とガラス
フリツトを不活性有機ビヒクルに分散させたもの
であり、ガラスフリツトとしては、硼硅酸鉛、硼
硅酸ビスマスなどの硼硅酸系ガラス、硼酸亜鉛系
ガラスおよび硼酸カドミウム系ガラスなどが用い
られている。このような導電塗料は基板上に塗布
され、乾燥されたのち焼付けされ、導電被膜とし
て形成される。 かかる導電被膜は使用上半田付け処理されるに
際して、貴金属が半田への溶解が大きいため、そ
の形成膜厚如何で半田付けの信頼性に問題があつ
た。かかる問題に対処するため、焼付けしたのち
導電被膜の表面に半田に溶解しにくい金属、たと
えばNi,Cuなどで被覆し、さらにその表面上を
酸化防止と半田付け性を容易にする目的でSn,
Sn−Pb合金などで被覆するという処理がなされ
ていた。このようなNi,Cuなどによる導電被膜
への表面被覆処理は量産的、経済的効率から電解
メツキ法による形成方法がもつとも一般的なもの
として実施されてきた。ところが、電解メツキ法
によつて表面被覆処理すると、基板と導電被膜の
接着強度が大きく低下するという現象がみられ
た。これは電解メツキ時に導電被膜とメツキ液と
の接触界面において、電気分解による水素の発生
があり、還元雰囲気状態になるためと推察され
る。特に、ガラスフリツト成分中の主成分である
酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化カドミウ
ムなどが還元されることによつて酸素欠陥状態と
なり、ガラスの結晶構造が崩れて接着強度が低下
するものと推察される。 上述した被覆金属であるNi,Cu,Sn,Sn−Pb
合金などの電解メツキ浴は酸性浴であり、ガラス
質フリツトとしてはかかる酸性浴に対して劣化し
ない耐酸性、耐還元性のあるものが要求される。
導電塗料に用いられるガラスフリツトのうちもつ
とも耐酸性の良いのは硼硅酸鉛ガラスであるが、
この中に含まれる酸化鉛は還元されやすい酸化物
であり、酸化鉛の含有量を少なくして硅酸を高含
有させないと電解メツキに耐えることができな
い。しかし高硅酸鉛ガラスは融点が1000℃以上と
高温となり、焼付けタイプの導電塗料用ガラスフ
リツトとしては実用に供さないものである。ま
た、硼硅酸ビスマスガラス、硼酸カドミウムガラ
スはいずれも耐酸性、耐還元性を有しないもので
あり、電解メツキに耐えうるガラスフリツトでは
ない。一方、硼酸亜鉛ガラスは耐酸性には劣る
が、耐還元性があるため、還元雰囲気中で焼付け
される卑金属塗料用のフリツトとして従来より用
いられたものであり、耐酸性を強化することによ
つて上述した問題点を解消することができるもの
と考えられる。 したがつて、この発明は焼付けして得られた導
電被膜の表面に電解メツキ法により金属被覆処理
を行つても劣化しない導電塗料を提供するもので
ある。 すなわち、この発明の要旨は、貴金属粉末と、
アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含有する
ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとを不活性有機
質ビヒクルに分散させてなる導電塗料である。 ここで、貴金属粉末としてはAg,Au,Pt,Pd
およびこれらの混合物がある。 また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を
含有するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトはその
組成成分がZnOと、B2O3と、SiO2と、MgO,
CaO,BaOのうち少なくとも一種、および
Li2O,Na2O,K2Oのうち少なくとも一種とから
なるもの、またはさらに必要に応じCdOと、
SnO2を含有させたものからなる。 このホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトは、貴金
属粉末70〜99重量%の割合に対して1〜30重量%
の配合比で添加含有される。つまり、その配合比
の限定理由としては、貴金属粉末が99重量%を越
え、ホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末が1重量%未満
になると、焼付けた導電部分と基板との接着強度
が低下し、 また貴金属粉末が70重量%未満、ホウケイ酸亜
鉛系ガラスフリツトが30重量%を越えると、導電
成分が少なくなり、良好な導電性が得られなくな
るからである。 かかる貴金属粉末およびホウケイ酸亜鉛系ガラ
スフリツトは不活性有機質ビヒクル、たとえばエ
チルセルロースをテルピネオールに溶解させたも
の13〜60重量%の割合に対して40〜87重量%の配
合比で混練され、ペースト状に作られる。 また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの成分
組成の具体的な組成比を示せば次のようなものと
なる。つまり、ZnO30〜55重量%、B2O325〜45
重量%、SiO25〜15重量%、Li2O,Na2O,K2Oの
うち少なくとも一種1〜10重量%,MgO,
CaO,BaOのうち少なくとも一種2〜20重量%で
ある。また必要に応じて含有されるものである
CdOについては2〜8重量%,SnO2については
2〜10重量%の範囲で選択される。 ガラスフリツトについて上述した組成比に限定
した理由は次のとおりである。つまり、ZnOは硼
硅酸鉛系ガラスのPbOと同様にガラスの基本的な
修飾成分になりうるものであるが、30重量%未満
では融点が高くなりガラス化が困難となり、55重
量%を越えると失透しやすくなるとともに、ZnO
が金属Znに還元され、遊離しやすくなる。B2O3
は熱膨脹率をあまり大きくすることなくガラス化
温度を下げるように作用し、ガラスフリツト調合
原料のガラス化を容易なものにするが、25重量%
未満ではガラス化が起こらず、45重量%を越える
と融点が高くなり失透してしまう。SiO2はガラ
スの基本組成の核となるものであるが、5重量%
未満ではガラス化せず、15重量%を越えると融点
が高くなつてしまう。アルカリ金属成分の
Li2O,Na2O,K2Oはガラスの融点を下げるとと
もに、流動性を与えて基板との接着性を向上させ
るものであるが、1重量%未満では良好な流動性
が得られず、10重量%を越えると粘性が低くなり
すぎるとともに化学的に不安定になり、耐水性、
耐酸性が著しく低下する。アルカリ土類金属成分
のMgO,CaO,BaOは上述したSiO2とともにガ
ラスの基本組成の核となり、ガラスの粘性を上げ
てアルカリ金属成分を含有させたことに起因する
流動性を抑制するものであるが、2重量%未満に
なると粘性を上げる効果が得られず、20重量%を
越えると融点が高くなつてしまう。また必要に応
じて含有されるCdOは導電部分の表面の酸化防
止に効果があるが、2重量%未満ではその効果が
現われず、8重量%を越えるとガラス化が困難と
ある。SnO2はアルカリ金属成分とともに接着強
度を向上させるのに効果があるが、2重量%未満
ではその効果がなく、10重量%を越えるとガラス
化しにくくなり失透してしまう。 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 実施例 1 固形成分である貴金属粉末とガラスフリツト
A,B,を第1表に示す割合で配合し、この固形
成分70重量%と有機質ビヒクル30重量%を混合し
てペースト状とした。このペースト状を酸化チタ
ン系の誘電体基板上に塗布し、130℃で5分間乾
燥したのち最高温度850℃で焼付けして電極を形
成した。さらに電極表面に厚さ2μmのニツケル
電解メツキ膜を形成した。こののち得られた試料
であるコンデンサを230℃の半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。 かかる試料につき、電解メツキ膜形成前後の電
極の接着強度とコンデンサのQを測定し、その結
果も第1表に合わせて示した。 なお、ガラスフリツト組成AはZnO45重量%、
B2O330重量%、SiO210重量%、Li2O6重量%、
BaO9重量%からなるもの、ガラスフリツト組成
BはZnO41重量%、B2O328重量%、SiO28重量
%、Na2O7重量%、CaO4重量%、CdO6重量%、
SnO26重量%からなるものである。 第1表から明らかなように、この発明範囲内の
もの(試料番号3〜10)は電解メツキ膜を形成し
ても、膜形成前後では接着強度、Qともに劣化が
見られず、耐半田付け性を向上させる目的でニツ
ケルなどの電解メツキ膜、さらに錫などのメツキ
膜を形成しても何ら問題のない導電被膜が得られ
ている。なお、※印を付したものはこの発明範囲
外のもの(試料番号1,2,11,12)で接着強度
の低下、またはQの劣化が見られる。
【表】
【表】
実施例 2
固形成分である銀粉末を94重量%、ガラスフリ
ツトを6重量%とし、ガラスフリツトとしてはそ
の組成比を第2表に示す割合で配合したものを用
い、この固形成分75重量%と有機質ビヒクル25重
量%を混合してペースト状とした。このペースト
をアルミナ基板の上に塗布し、130℃で5分間乾
燥したのち最高温度800℃で焼付けして導電被膜
を形成した。さらに導電被膜の表面に厚さ2μm
の銅電解メツキ膜およびSn膜を形成した。この
のち得られた試料を230℃の半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。 かかる試料につき、電解メツキ膜形成前後にお
ける導電被膜の接着強度を測定し、その値も第2
表に示した。
ツトを6重量%とし、ガラスフリツトとしてはそ
の組成比を第2表に示す割合で配合したものを用
い、この固形成分75重量%と有機質ビヒクル25重
量%を混合してペースト状とした。このペースト
をアルミナ基板の上に塗布し、130℃で5分間乾
燥したのち最高温度800℃で焼付けして導電被膜
を形成した。さらに導電被膜の表面に厚さ2μm
の銅電解メツキ膜およびSn膜を形成した。この
のち得られた試料を230℃の半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。 かかる試料につき、電解メツキ膜形成前後にお
ける導電被膜の接着強度を測定し、その値も第2
表に示した。
【表】
第2表から明らかなように、ガラスフリツトの
組成につき上述した範囲に特定することによつ
て、耐半田付け性の良好なガラスフリツトを特定
することができる。※印を付した試料番号13,
17,19,20,および23はガラスフリツトの組成と
してその適正範囲を逸脱しており、良好な特性を
示すものではなかつた。 なお、比較参考例として、Ag90重量%、硼硅
酸鉛系ガラスフリツト10重量%からなる固形成分
75重量%を有機者ビヒクル25重量%と混合してペ
ーストを作り、これをアルミナ基板の上に塗布
し、130℃で5分間乾燥したのち、最高温度800℃
で焼付け処理して導電被膜を形成した。なお硼硅
酸鉛系ガラスフリツトにはPbO72重量%、SiO217
重量%、B2O311重量%からなるものを用いた。 次いでニツケルの電解メツキ膜を導電被膜の上
に形成した。得られた試料を半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。かかる試料についてメツキ処理
前後における導電被膜の接着強度を測定したとこ
ろそれぞれ14.9Kg/4mmφ,2.7Kg/4mmφであ
り、大きな劣化がみられることが確認できた。 以上の実施例から明らかなようにこの発明によ
れば、貴金属粉末を含む導電塗料のガラスフリツ
トとして、アルカリ金属およびアルカリ土類金属
を含有するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトを用
いたため、この導電塗料によつて形成した導電被
膜の表面に電解メツキ被膜を形成しても接着強度
が何ら損われないという効果を奏するものであ
る。もちろんこの導電塗料は電解メツキ被膜を形
成しない場合にも利用できるものである。
組成につき上述した範囲に特定することによつ
て、耐半田付け性の良好なガラスフリツトを特定
することができる。※印を付した試料番号13,
17,19,20,および23はガラスフリツトの組成と
してその適正範囲を逸脱しており、良好な特性を
示すものではなかつた。 なお、比較参考例として、Ag90重量%、硼硅
酸鉛系ガラスフリツト10重量%からなる固形成分
75重量%を有機者ビヒクル25重量%と混合してペ
ーストを作り、これをアルミナ基板の上に塗布
し、130℃で5分間乾燥したのち、最高温度800℃
で焼付け処理して導電被膜を形成した。なお硼硅
酸鉛系ガラスフリツトにはPbO72重量%、SiO217
重量%、B2O311重量%からなるものを用いた。 次いでニツケルの電解メツキ膜を導電被膜の上
に形成した。得られた試料を半田槽に浸漬して半
田処理を行つた。かかる試料についてメツキ処理
前後における導電被膜の接着強度を測定したとこ
ろそれぞれ14.9Kg/4mmφ,2.7Kg/4mmφであ
り、大きな劣化がみられることが確認できた。 以上の実施例から明らかなようにこの発明によ
れば、貴金属粉末を含む導電塗料のガラスフリツ
トとして、アルカリ金属およびアルカリ土類金属
を含有するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトを用
いたため、この導電塗料によつて形成した導電被
膜の表面に電解メツキ被膜を形成しても接着強度
が何ら損われないという効果を奏するものであ
る。もちろんこの導電塗料は電解メツキ被膜を形
成しない場合にも利用できるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 貴金属粉末と、アルカリ金属およびアルカリ
土類金属を含有するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリ
ツトとを不活性有機質ビヒクルに分散させてなる
導電塗料。 2 前記貴金属粉末と、前記ホウケイ酸亜鉛系ガ
ラスフリツトとの配合比は、貴金属粉末が70〜99
重量%、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトが1〜
30重量%の範囲からなる特許請求の範囲第1項記
載の導電塗料。 3 前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトは次に
示す組成比からなる特許請求の範囲第1項または
第2項記載の導電塗料。 ZnO 30〜55重量% B2O3 25〜45重量% SiO2 5〜15重量% LiO2,Na2O,K2O 1〜10重量% のうち少なくとも1種 MgO,CaO,BaO 2〜20重量% のうち少なくとも1種 4 前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトは次に
示す組成比からなる特許請求の範囲第1項または
第2項記載の導電塗料。 ZnO 30〜55重量% B2O3 25〜45重量% SiO2 5〜15重量% LiO2,Na2O,K2O 1〜10重量% のうち少なくとも1種 MgO,CaO,BaO 2〜20重量% のうち少なくとも1種 CdO 2〜8重量% SnO2 2〜10重量% 5 セラミツクコンデンサの電極として用いる特
許請求の範囲第1項記載の導電塗料。 6 厚膜回路の導電被膜として用いる特許請求の
範囲第1項記載の導電塗料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11013481A JPS5811565A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 導電塗料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11013481A JPS5811565A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 導電塗料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5811565A JPS5811565A (ja) | 1983-01-22 |
JPS621662B2 true JPS621662B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=14527882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11013481A Granted JPS5811565A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 導電塗料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5811565A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59200792A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | K C K Kk | メツキ下地用導電性塗料 |
US5363271A (en) * | 1992-09-24 | 1994-11-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermal shock cracking resistant multilayer ceramic capacitor termination compositions |
DE102007026243A1 (de) | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Kapazitiver Drucksensor |
WO2015109177A2 (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Improved conductivity thick film pastes containing platinum powder |
CN104829136B (zh) * | 2014-02-07 | 2017-08-25 | 勤凯科技股份有限公司 | 玻璃混合物、导电膏及多层陶瓷电子元件 |
US8971016B1 (en) | 2014-10-22 | 2015-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
TWI728509B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-05-21 | 道登電子材料股份有限公司 | 低溫共燒陶瓷膠體及包含其之高頻微波介電元件之製備方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51119973A (en) * | 1975-03-25 | 1976-10-20 | Philips Nv | Screen printing paste and thick film electrically conductive array |
JPS51138898A (en) * | 1975-04-21 | 1976-11-30 | Engelhard Min & Chem | Base metal conductor which can be calcinated in atmosphere |
JPS5460497A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Toyo Dengu Seisakushiyo Kk | Conductive paste for thick film circuit |
JPS5620497A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for removing waste thread of hydroextracting washing machine |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP11013481A patent/JPS5811565A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51119973A (en) * | 1975-03-25 | 1976-10-20 | Philips Nv | Screen printing paste and thick film electrically conductive array |
JPS51138898A (en) * | 1975-04-21 | 1976-11-30 | Engelhard Min & Chem | Base metal conductor which can be calcinated in atmosphere |
JPS5460497A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Toyo Dengu Seisakushiyo Kk | Conductive paste for thick film circuit |
JPS5620497A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for removing waste thread of hydroextracting washing machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5811565A (ja) | 1983-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007176785A (ja) | オーバーコート用ガラスペースト及び厚膜抵抗素子 | |
KR101786722B1 (ko) | 도전성 페이스트 | |
JP2010287678A (ja) | チップ抵抗器の表電極および裏電極 | |
JP2000048642A (ja) | 導電性ペースト及びガラス回路基板 | |
JPH0423308A (ja) | セラミックコンデンサ | |
JPS621662B2 (ja) | ||
JP3463320B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2002163928A (ja) | ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト | |
JPS6310887B2 (ja) | ||
JPH0817671A (ja) | 導電性ペースト | |
JP3257036B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
JPH0834168B2 (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JPH0239410A (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JPS626284B2 (ja) | ||
JPH0440803B2 (ja) | ||
JPH08298018A (ja) | 導電性ペースト | |
JPH0239411A (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JP3291831B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
US3679439A (en) | Lead-containing metallizations | |
JPH0239408A (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JP2003267750A (ja) | 抵抗体被覆用ガラス組成物 | |
JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
US3849142A (en) | Barium- or strontium-containing glass frits for silver metallizing compositions | |
JPH0727836B2 (ja) | セラミックス誘電体用導電性組成物 | |
JPH10106346A (ja) | 銀系導体ペースト |