JPS62163765A - 半導体材料層で被覆された支持体により構成されるリボンを該材料の液体浴から引き出すための方法及び装置 - Google Patents
半導体材料層で被覆された支持体により構成されるリボンを該材料の液体浴から引き出すための方法及び装置Info
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- JPS62163765A JPS62163765A JP61066997A JP6699786A JPS62163765A JP S62163765 A JPS62163765 A JP S62163765A JP 61066997 A JP61066997 A JP 61066997A JP 6699786 A JP6699786 A JP 6699786A JP S62163765 A JPS62163765 A JP S62163765A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、半導体材料層で被覆された支持体から構成さ
れるリボンを、該材料の液体浴から引き出すための方法
及び装置jこ係る。
れるリボンを、該材料の液体浴から引き出すための方法
及び装置jこ係る。
この種の方法及び装置は、仏国特許公開第238635
9号に開示されている。該文献の第2図において、炭素
リボン4は、浴を収容している容器1の底部に形成され
たスリット7を通過後、シリコン浴に通される。リボン
4は2個のローラ間を摩擦により連続的に鉛直方向に緊
張させられた状態で引き出される。浴の上方に配置され
た2個のローラ5は、例えば相互に逆方向に軸の周囲を
回転駆動され得る。
9号に開示されている。該文献の第2図において、炭素
リボン4は、浴を収容している容器1の底部に形成され
たスリット7を通過後、シリコン浴に通される。リボン
4は2個のローラ間を摩擦により連続的に鉛直方向に緊
張させられた状態で引き出される。浴の上方に配置され
た2個のローラ5は、例えば相互に逆方向に軸の周囲を
回転駆動され得る。
前記文献に開示された引き出し方法には欠点がある。実
際に、ローラによりリボンに加えられる押圧力は、堆積
ノリコン層に亀裂を生じる危険がある。更に、このよう
に引き出されたリボンがリボンの面内で引き出し軸の両
側に移動しないようにすることは困難であり、スリット
の縁部でリボンに裂開が生じる。
際に、ローラによりリボンに加えられる押圧力は、堆積
ノリコン層に亀裂を生じる危険がある。更に、このよう
に引き出されたリボンがリボンの面内で引き出し軸の両
側に移動しないようにすることは困難であり、スリット
の縁部でリボンに裂開が生じる。
本発明の目的は、上記欠点を解消することにある。
本発明の目的は、半導体材料層で被覆された支持体によ
り構成されたリボンを前記(材料の液体外から引き出す
ための方法であって、該リボンはり()直面内で緊張さ
せられており、該方法は一前記層で被覆されfこリボン
を鉛直面内で把持するべく、前記各の上方の第1のレベ
ルで、リボンの各両縁部の2つの対向部分を挟持具の2
個の顎の間に締着ずろ段階と、 一リボンを締着している挟持具を、第1のレベルから、
前記対向部分の長さよりも長い距離を隔てて第1のレベ
ルよ;)乙上方に位置する第2のしへルまで所定の一定
速度で鉛直方向に移動さ仕る段階とを含んでいることを
特徴とする。
り構成されたリボンを前記(材料の液体外から引き出す
ための方法であって、該リボンはり()直面内で緊張さ
せられており、該方法は一前記層で被覆されfこリボン
を鉛直面内で把持するべく、前記各の上方の第1のレベ
ルで、リボンの各両縁部の2つの対向部分を挟持具の2
個の顎の間に締着ずろ段階と、 一リボンを締着している挟持具を、第1のレベルから、
前記対向部分の長さよりも長い距離を隔てて第1のレベ
ルよ;)乙上方に位置する第2のしへルまで所定の一定
速度で鉛直方向に移動さ仕る段階とを含んでいることを
特徴とする。
好声しくは、前記挟持具が第1の挟持具である時、該方
法は更に、 一第1の挟持具の移動の終了より少し以前に第1のレベ
ルで、第1の挟持具と同様の第2の挟持具の2側の顎の
間に、リボンの各両縁部の2つの対向部分を締着する段
階と、 一第2の挟持具による締着直後に、リボンを締着してい
る第2の挟持具を、所定の一定速度で第1のレベルから
第2のレベルに鉛直方向に移動させる段階と、 一第1の挟持具が第2のレベルに到達しfこら、リボン
を弛緩させるべく第1の挟持具の顎を開放する段階と、 一第2の挟持具か第2のレベルに到達する以iF7に第
1の挟持具か第1のレベルでリボンを把持する準備がで
きているように、顎の開放直後に、市I記所定の一定速
度よりも速い速度で第1の挟持具を第2のレベルから第
1のレベルに鉛直方向に移動さける段階とを含んでいる
。
法は更に、 一第1の挟持具の移動の終了より少し以前に第1のレベ
ルで、第1の挟持具と同様の第2の挟持具の2側の顎の
間に、リボンの各両縁部の2つの対向部分を締着する段
階と、 一第2の挟持具による締着直後に、リボンを締着してい
る第2の挟持具を、所定の一定速度で第1のレベルから
第2のレベルに鉛直方向に移動させる段階と、 一第1の挟持具が第2のレベルに到達しfこら、リボン
を弛緩させるべく第1の挟持具の顎を開放する段階と、 一第2の挟持具か第2のレベルに到達する以iF7に第
1の挟持具か第1のレベルでリボンを把持する準備がで
きているように、顎の開放直後に、市I記所定の一定速
度よりも速い速度で第1の挟持具を第2のレベルから第
1のレベルに鉛直方向に移動さける段階とを含んでいる
。
更に本発明の目的は、半導体材料層て被覆された支持体
から構成されたリボンを、該材料の液体浴から引き出す
ための装置を提供することにあり、該リボンは鉛直面内
を緊張させられており、該装置は、 −リボンの平坦面の両側に配置された2個の鉛直(主体
と、 一前記各柱体に沿って鉛直方向に移動できるように各柱
体に固定されたキャリジと、 −各キャリジに固定されており、縁部でリボンを把持す
るべく枢着され且つリボンの縁部を収容ずろ溝を備える
2個の顎から構成される挟持具と、−前記挟持具の顎の
開放と閉塞とを制御するための手段と、 一浴の上方における前記柱体に沿うキャリジの移動を制
御するための手段とを備えていることを特徴とする。
から構成されたリボンを、該材料の液体浴から引き出す
ための装置を提供することにあり、該リボンは鉛直面内
を緊張させられており、該装置は、 −リボンの平坦面の両側に配置された2個の鉛直(主体
と、 一前記各柱体に沿って鉛直方向に移動できるように各柱
体に固定されたキャリジと、 −各キャリジに固定されており、縁部でリボンを把持す
るべく枢着され且つリボンの縁部を収容ずろ溝を備える
2個の顎から構成される挟持具と、−前記挟持具の顎の
開放と閉塞とを制御するための手段と、 一浴の上方における前記柱体に沿うキャリジの移動を制
御するための手段とを備えていることを特徴とする。
以下、添付図面を参考に本発明の一具体例を説明する。
第1図は、同図の面と垂直な袖3の周囲を回転可能に取
付られたドラム2から巻出される炭素リボン1を示して
いる。同図の面に対して垂直な鉛直面33内に配置され
たリボンlは、溶融シリコン浴6を収容している石英容
器5の底部に形成されたスリット4を貫通している。ス
リット4の寸法は、液体シリコンと溝の縁部との間の連
結メニスカスが安定ずろように選択される。浴6から出
た被覆りポン7は、多結晶シリコン層が被覆されている
。
付られたドラム2から巻出される炭素リボン1を示して
いる。同図の面に対して垂直な鉛直面33内に配置され
たリボンlは、溶融シリコン浴6を収容している石英容
器5の底部に形成されたスリット4を貫通している。ス
リット4の寸法は、液体シリコンと溝の縁部との間の連
結メニスカスが安定ずろように選択される。浴6から出
た被覆りポン7は、多結晶シリコン層が被覆されている
。
容器5の上方には、被覆リボン7を通過させるための開
口9を有する水平金属プレート8が配置されている。リ
ボン7の両年坦面の両側では、2本の鉛直方向ねし山つ
きシャフト10及び11が夫々プレート8に固定されて
おり、該シャフトは夫々の軸の周囲を回転可能に取付ら
れでいる。各シャフトには、シャフトが軸の周囲に回転
駆動される時、シャフトに沿ってキャリジを移動させ得
るように、シャフトのねご山つき部に係合する部1才を
含むキャリジが固定されている。各固定用シャフトには
、移動中のキャリジを案内させるための円筒形滑動柱体
34,35が組み合わされている。第1図では、シャフ
ト10のほぼ中央に配置されたキャリジ12と、シャフ
ト11の低部に配置されたキャリジ13とを示している
。
口9を有する水平金属プレート8が配置されている。リ
ボン7の両年坦面の両側では、2本の鉛直方向ねし山つ
きシャフト10及び11が夫々プレート8に固定されて
おり、該シャフトは夫々の軸の周囲を回転可能に取付ら
れでいる。各シャフトには、シャフトが軸の周囲に回転
駆動される時、シャフトに沿ってキャリジを移動させ得
るように、シャフトのねご山つき部に係合する部1才を
含むキャリジが固定されている。各固定用シャフトには
、移動中のキャリジを案内させるための円筒形滑動柱体
34,35が組み合わされている。第1図では、シャフ
ト10のほぼ中央に配置されたキャリジ12と、シャフ
ト11の低部に配置されたキャリジ13とを示している
。
各キャリジには、被覆リボン7を把持可能な挟持具が固
定されている。各挟持具は、支持体に枢ηされており且
つ水平面内を可動な2個の顎から構成されている。従っ
て、キャリジ12に固定され、”二挟持具14はリボン
7上で閉塞しておC)、キャリジ13に固定さイ1、f
こ挟持具15は開1牧している。挟持具14及び15に
は、夫々類の開閉を制御するための2@の電気機械シス
テムI6及び■7が組み合わされている。
定されている。各挟持具は、支持体に枢ηされており且
つ水平面内を可動な2個の顎から構成されている。従っ
て、キャリジ12に固定され、”二挟持具14はリボン
7上で閉塞しておC)、キャリジ13に固定さイ1、f
こ挟持具15は開1牧している。挟持具14及び15に
は、夫々類の開閉を制御するための2@の電気機械シス
テムI6及び■7が組み合わされている。
装置の上部には、シャフト10及び11の上端を保持ず
ろべく別の水平金属プレート18が配置されている。夫
々プL−1−8及びI8には、シャフト10及び11を
異なる方向及び異なる速度で回転駆動するべく20の電
気モータj9及び20か固定されている。
ろべく別の水平金属プレート18が配置されている。夫
々プL−1−8及びI8には、シャフト10及び11を
異なる方向及び異なる速度で回転駆動するべく20の電
気モータj9及び20か固定されている。
2個のねし山つきシャフト10及び11を同時に駆動計
るために、4’)車汝びヘルドによる連結システム21
及び22が配設されている。装置は更に、ねじ山っきシ
ャフトとモータ11び20のシャフトとの連結を切離す
ためのクラッチ(図示仕ず)を備えている。更に、モー
タ19支び20と電気機械システム16伎び17には、
電気制御回路23が連結されている。
るために、4’)車汝びヘルドによる連結システム21
及び22が配設されている。装置は更に、ねじ山っきシ
ャフトとモータ11び20のシャフトとの連結を切離す
ためのクラッチ(図示仕ず)を備えている。更に、モー
タ19支び20と電気機械システム16伎び17には、
電気制御回路23が連結されている。
第2図は、第1図の装置の挟持具の具体例を示している
。挟持具14は閉塞位置であり、2本の平行な抽26汝
び27の周囲に夫々回転可能に取付られた2個の顎24
皮び25から構成されている。該軸は、水平面内に保持
された支持部材28上に垂直方向に固定されており、該
支持部材はキャリジ12(第1図)に取付られでいる。
。挟持具14は閉塞位置であり、2本の平行な抽26汝
び27の周囲に夫々回転可能に取付られた2個の顎24
皮び25から構成されている。該軸は、水平面内に保持
された支持部材28上に垂直方向に固定されており、該
支持部材はキャリジ12(第1図)に取付られでいる。
2個の顎24及び25の自由端は、リボン7(第2図で
は断面を点線で示す)の縁部を収容し得る鉛直溝29及
び30を夫々備えている。
は断面を点線で示す)の縁部を収容し得る鉛直溝29及
び30を夫々備えている。
第1図及び第2図に示した上記装置は、以下のように作
動する。
動する。
キャリジ13がプレート8と接触する最低レベルへに固
定されており、挟持具15が開放している状態で、キャ
リジ12をレベルAに導くべく回路23によりモータ2
0を回転させる。次に、リボン7の縁部の2個の対向部
分が顎24及び25の溝29及び30に収容されるよう
に該リボンを手で案内しながら、システム16により挟
持具14の顎の閉塞を命令する。
定されており、挟持具15が開放している状態で、キャ
リジ12をレベルAに導くべく回路23によりモータ2
0を回転させる。次に、リボン7の縁部の2個の対向部
分が顎24及び25の溝29及び30に収容されるよう
に該リボンを手で案内しながら、システム16により挟
持具14の顎の閉塞を命令する。
ドラム2は、’tri 4の軸が通る鉛直面33に従っ
てリボン1−7を緊張させるように、軸3を中心とする
矢印31の方向のトルクをリボンに常時加えることが可
能な摩擦システム又は渦巻きばねを備えている。
てリボン1−7を緊張させるように、軸3を中心とする
矢印31の方向のトルクをリボンに常時加えることが可
能な摩擦システム又は渦巻きばねを備えている。
例えば、リボンが5cmの幅を有しており、厚さ200
〜300マイクロメートルの炭素支持体により構成され
ている時、該支持体は両面を厚さ100マイクロメート
ルのンリコン層に被覆されており、リボンの縁部の部分
の長さ32を1センチメートルとすると、リボンに加え
られる鉛直方向張力は500グラム未満である。
〜300マイクロメートルの炭素支持体により構成され
ている時、該支持体は両面を厚さ100マイクロメート
ルのンリコン層に被覆されており、リボンの縁部の部分
の長さ32を1センチメートルとすると、リボンに加え
られる鉛直方向張力は500グラム未満である。
次に、引き出し速度に対応する所定の速度でシャフト1
0に沿って下から上にキャリジ12を鉛直方向に連続的
に移動させるべくモータ19を回転させる。
0に沿って下から上にキャリジ12を鉛直方向に連続的
に移動させるべくモータ19を回転させる。
挟持具14の締着力は、前記部分の長さ32を考慮して
、その移動中に挟持具に対してリボンが滑動しないよう
に十分高い値に調節される。乙っとらこの締着力は、リ
ボンの縁部が損傷するのを回避し、且つ全表面を鉛直面
33内に維持すべき該リボンが屈曲するのを避けるよう
に、過度に高くオペきでない。
、その移動中に挟持具に対してリボンが滑動しないよう
に十分高い値に調節される。乙っとらこの締着力は、リ
ボンの縁部が損傷するのを回避し、且つ全表面を鉛直面
33内に維持すべき該リボンが屈曲するのを避けるよう
に、過度に高くオペきでない。
鉛直方向移動中に、第1図の位置を離れたキャリジ12
か最高レベルCよりやや低いレベルBに到達したら、リ
ボン7の縁部て挟持具15が閉塞するように回路23を
介して命令し、同時に連結システム21を使用してモー
タ19によりシャフト11の回転駆動を命令する。従っ
て、リボン7上で閉塞した挟持具15を支持しているキ
ャリジ13は、キャリジ12と同−速度で上方向に移動
する。キャリジ12が最高レベルCに到達したら、リボ
ン7を弛ぜさ什るべく回路23とシステム16とを介し
て挟持具14の開放を命令オろ。同時に、モータ19と
シャフト10と0連結を切部し、下降用モータ20とシ
ャフト10とを連結する。
か最高レベルCよりやや低いレベルBに到達したら、リ
ボン7の縁部て挟持具15が閉塞するように回路23を
介して命令し、同時に連結システム21を使用してモー
タ19によりシャフト11の回転駆動を命令する。従っ
て、リボン7上で閉塞した挟持具15を支持しているキ
ャリジ13は、キャリジ12と同−速度で上方向に移動
する。キャリジ12が最高レベルCに到達したら、リボ
ン7を弛ぜさ什るべく回路23とシステム16とを介し
て挟持具14の開放を命令オろ。同時に、モータ19と
シャフト10と0連結を切部し、下降用モータ20とシ
ャフト10とを連結する。
キャリジ12は」二昇速度より斤しく高速fyでプレー
ト8に向かって再下降し、挟持具15により引き出され
fコリポン7は」二方向運動を掴続する。ギトリジ12
がレベル〜に到達中ろと、開放された挟持具14はリボ
ンを把持する塾備か”整い、この動作はキャリジ13か
レベル13に到達中ろとオぐに実施されろ。
ト8に向かって再下降し、挟持具15により引き出され
fコリポン7は」二方向運動を掴続する。ギトリジ12
がレベル〜に到達中ろと、開放された挟持具14はリボ
ンを把持する塾備か”整い、この動作はキャリジ13か
レベル13に到達中ろとオぐに実施されろ。
当然のことながら、適当な長さのノリコン’amノート
を得るべく、既知手段(図示せず)によりプレート18
の上方にリボン7を横方向ノこ切断することが可能であ
る。該ソートは、シリコン太陽7■池を製造するために
使用され得る。
を得るべく、既知手段(図示せず)によりプレート18
の上方にリボン7を横方向ノこ切断することが可能であ
る。該ソートは、シリコン太陽7■池を製造するために
使用され得る。
上記方法及び装置は、引き出し市内でリボンの縁部を横
移動させることなく、非常に正確な引き出し軸に従って
、多結晶ソリコン。腎で肢覆さシ1.た炭素リボンを溶
はシリコン浴から確実に引き出すことが可能である。該
方法は、ノリコン響内に亀裂が構成されろ可能性を大幅
に減少できろ。実際にこのような亀裂は、挟持具に締着
されたリボンの縁部の部分にしか生じない。従ってこの
亀裂は、長さの短い著しく限定されf二領域でリボン。
移動させることなく、非常に正確な引き出し軸に従って
、多結晶ソリコン。腎で肢覆さシ1.た炭素リボンを溶
はシリコン浴から確実に引き出すことが可能である。該
方法は、ノリコン響内に亀裂が構成されろ可能性を大幅
に減少できろ。実際にこのような亀裂は、挟持具に締着
されたリボンの縁部の部分にしか生じない。従ってこの
亀裂は、長さの短い著しく限定されf二領域でリボン。
)Ql i’:’IEにしか生じない。実際に挟持具に
締着さイtてLするリボンの縁部の部分の長さ32は、
低部レベルAと高j1クレヘルCとの間の距離に比較し
て常にイしく小さく、レベルBはレベルCに著しく近接
している。
締着さイtてLするリボンの縁部の部分の長さ32は、
低部レベルAと高j1クレヘルCとの間の距離に比較し
て常にイしく小さく、レベルBはレベルCに著しく近接
している。
因みに長さ32がセンチメートルのオーダの時、レベル
C及びAの差は50センチメートル程度である。
C及びAの差は50センチメートル程度である。
更に、堆積ンリコン層はリボンの縁部で厚さ方向に強化
され得、この個所における該層の破壊強度を増加できる
ことに留意されたい。更に、挟持具の締着は、リボンが
特に大きい曲げ強度を有している横断方向においてリボ
ンに作用するので、挟持具による把持時にリボンが屈曲
する可能性がなくなる。
され得、この個所における該層の破壊強度を増加できる
ことに留意されたい。更に、挟持具の締着は、リボンが
特に大きい曲げ強度を有している横断方向においてリボ
ンに作用するので、挟持具による把持時にリボンが屈曲
する可能性がなくなる。
本発明の方法及び装置は、太陽電池の製造を目的として
、溶融シリコン浴からシリコン層を被覆された炭素リボ
ンを引き出すことに適用されるのみならず、炭素以外の
材料の支持体から構成されたリボンの引き出しにも適用
され、この場合、支持体はノリコン以外の半導体材料層
で被覆される。
、溶融シリコン浴からシリコン層を被覆された炭素リボ
ンを引き出すことに適用されるのみならず、炭素以外の
材料の支持体から構成されたリボンの引き出しにも適用
され、この場合、支持体はノリコン以外の半導体材料層
で被覆される。
例えば、支持体は非常に融点の高い夕・シグステンのよ
うな材料により構成され得、層を構成している半導体オ
科は、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム及びテルル化カド
ミウムであり得ろ。半導体材料の液体浴は、溶融材を斗
のみならず該(材料の溶液からら構成され得る。
うな材料により構成され得、層を構成している半導体オ
科は、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム及びテルル化カド
ミウムであり得ろ。半導体材料の液体浴は、溶融材を斗
のみならず該(材料の溶液からら構成され得る。
第1図は本発明の装置の一具体例の概略説明図、また第
2図は第1図の装置の挟持具の拡大平面図である。 6・・・・・浴、7・・・・・・リボン、1.2.13
・・・・キヤツジ、14゜15・・・・・・挟持具、1
6・・・・開閉制御手段、24.25・・・・顎、29
.30・・・・・・rlII’fz 34,35・・・
・・・注体。
2図は第1図の装置の挟持具の拡大平面図である。 6・・・・・浴、7・・・・・・リボン、1.2.13
・・・・キヤツジ、14゜15・・・・・・挟持具、1
6・・・・開閉制御手段、24.25・・・・顎、29
.30・・・・・・rlII’fz 34,35・・・
・・・注体。
Claims (3)
- (1)半導体材料層で被覆された支持体により構成され
ており、鉛直面内に緊張させられているリボンを前記材
料の液体浴から引き出すための方法であって、 前記層で被覆されたリボンを鉛直面内で把持するべく、
前記浴の上方の第1のレベルで、リボンの各両縁部の2
つの対向部分を挟持具の2個の顎の間に締着する段階と
、 リボンを締着している挟持具を、第1のレベルから、前
記部分の長さよりも長い距離を隔てて第1のレベルより
も上方に位置する第2のレベルまで所定の一定速度で鉛
直方向に移動させる段階とを含んでいる方法。 - (2)前記挟持具が第1の挟持具である方法であって、 第1の挟持具の移動の終了より少し以前に第1のレベル
で、第1の挟持具と同様の第2の挟持具の2個の顎の間
に、リボンの各両縁部の2つの対向部分を締着する段階
と、 第2の挟持具による締着直後に、リボンを締着している
第2の挟持具を、所定の一定速度で第1のレベルから第
2のレベルに鉛直方向に移動させる段階と、 第1の挟持具が第2のレベルに到達したら、リボンを弛
緩させるべく第1の挟持具の顎を開放する段階と、 第2の挟持具が第2のレベルに到達する以前に第1の挟
持具が第1のレベルでリボンを把持する準備ができてい
るように、顎の開放直後に、前記所定の一定速度よりも
速い速度で第1の挟持具を第2のレベルから第1のレベ
ルに鉛直方向に移動させる段階とを含んでいる特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 - (3)半導体材料層で被覆された支持体から構成されて
おり、鉛直面内に緊張させられているリボンを、該材料
の液体浴から引き出すための装置であって、 リボンの平坦面の両側に配置された2個の鉛直柱体と、 前記各柱体に沿って鉛直方向に移動できるように各柱体
に固定されたキャリジと、 各キャリジに固定されており、縁部でリボンを把持する
べく枢着され且つリボンの縁部を収容する溝を備える2
個の顎から構成される挟持具と、前記挟持具の顎の開放
と閉塞とを制御するための手段と、 浴の上方における前記柱体に沿うキャリジの移動を制御
するための手段とを備えている装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8504407 | 1985-03-25 | ||
FR8504407A FR2579372B1 (fr) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | Procede et dispositif pour tirer un ruban constitue par un support revetu d'une couche d'un materiau semi-conducteur a partir d'un bain liquide de ce materiau |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62163765A true JPS62163765A (ja) | 1987-07-20 |
JPH0532113B2 JPH0532113B2 (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=9317544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61066997A Granted JPS62163765A (ja) | 1985-03-25 | 1986-03-25 | 半導体材料層で被覆された支持体により構成されるリボンを該材料の液体浴から引き出すための方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4695480A (ja) |
EP (1) | EP0199093A1 (ja) |
JP (1) | JPS62163765A (ja) |
AU (1) | AU573165B2 (ja) |
FR (1) | FR2579372B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6068878A (en) * | 1998-09-03 | 2000-05-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming layers of particulates on substrates |
JP4079548B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2008-04-23 | 株式会社荏原製作所 | 結晶の連続引き上げ装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3639142A (en) * | 1968-06-10 | 1972-02-01 | Bethlehem Steel Corp | Method of galvanizing |
FR2386359A1 (fr) * | 1977-04-07 | 1978-11-03 | Labo Electronique Physique | Procede de depot par immersion en continu, dispositif et produits obtenus |
FR2550965B1 (fr) * | 1983-08-30 | 1985-10-11 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour deposer une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone |
US4554203A (en) * | 1984-04-09 | 1985-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing large surface silicon crystal bodies for solar cells, and bodies so produced |
-
1985
- 1985-03-25 FR FR8504407A patent/FR2579372B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-03-20 AU AU54928/86A patent/AU573165B2/en not_active Ceased
- 1986-03-20 EP EP86103771A patent/EP0199093A1/fr not_active Ceased
- 1986-03-25 US US06/843,546 patent/US4695480A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-25 JP JP61066997A patent/JPS62163765A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU573165B2 (en) | 1988-05-26 |
EP0199093A1 (fr) | 1986-10-29 |
US4695480A (en) | 1987-09-22 |
JPH0532113B2 (ja) | 1993-05-14 |
FR2579372B1 (fr) | 1987-05-07 |
FR2579372A1 (fr) | 1986-09-26 |
AU5492886A (en) | 1986-10-02 |
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