JPS62161050A - ガス注入制御装置 - Google Patents
ガス注入制御装置Info
- Publication number
- JPS62161050A JPS62161050A JP20080385A JP20080385A JPS62161050A JP S62161050 A JPS62161050 A JP S62161050A JP 20080385 A JP20080385 A JP 20080385A JP 20080385 A JP20080385 A JP 20080385A JP S62161050 A JPS62161050 A JP S62161050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- silicon wafer
- thin film
- gas
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ボータプル形ガス・クロマトグラフにおける
ガス注入装置に関する。
ガス注入装置に関する。
(従来の技術及びその問題点)
従来のシリコン・ツェハーガス・クロマトグラフにおけ
るがス制御弁は第4図(1N2)に示すようにシリコン
・ウェハーの中央部と両側部に貫通孔1cを形成し、中
央部の貫通孔ICと連通する注入口10を有するガラス
板2を円形パネルグイヤ7ラム3を介在して密着して構
成されている。
るがス制御弁は第4図(1N2)に示すようにシリコン
・ウェハーの中央部と両側部に貫通孔1cを形成し、中
央部の貫通孔ICと連通する注入口10を有するガラス
板2を円形パネルグイヤ7ラム3を介在して密着して構
成されている。
コントロール圧力12を高めると円形パネルグイヤ7ラ
ム3はバルブ座1bに押し付けられて、サンプル・ガス
が側部貫通孔1cから他の側部貫通孔1cへ流出し、中
央部の貫通孔1cへ流出を阻止する。
ム3はバルブ座1bに押し付けられて、サンプル・ガス
が側部貫通孔1cから他の側部貫通孔1cへ流出し、中
央部の貫通孔1cへ流出を阻止する。
逆に、コントロール圧力12を低下させると円形バネル
グイヤ7ラム3がバルブ座1bから離れて、サンプル・
ガスが側部貫通孔1cから中央部貫通孔1cへ流出し、
サンプル・ガスとしてキャリヤ・ガスに注入され、サン
プル・ガスの一部は他の側部貫通孔1cからサンプル・
ガスとして排出される。このように従来の装置において
は、弾性作用を有する円形パネルグイヤ7ラム3のたわ
み変位によりが大の流出入が制御されていた。
グイヤ7ラム3がバルブ座1bから離れて、サンプル・
ガスが側部貫通孔1cから中央部貫通孔1cへ流出し、
サンプル・ガスとしてキャリヤ・ガスに注入され、サン
プル・ガスの一部は他の側部貫通孔1cからサンプル・
ガスとして排出される。このように従来の装置において
は、弾性作用を有する円形パネルグイヤ7ラム3のたわ
み変位によりが大の流出入が制御されていた。
しかるに、従来は、制御バルブとして、円形バネルダイ
ヤプラムを用いていたため、ダイヤ7ラムのたわみ変位
によるガス制御が超微量(例えば5mQ及び数百マイク
ロリッター等)の俊敏なガス制御には適さない問題とと
もに制御バルブの成形に複雑な工数を必要としていた。
ヤプラムを用いていたため、ダイヤ7ラムのたわみ変位
によるガス制御が超微量(例えば5mQ及び数百マイク
ロリッター等)の俊敏なガス制御には適さない問題とと
もに制御バルブの成形に複雑な工数を必要としていた。
(発明の目的)
本発明は、このような問題を解消するとともに、fi微
量のガス流出入を制御できるガス注入制御装置を提供す
ることを目的とする。
量のガス流出入を制御できるガス注入制御装置を提供す
ることを目的とする。
(発明の概要)
本発明の構成を概括すると、シリコン・ウェハーの表面
に形成した凹部内に裏面へ貫通する貫通孔及びバルブ座
を具備するシリコン・ウェハー基板において、該シリコ
ン・ウェハー基板の裏面にシリコン・9エバーの貫通孔
と連通する貫通孔を有するガラス板を密着し、前記シリ
コン・ウェハーの表面には薄膜の周縁部を密着するとと
もに、該薄膜には固定部材により固定された緩衝部材を
載置して前記薄膜の破損を防止することを特徴とする。
に形成した凹部内に裏面へ貫通する貫通孔及びバルブ座
を具備するシリコン・ウェハー基板において、該シリコ
ン・ウェハー基板の裏面にシリコン・9エバーの貫通孔
と連通する貫通孔を有するガラス板を密着し、前記シリ
コン・ウェハーの表面には薄膜の周縁部を密着するとと
もに、該薄膜には固定部材により固定された緩衝部材を
載置して前記薄膜の破損を防止することを特徴とする。
(実施例)
本発明の構成及び実施例を図面に基づいて説明する。第
1図は、本発明の構成を示す断面図であり、vJ2図は
、本発明の構成を示す分解平面図である。
1図は、本発明の構成を示す断面図であり、vJ2図は
、本発明の構成を示す分解平面図である。
tjSi図1こおいて、1はシリコン・ウェハーであり
、1aは化学的研磨法により形成された四部であり、1
bはバルブ驕である。凹部1aには幅0゜411μmm
貫通孔1cを穿設し、バルブ座1b内にも貫通孔1cを
穿設する。2は、シリコン・ウェハー1の裏面(第1図
の下面方向)に密着するガラス板であり、シリコン・ウ
ェハー1に穿設した貫通孔ICと連通する貫通孔2aを
穿設する。3は、厚さ100μmの薄膜であり、シリコ
ン・ウェハー1の表面(第1図の上面方向)に端部周縁
部3aを密着する。4は緩衝部材であり、薄膜3に載置
する。
、1aは化学的研磨法により形成された四部であり、1
bはバルブ驕である。凹部1aには幅0゜411μmm
貫通孔1cを穿設し、バルブ座1b内にも貫通孔1cを
穿設する。2は、シリコン・ウェハー1の裏面(第1図
の下面方向)に密着するガラス板であり、シリコン・ウ
ェハー1に穿設した貫通孔ICと連通する貫通孔2aを
穿設する。3は、厚さ100μmの薄膜であり、シリコ
ン・ウェハー1の表面(第1図の上面方向)に端部周縁
部3aを密着する。4は緩衝部材であり、薄膜3に載置
する。
5は、弾性支持板であり、緩衝部材4の端縁部4aを保
持し、穴5aを穿設する。6は、支持板であり緩衝部材
4及び弾性支持板5を保持する。7は、固定治具であり
、支持板6.6′とガラス板2に介在したシリコン・ウ
ェハー1及び薄膜3並びにその他の部材を圧着保持する
。
持し、穴5aを穿設する。6は、支持板であり緩衝部材
4及び弾性支持板5を保持する。7は、固定治具であり
、支持板6.6′とガラス板2に介在したシリコン・ウ
ェハー1及び薄膜3並びにその他の部材を圧着保持する
。
第2図(1)から(6)は、本発明の構成を示す分解平
面図である。第2図(1)は、本発明に係るシリコン・
ウェハー1の平面図であり、化学的研磨法により形成さ
れた四部1a内にバルブ座1b及び貫通孔1cを配設す
る。第2図(2)は、本発明に係るガラス板2の平面図
であり、シリコン・ウェハー1にrJ設した貫通孔1c
と連通する貫通孔2cを9設する。第2図(3)は、本
発明に係る薄膜3の平面図であり、厚さ100μmの耐
熱性の材質である(デエボン社製70ロカーボンフイル
ム)。
面図である。第2図(1)は、本発明に係るシリコン・
ウェハー1の平面図であり、化学的研磨法により形成さ
れた四部1a内にバルブ座1b及び貫通孔1cを配設す
る。第2図(2)は、本発明に係るガラス板2の平面図
であり、シリコン・ウェハー1にrJ設した貫通孔1c
と連通する貫通孔2cを9設する。第2図(3)は、本
発明に係る薄膜3の平面図であり、厚さ100μmの耐
熱性の材質である(デエボン社製70ロカーボンフイル
ム)。
第2図(4)は、本発明に係る緩衝部材4の平面図であ
り、!111部材4は上下にたわむ薄膜3を保護する作
用を有し、厚さllllIn、直径8nn+のゴム製円
板である。第2図(5)は、弾性支持板5の平面図であ
り、穴5aを穿設したゴムスボンノであり、穴5al:
緩衝部材4を嵌合し、端縁部4a周辺を穴5aにより保
持する作用を有する。第2図(6)は保持板6の平面図
であり、シリング8挿入用穴6a及び固定治具挿入用穴
61)を穿設し、緩衝部材4及び弾性支持板5を圧着保
持する作用を有する。
り、!111部材4は上下にたわむ薄膜3を保護する作
用を有し、厚さllllIn、直径8nn+のゴム製円
板である。第2図(5)は、弾性支持板5の平面図であ
り、穴5aを穿設したゴムスボンノであり、穴5al:
緩衝部材4を嵌合し、端縁部4a周辺を穴5aにより保
持する作用を有する。第2図(6)は保持板6の平面図
であり、シリング8挿入用穴6a及び固定治具挿入用穴
61)を穿設し、緩衝部材4及び弾性支持板5を圧着保
持する作用を有する。
!@2図(7)は保持板6′であり、穴6a及びパイプ
挿入孔6cが穿設されている。
挿入孔6cが穿設されている。
第3図(1)は、本発明の実施例を示す拡大断面図であ
り、薄膜3に載置した緩衝部材4には、直径11のシリ
ング8(空気シリング又はツレ/イド)が当接し、外部
作用(図示せず。)によりシリング8が押下げられると
ml!3も図面下方向に押下げたわみ、シリコン・ウェ
ハー1の四部1a内のバルブ座1bへ薄膜3を押し付け
て、バルブ座1b内の貫通孔1cを閉塞し、薄膜3をバ
ルブ座111に押し付けるとガスはバルブ座1b内の貫
通孔IC内を流れない(矢印参照)。
り、薄膜3に載置した緩衝部材4には、直径11のシリ
ング8(空気シリング又はツレ/イド)が当接し、外部
作用(図示せず。)によりシリング8が押下げられると
ml!3も図面下方向に押下げたわみ、シリコン・ウェ
ハー1の四部1a内のバルブ座1bへ薄膜3を押し付け
て、バルブ座1b内の貫通孔1cを閉塞し、薄膜3をバ
ルブ座111に押し付けるとガスはバルブ座1b内の貫
通孔IC内を流れない(矢印参照)。
シリング8の押下げを解除すると、第3図(2)に示す
よう−に、′F!#膜3の復元力及びガス圧によりバル
ブ座1bから薄膜3が離れ、ガスはバルブ座11】内の
貫通孔1cを通過できる(矢印参照)。
よう−に、′F!#膜3の復元力及びガス圧によりバル
ブ座1bから薄膜3が離れ、ガスはバルブ座11】内の
貫通孔1cを通過できる(矢印参照)。
(発明の効果)
本発明は以上の構成であるから、簡便にガス注大制御装
置を組立て製造できるとともに、制御バルブに薄膜を使
用したことにより制御バルブの製造工数を省力でき、か
つ薄膜に緩衝部材を載置することによりシリンダの押下
げによる薄膜の破損を防止する効果を奏する。
置を組立て製造できるとともに、制御バルブに薄膜を使
用したことにより制御バルブの製造工数を省力でき、か
つ薄膜に緩衝部材を載置することによりシリンダの押下
げによる薄膜の破損を防止する効果を奏する。
第1図は、本発明の構成を示す断面図、vJ2図(1)
から(6)は、本発明の構成を示す分解平面図、第3図
(1)(2)は、本発明の実施例を示す断面図、第4図
(I H2)は従来例を示す断面図であり、各図を通じ
て同一部分は同一符号で表わされている61・・・シリ
コン・ウェハー 1a・・・四部11)・・・バルブ
FI!l!lc・・・貫通孔2・・・〃ラス板
2a・・・貫通孔3・・・薄膜 4・
・・緩衝部材5・・・弾性支持板 6・・・支持
板7・・・固定治具
から(6)は、本発明の構成を示す分解平面図、第3図
(1)(2)は、本発明の実施例を示す断面図、第4図
(I H2)は従来例を示す断面図であり、各図を通じ
て同一部分は同一符号で表わされている61・・・シリ
コン・ウェハー 1a・・・四部11)・・・バルブ
FI!l!lc・・・貫通孔2・・・〃ラス板
2a・・・貫通孔3・・・薄膜 4・
・・緩衝部材5・・・弾性支持板 6・・・支持
板7・・・固定治具
Claims (1)
- シリコン・ウェハーの表面に形成した凹部内に裏面へ貫
通する貫通孔及びバルブ座を具備するシリコン・ウェハ
ー基板において、該シリコン・ウェハー基板の裏面へシ
リコン・ウェハーに穿設した貫通孔と連通する貫通孔を
具備するガラス板を密着し、他方前記シリコン・ウェハ
ーの表面へ薄膜の周縁部を密着するとともに、該薄膜に
は固定部材により固定された緩衝部材を載置して成るこ
とを特徴とするガス注入制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20080385A JPS62161050A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | ガス注入制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20080385A JPS62161050A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | ガス注入制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62161050A true JPS62161050A (ja) | 1987-07-17 |
Family
ID=16430450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20080385A Pending JPS62161050A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | ガス注入制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62161050A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001094824A1 (fr) * | 2000-06-05 | 2001-12-13 | Fujikin Incorporated | Clapet integre a un orifice |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP20080385A patent/JPS62161050A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001094824A1 (fr) * | 2000-06-05 | 2001-12-13 | Fujikin Incorporated | Clapet integre a un orifice |
US7150444B2 (en) | 2000-06-05 | 2006-12-19 | Fujikin Incorporated | Valve with an integral orifice |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3496020B2 (ja) | 圧電弁 | |
JPS61193862A (ja) | シリコン弁とその製作方法 | |
US20070245549A1 (en) | Jig for assembling rotor | |
GB2381058A (en) | Micro-valve | |
KR20200005346A (ko) | 이차전지 및 그 제조방법 | |
CN101545920B (zh) | 加速度传感器装置 | |
JPS5866652U (ja) | 半導体素子用取付け構造 | |
JPS62161050A (ja) | ガス注入制御装置 | |
JP2003185898A (ja) | 光学素子固定機構 | |
EP3325149B1 (en) | Microfluidic device | |
JPH05144207A (ja) | 磁気ヘツドスライダの取付構造及びそれに用いる磁気ヘツドスライダ | |
JP2976031B1 (ja) | 半導体装置製造用治具 | |
JPS612977A (ja) | ガス注入制御弁 | |
JPS594638U (ja) | 半導体ウエハ固定用接着薄板 | |
JPH0144861Y2 (ja) | ||
JP3028997B2 (ja) | リードフレームへのフィルム貼付け方法 | |
JPH02112258A (ja) | 半導体装置用粘着テープ | |
JP2001141589A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2008028072A (ja) | 支持部材、基板保持治具、及びハンダボール搭載方法 | |
JPH08320340A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JPS6259850A (ja) | 熱伝導検出器 | |
JPH05322919A (ja) | 多次元半導体加速度センサの構造 | |
JPS59177841U (ja) | 防振装置 | |
JPS61233366A (ja) | キヤピラリイ・カラム用基板 | |
JP4224466B2 (ja) | 半導体センサ及びその製造方法 |