JPS62158339A - Method for adhering bonding leads to IC chips in semiconductor devices - Google Patents
Method for adhering bonding leads to IC chips in semiconductor devicesInfo
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- JPS62158339A JPS62158339A JP60299426A JP29942685A JPS62158339A JP S62158339 A JPS62158339 A JP S62158339A JP 60299426 A JP60299426 A JP 60299426A JP 29942685 A JP29942685 A JP 29942685A JP S62158339 A JPS62158339 A JP S62158339A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置におけるＩＣチップへのボンディン
グリードの接着方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method of bonding a bonding lead to an IC chip in a semiconductor device.
（従来の技術とその問題点）
従来、半導体装置のＩＣチップ上た突出して形成された
ボンディングリードを、該ＩＣチップ上に接着する方法
は、第９図に示す様に、加熱されたボンディングボード
員で、ボンディングリード（ｆａ）をＩＣチップ上面（
３ａ）に押圧して全てのボンディングリードＩＬ）を同
時に接着していた。(Prior art and its problems) Conventionally, a method for bonding bonding leads formed protrudingly above an IC chip of a semiconductor device onto the IC chip is as shown in FIG. Connect the bonding lead (fa) to the top surface of the IC chip (
3a), all bonding leads IL) were bonded at the same time.
ところが、この方法は、ボンディングリード（２５と対
向するＩＣチップ上面（了＆）に形成されたポンディン
グパッド（Ｆｆ）に均一な押圧力をかけることが困難な
ため、ＩＣチップ（３５に接着されないボンディングリ
ードがあるという間層があった。However, with this method, it is difficult to apply a uniform pressing force to the bonding pad (Ff) formed on the top surface of the IC chip (Ff) facing the bonding lead (25). There was a layer of bonding leads.
さらに、この方法では、ボンディングパッド（８５にさ
らに金のバンプ（ｍ）を形成する必要があるため、非常
な手間とコストがかかシ生産性が劣っていた。Furthermore, in this method, it is necessary to further form a gold bump (m) on the bonding pad (85), which requires a great deal of effort and cost, and is low in productivity.
（発明が解決しようとする技術的課題）第１の発明が解
決しようとする技術的課題は、半導体装置のＩＣチップ
上に突出して形成されたボンディングリードを、該ＩＣ
チップに確実に接着することであり、第２の発明が解決
しようとする技術的味ＮｒＩ′ｉ、半導体装置のＩＣチ
ップ上に突出して形成されたボンディングリードを、工
Ｃチップに確実かつ迅速に接着すると共に、低コストに
押えることである。(Technical Problem to be Solved by the Invention) A technical problem to be solved by the first invention is to connect a bonding lead formed protrudingly on an IC chip of a semiconductor device to the IC chip.
The second aspect of the invention is to securely bond the bonding leads to the chip, and the second invention aims to solve this problem by reliably and quickly attaching the bonding leads formed protrudingly on the IC chip of the semiconductor device to the IC chip. In addition to adhesion, it is possible to keep costs low.
（技術的課題を達成するための技術的手段）第１の発明
の技術的課題を達成するための技術的手段は、半導体装
置のＩＣチップ上に突出して形成されたボンディングリ
ードを、該ＩＣチップに１本又は数本ずつボンディング
シールにより圧着することであシ、第２の発明の技術的
課題を達成するための技術的手段は、半導体装置のＩＣ
チップ上に突出して形成されたボンディングリードを、
加熱されたポンディング用ボードでＩＣチップ上面に押
圧し、該ボンディングリードと対向するボンディングボ
ードの上面をボンディングシールを移動させて該ＩＣチ
ップに接着することでめる０
（発明の効果）
第１の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実にＩＣチップに接着すること
ができる０
第２の発明は以上の様な方法にしたことにより、全ての
ボンディングリードを確実でかつ迅速にＩＣチップに接
着することができると共に、低コストで接着することが
できるので、生産性の向上を図ることができる。(Technical means for achieving the technical object) The technical means for achieving the technical object of the first invention is to connect a bonding lead formed protrudingly on an IC chip of a semiconductor device to the IC chip. The technical means for achieving the technical problem of the second invention is to press one or several ICs of a semiconductor device with a bonding seal.
Bonding leads formed protruding on the chip,
A heated bonding board is pressed against the top surface of the IC chip, and a bonding seal is moved on the top surface of the bonding board facing the bonding leads to adhere to the IC chip. The second invention uses the method described above to reliably bond all the bonding leads to the IC chip.The second invention uses the method described above to reliably bond all the bonding leads to the IC chip. Since it can be bonded quickly and quickly to an IC chip and can be bonded at low cost, productivity can be improved.
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面により説明する。(Example) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図面中第１図〜第３図は第１発明、第４図〜第８図は第
２発明の工程図を夫々示すものであシ、以下第１発明か
ら順に説明する０
図中（２）は半導体装置を示し、該半導体装置（４）は
基板（１）と導線（２）及びＩＣチップ（３）とＫよシ
構成される。In the drawings, FIGS. 1 to 3 show process diagrams of the first invention, and FIGS. 4 to 8 show process diagrams of the second invention, and will be explained in order from the first invention. indicates a semiconductor device, and the semiconductor device (4) is composed of a substrate (1), a conductive wire (2), and an IC chip (3).
基板（１）はセラミック、ガラスエポキシ樹脂等のプラ
スチック等で適宜大きさに形成され、その上面中央部に
ＩＣチップ（３）を塔載するためのマウント部（４）カ
形成され、該マウント部（４）の周囲にはスルホール部
が縦横列に開穿され、該スルホール部にＩＣＣタケ／
ｈ等に実装される外部引出用リードビン（図示せず）が
固着されているＯ
また、該基板（１）の上面とは樹脂フィルム（６）上に
配列形成された導線（２）が該樹脂フィルムを介して貼
着される。The substrate (1) is made of ceramic, plastic such as glass epoxy resin, etc. to an appropriate size, and a mount portion (4) for mounting the IC chip (3) is formed at the center of the upper surface of the substrate. (4) Through holes are drilled in vertical and horizontal rows around the hole, and ICC bamboo/
A lead bin (not shown) for external draw-out mounted on the board (1) is fixed to the upper surface of the board (1). It is attached via a film.
導線（２）は樹脂フィルム（６）上面に適宜厚さの銅箔
及び鋼メッキを施して鋼メッキ層を形成するメッキ工程
と、前記メッキ層に７オートレジスト印刷とおけるレジ
スト塗布処理、パターン合せ・露光処理、現象・焼付処
理を行ってパターンを形成するパターン形成と、該パタ
ーン形成がされた樹脂フィルム（６）をエツチング溶液
に浸漬して食刻部を食刻剥離するエツチング工程により
平板状に形成され、アルミニウムメッキ（７）で被覆さ
れる。The conductor (2) undergoes a plating process in which copper foil and steel plating of an appropriate thickness is applied to the upper surface of the resin film (6) to form a steel plating layer, and a resist coating process and pattern matching in 7 autoresist printing on the plated layer.・A flat plate is formed by a pattern formation process in which a pattern is formed by performing exposure treatment, a phenomenon process, and a baking process, and an etching process in which the patterned resin film (6) is immersed in an etching solution and the etched portions are peeled off. and covered with aluminum plating (7).
また、平板状のボンディングリード（２ａ）はＩＣチッ
プ（３）の四周面上に適宜間隔をもって並列状に突出形
成され、該ボンデイア１’）−ドの対向するＩＣチップ
上面（３ａ）には、アルミニウムのボンディングパット
（８）が形成されている。Further, flat bonding leads (2a) are formed protruding in parallel at appropriate intervals on the four peripheral surfaces of the IC chip (3), and on the upper surface (3a) of the IC chip opposite to the bonder 1'). An aluminum bonding pad (8) is formed.
以下工程図と従って本発明のＩＣチップ（３）のボンデ
ィングリード（２ａ）の接着方法を説明する０
まず、ボンディングリード（２ａ）の上面にボンディン
グシール（９）を当接させた状態で、ＩＣチップ上面（
３ａ）に形成されたボ／ディ／グパフド（８）に所定時
間押圧し、熱圧着ボンディング法、或いは超音波ボンデ
ィング法によりボンディングリード（２ａ）に熱或いは
超音波を与えることによりボンディングリード（２ａ）
とボンディングパット（８）のアルミニウムを溶解させ
て接着する。The method of bonding the bonding lead (2a) of the IC chip (3) of the present invention will be explained below with reference to the process diagram.0 First, with the bonding seal (9) in contact with the top surface of the bonding lead (2a), Top surface of the chip (
The bonding lead (2a) is bonded by pressing the body/die/puffed (8) formed in 3a) for a predetermined period of time and applying heat or ultrasonic waves to the bonding lead (2a) using a thermocompression bonding method or an ultrasonic bonding method.
and the aluminum of the bonding pad (8) are melted and bonded.
そして、上記作業工程により該ボンディングリード（２
ａ）の接着が終了すると、第３図に示す如く、同工程に
より残シのボンディングリード（２ａ）を相隣れる方向
へ順次接着する。Then, the bonding lead (2
When the bonding in a) is completed, the remaining bonding leads (2a) are sequentially bonded in adjacent directions in the same process, as shown in FIG.
この場合、ボンディングリード（２ａ）の接着は１本ず
つに限らず均等な押圧力を加えることのできる本数、例
えば、２，３本ずつ接着することも可能である。この場
合にボンディングシール（９）も幅広なものを用いる。In this case, bonding of the bonding leads (2a) is not limited to one at a time, but it is also possible to bond as many as possible to apply an even pressing force, for example, two or three at a time. In this case, a wide bonding seal (9) is also used.
また、該ボンディングリード（２ａ）をアルミニウムメ
ッキ（ηを被覆しない高純度鋼のみで形成して接着する
ことも任意である。Further, it is also optional to form the bonding lead (2a) only from aluminum plating (high-purity steel without coating η) and bond it.
次に第２発明について説明する。Next, the second invention will be explained.
図中叫はＩＣチップ（３）上方に配置され、かつ該ＩＣ
チップ（３）よりやや小さいか、或いは同等の大きさに
形成されたボンディングボードであシ、該ボンディング
ボード叫は電気的操作により加熱されると共に上下動自
在に形成されている。In the figure, the symbol is placed above the IC chip (3), and the IC chip (3) is
The bonding board is formed to be slightly smaller than or the same size as the chip (3), and the bonding board is heated by electrical operation and is formed to be movable up and down.
以下工程図に従って第２発明のＩＣチップ（３）へのボ
ンディングリード（２ａ）の接着方法を説明する。The method of bonding the bonding lead (2a) to the IC chip (3) of the second invention will be explained below according to the process diagram.
まず、最初に加熱されたボンディングボード（転）を下
側に移動させて、ＩＣチップ（３）上面に圧力をかけつ
つ重ね合せて、ボンディングリード（２ａ）をＩＣチッ
プ上面（３ａ）のボンディングバブド（８）に押圧する
。First, the heated bonding board (roller) is moved downward and placed over the top surface of the IC chip (3) while applying pressure, and the bonding leads (2a) are connected to the bonding bubbles on the top surface of the IC chip (3a). (8).
そして、該ボンディングリード（２ａ）と対向するボン
ディングボード（ト）の上面に、ボンディングシール（
９）を押し、該上面を適宜速さでなぞシ、熱圧着ポンデ
ィング法或いは超音波ボンディ方法により該ボード員の
上からボンディングリード（２ａ）及びボンディングパ
ブド（８）に熱或いは超音波を与えて、これらのアルミ
ニウムを溶解して接着する。Then, a bonding seal (
9), trace the upper surface at an appropriate speed, and apply heat or ultrasonic waves to the bonding lead (2a) and bonding pad (8) from above the board member using a thermocompression bonding method or an ultrasonic bonding method. melt and bond these aluminums.
尚、このボンディングボード叫の上面をボンディングシ
ール（９）でなぞる方法は、ボンディングリード（２＆
）上を一撥になぞる方法の他に、２．３本ずつ、或いは
１本ずつなぞる方法も考えられ、いずれを使用して接着
することも任意である。In addition, the method of tracing the top surface of this bonding board with the bonding sticker (9) is as follows:
) In addition to the method of tracing the top in one stroke, it is also possible to trace the area 2.3 lines at a time or 1 line at a time, and it is optional to use either method for bonding.
また、該ボンディングシール（９）は、横方向と縦方向
の夫々別個のもの２対設けて、それを同時に使用して接
着することも考えられる０It is also conceivable to provide two separate pairs of bonding seals (9) in the horizontal and vertical directions and use them simultaneously for bonding.
第１図〜第３図は第１発明のＩＣチップへのボンディン
グリードの接着方法を示す工程図、第４図〜第８図は、
第２発明の工程図、第９図は従来のボンディングリード
の接着方法を示す断面図である。
尚、図中
囚：半導体装置、（２６）：ボンディグリート（３）
： Ｉ Ｃチップ、 （ト）：ボンディングボード
（９）： ボンディングシール
を夫々示す。
ｅ）
袂
ｒ ／＋Ｓｒ ｌ”１1 to 3 are process diagrams showing the method of bonding the bonding leads to the IC chip of the first invention, and FIGS. 4 to 8 are
FIG. 9, which is a process diagram of the second invention, is a sectional view showing a conventional bonding lead bonding method. Prisoner in the figure: Semiconductor device, (26): Bondi Greet (3)
: IC chip, (G) : Bonding board (9) : Bonding seals are shown respectively. e) 袂r／＋Srl”1
Claims (2)
ボンディングリードを、該ＩＣチップに１本又は数本ず
つボンディングシールにより圧着する半導体装置におけ
るＩＣチップへのボンディングリードの接着方法。(1) A method for bonding bonding leads to an IC chip in a semiconductor device, in which bonding leads formed protruding from an IC chip of a semiconductor device are pressure-bonded to the IC chip one by one or several by a bonding seal.
ボンディングリードを、加熱されたボンディング用ボー
ドでＩＣチップ上面に押圧し、該ボンディングリードと
対向するボンディングボードの上面をボンディングシー
ルを移動させて該ＩＣチップに接着する半導体装置にお
けるＩＣチップへのボンディングリードの接着方法。(2) A bonding lead formed protruding on an IC chip of a semiconductor device is pressed against the top surface of the IC chip with a heated bonding board, and a bonding seal is moved on the top surface of the bonding board facing the bonding lead. A method for bonding a bonding lead to an IC chip in a semiconductor device to be bonded to the IC chip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299426A JPS62158339A (en) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Method for adhering bonding leads to IC chips in semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299426A JPS62158339A (en) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Method for adhering bonding leads to IC chips in semiconductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158339A true JPS62158339A (en) | 1987-07-14 |
Family
ID=17872412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299426A Pending JPS62158339A (en) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Method for adhering bonding leads to IC chips in semiconductor devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158339A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334940A (en) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US5313367A (en) * | 1990-06-26 | 1994-05-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP60299426A patent/JPS62158339A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334940A (en) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US5313367A (en) * | 1990-06-26 | 1994-05-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure |
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