JPS6215407A - 結晶膜厚測定法 - Google Patents
結晶膜厚測定法Info
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- JPS6215407A JPS6215407A JP15450485A JP15450485A JPS6215407A JP S6215407 A JPS6215407 A JP S6215407A JP 15450485 A JP15450485 A JP 15450485A JP 15450485 A JP15450485 A JP 15450485A JP S6215407 A JPS6215407 A JP S6215407A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- crystal
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- film thickness
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、結晶膜厚の測定に関し、特に真空中膜の厚さ
を測定する方法に関する。成長層に電子の膜厚の成長に
対応して１周期の振動を、または２原子層の膜厚の成長
に対応して１周期の振動をすることを利用して膜厚の測
定を可衡とするものである。
を測定する方法に関する。成長層に電子の膜厚の成長に
対応して１周期の振動を、または２原子層の膜厚の成長
に対応して１周期の振動をすることを利用して膜厚の測
定を可衡とするものである。
［従来の技術］
従来、真空中での結晶成長の際に、成長中の薄膜の厚さ
を測定する方法として、水晶振動子を用いた膜厚計が用
いられていた。この方法はＧａＡｓ等の化合物半導体の
成長には使えないが、元素半導体であるＳｉの成長に関
しては用いられていた。しかし、この水晶振動子を用い
たＳｉの成長膜厚測定法にはいくつかの問題点がある。
を測定する方法として、水晶振動子を用いた膜厚計が用
いられていた。この方法はＧａＡｓ等の化合物半導体の
成長には使えないが、元素半導体であるＳｉの成長に関
しては用いられていた。しかし、この水晶振動子を用い
たＳｉの成長膜厚測定法にはいくつかの問題点がある。
まず第一に水晶振動子自体の読み取りの精度は１人好度
と良いが、通常成長ノ１（板と別の位置に設置されるた
めに較正が必要であるが、Ｓｉは電イビート蒸発ｙれる
場合が多いので、Ｓｉの溶は方次第で蒸発Ｓｉビームの
強度が変る困難さがあった。また水晶振動子は１０〜２
０７ｚ、ｍの厚さの８１が４＝１着すると使用不能にな
るために、ひんばんに振動子を交換する必要があるが、
このことは特に超高真空中でのＳｉの分子線結晶成長で
は大きな問題であった。
と良いが、通常成長ノ１（板と別の位置に設置されるた
めに較正が必要であるが、Ｓｉは電イビート蒸発ｙれる
場合が多いので、Ｓｉの溶は方次第で蒸発Ｓｉビームの
強度が変る困難さがあった。また水晶振動子は１０〜２
０７ｚ、ｍの厚さの８１が４＝１着すると使用不能にな
るために、ひんばんに振動子を交換する必要があるが、
このことは特に超高真空中でのＳｉの分子線結晶成長で
は大きな問題であった。
以」二述べたように、結晶成長中にその場での膜厚の正
確な測定は困難であった。
確な測定は困難であった。
一方、莢国フィリップ研究所のＪ、Ｊ 、ハリス等は、
ＧａＡｓの分子線結晶成長法において、反射型の成長開
始直後にその回折像の強度が周期的に変化することを見
い出し、その振動の一周期が、用いた（００１）平面上
での一分子層のＧａＡｓの成長に対応していることを述
べている。（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅＶｏ１．
１０３ （１９８１） Ｌ９０−Ｌ９Ｅｌ） したが
って、かかるよって、成長した分子層数を正確に知るこ
とができる。このような電子線回折像の振動を計算機で
解析し、振動の適当な位相の時点で蒸発源のシャッタを
開閉することにより、非常に精密な結晶成長ができるこ
とが確認されている（Ｔ、Ｓａｋａｍｏｔ。
ＧａＡｓの分子線結晶成長法において、反射型の成長開
始直後にその回折像の強度が周期的に変化することを見
い出し、その振動の一周期が、用いた（００１）平面上
での一分子層のＧａＡｓの成長に対応していることを述
べている。（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅＶｏ１．
１０３ （１９８１） Ｌ９０−Ｌ９Ｅｌ） したが
って、かかるよって、成長した分子層数を正確に知るこ
とができる。このような電子線回折像の振動を計算機で
解析し、振動の適当な位相の時点で蒸発源のシャッタを
開閉することにより、非常に精密な結晶成長ができるこ
とが確認されている（Ｔ、Ｓａｋａｍｏｔ。
ｅｔ ａｌ：Ｊｐｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｖｏｌ、２３ （１！１１８４）Ｌ８５７−Ｌ６５８
）。この方法は位相制御エピタキシー法と呼ばれ、従来
の分子線エピタキシー法に比較して、ヘテロ接合界面を
非常に平坦にできること、超格子構造等を成長させる際
に、その薄膜の周期性は蒸発ビーム強度変化の影響を受
けない等の大きな利点を有している。
Ｖｏｌ、２３ （１！１１８４）Ｌ８５７−Ｌ６５８
）。この方法は位相制御エピタキシー法と呼ばれ、従来
の分子線エピタキシー法に比較して、ヘテロ接合界面を
非常に平坦にできること、超格子構造等を成長させる際
に、その薄膜の周期性は蒸発ビーム強度変化の影響を受
けない等の大きな利点を有している。
このような結晶成長中の反射高速電子線回折像の強度の
振動現象は、ＧａＡｓ、Ａ文工Ｇａ１−エＡｓ。
振動現象は、ＧａＡｓ、Ａ文工Ｇａ１−エＡｓ。
Ｇｅ（ＧａＡｓ基板Ｊｌ ）、Ｇａｐ−エＩｎ、Ａｓに
ついては報告されているが、最も重要な半導体材料であ
る■族元素半導体のＳｉについては今まで報告がなかっ
た。一方において、真空中の蒸着法によってＳｉの薄膜
を５ｉ（１１１）基板上に室温で堆積させ、６００℃の
温度でアニールしながら基板表面を低速電子線回折装置
で観察Ｉ７た際に、電子線回折スポットの中心部とその
周辺部の相対強度を計算すると、時間的周期性が観察さ
れ、その１周期が（１，１１）面１−での２原子層（３
，１４人）の膜厚の成長に相当しているとの報告がある
（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｎｃｅ Ｖｏｌ、］Ｉ７ （
１９８２）！８０−１８７ ）。しかしながらこの方法
はリアルタイムの観察ではなく、得られている振動も３
周期程度である。また、この低速電子線回折法は反射高
速電子線回折法と違ってその装置の構造上、成長させな
がら同時に基板表面の電子線回折像を観察するのには適
していないため、分子線エピタキシャル成長法等におい
て、前記低速電子線回折装置を用いて成長基板表面の情
報を観測して、それを元にしてリアルタイムで蒸発源シ
ャッタ等を制御することはほとんど不可能であった。
ついては報告されているが、最も重要な半導体材料であ
る■族元素半導体のＳｉについては今まで報告がなかっ
た。一方において、真空中の蒸着法によってＳｉの薄膜
を５ｉ（１１１）基板上に室温で堆積させ、６００℃の
温度でアニールしながら基板表面を低速電子線回折装置
で観察Ｉ７た際に、電子線回折スポットの中心部とその
周辺部の相対強度を計算すると、時間的周期性が観察さ
れ、その１周期が（１，１１）面１−での２原子層（３
，１４人）の膜厚の成長に相当しているとの報告がある
（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｎｃｅ Ｖｏｌ、］Ｉ７ （
１９８２）！８０−１８７ ）。しかしながらこの方法
はリアルタイムの観察ではなく、得られている振動も３
周期程度である。また、この低速電子線回折法は反射高
速電子線回折法と違ってその装置の構造上、成長させな
がら同時に基板表面の電子線回折像を観察するのには適
していないため、分子線エピタキシャル成長法等におい
て、前記低速電子線回折装置を用いて成長基板表面の情
報を観測して、それを元にしてリアルタイムで蒸発源シ
ャッタ等を制御することはほとんど不可能であった。
［発明が解決しようとする問題点］
Ｓｉの分子線エビタキャル成長法においても、前述の反
射高速電子線回折像の強度の振動を安定に持続して観察
することができれば、非常に有効な膜厚測定方法になる
ばかりでなく、例えばＳｉ／５ｉ１４ Ｇｅｚのような
組み合せの超格子構造を位相制御エピタキシー技術を用
いて非常に精度良く成長できることになる。
射高速電子線回折像の強度の振動を安定に持続して観察
することができれば、非常に有効な膜厚測定方法になる
ばかりでなく、例えばＳｉ／５ｉ１４ Ｇｅｚのような
組み合せの超格子構造を位相制御エピタキシー技術を用
いて非常に精度良く成長できることになる。
そこで本発明の目的は、Ｓｉの分子線エピタキシャル成
長法において、結晶表面からの反射高速電子線回折像の
強度の振動の１周期が］−１的に応じてｌ原子層または
２原子層の膜厚の成長に対応することができるように、
基板表面への電子線の入射方位を選ぶ技術を提供するこ
とにある。
長法において、結晶表面からの反射高速電子線回折像の
強度の振動の１周期が］−１的に応じてｌ原子層または
２原子層の膜厚の成長に対応することができるように、
基板表面への電子線の入射方位を選ぶ技術を提供するこ
とにある。
［問題点を解決するためのｆ段］
本発明は真空中でのＳｉの結晶成長にあたって、薄膜納
品成長中に、当該薄膜の膜厚を反射高速重子線回折法の
回折像の強度の周期的昨間変化の振動数から測定する方
法において、（００１）を主平面とするＳｉ基板の＜１
１０＞方向から電子線を入射させることによって、その
１周期が２原ｒ一層の膜厚の成長に対応する振動を観察
することができ、また前記Ｓｉ基板の（１１０）以外の
角度２例えば＜３１０ン、 ＜２１０ ＞ 、 ＜
１００ ＞等に前記電子線を入射させることによって、
その１周期が１原子層の膜厚の成長に対応する振動を観
察することを可能とする。
品成長中に、当該薄膜の膜厚を反射高速重子線回折法の
回折像の強度の周期的昨間変化の振動数から測定する方
法において、（００１）を主平面とするＳｉ基板の＜１
１０＞方向から電子線を入射させることによって、その
１周期が２原ｒ一層の膜厚の成長に対応する振動を観察
することができ、また前記Ｓｉ基板の（１１０）以外の
角度２例えば＜３１０ン、 ＜２１０ ＞ 、 ＜
１００ ＞等に前記電子線を入射させることによって、
その１周期が１原子層の膜厚の成長に対応する振動を観
察することを可能とする。
［作 用］
まず本発明の理解のために、第１図を参照して（００１
） Ｓｉ基板１００を用いた場合の電ｒビームの入射方
向およびその電子ビームによる回折パターン像の概念を
説明する。
） Ｓｉ基板１００を用いた場合の電ｒビームの入射方
向およびその電子ビームによる回折パターン像の概念を
説明する。
従来の真空中の結晶成長法において、反射電子線回折装
置を用いて（００１）を主平面とする半導体結晶成長基
板にに成長した薄膜結晶の表面構造を電子ビームの回折
像で観察する際には、反射電子線回折装置の電子ビーム
１０１をかかる半導体基板又は薄膜結晶の主として＜１
１０ンの結晶軸方向に７行に入射させていた。その理由
は、（１１０）方位に電子ビーム１０１を入射させたと
きの回折像１０３は、他の結晶軸方向＜１００＞に電ｆ
−ビーム１０２を入射させた時の回折像１０４よりも、
像が密ではっきりしており、また（１１０）方位の回折
像１０３から基板１００の表面超格子構造を直感的に理
解しやすいからである。従って、現在までに報告されて
いる反射電子線回折像の強度の振動はほとんど（１１０
）方位で観察したものである。
置を用いて（００１）を主平面とする半導体結晶成長基
板にに成長した薄膜結晶の表面構造を電子ビームの回折
像で観察する際には、反射電子線回折装置の電子ビーム
１０１をかかる半導体基板又は薄膜結晶の主として＜１
１０ンの結晶軸方向に７行に入射させていた。その理由
は、（１１０）方位に電子ビーム１０１を入射させたと
きの回折像１０３は、他の結晶軸方向＜１００＞に電ｆ
−ビーム１０２を入射させた時の回折像１０４よりも、
像が密ではっきりしており、また（１１０）方位の回折
像１０３から基板１００の表面超格子構造を直感的に理
解しやすいからである。従って、現在までに報告されて
いる反射電子線回折像の強度の振動はほとんど（１１０
）方位で観察したものである。
これに対して本発明では上記（１１０）方向とそれ以外
の＜１００ ＞ 、 ＜２１０ ＞ 、 ＜３１０
＞などの方位では、観察される振動の周期が異なるこ
とを利用するものである。
の＜１００ ＞ 、 ＜２１０ ＞ 、 ＜３１０
＞などの方位では、観察される振動の周期が異なるこ
とを利用するものである。
［実施例］
以下に実施例について述べる。
超高真空中（１０’Ｔｏｒｒ）において、５ｉ（００１
）基板上に約２０００人のバッファ層を７００℃の基板
温度で成長させたあと、 １０００℃、２０分のアニー
ルを行って平面を平坦化した基板を用いて成長中の電子
線回折像強度の振動の観察を行った。Ｓｉの蒸発源とし
ては２ｋＷの電子銃を用いて高純度Ｓｉを蒸発させた。
）基板上に約２０００人のバッファ層を７００℃の基板
温度で成長させたあと、 １０００℃、２０分のアニー
ルを行って平面を平坦化した基板を用いて成長中の電子
線回折像強度の振動の観察を行った。Ｓｉの蒸発源とし
ては２ｋＷの電子銃を用いて高純度Ｓｉを蒸発させた。
反射高速電子線回折装置の電子線は５ｉ（００１）基板
の主平面に対して約１度以下の入射角度で入射され、入
射方位を変えてその都度成長を行って振動を観察した。
の主平面に対して約１度以下の入射角度で入射され、入
射方位を変えてその都度成長を行って振動を観察した。
なお各方位の成長前には必ず１０００℃、２０分のアニ
ールを行っている。
ールを行っている。
９５２図にその結果を示す。（１１０）に平行に電子線
を入射させた場合には同図中ａに示すように比較的大き
な振幅を持つ振動が観察され、この時の膜厚から較正し
た、振動の１周期あたりの成長膜厚は約２．７２人であ
った。これは５ｉ（００１）基板−１−での２原子層の
成長に相当している。
を入射させた場合には同図中ａに示すように比較的大き
な振幅を持つ振動が観察され、この時の膜厚から較正し
た、振動の１周期あたりの成長膜厚は約２．７２人であ
った。これは５ｉ（００１）基板−１−での２原子層の
成長に相当している。
すなわち、この（１１０）方向では２原子層のＳｉが成
長するたびに、その電子線回折像は１回振動することに
なる。つぎに電子線の入射方位を（１１０＞から６°だ
けずらせた角度に設定した場合には同図中すに示すよう
に振幅はやや減少するとともに、振動に新たなピークが
現われてくる。つぎに、さらに入射方位を変えて、＜２
１０ ） 、 ＜３１０ ） 、 （１００）にし
た時に得られる振動は、同図中ｃ 、ｄ 、ｅに示すよ
うに振幅は小さくなるが、ｂで出現した新しいピークが
完全に分離して全く等しい振幅を持つものになる。すな
わち、＜２１０ ＞ 、 ＜３１０ ＞ 、 ＜１
００ ）に入射させた時には、その振動の１周期は５ｉ
（００１）基板−４−での１原子層（１，３８人）の成
長に対応することとなる。したがって分子線納品成長法
による５ｉ（００１）基板上のＳｉの成長は基本的には
１原子層ずつの二次元成長をしているが、特定の方位す
なわち＜１１０＞方向に平行に電子線を入射させて回折
像を観察すると、２原子層の成長で１周期の振動が得ら
れるが、＜ｔｉｏ＞以外の方向に電子線を入射させると
、その回折像は１原子層の成長のたびに１回の振動をす
ることになる。なぜこのように観察する角度で振動の１
周期が異なっているかはまだ不明であるが、同図中の挿
入図ｆに示すように、（１００）表面で＜１１０＞方向
に電子線を入射させた場合には、第２層の電子が第１層
（表面）の原子に対して同一方向に並んでいるので、電
子線回折の際に何らかの干渉効果を生じて結果的には２
層の成長のたびに１回の振動を生じていると考えられる
。
長するたびに、その電子線回折像は１回振動することに
なる。つぎに電子線の入射方位を（１１０＞から６°だ
けずらせた角度に設定した場合には同図中すに示すよう
に振幅はやや減少するとともに、振動に新たなピークが
現われてくる。つぎに、さらに入射方位を変えて、＜２
１０ ） 、 ＜３１０ ） 、 （１００）にし
た時に得られる振動は、同図中ｃ 、ｄ 、ｅに示すよ
うに振幅は小さくなるが、ｂで出現した新しいピークが
完全に分離して全く等しい振幅を持つものになる。すな
わち、＜２１０ ＞ 、 ＜３１０ ＞ 、 ＜１
００ ）に入射させた時には、その振動の１周期は５ｉ
（００１）基板−４−での１原子層（１，３８人）の成
長に対応することとなる。したがって分子線納品成長法
による５ｉ（００１）基板上のＳｉの成長は基本的には
１原子層ずつの二次元成長をしているが、特定の方位す
なわち＜１１０＞方向に平行に電子線を入射させて回折
像を観察すると、２原子層の成長で１周期の振動が得ら
れるが、＜ｔｉｏ＞以外の方向に電子線を入射させると
、その回折像は１原子層の成長のたびに１回の振動をす
ることになる。なぜこのように観察する角度で振動の１
周期が異なっているかはまだ不明であるが、同図中の挿
入図ｆに示すように、（１００）表面で＜１１０＞方向
に電子線を入射させた場合には、第２層の電子が第１層
（表面）の原子に対して同一方向に並んでいるので、電
子線回折の際に何らかの干渉効果を生じて結果的には２
層の成長のたびに１回の振動を生じていると考えられる
。
このようなことはＧａＡＳでは生じない。ＧａＡＳでは
電子線の入射方位を変えても、観察される振動は常にＧ
ａＡｓの１分子層、すなわちＧａの１９子層とＡｓの１
原子層の計２原子層の成長で１回の振動が得られている
。またＳｉ基板においても（００１）以外の面方位にお
いても振動の１周期は電子線の入射方位に寄らない。す
なわちＳ ｉ （＋ ＋−１）基板での観察される振動
は常に２原子層単位であり、また５ｉ（１，１０）基板
での観察される振動は常に１原子層単位であり、これら
は電子線の入射方位に対して不変であることが確認され
た。
電子線の入射方位を変えても、観察される振動は常にＧ
ａＡｓの１分子層、すなわちＧａの１９子層とＡｓの１
原子層の計２原子層の成長で１回の振動が得られている
。またＳｉ基板においても（００１）以外の面方位にお
いても振動の１周期は電子線の入射方位に寄らない。す
なわちＳ ｉ （＋ ＋−１）基板での観察される振動
は常に２原子層単位であり、また５ｉ（１，１０）基板
での観察される振動は常に１原子層単位であり、これら
は電子線の入射方位に対して不変であることが確認され
た。
以」二はＳｉについての実施例であるが、これと同じ結
晶構造を有する元素半導体のＧｅ等でも本発明が実施で
きることは容易に推察できる。
晶構造を有する元素半導体のＧｅ等でも本発明が実施で
きることは容易に推察できる。
［発明の効果］
以１−から明らかなように、本発明によれば、５ｉ（０
０１）基板を用いた結晶成長において、電子線を（１１
０）に入用させた■νの回折像強度は、２原子層の成長
について１回の振動をすることになる。
０１）基板を用いた結晶成長において、電子線を（１１
０）に入用させた■νの回折像強度は、２原子層の成長
について１回の振動をすることになる。
このときの振幅は大きいために、我々の実験では２２０
０回以」−０振動が確認された。したがって、（１，１
０）の方向の測定は比較的厚い膜厚の測定に適している
。また電子線を（１１０）以外の方位、例えば＜２１０
＞ 、 ＜３１０ ＞ 、 ＜１００ ＞に入射
させｌま た時の回折像強度は、！原子層の成長について１回の振
動が得られることとなる。この時の振幅はやや小さく振
動回数も＜１１０＞はどには続かない。このため、この
方位の測定は、比較的薄い結晶を１原子精度で制御性良
く成長させる場合に適用して成長制御等を行う場合に、
振動の１周期はｌ原子成長層と２原子層成長の２つの選
択の可能性があることになり、位相制御エピタキシ技術
の適用の範囲がさらに広くなることになる。
０回以」−０振動が確認された。したがって、（１，１
０）の方向の測定は比較的厚い膜厚の測定に適している
。また電子線を（１１０）以外の方位、例えば＜２１０
＞ 、 ＜３１０ ＞ 、 ＜１００ ＞に入射
させｌま た時の回折像強度は、！原子層の成長について１回の振
動が得られることとなる。この時の振幅はやや小さく振
動回数も＜１１０＞はどには続かない。このため、この
方位の測定は、比較的薄い結晶を１原子精度で制御性良
く成長させる場合に適用して成長制御等を行う場合に、
振動の１周期はｌ原子成長層と２原子層成長の２つの選
択の可能性があることになり、位相制御エピタキシ技術
の適用の範囲がさらに広くなることになる。
第１図は（００１） Ｓｉ基板を用いた場合の電子ビー
ムの入射方位およびその時得られる電子線回折像の概念
図、 第２図は（００１） Ｓｉ基板を用いた場合に得られる
電子線回折像強度振動の入射電子線方位に対する依存性
を示す図。 １００・・・Ｓｉ基板、 １．０１，１０２・・・込射電子ビーム、１０３．１０
４・・・回折パターン。
ムの入射方位およびその時得られる電子線回折像の概念
図、 第２図は（００１） Ｓｉ基板を用いた場合に得られる
電子線回折像強度振動の入射電子線方位に対する依存性
を示す図。 １００・・・Ｓｉ基板、 １．０１，１０２・・・込射電子ビーム、１０３．１０
４・・・回折パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）結晶成長装置に反射電子線回折装置を設け、シリコ
ン薄膜結晶の成長中に前記反射電子線回折装置によって
得られる回折像の強度の時間変化に基づいて成長する結
晶の膜厚を測定する方法において、電子線を結晶成長の
ための（００１）面を主平面とするシリコン基板の（１
１０）方位に入射させて、前記回折像の強度の時間変化
を観測し、観測された前記強度の時間変化の１周期をも
って成長シリコン薄膜結晶の膜厚２原子層とすることを
特徴とする結晶膜厚測定法。 ２）結晶成長装置に反射電子線回折装置を設け、シリコ
ン薄膜結晶の成長中に前記反射電子線回折装置によって
得られる回折像の強度の時間変化に基づいて成長する結
晶の膜厚を測定する方法において、電子線を結晶成長の
ための（００１）面を主平面とするシリコン基板の（１
１０）以外の方位に入射させて、前記回折像の強度の時
間変化を観測し、観測された前記強度の時間変化の１周
期をもって成長シリコン薄膜結晶の膜厚１原子層とする
ことを特徴とする結晶膜厚測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15450485A JPS6215407A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 結晶膜厚測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15450485A JPS6215407A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 結晶膜厚測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215407A true JPS6215407A (ja) | 1987-01-23 |
| JPH0446363B2 JPH0446363B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=15585686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15450485A Granted JPS6215407A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 結晶膜厚測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0733122A (ja) * | 1990-10-13 | 1995-02-03 | Fmc Corp | 滅菌装置 |
-
1985
- 1985-07-13 JP JP15450485A patent/JPS6215407A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0733122A (ja) * | 1990-10-13 | 1995-02-03 | Fmc Corp | 滅菌装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446363B2 (ja) | 1992-07-29 |
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