JPS62134966A - インタライン型ｃｃｄ撮像素子 - Google Patents
インタライン型ｃｃｄ撮像素子Info
- Publication number
- JPS62134966A JPS62134966A JP60274691A JP27469185A JPS62134966A JP S62134966 A JPS62134966 A JP S62134966A JP 60274691 A JP60274691 A JP 60274691A JP 27469185 A JP27469185 A JP 27469185A JP S62134966 A JPS62134966 A JP S62134966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- image sensor
- ccd image
- ccd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像素子に関する。
（従来の技術）
ＣＣＤ固体撮像素子においてはブルーミングやスミアを
抑制するために、縦型オーバーフロー・ドレイン構造が
採用されることが多く、第３図（第４図）に縦型オーバ
ーフロー・ドレイン構造が採用されているインタライン
型ＣＣＤ撮像素子における一部分の縦断側面図であり、
第３図及び第４図において１はＮ型基板、２はＰウェル
層、３はフォトダイオード、４は埋込みチャンネルＣＯ
Ｄ 、 ５はゲート酸化膜、６はフィールド酸化膜、７
はポリシリコンのトランスファゲート准極、８は層間膜
。
抑制するために、縦型オーバーフロー・ドレイン構造が
採用されることが多く、第３図（第４図）に縦型オーバ
ーフロー・ドレイン構造が採用されているインタライン
型ＣＣＤ撮像素子における一部分の縦断側面図であり、
第３図及び第４図において１はＮ型基板、２はＰウェル
層、３はフォトダイオード、４は埋込みチャンネルＣＯ
Ｄ 、 ５はゲート酸化膜、６はフィールド酸化膜、７
はポリシリコンのトランスファゲート准極、８は層間膜
。
９は遮光用のアルミニウムの薄膜、１０はパッシベーシ
ョン膜であり、また、第４図において１２はフィルタ接
着層、 １３．１４は色分解フィルタである。
ョン膜であり、また、第４図において１２はフィルタ接
着層、 １３．１４は色分解フィルタである。
第３図及び第４図に示されている縦型オーバーフロー・
ドレイン構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ撮
像素子では、Ｐウェル層２とＮ型基板１との間に逆バイ
アス電圧を加えることにより、フォトダイオード３の直
下のＰウェル層２を完全に空乏化して、過剰電子をＮ型
基板１に流し出すことにより、ブルーミングやスミアの
抑制が可能となるのである。
ドレイン構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ撮
像素子では、Ｐウェル層２とＮ型基板１との間に逆バイ
アス電圧を加えることにより、フォトダイオード３の直
下のＰウェル層２を完全に空乏化して、過剰電子をＮ型
基板１に流し出すことにより、ブルーミングやスミアの
抑制が可能となるのである。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、インタライン型ＣＣＤ ｍ像素子では、フォ
トダイオード３で受光した光を受光量に応じた信号電荷
に光電変換し、前記の信号電荷をトランスファゲート７
を通して埋込みチャンネルＣＣＤ（ＣＣＤ転送ライン）
４に送り込むようにしているが、埋込みチャンネルＣＣ
Ｄ ４に光が照射されると、埋込みチャンネルＣＣＤ
Ａ内でも光電変換が行なわれるために、埋込みチャンネ
ルＣＣＤ ４内で発生した信号電荷がフォトダイオード
３で発生された信号電荷に混入して画質を低下させるこ
とになるので、埋込みチャンネルＣＣＤ ４に対して光
を照射させないようにする遮光手段が必要とされる。
トダイオード３で受光した光を受光量に応じた信号電荷
に光電変換し、前記の信号電荷をトランスファゲート７
を通して埋込みチャンネルＣＣＤ（ＣＣＤ転送ライン）
４に送り込むようにしているが、埋込みチャンネルＣＣ
Ｄ ４に光が照射されると、埋込みチャンネルＣＣＤ
Ａ内でも光電変換が行なわれるために、埋込みチャンネ
ルＣＣＤ ４内で発生した信号電荷がフォトダイオード
３で発生された信号電荷に混入して画質を低下させるこ
とになるので、埋込みチャンネルＣＣＤ ４に対して光
を照射させないようにする遮光手段が必要とされる。
第３図及び第４図に示されている縦型オーバーフロー・
ドレイン構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ
ｗｉ像素子における前記した遮光手段は、層間ｌＩ！１
８上に設けである遮光用のアルミニウムの薄膜９である
が、前記したアルミニウムの薄膜９は反射率が大きいた
めに、例えば第３図中の符号１１で示されているフォト
ダイオード３に対する入射光線ガアルミニウムの薄［［
１９で多重反射を繰返すことにより埋込みチャンネルＣ
ＣＤ ４に到達すると、埋込みチャンネルＣＣＤ中にス
ミアの原因となる信号電荷が発生し、また、第４図中の
符号１１’で示されているようにフォトダイオード３に
隣接しているフォトダイオードに対応して設けられてい
る色分解フィルタを通過した入射光線がアルミニウムの
１１１ｍ９で多重反射を繰返して埋込みチャンネルＣＣ
Ｄ ４に到達すると、埋込みチャンネルＣＣＤ中に混色
の原因となる信号電荷が発生する。
ドレイン構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ
ｗｉ像素子における前記した遮光手段は、層間ｌＩ！１
８上に設けである遮光用のアルミニウムの薄膜９である
が、前記したアルミニウムの薄膜９は反射率が大きいた
めに、例えば第３図中の符号１１で示されているフォト
ダイオード３に対する入射光線ガアルミニウムの薄［［
１９で多重反射を繰返すことにより埋込みチャンネルＣ
ＣＤ ４に到達すると、埋込みチャンネルＣＣＤ中にス
ミアの原因となる信号電荷が発生し、また、第４図中の
符号１１’で示されているようにフォトダイオード３に
隣接しているフォトダイオードに対応して設けられてい
る色分解フィルタを通過した入射光線がアルミニウムの
１１１ｍ９で多重反射を繰返して埋込みチャンネルＣＣ
Ｄ ４に到達すると、埋込みチャンネルＣＣＤ中に混色
の原因となる信号電荷が発生する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、眉間膜上に反射率の低い遮光用の薄膜を形成
させたインタライン型ＣＣＤＩ像素子を提供するもので
ある。
させたインタライン型ＣＣＤＩ像素子を提供するもので
ある。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明のインタライン型ＣＣ
Ｄ撮像素子の具体的内容について詳細に説明する。第１
図は本発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子の一部の縦
断側面図であって、この第１図において１はＮ型基板、
２はＰウェル層、３はフォトダイオード、４は埋込みチ
ャンネルＣＣ０。
Ｄ撮像素子の具体的内容について詳細に説明する。第１
図は本発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子の一部の縦
断側面図であって、この第１図において１はＮ型基板、
２はＰウェル層、３はフォトダイオード、４は埋込みチ
ャンネルＣＣ０。
５はゲート酸化膜、６はフィールド酸化膜、７はポリシ
リコンのトランスファゲート電極、８は層間膜、１０は
パッシベーション膜、１５′ はポリシリコンの薄膜、
９′は反射率が低下するように表面を凹凸状にした遮光
用のアルミニウムの薄膜である。
リコンのトランスファゲート電極、８は層間膜、１０は
パッシベーション膜、１５′ はポリシリコンの薄膜、
９′は反射率が低下するように表面を凹凸状にした遮光
用のアルミニウムの薄膜である。
第１図に示されている本発明のインタライン型ＣＣＤ撮
像素子においては、第１図中の符号１１に示すような入
射光線がフォトダイオード３の面で反射して遮光用のア
ルミニウムの薄膜９′の裏面側に向っても、その光は散
乱してしまって多重反射を繰返すことがなく、また、第
１図中の符号１１′で示されているようにフォトダイオ
ード３に隣接しているフォトダイオードに対応して設け
られている色分解フィルタを通過した入射光線１１’が
遮光用のアルミニウムの薄膜９′に入射しても、その光
は散乱してしまって多重反射を繰返すことがないから、
本発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子においては、厩
述したような従来のインタライン型ＣＣＤｔＲ１像素子
での問題点を良好に解消できるのである。
像素子においては、第１図中の符号１１に示すような入
射光線がフォトダイオード３の面で反射して遮光用のア
ルミニウムの薄膜９′の裏面側に向っても、その光は散
乱してしまって多重反射を繰返すことがなく、また、第
１図中の符号１１′で示されているようにフォトダイオ
ード３に隣接しているフォトダイオードに対応して設け
られている色分解フィルタを通過した入射光線１１’が
遮光用のアルミニウムの薄膜９′に入射しても、その光
は散乱してしまって多重反射を繰返すことがないから、
本発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子においては、厩
述したような従来のインタライン型ＣＣＤｔＲ１像素子
での問題点を良好に解消できるのである。
第２図は、第１図に示されている本発明のインタライン
型ＣＣＤ撮像素子における低反射率の遮光用の３膜の製
作過程の概略を図示説明している図であって、第２図の
（ａ）はＮ型基板１に１）ウェル層２．フォトダイオー
ド３、埋込みチャンネルＣＣＤ ４、ゲート酸化膜５．
フィールド酸化膜６、ポリシリコンのトランスファゲー
ト電極７などを順次に形成させた状態のものに、低融点
のガラス（例えば、ボロンと燐入りのガラス（ＢＰＳＧ
）または。
型ＣＣＤ撮像素子における低反射率の遮光用の３膜の製
作過程の概略を図示説明している図であって、第２図の
（ａ）はＮ型基板１に１）ウェル層２．フォトダイオー
ド３、埋込みチャンネルＣＣＤ ４、ゲート酸化膜５．
フィールド酸化膜６、ポリシリコンのトランスファゲー
ト電極７などを順次に形成させた状態のものに、低融点
のガラス（例えば、ボロンと燐入りのガラス（ＢＰＳＧ
）または。
燐入りのガラス（ＰＳＧ））によって層間膜８を形成さ
せた状態を示している。
せた状態を示している。
前記した第２図の（ａ）における層間膜８上には。
第２図の（ｂ）に示されているように、ポリシリコンの
薄＠（例えば、４００オングストロ一ム程度の膜厚）１
５を付着形成させる。
薄＠（例えば、４００オングストロ一ム程度の膜厚）１
５を付着形成させる。
次に、前記した低融点のガラス（ＢＰＳＧ、ＰＳＧ）に
よる層間［８が軟化する温度よりも高い温度（例えば、
８００℃〜１０００℃）で熱処理を施こすと、前記した
ポリシリコンのＵ膜１５は、それの表面・にサブミクロ
ンオーダの層状の凹凸を有する状態のポリシリコンの薄
ｆ１１１５’ になる、この状態のものを第２図の（ｃ
）に示す。
よる層間［８が軟化する温度よりも高い温度（例えば、
８００℃〜１０００℃）で熱処理を施こすと、前記した
ポリシリコンのＵ膜１５は、それの表面・にサブミクロ
ンオーダの層状の凹凸を有する状態のポリシリコンの薄
ｆ１１１５’ になる、この状態のものを第２図の（ｃ
）に示す。
前記した第２図の（ｏ）に示す状態のものにおけるポリ
シリコンの薄膜１５′ に、アルミニウムの膜を付着さ
せると、そのアルミニウムの膜は表面に前記したポリシ
リコンの薄膜１５″の表面に形成されているサブミクロ
ンオーダの層状の凹凸が転写されている状態のアルミニ
ウム［９’ となされる。
シリコンの薄膜１５′ に、アルミニウムの膜を付着さ
せると、そのアルミニウムの膜は表面に前記したポリシ
リコンの薄膜１５″の表面に形成されているサブミクロ
ンオーダの層状の凹凸が転写されている状態のアルミニ
ウム［９’ となされる。
この状態のものが第２図の（ｄ）に示されている。
そして、前記した第２図の（ｄ）に示されている状態の
ものにおけるアルミニウム膜９′上にパッシベーション
６ｔｏを付着させると、第１図に示されているような本
発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子が得られるのであ
る。
ものにおけるアルミニウム膜９′上にパッシベーション
６ｔｏを付着させると、第１図に示されているような本
発明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子が得られるのであ
る。
＃記したようにポリシリコンの薄膜１５′ の表面に形
成されているサブミクロンオーダの層状の凹凸が転写さ
れている状態のアルミニウム１！９′は、それに入射さ
れた光を乱反射させるから、そのアルミニウム膜９′は
入射光に対して反射率の低い遮光用の薄膜として作用す
るのである。
成されているサブミクロンオーダの層状の凹凸が転写さ
れている状態のアルミニウム１！９′は、それに入射さ
れた光を乱反射させるから、そのアルミニウム膜９′は
入射光に対して反射率の低い遮光用の薄膜として作用す
るのである。
（効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子では層間膜上に反射
率の低い遮光用の薄膜を形成させであるから、従来のイ
ンライン型ＣＣＤ１＊素子において高い反射率を有する
遮光用のアルミニウム膜により入射光が多重反射するこ
とによって生じていたようなスミアや混色は発生するこ
とがないのであり、本発明によれば従来の問題点は良好
に解決できるのである。
明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子では層間膜上に反射
率の低い遮光用の薄膜を形成させであるから、従来のイ
ンライン型ＣＣＤ１＊素子において高い反射率を有する
遮光用のアルミニウム膜により入射光が多重反射するこ
とによって生じていたようなスミアや混色は発生するこ
とがないのであり、本発明によれば従来の問題点は良好
に解決できるのである。
第１図は本発明のインタライン型ＣＣＤｗｌ像素子の一
部の縦断側面図、第２図は、第１図に示されている本発
明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子における低反射率の
遮光用の薄膜の製作過程の概略を図示説明している図、
第３図℃第４図ｔｌｔ−縦型オーバーフロー・ドレイン
構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ撮像素子に
おける一部分の縦断側面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐウェル層、３・・・フォ
トダイオード、４・・・埋込みチャンネルＣＣ０、５・
・・ゲート酸化膜、６・・・フィールド酸化膜、７・・
・ポリシリコンのトランスファゲート電極、８・・・層
間膜、９・・・遮光用のアルミニウムの薄膜、９′・・
・反射率が低下するように表面を凹凸状にした遮光用の
アルミニウムの薄膜、１０・・・パッシベーション膜、
１５・・・ポリシリコンの薄膜、１５′・・・表面にサ
ブミクロンオーダの層状の凹凸を有する状態のポリシリ
コンの薄膜。
部の縦断側面図、第２図は、第１図に示されている本発
明のインタライン型ＣＣＤ撮像素子における低反射率の
遮光用の薄膜の製作過程の概略を図示説明している図、
第３図℃第４図ｔｌｔ−縦型オーバーフロー・ドレイン
構造が採用されているインタライン型ＣＣＤ撮像素子に
おける一部分の縦断側面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐウェル層、３・・・フォ
トダイオード、４・・・埋込みチャンネルＣＣ０、５・
・・ゲート酸化膜、６・・・フィールド酸化膜、７・・
・ポリシリコンのトランスファゲート電極、８・・・層
間膜、９・・・遮光用のアルミニウムの薄膜、９′・・
・反射率が低下するように表面を凹凸状にした遮光用の
アルミニウムの薄膜、１０・・・パッシベーション膜、
１５・・・ポリシリコンの薄膜、１５′・・・表面にサ
ブミクロンオーダの層状の凹凸を有する状態のポリシリ
コンの薄膜。
Claims (1)
- 層間膜上に反射率の低い遮光用の薄膜を形成させたイン
タライン型ＣＣＤ撮像素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274691A JPS62134966A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | インタライン型ｃｃｄ撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274691A JPS62134966A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | インタライン型ｃｃｄ撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134966A true JPS62134966A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=17545220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274691A Pending JPS62134966A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | インタライン型ｃｃｄ撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134966A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294134A (en) * | 1991-01-09 | 1994-03-15 | Nippon Gasket Company, Ltd. | Metallic gasket |
| KR100234872B1 (ko) * | 1996-12-28 | 1999-12-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자 제조 방법 |
| KR100259062B1 (ko) * | 1991-12-23 | 2000-06-15 | 김영환 | Ccd 영상소자 및 제조방법 |
| WO2016104590A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタ及び撮像装置 |
| WO2021186909A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123986A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-17 | Sharp Corp | 多目的小型携帯用電子機器及び情報カード |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60274691A patent/JPS62134966A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123986A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-17 | Sharp Corp | 多目的小型携帯用電子機器及び情報カード |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294134A (en) * | 1991-01-09 | 1994-03-15 | Nippon Gasket Company, Ltd. | Metallic gasket |
| KR100259062B1 (ko) * | 1991-12-23 | 2000-06-15 | 김영환 | Ccd 영상소자 및 제조방법 |
| KR100234872B1 (ko) * | 1996-12-28 | 1999-12-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자 제조 방법 |
| WO2016104590A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタ及び撮像装置 |
| JPWO2016104590A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-10-05 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタ及び撮像装置 |
| WO2021186909A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
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