JPS62132689A - 情報記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）ｌＬ業上の利用分野 本発明は加熱により可逆的に情報の記録、消去ができ、
かつ加熱として光学的手段を用いた情報の記録、消去可
能な情＋ｐ記録体に関し、詳しくはレーザ等の可視およ
び近赤外域の波長の光を効果的に吸収し、熱的エネルギ
ーに変換する高密度の記録、消去可能な情報記録体に関
するものである。

（２）従来技術 従来、可逆的に消去可能で繰り返し使用可能な情報記録
材料として、フォトクロミック物質、サーモクロミック
物質、或は磁気記録物質等が知られている。例えばフォ
トクロミックを示す物質としてスピロピラン等の有機化
合物やガラス状のマトリックスに分散したハロゲン化銀
等の無機化合物があるが記録情報を安定に固定できない
欠点を有している。又、サーモクロミック物質としては
有機、無機の各種色材が知られているが、フォトクロミ
ー同様に定着が困難である。最近サーモクロミーに替る
熱的な記録材料に結晶質と非晶質の相変化を利用したカ
ルコゲナイド系ガラス域は熱可塑性ポリマー中に溶解し
た低分子の脂肪酸やそのアミド、エステルまたはアンモ
ニウム塩の熱的物質変化を利用した系（特開昭５７−１
１７１４０）等が提案されている。しかしながらカルコ
ゲナイドガラスは記録層を蒸着により作成するため高価
となる。又、熱可塑性ポリマー中に低分子物質を溶解し
たフィルムは記録と消去を微妙な温度差で行なうもので
あり、実用に付されていないのが現状である。

磁気記録は云うまでもなく、直接可視画像を得るもので
なく画像情報として取り扱うには、他のシステムとの組
み合せが必要である。

（３）発明が解決しようとする問題点 本発明は、前記情報記録体を用いて、従来の情報記録装
置の持つ欠点を解決した情報の記録、消去、および表示
、装置を提供することを目的とする。

（４）問題点を解決する為の手段 本発明の情報の記録、消去および表示装置は情報記録体
とこの情報記録体へ記録を行なうための光学的手段とを
組み合せて備えてなり、前記情報記録体は、特定温度へ
の加熱および冷却により均一な透明状＃；あるいは不透
明状ｙＥとなる感熱材料および光源の波長に吸収を有す
る材料を混合または積層からなり、この情報記録体は特
定範囲を特定温度に加熱することにより、情報を表示し
得ることを４．シ徴とするものである。

また、本発明において、光源の波長光を吸収する材料と
しては、シアニンメチン化合物を用いるものである。

本発明による情報記録体は、特定温度への加熱および冷
却により均一な透明状ｇ１１、あるいは不透明状態とな
る感熱材ネ２］および可視域および近赤外域の波長領域
に吸収特性をもち、光を効果的に吸収し、熱エネルギー
に変換する光吸収材料を混合または積層からなり、この
情報記録体が特定範囲を特定温度に加熱することにより
、高速で高密度な情報の記録、消去可能な特長を有する
。

〔問題を解決する為の手段〕及び〔作用〕シアニンメチ
ン化合物として代表的なものは、下記一般式［Ｉ］　　
［ＩＬ］　　［ｍｌまたは［ＩＶ］によって表わされる
ことができる。

一般式［１］ 一般式　［Ｈコ 一般式［ｍｌ ｚｌおよびｚ２は、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−フェニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾール、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメ
チルチアゾール、４，５−ジフェニルチアゾール、４−
（２−チェニル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−クロロベン
ゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチ
ルベンゾチアゾール、５，６−シメチルベンゾチアゾー
ル、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−メト
キシベンゾチアゾール、５，６−シメトキシベンゾチア
ゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾチアゾール、
５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、４，５，６．７−チトラヒドロベンゾチ
アゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例えば、
ナフ）　（２，１−ｄ）チアゾール、ナフト（１，２−
ｃｌ）チアゾール、５−メトキシナフト（１，２−ｄ）
チアゾール、５−エトキシナフト（１，２−ｄ）チアゾ
ール、８−メトキシナフト（２，１−ｄ）チアゾール、
７−メトキシナフト（２，１−ｄ）チアゾールなど）、
チオナフテン（７，６−ｄ）チアゾール系列の核（例え
ば、７−メドキシチオナフテン〔７゜６−ｄ〕チアゾー
ル）、オキサゾール系列の核（例えば、４−メチルオキ
サゾール、５−メチルオキサゾール、４−フェニルオキ
サゾール、４．５−ジフェニルオキサゾール、４−エチ
ルオキサゾール、４．５−ジメチルオキサゾール、５−
フェニルオキサゾール）、ベンゾオキサゾール系列の核
（例えば、ベンゾオキサゾール、５−クロロベンゾオキ
サゾール１，５−メチルベンゾオキサゾール、５−フェ
ニルベンゾオキサゾール、６−メチルベンゾオキサゾー
ル、５．６−シメチルベンゾオキサゾール、５−メトキ
シベンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキ
シベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列
の核（例えば、ナフ）　Ｃ２，１−ｄ）オキサゾール、
ナフト（１，２−ｄ）オキサゾールなど）、セレナゾー
ル系列の核（例えば、４−メチルセレナゾール、４−フ
ェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の
核（例えば、ベンゾセレナソール、５−クロロベンゾセ
レナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−
ジメチルへンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレ
ナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾー
ル、５，６−シオキシメチレンベンゾセレナゾール、５
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４，５，６．７−チ
トラヒドロベンゾセレナゾールなど）、ナフトセレナゾ
ール系列の核（例えば、ナフ）　（２，１−ｄ）セレナ
ゾール、ナツト（：１．２−ｄ）セレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えば、チアゾリン、４−メチルチア
ゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン
、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、
オキサゾリン系列の核（例えば、オキサゾリン）、セレ
ナゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリ
ン系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６
−クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキ
シキノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン
系列の核（例えば、キノリン、６−メドキシキノリン、
７−メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イソ
キノリン系列の核（例えば、インキノリン、３．４−ジ
ヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例
えば、インキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニ
ン系列の核（例えば、３，３−ジメチルインドレニン、
３．３−ジメチル−５−クロロインドレニン、３．３．
５−）ジメチルインドレニン、３゜３　、７−１−ジメ
チルインドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジ
ン、５−メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の
核（例えば、１−エチル−５、６−シクロロペンゾイミ
ダゾール、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−ジクロロベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロベンシイミ
グゾール、１−エチル−５，６−ジブロモベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール
、■＝エチルー５フルオロベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセ
トキシエチル）−５−シアノベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミダゾール、
■−エチルー５−フルオロ−６−ジアツベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール、
１−エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−スルファミルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５，６−ジシアツベンゾイミタソー
ル、１−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミダゾ
ール、■−エチルー５−メチルスルホニルベンゾイミダ
ゾール、■−エチルー５−トリフルオロメチルベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルスル
ホニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフル
オロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完
成するに必要な非金属原子群を表わす。

Ｚ３およびＺ４は、置換又は未置換の５員若しくは６員
環を形成する２価の炭化水素基（−ＣＨ２−ＣＨ２−１
−Ｃ）（２−ＣＨ２−ＣＨ２ＯＣＨ３ Ｈ−など）を示し、これらの５員又は６員環はベンゼン
環、ナフタレン環などと縮合されていてもよい。

Ｒ１およびＲ２は、水素原子又はアルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅＣ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ
−へキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）
を示し、さらに他のアルキルノ、（、例えば置換アルキ
ル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキ
シプロピルノ駁４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキ
シエチル〕、（、カルボキシメチル基、２−カルボキシ
エチル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチ
ル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３
−スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル基
、Ｎ−（メチルスルホニル）−力ルバミルメチル基、３
−（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチ
ルスルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例
えば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ＣＨ２＝Ｃ
Ｈ−ＣＨ２−）、アラルキルノ、（（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基なと）、置換アラルキル基（側光ば、カルボ
キシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基など）を包含する。

Ｒ３およびＨ４は、水素原子、ハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、沃素原子など）、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基など）、置換もしくは未置換のアリール基（
フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、カルボ
キシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、トリル基、キ
シリル基など）又はアシルオキシ基（アセチルオキシ基
、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など）を
示す。

Ｒ５およびＲ６は水素原子又はハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、沃素原子）を示す。

Ｘ　は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン
、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ
−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、
エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イ
オンを表わし、Ｘ　はＲ１および（または）Ｒ２自体が
θ　　　　　ｅ 陰イオン基、例えば−３Ｏ３，０３Ｏ３、−Ｃｏｏ　　
、ＳＯ２ＮＨ−１−３Ｏ２−ない。ｍおよびｎはＯ又は
ｌを示し、立は０．１または２を示す。

一般式［ＩＶコ バ ＺｌおよびＺ２は、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−フェニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾール、５−フェニルチアゾール、４，５−ジメ
チルチアゾール、４，５−ジフェニルチアゾール、４−
（２−チェニル）−チアゾールなど）、ベンツチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−クロロベン
ゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチ
ルベンゾチアゾール、５，６−シメチルベンゾチアゾー
ル、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−メト
キシベンゾチアゾール、５，６−シメトキシベンゾチア
ゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾチアゾール、
５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、４，５，６．７−チトラヒドロベンゾチ
アゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例えばナ
ツト　［２，１−ｄ］チアゾール、ナンド［１，２−ｄ
］チアゾール、５−メトキシナフト［１，２−ｄ］チア
ゾール、５−エトキシナフト　［１，２−ｄ］チアゾー
ル、８−メトキシナフト　［２，１−ｄ’］チアゾール
、７−メドキシナフ）［２，１−ｄｌチアゾールなど）
、チオナフテン［７，６−ｄ］チアゾール系列の核（例
えば７−メドキシチオナフテン［７，６−ｄ］チアゾー
ル）、オキサゾール系列の核（例えば４−メチルオキサ
ゾール、５−メチルオキサゾール、４−フェニルオキサ
ゾール、４．５−ジフェニルオキサゾール、４−エチル
オキサゾール、４．５−ジメチルオキサゾール、５−フ
ェニルオキサゾール）１ベンゾオキサゾ一ル系列の核（
例えばベンゾオキサゾール、５−クロロベンゾオキサゾ
ール、５−メチルベンゾオキサゾール、５−フェニルベ
ンゾオキサゾール、６−メチルベンゾオキサゾール、５
．６−シメチルベンゾオキサゾール、５−メＩ・キシベ
ンゾオキサゾール、６−メドキシベンゾオキサゾール、
５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の核
（例えばナフト［２，１−ｄ］オキサゾール、ナフト　
［ｌ、２−ｄ］オギサゾールなど）、セレナゾール系列
の核（例えば４−メチルセレナゾール、４−フェニルセ
レナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例え
ばベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール
、５−メチルベンゾセレナゾール、５，６−ジメチルへ
ンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、
５−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾール、５．６
−シオキシメチレンベンゾセレナゾール、５−ヒドロキ
シベンゾセレナゾール、４゜５．６．７−チトラヒドロ
ベンゾセレナゾールなど）、ナフトオキゾール系列の核
（例えばナツト　［２，１−ｄ］セレナゾール、ナツト
［１，２−ｄ］セレナゾール）、チアゾリン系列の核（
例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒドロ
キシメチル−４−メチルチアゾリン）、４．４−ビス−
ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン系列
の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の核（
例えばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例えば
キノリン、６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、
６−メドキシギノリン、６−ニトキシキノリン、６−ヒ
ドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核（例えばキ
ノリン、６−メドキシキノリン、７−メチルキノリン、
８−メチルキノリン、１−イソキノリン系列の核（例え
ばイソキノリン、３，４−ジヒドロイソキノリン）、３
−インキノリン系列の核（例えばイソキノリン）、３．
３−ジアルキルインドレニン系列の核（例えば３，３−
ジメチルインドレニン、３，３−ジメチル−５−クロロ
インドレニン、３，３．５−）ジメチルインドレニン、
３，３．７−１−ジメチルインドレニン）、ヒリジン系
列の核（例えばピリジン、５−メチルピリジン）、ベン
ゾイミダゾール系列の核（例えばｌ−エチル−５，６〜
ジクロロベンゾイミダゾール、１−ヒドロキシエチル−
５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５
−クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジ
ブロモベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−フェニル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−シアノベンゾイミダゾ
ール、■−（β−アセトキシエチル）−５−シアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロ−６−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロ−６−
シアノベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−アセチル
ベンゾイミタソール、１−エチル−５−カルボキシベン
ゾイミダゾール、ニーエチル−５−エトキシカルボニル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−スルファミルベ
ンゾイミダゾール、■−エチルー５−Ｎ−エチルスルフ
ァミルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジフ
ルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジク
ロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エチルスル
ホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メチルス
ルホニルベンゾイミダゾール、■−エチルー５−トリフ
ルオロメチルベンゾイミダゾール、■−エチルー５−ト
リフルオロメチルスルホニルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−トリフルオロメチルスルフィニルベンゾイ
ミダゾールなど）を完成するに必要な非金属原子群を表
わす。

ｚ３は、５員又は６員環を形成する２価の炭化水素基（
例えば、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ
２−、−ＣＨ＝ＣＨ−。

−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−）を示し、これらの５員又は６
員環は、ベンゼン環、ナフタレン環などと縮合され九い
てもよい。

Ｒ１およびＲ２は、水素原子又はアルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅＣ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−７ミル基、ｔ−７ミル基、ｎ
−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
（例えば、２−とドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基
、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３
−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフ
ェートプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（
メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセ
チルスルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルフ
ァミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シ
クロヘキシル基など）、アリル基（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ
２−）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチ
ル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基な
ど）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベンジル
基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）を
包含する。

Ａは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換のイミ
ド基（イミド、メチルイミド、エチルイミド、プロピル
イミド、ブチルイミド、ベンジルイミドなど）又は２価
の有機残基を示す。２価の有機残基としては、例えば ＯＲ４ などを挙げることができる。但し、Ｒ３，Ｒ４およびＲ
５は水素原子又はアルキル基（前述のＲ１とＲ２の例で
挙げたものと同様のもの）を示す。ｌ、ｍおよびｎはｌ
であり、Ｐおよびｑは０，１又は２である。

前記一般式［エコ　、　　［ＩＴ］　、　　［ＩＩＩ］
および［ＩＶ］で示されるシアニンメチン化合物の具体
例を下記に示す。

前記一般式［Ｉ］　　、　　［ＩＩ］　　、　　［ＩＩ
Ｉ］で示される化合物の具体例 化耐公丞　　　　　」し」Ｌ」１」Ｌ １（Ｊ　　し２ｔ’１５　　　　　　　　　　　　　　
　シ２ｒ１５前記一般式［ＩＶ］で示される化合物の具
体例前記一般式［Ｉ］、［ＩＩ］および［ｍ］に示すシ
アニンメチン化合物は、例えば活性メチル基を有するＮ
複素環四級１１ｘと、トリエトキシプロペン、ペンタジ
ェンシアニル、イリホロン、等とを苛性アルカリピリジ
ン、ピペリジン、トリアルキルアミン、無水酢酸等の縮
合剤の使用によリ一工程又は二工程の反応により合成す
ることができる。

また、前記一般式［ＩＶ］に示すシアニンメチン化合物
は、インダン−２−オン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン、シクａヘキセン−オン、シクロペンタジェン
−オンあるいは１゜２．３．４−テトラヒドロナフタレ
ン−２−オンなどの環状ケトン化合物とジシアノメタン
、バルビッール酸あるいはその誘導体又はローゲニンあ
るいはその誘導体との脱水縮合反応させて得た化合物を
通常のシアニン化学の分野で使用ネれているベンゾチア
ゾリウム塩、ベンゾオキサシリウム塩、キノリウム塩、
ナフトチアゾリウム塩と反応させることによて容易に得
ることができる。

前記のような少なくとも感熱材料および光吸収材料を積
層または混合含有する情報記録体を形成することにより
、記録光を効率よく吸収し熱エネルギーに変換され、混
合ポリマーからなる感熱材料を相分離状態になる温度以
上に効果的に加熱することができる。更に加熱相分離状
態から冷却する事により相分離状態を固定化することが
でき、又、固定化した相分離の状態を再び分離温度以上
に加熱し冷却すると元の相溶状態に戻すことができる。

以上の説明に明らかな様に本発明の情報記録体は、従来
のサーモクロミック物質や、ポリマーマトリックス中に
低分子物質の如く物質の変化を伴わず、安定なポリマー
の組み合わせを用いるため、記録、消去の繰り返し回数
を著しく伸長可能である。又、微妙な温度差の制御を必
要とせず、相分離以上の加熱と冷却時間の制御により容
易に記録装置を構成することができる。さらには小型で
しかも低コストである半導体レーザを用いる７１９によ
り高感度でかつ、高密度な記録が可能となった。

また、記録した情報を表示する場合、可視領域に吸収を
有さない前記の光吸収材料を用いる事により、未記録部
分が透明で、かつコントラスト比の大きい表示が可能で
あり、また、光学系を通して投影表示あるいは、検知し
て再生する事も可能である。例えば、可視領域に対する
未記録部の透過率が５０％以上、特には７５％以上の情
報記録媒体を形成することができる。

第１図は本発明を構成する情報記録体の一態様の断面図
である。

この情報記録体（１）は、例えば円板状、シート状又は
ベルト状のガラス又はプラスチックなどの基材２」−に
前述の感熱材料３と記録光源に吸収を有する材料４の混
合物をｖ１層して形成される。膜厚は０．０１　ｇｍ−
１０００ｊＬｍ、好ましくは１ルｍ〜２００ｐＬｍが適
当である。

また、別の態様として情報記録体（２）は基材２上に記
録光源に吸収を有する材料４、感熱材料３を順次積層し
て形成される。さらには情報記録体（３）の態様の様に
、基材２上に感熱材料３、記録光源に吸収を有する材料
４を順次積層してもよい。情報記録体（２）および（３
）の感熱材料３の膜厚は０．０１〜１１０００ｋ、好ま
しくはＩｇｍ〜２００ｐｍが適当である。

また、別の態様として情報記録体（２）は基材２上に記
録光源に吸収を有する材料４、感熱材料３を順次積層し
て形成される。さらには情報記録体（３）の態様のよう
に、基材２上に感熱材料３、記録光源に吸収を有する材
料４を順次積層してもよい。情報記録体（２）および（
３）の感熱材料３の膜厚は０．０１〜１１０００７ｔ、
好ましくは１７ｚｍ〜２００７ｐｍが適当である。また
記録光源に吸収を有する材料４の膜厚は、記録光源光を
充分吸収し、光エネルギーを熱エネルギーに変換できる
膜厚でよいが、好ましくは０．０１　用〜１０ｐ程度が
適当である。

感熱材料３は前述のように低温度領域で相溶状態にあり
高温度領域で相分離する共重合ポリマー及び、ポリマー
ブレンド系が用いられる。

例えば、共重合体ポリマーとしてはビニリデンサイアナ
イドまたはフッ化ビニリデンと他のビニル化合物、ビニ
リデン化合物あるいはジエン類との共重合あるいは、交
互共重合により得られるものである。他のビニル化合物
、ビニリデン化合物、ジエン類としてはスチレン、ジク
ロロスチレン、アクリル酸及びそのエステル、メタクリ
ル酸及びそのエステル、ビニルアルコール及びそのエス
テル、塩化ビニル、Ｊｆｌ化ビニリデン、ブタジェン、
クロロブタジェン、インブチレン、無水マレイン酸、ア
クリロニトリル、メチルビニルケトン、ビニルイソブチ
ルエーテルなどが挙げられ、エステル化合物については
重合後、その一部あるいは全部について加水分解等の化
学変性を行なうことも可能である。

また、ポリマーブレンド系として、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ
スチレン、シリコン樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリ
デン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−７クリロ
ニトリル共重合体、ポリカプロラクトン、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、ポリカーボネート塩素化ゴム、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリサイアナイドビニリデン、フッ
素系樹脂及び前述の共重合体ポリマー等が挙げられ、選
択的に２種類以上のポリマーを混合させて用いることが
できる。これらのポリマーの組み合わせはブレンド比に
も依るが１００〜２００℃に加熱する事により、相分離
を引き起し、程度の差はあるものの、加熱されない場所
に比べて光散乱が観察され不透明化する。

特に、ポリマーを塗布するためにはポリマーが有機溶媒
に可溶にしたほうがよい。例えば、特開昭５９−１３５
２５７に示されるようなフッ化ビニリデンとへキサフル
オロアセトンの共重合体またはフッ化ビニリデンとトリ
フルオロエチレンの共重合体など有機溶媒に可溶なフッ
化ビニリデン系共重合体などが好適できる。

前記記録光源に吸収を有する材料としては、使用する光
源の波長によって適宜選択する必要があるが、例えば半
導体レーザーを用いる場合、近赤外、特に７００ｎｍ以
上の長波長光に吸収を有する材料が好適である。

この情報記録体（１）、（２）および（３）は、感熱材
料３を全面透明状態として、そこに情報を不透明状態と
して記録する方法、感熱材料３を全面不透明状態として
、そこに情報を透明状態として記録する方法がある。

以下、図面に従い本発明の一旦体例を説明する。

第２図は本発明を適用した記録、消去、および表示装置
の主要部の概略構成図である。

１０は縦型の装芒外装箱、２０はその外装箱の正面板面
に大きく開口形成した表示画像覗き窓で、一般にガラス
板等の透明板３が張設される。また、４０は前記の情報
記録体で、外装箱内の上部と下部とに並行に横設した駆
動プーリ（又はローラ）５０と従動プーリ（ｔたはロー
ラ）６０との間に張設した無端ベルト型をしており、以
下この情報記録体はベルトと称す。このベルト４０は駆
動プーリの回転により矢示方向に回転駆動され、ベルト
４０の張り部外面が表示画像覗き窓２０部を矢印方向へ
移動通過する。そして、７０・８０はベルトゆるみ側の
中央領域裏面に少し間隔をあけて上下に接触させて配設
した一対のテンションローラ、９ｏは消去部で、シート
状に形成された画像は消去の必要に応じて消去部９０に
おいて消去される。画像消去にはシート上を加熱した後
、冷却速度を調整することにより、消去することができ
る。

消去にもちいられる加熱手段は、ヒータや光源等を使用
し、加熱冷却をコントロールする。

また消去手段として、１００の光学装置を用いて、加熱
し、冷却速度調節する消去部９０′を用いても部分消去
することも可能である。

１００は前記テンションローラ７０・８０間のベルト張
り部外面に半導体レーザ等の光源を用いた光像露光する
光学装置である。

前記光学袋Ｈｉｏｏは本体のものは光ビームスキャニン
グ式のもので、電子具１算機等から出力される時系列電
気画素信号に対応した変調制御された光ビームＬを発生
し、そのビームＬをベルト幅方向に振らせてこれを主走
査とし、ベルトの面移動を副走査としてベルト面を光像
露光するものである。

前記構成によりベル）４０は、その回動過程において光
学装置１００を通過することにより、ベルト上の情報記
録体が加熱され、透明状態から不透明状態に変化し、表
示すべき情報が可視化される。次いで白濁状態の記録部
が画像覗き窓２０の範囲内まで移動して一旦停止するこ
とで窓２０部に画像表示がなされる。所定の一定時間経
過後、又はベルト再回動を指令する釦操作でベルト４０
は再回動し、ベルト面の白濁部分が消去部９０により消
去され、このベルトは次の画像表示に繰返し使用される
。

その他、本発明を適用した別の具体例として情報の記録
、消去可能な光ディスクに用いる事ができる。

光デイスク技術で用いる情報記録体は、基体」−に設け
た薄い情報記録層に形成された光学的に検出可能な小さ
な（例えば約１ル）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記録することができる。この
様なディスクに情報を書き込むには情報記録層の表面に
集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射された
表面のみがピットを形成し、このピットをらせん状又は
円形トラックの形態で形成する。情報記録層はレーザ・
エネルギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成
できる。例えばヒートモード記録方式では、情報記録層
に照射されたレーザφエネルギーを吸収し、熱的エネル
ギーに変換され、情報記録層を透明状態から不透明状態
に変化させピットを形成できる。さらに不透明部分をレ
ーザ光１発熱体などによって加熱し、除冷することによ
って、再び透明状態に戻すことができる。ピット形成す
ることで、光学的に検出可能な、透過率差１反射率差、
屈折率差を生ずる。

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出ｙれる。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されいる時はレーザ光線は下層の反射面に
よって充分に反射されフォトディテクターの出力は大き
くなる。

次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
によってなんら限定されるものではない。

実施例１ 感熱材料としてフッ化ビニリデンとへキサフルオロアセ
トンからなるフッ化ビニリデン系共重合体樹脂５０重量
部とポリメチルメタクリレート樹脂５０重量部をメチル
エチルケトン溶液に溶解し、さらに光吸収材料、前記の
化合物Ｎｏ、（１８）を２５重量部を加え混合した。こ
の混合した液をポリエチレンテレフタレートベルト上に
塗布して乾燥膜厚が７０１Ｌになるように情報記録体を
作成した。

こうして作成した情報記録体を第１図に示す表示装置に
装着し懸架駆動して画像表示を繰り返し行なった。光学
的手段として発振波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い
た。

記録部（不透明状態）と未記録部（透明状態）のコント
ラスト比が十分なものが得られ、画像認識ができた。さ
らに、記録部と未記録部それぞれの可視領域（４００〜
７００ｎｍ）での透過率を測定すると、第１表に示すよ
うな結果が得られた。

第　　　　１　　　　表 透過率（％） 未記録部　　　　　　　　８５ 記録部　　　　　　　　　１２ さらに、画像表示を繰り返し１０００回以上行なっても
良好な画像表示を行なうことができた。

比較例１ 実施例１で作成した時に用いた光吸収材料前記化合物Ｎ
ｏ、（１８）を除いた以外は実施例１と全く同様の方法
で比較用情報記録体を作成した。

この情報記録体を実施例１と同様に繰り返し画像表示を
行なったが、全く不透明状態が認められなかった。また
未記録部の透過率は９２％であった。

実施例１と比較例１の透過率を比較しても、透過率変化
がほとんどなく光吸収材料化合物Ｎｏ、（１８）を混合
しても何ら支障なく画像表示が可能であることが認めら
れた。

実施例２〜１２ 実施例１の化合物をＮｏ、（１８）を 前述の化合物Ｎｏ、（１）、（１１）、（１７）。

（２３）、（２Ｂ）、（３７）、（４４）。

（５０）、（６０）、（６７）のそれぞれの化合物にか
えて実施例１と同様の方法でポリエチレンテレフタレー
ト基板上に乾燥膜厚が７０＃Ｌになるように塗布し、情
報記録体を作成し、それぞれの化合物を実施例２〜１２
とした。

こうして作成した実施例２〜１２の情報記録体を実施例
１と同様の方法で画像表示を行ない、すべて画像表示を
認めることができた。さらに実施例１と同様の方法で透
過率を測定し、第２表に示すような結果が得られた。

第２表 実施例　化合物　　　　　透過率（％）Ｎｏ、　　　　
未記録部　　　　記録部７３７　　　　８７、　　　２
３ １２　　　　６７　　　　　　　　８７　　、　　　　
　　２８実施例１３ 前記のフッ化ビニリデンとヘキサフルオロアセトンから
なるフッ化ビニリデン系共重合体樹脂５０重量部とポリ
メチルメタクリレート樹脂５０重量部のメチルエチルケ
トン溶液に前記の化合物Ｎｏ、（３０）の化合物を１０
重量部を加え、混合した。この混合した液を直径２０ｃ
ｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し乾燥膜厚が２
５００人になるように情報記録体を作成した。

こうして作成した情報記録体をターンテーブル上に取り
付はターンテーブルを回転させながら、スポットサイズ
１．５ミクロンに集束した半導体レーザ（発振波長７８
０ｎｍ）を情報記録層面にトラック状で走査して記録を
行なった。

この記録された情報記録体の表面を顕微鏡で観察したと
ころ、鮮明な不透明状態（ビット）が認められた。また
この情報記録体に低出力の半導体レーザ光を入射し、反
射光の検知を行なったところ、十分なＳ／Ｎ比を有する
波形が得られた。

また、記録された情報記録体に低速回転で集束した半導
体レーザ光の照射を行ない、顕微鏡観察を行なったとこ
ろ、不透明状態（ビット）が消去され均一な透明状態が
確認でき、ピットが消去されていることがわかった。

実施例１４ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（２０）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例１５ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（２４）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかつた。

実施例１６ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（３５）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例１７ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、、（３９）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法
で直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し
、乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成し
た。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例１８ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、　（４６’）の化合物にかえて実施例１３と同様の方
法で直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布
し、乾仔膜厚２５００久になるように情報記録体を作成
した。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例１９ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（４８）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例２０ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（５１）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板」二に塗布し
、乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成し
た。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状ｙハ１が確認でき、ピッＩ
・が消去されていることがわかった。

実施例２１ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（５４）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例２２ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（５５）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状ＩＥが確認でき、ピットが
消去されていることがわかった。

実施例２３ 実施例１３の化合物Ｎｏ、（３０）を前記の化合物Ｎｏ
、（６６）の化合物にかえて実施例１３と同様の方法で
直径２０ｃｍの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚２５００人になるように情報記録体を作成した
。

この情報記録体に実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例２４ 直径２０ｃｍの円板状ガラス板上に前記の化合物Ｎｏ、
（２１）の化合物をジクロルエタンに溶解した液を乾燥
膜厚が５００人になるように塗布し、さらにその上に前
記のフッ化ビニリデンとへキサフルオロアセトンからな
るフッ化ビニリデン系共重合体樹脂５０重量部とポリメ
チルメタクリレート樹脂５０重量部を酢酸エチルに溶解
した液を乾燥膜厚が５ＪＬになるように塗布し、情報記
録体を作成した。

この情報記録体を実施例１３と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なＳ／Ｎ比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態（ピット）が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態（ピット
）が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。

実施例２５ 直径２０ｃｍの円板状ガラス板上に前記のフッ化ビニリ
デンとへキサフルオロアセトンからなるフッ化ビニリデ
ン系共重合体樹脂５０重量部とポリメチルメタクリレー
ト樹脂５０重量部をメチルエチルケトンに溶解した液を
乾燥膜厚が８００人になるように塗布し、さらにその上
に前記の化合物Ｎｏ、（１６）の化合物をジクロルエタ
ンに溶解した液を乾燥膜厚が１０００人になるように塗
布し、情報記録体を作成した。

この情報記録体に半導体レーザ光を円板状ガフ ラス板面より照射し、記録する以外は実施例１３と同様
の方法で情報を記録させてから再生したところ十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。また情報を書き込み
後、顕微鏡で観察したところ鮮明な不透明状態（ピット
）が形成されていた。さらに低速回転で集球した半導体
レーザ光を照射した後、顕微鏡観察を行なったところ不
透明状態（ピット）が消去され、均一な透明状態が確認
できピットが消去されていることがわかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を構成する情報記録体の一態様の断面図
である。 第２図は本発明の情報の記録、再生、表示装ガの一例の
ごとく概略の縦断側面図である。 ■　−一一一情報記録体。 ２−一一一基材。 ３−一一一感熱材料 ４−一一一記録光源吸収材料。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報記録体とこの情報記録体へ光学的手段を用い
   て記録を行なう情報の記録、消去および記録装置におい
   て、前記情報記録体が、特定温度への加熱および冷却に
   より均一な透明状態あるいは白濁状態となる感熱材料と
   少なくとも１つのシアニンメチン化合物からなる光吸収
   材料を積層または混合含有してなり、この情報記録体は
   特定範囲を特定温度に加熱することにより情報を表示ま
   たは読み出し得るものであることを特徴とする情報の記
   録、消去可能な情報記録体。
2. （２）前記少なくとも１つのシアニンメチン有する化合
   物が下記一般式［ I ］、［II］、［III］又は［IV］で
   表わされる化合物である特許請求の範囲第１項記載の情
   報の記録、消去可能な情報記録体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｚ＿１およびＺ＿２は置換又は未置換の含窒素
   複素環を完成するに必要な原子群を示す。 Ｚ＿３およびＺ＿４は置換又は未置換の５員若しくは６
   員環を形成する２価の炭化水素基を示す。 Ｒ＿１よびＲ＿２は、水素原子又は置換もしくは未置換
   のアルキル基を示す。Ｒ＿３およびＲ＿４は水素原子、
   ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルキ
   ル基、置換もしくは未置換のアリール基又はアシルオキ
   シ基を示す。Ｒ＿５およびＲ＿６は、水素原子又はハロ
   ゲン原子を示す。 Ｘ＾■は、酸アニオンを示す。ｍおよびｎは、０又は１
   である、ｌは、０、１または２を示す。）一般式［IV］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｚ＿１およびＺ＿２は置換若しくは未置換の含
   窒素複素環を完成するに必要な原子群を示す。Ｚ＿３は
   、５員又は６員環を形成する２価の炭化水素基を示す。 Ｒ＿１およびＲ＿２は、水素原子又は置換もしくは未置
   換のアルキル基を示す。 Ａは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換のイミ
   ド基又は２価の有機残基を示す。ｌ、ｍおよびｎは０又
   は１を示し、ｐおよびｑは０、１又は２を示す。）
3. （３）前記光学的手段が半導体レーザを備えてなること
   を特徴とした前記特許請求の範囲第１項記載の情報の記
   録消去可能な情報記録体。
4. （４）前記少なくとも１つのシアニンメチン化合物が実
   質的に可視域に吸収を有さない化合物からなる特許請求
   の範囲第３項記載の情報の記録、消去可能な情報記録体
   。