JPS62115833A - 半導体基板表面処理剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板表面を改質する半導体基板表面処
理剤に関する。

〔従来の技術〕

現在ＩＣなどの半導体デバイスはほとんどがシリコンデ
バイスであるが、これらのシリコンウェハは気相成長工
程、酸化膜形成工程、不純物拡散工程、電極金属膜蒸着
工程などの工程によって製造されている。

半導体の特性は不純物の存在によって著しく影響をうけ
るため、前記各工程にはいる前にはシリコンウェハ表面
を清浄化し、不純物による汚染から保護しなければなら
ない。その基本的な工業的手法は脱脂工程、酸処理工程
および希フッ化水素水処理工程の３工程ならびに乾燥工
程からなりたっている。前記酸処理工程では酸化性の＠
’２！ｌ理剤が必要であるが、該酸処理剤としては従来
より通常硝酸が使用されている。

しかしながら硝酸処理などの酸化性の酸処理を行なった
ばあい、シリコン表面にはごく薄い酸化膜が形成される
ことが多く、該酸化膜は不純物のまき込みを容易ならし
めるといった問題がある。

また金属類を希フッ化水素水処理することにより、不純
物を比較的容易に除去することもできるが、シリコン表
面に残った軽元素とくにアルカリ成分は除去されにクク
、現在のところ有効なアルカリ成分を除去する処理剤は
えられていない。

また、従来の半導体基板の表面処理工程では、処理効率
を向上させるために、処理剤を１００℃前後に加熱する
必要があり、さらには処理能力は処理剤の劣化のため長
続きせず、その酸化、吸脱着といった化学的作用や目的
とする除去物質の除去効率は不明確であり、処理剤の種
類によっては半導体基板表面では不純物の２次吸着によ
る汚染が生じるといった問題があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、常温で優れた半導体基板表面ρ処理能力を示し、さら
には不純物の２次吸着による汚染がない、半導体基板表
面処理剤を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はアルカリ性水溶液にエチレンジアミン四酢酸を
０．００１〜１０重量％添加したことを特徴とする半導
体基板表面処理剤に関する。

〔実施例〕

本発明に用いるアルカリ性水溶液としては、たとえば水
酸化アンモニウム水溶液などのように従来より半導体基
板表面処理剤として用いられているものを使用しつる。

該アルカリ性水溶液の濃度は、使用する半導体基板の種
類あるいはアルカリの種類によって異なるが、通常１〜
２０％（重量％、以下同様）の水溶液で用いる。

本発明に用いるエチレンジアミン四酢８！（以下、ＥＤ
ＴＡという）は、本来あらゆる金属イオン、アルカリイ
オンと反応し、安定なキレート化合物を形成するキレー
ト試薬として用いられているものであるが、本発明にお
いてはアルカリ性水溶液中に０、００１〜１０％含有す
るように配合して用いる。

該ＥＤＴ＾の含有率は０．００１％未満のばあい、効果
がなく、また１０％をこえると半導体基板をエツチング
するので好ましくない。

かくしてえられた本発明の半導体基板表面処理剤には、
所望により過酸化水素水などを添加してもよい。

本発明の半導体基板表面処理剤は空温（２０〜８０℃）
中で半導体基板を浸漬あるいは処理剤をスプレーするこ
とによって使用することができる。

つぎに本発明の半導体基板表面処理剤を実施例に基づい
て説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。

実施例１ アルカリ性水溶液として５％水酸化アンモニウム水溶液
０．６Ｑを用い、該水溶液中にＥＤＴＡ　３．５ｇを溶
解させ、半導体基板表面処理剤をえた。

えられた半導体基板表面処理剤の金属イオン除去能力、
アルカリイオン除去能力、表面吸着物質の有無を以下の
方法により調べた。その結果を第１表に示す。

（金属イオン除去能力） シリコン製の半導体基板の表面にごく薄くＮを蒸着して
半導体基板表面処理剤の中に浸漬した。

えられた半導体基板に紫外線を照射し、放出された光電
子のエネルギーを分析して、仕事関数の差を調べ、以下
の判定基準により、金属イオン除去能力を判定した。

（判定基準） Ｏ：仕事関数が高い方にシフト △：仕事関数は変化せず ×：仕事関数が低い方にシフト （アルカリイオン除去能力） シリコン製の半導体基板の表面にＮａ２ＣＯ３を塗布し
、それを半導体基板表面処理剤の中に浸漬した。えられ
た半導体基板に紫外線を照射し、放出した光電子のエネ
ルギーを分析して、仕事関数の差を調べ、以下の判定基
準によりアルカリイオン除去能力を判定した。

（判定基準） Ｏ：仕事関数が低い方にシフト △：仕事関数は変化せず ×：仕事関数が高い方にシフト （表面吸着物質の有無） シリコン製の半導体基板を、不純物を含む半導体基板表
面処理剤の中に浸漬した。えられた半導体基板に紫外線
を照射し、放出した光電子のエネルギーを分析して仕事
関数の差を調べ、以下の判定基準により表面吸着物質の
有無を判定した。

（判定基準） ○：仕事関数が低い方にシフｉ〜 Δ：仕事関数は変化せず ×：仕事関数が高い方にシフト 比較例１ 従来から使用されている半導体基板表面処理剤としてＮ
ｔｌｉＯＨ−Ｈ２０２系のものを用いて金属イオン除去
能力、アルカリイオン除去能力、表面吸着物質の有無を
実施例１と同様にして調べた。その結果を第１表に示す
。

比較例２ 従来から使用されている半導体基板表面処理剤として希
フッ化水素水を用いて金属イオン除去能力、アルカリイ
オン除去能力、表面吸着物質の有無を実施例１と同様に
して調べた。その結果を第第　　１　　表 〔発明の効果〕 本発明の半導体基板表面処理剤は、常温で半導体塞板表
面を浄化処理することができ、さらに不純物の２次吸着
による汚染がなく、また半導体基板処理剤の構成物質の
半導体基板への吸着による汚染がなくなるという効果を
奏する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ性水溶液にエチレンジアミン四酢酸を０
   ．００１〜１０重量％添加したことを特徴とする半導体
   基板表面処理剤。