JPS6211235A - Dry etching method - Google Patents
Dry etching methodInfo
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- JPS6211235A JPS6211235A JP15045585A JP15045585A JPS6211235A JP S6211235 A JPS6211235 A JP S6211235A JP 15045585 A JP15045585 A JP 15045585A JP 15045585 A JP15045585 A JP 15045585A JP S6211235 A JPS6211235 A JP S6211235A
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- etching
- dry etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プロジェクション露光の光をドライエツチング装置に導
入して光励起エツチングを行う方法である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] This is a method of introducing projection exposure light into a dry etching apparatus to perform photo-excited etching.
本発明はドライエツチング方法に関するもので、さらに
詳しく言えば光励起によりエツチングガスを活性化して
エツチング（ドライエツチング）を行う際に、ホトレジ
スト（以下単にレジストという）を用いることなくエツ
チングをなす方法に関するものである。The present invention relates to a dry etching method, and more specifically, to a method for performing etching (dry etching) by activating an etching gas by photoexcitation without using a photoresist (hereinafter simply referred to as resist). be.
従来のフォトマスクを作成する方法について説明すると
、ガラス板を洗浄し、被膜（例えばクロム膜）を蒸着な
どによってガラス板上に形成し、レジストを被膜上に塗
布しレジストをプレベークする。次いで、所望のパター
ンが既に形成されているマスター・マスクを通して露光
し、現像する。To explain a conventional method for making a photomask, a glass plate is cleaned, a film (for example, a chromium film) is formed on the glass plate by vapor deposition, a resist is applied on the film, and the resist is prebaked. It is then exposed through a master mask on which the desired pattern has already been formed and developed.
しかる後にレジストのポストベークを行い、レジストパ
ターンをマスクにして被膜をエツチングし、レジストを
除去するとガラス板上に所望のクロムパターンが得られ
る。し°シストを用いるエツチングは前記の例の他にシ
リコンウェハ等に対しても実施される。Thereafter, the resist is post-baked, the film is etched using the resist pattern as a mask, and the resist is removed to obtain a desired chrome pattern on the glass plate. In addition to the above-mentioned example, etching using a silica cyst is also carried out on silicon wafers and the like.
レジストを用いる従来のエツチングにおいては、レジス
トの塗布、プレベーキング、現像、ポストベーキング、
除去（例えばアッシング−（ａｓｈｉｎｇ＋灰化））の
工程が必要であり、それは半導体装置製造の歩留りに影
響する問題がある。Conventional etching using resist involves resist application, pre-baking, development, post-baking,
A removal process (for example, ashing+ashing) is necessary, which poses a problem that affects the yield of semiconductor device manufacturing.
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、レジ
ストを用いないドライエツチング方法を提供することを
目的とする。The present invention was created in view of these points, and an object of the present invention is to provide a dry etching method that does not use a resist.
添付した図は本発明方法を実施するに用いる装置の断面
図である。The attached figure is a cross-sectional view of the apparatus used to carry out the method of the invention.
この図において、光ドライエツチング装置はドライエツ
チング部１１とプロジェクション露光部１２とから成り
、ドライエツチング部に配置された試料１３に対してフ
ォトマスク１４とレンズ２１を通してプロジェクション
露光の光例えば遠紫外光（ＤＵＶ光）１５を照射すると
、ドライエツチング部１１内は、光照射があるとエツチ
ング用ガス１６は活性化するが、光照射がないと前記ガ
ス１６は活性化しない条件に設定しであるので、ＤＵＶ
光１５が照射された部分で試料１３のエツチングが進行
するものである。In this figure, the optical dry etching apparatus consists of a dry etching section 11 and a projection exposure section 12, and a sample 13 placed in the dry etching section is exposed to projection exposure light, such as far ultraviolet light ( When irradiated with DUV light (DUV light) 15, the etching gas 16 in the dry etching section 11 is set to activate when there is light irradiation, but the gas 16 is not activated when there is no light irradiation. D.U.V.
Etching of the sample 13 progresses in the portions irradiated with the light 15.
上記方法において、ＤＵｖ光が照射したところではエツ
チングガスが活性化して試料のエツチングがなされるが
、ＤＵｖ光が照射しないところではエツチングガスが活
性化されないのでその部分ではエツチングが進行せず、
選択的なエツチングがなされ、しかもこの方法はレジス
トを用いることな（なされ−うる利点があるものである
。In the above method, the etching gas is activated and the sample is etched in the areas irradiated with DUv light, but the etching gas is not activated in areas not irradiated with DUv light, so etching does not proceed in those areas.
Selective etching is performed, and this method has the advantage that it can be performed without the use of resist.
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
図示の装置において、ドライエツチング部１１内にカソ
ード１７が配置され、カソード１７上に試料１３（フォ
トマスク基板、ウェハなど）が載置される。In the illustrated apparatus, a cathode 17 is disposed within the dry etching section 11, and a sample 13 (photomask substrate, wafer, etc.) is placed on the cathode 17.
カソード１７内にはアースされた−１００ Ｖ ＲＦ電
源１８が配置され、このＲＦ電源はエツチングを助長さ
せるためのものである。フォトマスク１４に代えてレチ
クルを用いるとき、カソード１７は通常の技術でＸＹ方
向にステップ移動する構造にする。A grounded -100 V RF power supply 18 is disposed within the cathode 17 and is used to facilitate etching. When a reticle is used in place of the photomask 14, the cathode 17 is structured to move stepwise in the X and Y directions using a conventional technique.
エツチング用ガス１６は導入管１９を通してドライエツ
チング部１１内に供給され、当該ガス１６は、導入管１
９を出た後は試料１３の上を流れ、真空ライン２０によ
って排気されうるよう設計する。導入管１９はアノード
を兼ねる。The etching gas 16 is supplied into the dry etching section 11 through the introduction pipe 19.
After exiting the sample 9, it flows over the sample 13 and is designed so that it can be evacuated by a vacuum line 20. The introduction pipe 19 also serves as an anode.
試料１３がフォトマスクであり、それの上に被着された
クロム膜をエツチングする場合には、レンズ２１の光透
過強度は２０ｍＷ （従来の場合には１００ｍＷ ）程
度にし、プロジェクション・アライナ−を用いる。他方
、ドライエツチング部は例えば８０パスカル（Ｐａ）の
真空に保ち、３００ＫＨｚのＲＦを３囲のパワーで印加
し、エツチング用ガス１６は塩素（ＣＩ！２ ）ガスと
、酸素（０２）ガスの混合ガス（混合比は０２２：０２
＝２：９）とする。かかる条件の下で、ＤＵＶ光１
５に照射されたエツチング用ガス１６は活性化し、ＤＵ
Ｖ光１５に照射された部分のクロムを選択的にエツチン
グする。その結果、従来例でレジストパターンを用いて
エツチングした場合と同様に所望のパターンが形成され
る。When the sample 13 is a photomask and a chromium film deposited on it is to be etched, the light transmission intensity of the lens 21 is set to about 20 mW (100 mW in the conventional case), and a projection aligner is used. . On the other hand, the dry etching section is kept in a vacuum of, for example, 80 Pascals (Pa), 300 KHz RF is applied at a power of 300 KHz, and the etching gas 16 is a mixture of chlorine (CI!2) gas and oxygen (02) gas. Gas (mixing ratio is 022:02
=2:9). Under such conditions, DUV light 1
The etching gas 16 irradiated to the etching gas 16 is activated and the DU
The portions of chromium irradiated with the V light 15 are selectively etched. As a result, a desired pattern is formed in the same manner as in the case of etching using a resist pattern in the conventional example.
ウェハのエツチングのためにフォトマスクに代えてレチ
クルを用いるときは、前記した如くカソード１７をＸＹ
方向にステップ移動し、ＤＵＶ光１５が照射したウェハ
部分を選択的にエツチングする。When using a reticle instead of a photomask for etching a wafer, the cathode 17 is
The wafer portion irradiated with the DUV light 15 is selectively etched.
前記したＲＦの周波数、パワー、ドライエツチング部の
真空度、エツチング用のガス混合比、ＤＵｖ光１５の強
度、エツチング用ガスの種類およびその混合比などは試
料１３の種類に応じてその都度設定するもので、上記し
た数値は一つの実施例の場合についてのものである。The frequency and power of the RF, the degree of vacuum in the dry etching section, the etching gas mixture ratio, the intensity of the DUv light 15, the type of etching gas and its mixture ratio, etc. are set each time according to the type of sample 13. The above numerical values are for one embodiment.
以上述べてきたように、本発明によれば、フォトマスク
１４を使用しＤＩＩＶ光１５によるプロジェクション露
光をなし、その光をドライエツチング部に導入して光に
よる励起を利用してフォトレジストのないエツチングを
行うので、従来のドライエツチング装置を利用する一方
で従来方法のレジスト使用による工程が省かれ、半導体
装置製造歩留りの向上に効果がある。As described above, according to the present invention, projection exposure with DIIV light 15 is performed using the photomask 14, and the light is introduced into the dry etching area to utilize excitation by the light to perform etching without photoresist. Therefore, while the conventional dry etching apparatus is used, the process of using resist in the conventional method is omitted, which is effective in improving the manufacturing yield of semiconductor devices.
添付図は本発明方法を実施するために用いる装置の断面
図である。
添付図において、
１１はドライエツチング部、
１２はプロジェクション露光部、
１３は試料、
１４はフォトマスク、
１５はＤ［ＩＶ光、
１６はエツチング用ガス、
１７はカソード、
１８はＲＦ電源、
１９は導入管、
２０は真空ライン、
２１はレンズである。The attached figure is a sectional view of the apparatus used to carry out the method of the invention. In the attached drawings, 11 is a dry etching section, 12 is a projection exposure section, 13 is a sample, 14 is a photomask, 15 is D[IV light], 16 is an etching gas, 17 is a cathode, 18 is an RF power source, 19 is an introduction 20 is a vacuum line, and 21 is a lens.
Claims (1)
マスク（１４）、レンズ（２１）を介してドライエッチ
ング部（１１）のカソード（１７）上に載置された試料
（１３）に向け照射し、 前記試料（１３）上にはエッチング用ガス（１６）を流
し、 前記ドライエッチング部（１１）内を光励起されたエッ
チングガスのみが活性化する条件に保って試料（１３）
のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング
方法。[Claims] The light (15) from the projection exposure section (12) is transmitted through the photomask (14) and the lens (21) onto the sample ( 13), an etching gas (16) is flowed over the sample (13), and the sample (13) is kept under conditions such that only the photo-excited etching gas activates the inside of the dry etching section (11). )
A dry etching method characterized by etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15045585A JPS6211235A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15045585A JPS6211235A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Dry etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211235A true JPS6211235A (en) | 1987-01-20 |
Family
ID=15497299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15045585A Pending JPS6211235A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211235A (en) |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15045585A patent/JPS6211235A/en active Pending
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