JPS62103379A - Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法Info
- Publication number
- JPS62103379A JPS62103379A JP24366285A JP24366285A JPS62103379A JP S62103379 A JPS62103379 A JP S62103379A JP 24366285 A JP24366285 A JP 24366285A JP 24366285 A JP24366285 A JP 24366285A JP S62103379 A JPS62103379 A JP S62103379A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置
における真空チャンバの製造方法に関する。
における真空チャンバの製造方法に関する。
従来技術とその問題点
ＣＶＤ装置の真空チセンバ内には、ＣＶＤ法の実施時に
、反応ガスとして５ｉＣ１４、ＳｉＨ２Ｃ１２、ＡＩＧ
／３ 、ＰＣ／３ 、ＢＣ／３等の腐食性ガスが導入さ
れ、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、ド
ライ・エッチングの実施時に、エッチング・ガスとして
塩素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空チャ
ンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられていた。
、反応ガスとして５ｉＣ１４、ＳｉＨ２Ｃ１２、ＡＩＧ
／３ 、ＰＣ／３ 、ＢＣ／３等の腐食性ガスが導入さ
れ、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、ド
ライ・エッチングの実施時に、エッチング・ガスとして
塩素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空チャ
ンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられていた。
ところが、ステンレス鋼製の真空チャンバは重量が大き
く、しかも熱伝導性が悪いという問題があった。熱伝導
性が十分でないと次のような問題がある。寸なわら、Ｃ
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時には、
まず真空チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱するこ
とによりベーキング処理を施して真空チャンバの内面に
吸着している水分を除去しているが、熱伝導性が悪いと
、上記ベーキングの時に真空チャンバ全体が均一に加熱
されるのに時間がかかるのである。
く、しかも熱伝導性が悪いという問題があった。熱伝導
性が十分でないと次のような問題がある。寸なわら、Ｃ
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時には、
まず真空チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱するこ
とによりベーキング処理を施して真空チャンバの内面に
吸着している水分を除去しているが、熱伝導性が悪いと
、上記ベーキングの時に真空チャンバ全体が均一に加熱
されるのに時間がかかるのである。
そこで、ステンレス鋼に比較してＩＩが小さく、熱伝導
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをつくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時の反応ガスやエッチング・ガスにより腐食させられる
という問題があるので、いまだアルミニウム製の真空チ
ャンバは実現していないのが実情である。
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをつくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時の反応ガスやエッチング・ガスにより腐食させられる
という問題があるので、いまだアルミニウム製の真空チ
ャンバは実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決したＣＶＤ装置お
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
この発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオンプレーテ
ィング法によって、ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよ
びドライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに
対する耐食性を有する皮膜を形成することを特徴とする
ものである。
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオンプレーテ
ィング法によって、ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよ
びドライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに
対する耐食性を有する皮膜を形成することを特徴とする
ものである。
上記において、ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよびド
ライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに対す
る耐食性を有する皮膜としては、ＴｉＮ、ＴｉＣ，Ａ７
Ｎ、Ａｒｃ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。ＴｉＮおよび
ＡＩＮからなる皮膜は、Ｎ２ガスを反応性ガスとして使
用し、蒸発金属としてＴｉまたはＡＩを使用してイオン
プレーティングを行なうことにより形成される。ＴｉＣ
およびＡｒｃからなる皮膜は、アセチレンを反応性ガス
として使用し、蒸発金属としてＴｉまたはＡＩを使用し
てイオンプレーティングを行なうことにより形成される
。Ａｌ２Ｏ３からなる皮膜は、酸素含有ガスを反応性ガ
スとして使用し、蒸発金属としてＡＩを使用してイオン
プレーティングを行なうことにより形成される。このよ
うな皮膜の膜厚は１〜２０ｐの範囲内にあることが好ま
しい。その理由は、膜厚が１ｐ未満であると、皮膜の耐
食性が十分ではなく、２０１ｍを越えるとイオンプレー
ティングに要する処理時間が長くなってコス］−高につ
ながるとともに、ＣＶＤ法およびドライ・エッチングの
実施時のベーキングを繰返したさいに皮膜が割れやすく
なるおそれがあるからである。上記膜厚の制御は、イオ
ンプレーティングのざいの処理時間、反応性ガスの流量
および流速、蒸着速度等を制御することによって行なう
。
ライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに対す
る耐食性を有する皮膜としては、ＴｉＮ、ＴｉＣ，Ａ７
Ｎ、Ａｒｃ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。ＴｉＮおよび
ＡＩＮからなる皮膜は、Ｎ２ガスを反応性ガスとして使
用し、蒸発金属としてＴｉまたはＡＩを使用してイオン
プレーティングを行なうことにより形成される。ＴｉＣ
およびＡｒｃからなる皮膜は、アセチレンを反応性ガス
として使用し、蒸発金属としてＴｉまたはＡＩを使用し
てイオンプレーティングを行なうことにより形成される
。Ａｌ２Ｏ３からなる皮膜は、酸素含有ガスを反応性ガ
スとして使用し、蒸発金属としてＡＩを使用してイオン
プレーティングを行なうことにより形成される。このよ
うな皮膜の膜厚は１〜２０ｐの範囲内にあることが好ま
しい。その理由は、膜厚が１ｐ未満であると、皮膜の耐
食性が十分ではなく、２０１ｍを越えるとイオンプレー
ティングに要する処理時間が長くなってコス］−高につ
ながるとともに、ＣＶＤ法およびドライ・エッチングの
実施時のベーキングを繰返したさいに皮膜が割れやすく
なるおそれがあるからである。上記膜厚の制御は、イオ
ンプレーティングのざいの処理時間、反応性ガスの流量
および流速、蒸着速度等を制御することによって行なう
。
箱状本体および蓋体のイオンプレーティングは、本体お
よび蓋体を処理槽内に配置し、これを陰極として行なう
か、あるいは本体の開口を蓋体で密閉するとともに内部
を真空にし、本体および蓋体を陰極とし、その内部に蒸
発金属を配置するとともに所定の反応性ガスを導入して
行なう。
よび蓋体を処理槽内に配置し、これを陰極として行なう
か、あるいは本体の開口を蓋体で密閉するとともに内部
を真空にし、本体および蓋体を陰極とし、その内部に蒸
発金属を配置するとともに所定の反応性ガスを導入して
行なう。
実 施 例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示す。
実施例１
まず、アルミニウム材から真空チャンノ＼用箱状本体お
よび蓋体をつくった。つし１で、これらの表面にスパッ
タクリーニングを施した後、反応性ガスとしてＮ２ガス
および蒸発金属としてＴｉをそれぞれ用いてイオンプレ
ーティングを行ない、本体および蓋体の内外両面に膜厚
５ｐのＴｉＮ皮膜を形成した。上記において、イオンプ
レーティングのさいのＮ２ガスの圧力（よ１ｔｏｒｒ、
本体および蓋体の温度は２００℃としておいた。そして
、上記箱状本体および蓋体を、温度１５０℃のＳ ！
Ｃａｔ、ガス雰囲気中に１０００時間放置して本体およ
び蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の
表面には腐食は発生していなかった。
よび蓋体をつくった。つし１で、これらの表面にスパッ
タクリーニングを施した後、反応性ガスとしてＮ２ガス
および蒸発金属としてＴｉをそれぞれ用いてイオンプレ
ーティングを行ない、本体および蓋体の内外両面に膜厚
５ｐのＴｉＮ皮膜を形成した。上記において、イオンプ
レーティングのさいのＮ２ガスの圧力（よ１ｔｏｒｒ、
本体および蓋体の温度は２００℃としておいた。そして
、上記箱状本体および蓋体を、温度１５０℃のＳ ！
Ｃａｔ、ガス雰囲気中に１０００時間放置して本体およ
び蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の
表面には腐食は発生していなかった。
実施例２
イオンプレーティングのさいの蒸発金属としてＡ／を用
いた他は上記実施例１と同様にして本体および蓋体の内
外両面に膜厚１（ｌの／ＭＮ皮膜を形成し、同じく上記
実施例１と同様にその耐食性を調べた。その結果、本体
および蓋体の表面には腐食は発生していなｆ）ｓつだ。
いた他は上記実施例１と同様にして本体および蓋体の内
外両面に膜厚１（ｌの／ＭＮ皮膜を形成し、同じく上記
実施例１と同様にその耐食性を調べた。その結果、本体
および蓋体の表面には腐食は発生していなｆ）ｓつだ。
実施例３
イオンプレーティングのさいの反応性ガスとしてアセチ
レンを用いた他は上記実施例１と同様にして本体および
蓋体の内外両面に膜厚１０切のＴｉＣ皮膜を形成し、同
じく上記実施例１と同様にその耐食性を調べた。その結
果、本体および蓋体の表面には腐食は発生してｌ、Ｎな
かった。
レンを用いた他は上記実施例１と同様にして本体および
蓋体の内外両面に膜厚１０切のＴｉＣ皮膜を形成し、同
じく上記実施例１と同様にその耐食性を調べた。その結
果、本体および蓋体の表面には腐食は発生してｌ、Ｎな
かった。
実施例４
イオンプレーティングのさいの蒸発金属としてＡ／を用
いた他は上記実施例３と同様にして本体および蓋体の内
外両面に膜厚８ｐのＡ／Ｃ皮膜を形成し、同じく上記実
施例１と同様にその耐食性を調べた。その結果、本体お
よび蓋体の表面には腐食は発生していなかった。
いた他は上記実施例３と同様にして本体および蓋体の内
外両面に膜厚８ｐのＡ／Ｃ皮膜を形成し、同じく上記実
施例１と同様にその耐食性を調べた。その結果、本体お
よび蓋体の表面には腐食は発生していなかった。
実施例５
イオンプレーティングのさいの蒸発金属として△ｌを、
反応性ガスとしてｏ２を用いた他は上記実施例１と同様
にして本体および蓋体の内外両面に膜厚１０ｗＩｔのＡ
／２０３皮膜を形成し、同じく上記実施例１と同様にそ
の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の表面に
は腐食は発生していなかった。゛ 比較例 まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃の３ｉＣＩ’４ガス雰囲気中に１０００
時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結
果、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
反応性ガスとしてｏ２を用いた他は上記実施例１と同様
にして本体および蓋体の内外両面に膜厚１０ｗＩｔのＡ
／２０３皮膜を形成し、同じく上記実施例１と同様にそ
の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の表面に
は腐食は発生していなかった。゛ 比較例 まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃の３ｉＣＩ’４ガス雰囲気中に１０００
時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結
果、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
発明の効果
この発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオンプレーテ
ィング法によって、ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよ
びドライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに
対する耐食性を有する皮膜を形成することを特徴とする
ものであるから、従来のステンレス鋼製のものと比較し
て軽量で、熱伝導性が良り、シかもＣＶＤ法やドライ・
エッチングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等の真空チャンバを簡単に製造すること
ができる。特に熱伝導性に優れているので、従来のもの
に比べてＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作
動時のベーキング処理時間を短縮することができる。
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオンプレーテ
ィング法によって、ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよ
びドライ・エッチングに使用されるエッチング・ガスに
対する耐食性を有する皮膜を形成することを特徴とする
ものであるから、従来のステンレス鋼製のものと比較し
て軽量で、熱伝導性が良り、シかもＣＶＤ法やドライ・
エッチングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等の真空チャンバを簡単に製造すること
ができる。特に熱伝導性に優れているので、従来のもの
に比べてＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作
動時のベーキング処理時間を短縮することができる。
また、本体および蓋体をアルミニウム材からつくるので
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
また、アルミニウムはステンレス鋼に比べて表面の放出
ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エッ
チング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させる
おそれが少ない。
ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エッ
チング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させる
おそれが少ない。
さらに、イオンプレーティング法により皮膜を形成する
のであるから、皮膜の形成時この皮膜に水分が吸着して
いることはなく、この方法によって製造された真空チャ
ンバをＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置に使用
するさいには、従来から行なわれているＣＶＤ装置およ
びドライ・エッチング装置の作動時のベーキング処理を
施すだけでよい。
のであるから、皮膜の形成時この皮膜に水分が吸着して
いることはなく、この方法によって製造された真空チャ
ンバをＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置に使用
するさいには、従来から行なわれているＣＶＤ装置およ
びドライ・エッチング装置の作動時のベーキング処理を
施すだけでよい。
以 上
外４名
Claims (1)
- アルミニウム製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつ
くった後、これらの内外両面のうち少なくとも内面に、
イオンプレーティング法によって、ＣＶＤ法に使用され
る反応ガスおよびドライ・エッチングに使用されるエッ
チング・ガスに対する耐食性を有する皮膜を形成するこ
とを特徴とするＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置における真空チャンバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366285A JPS62103379A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366285A JPS62103379A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103379A true JPS62103379A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0553871B2 JPH0553871B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17107136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366285A Granted JPS62103379A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103379A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027792A (en) * | 1995-10-03 | 2000-02-22 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Coating film excellent in resistance to halogen-containing gas corrosion and halogen-containing plasma corrosion, laminated structure coated with the same, and method for producing the same |
| US6533910B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Lam Research Corporation | Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6537429B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof |
| US6613442B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-02 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6620520B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-16 | Lam Research Corporation | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US6790242B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6830622B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-12-14 | Lam Research Corporation | Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof |
| US7128804B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4796464B2 (ja) | 2005-11-17 | 2011-10-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐食性に優れたアルミニウム合金部材 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24366285A patent/JPS62103379A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027792A (en) * | 1995-10-03 | 2000-02-22 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Coating film excellent in resistance to halogen-containing gas corrosion and halogen-containing plasma corrosion, laminated structure coated with the same, and method for producing the same |
| US6533910B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Lam Research Corporation | Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6537429B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof |
| US6613442B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-02 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6620520B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-16 | Lam Research Corporation | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US6773751B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-08-10 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6790242B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US7128804B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US7255898B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-08-14 | Lam Research Corporation | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US7605086B2 (en) | 2000-12-29 | 2009-10-20 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US8486841B2 (en) | 2000-12-29 | 2013-07-16 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
| US6830622B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-12-14 | Lam Research Corporation | Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553871B2 (ja) | 1993-08-11 |
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