JPS62101048A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS62101048A JPS62101048A JP24203785A JP24203785A JPS62101048A JP S62101048 A JPS62101048 A JP S62101048A JP 24203785 A JP24203785 A JP 24203785A JP 24203785 A JP24203785 A JP 24203785A JP S62101048 A JPS62101048 A JP S62101048A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal
- wiring
- passivation film
- integrated circuit
- wirings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分前〕
水元Ｉすｊは半導体集積回路に関し、特に樹脂封止半導
体集積回路のチップの構造に関する。
体集積回路のチップの構造に関する。
従来、倒脂封止半導体集積回路の半導体チップは、樹脂
−ピの４のが透湿性分有していることから。
−ピの４のが透湿性分有していることから。
半導体ｆツクの１稿配線上を酸化膜（Ｓｉｎ２）や窒化
１１ｉ（ＳｉＮ）などいわゆるパッシベーション膜漠で
覆って耐湿性の向上金はかっている。
１１ｉ（ＳｉＮ）などいわゆるパッシベーション膜漠で
覆って耐湿性の向上金はかっている。
上述した従来のバッジページシンは、半導体チップの配
線を樹脂を透過してくる湿度から保護する重要な役割を
はたしているものの５半田実装に２ける熱ストレスによ
って樹脂が膨張すると樹脂＃淋絣の圧縮応力が半導体チ
ップにも伝達されパッシベーション膜莫にクシツクが発
生したり、配線金属がズレるため耐湿性が著しくそこな
われるといった欠点がある。
線を樹脂を透過してくる湿度から保護する重要な役割を
はたしているものの５半田実装に２ける熱ストレスによ
って樹脂が膨張すると樹脂＃淋絣の圧縮応力が半導体チ
ップにも伝達されパッシベーション膜莫にクシツクが発
生したり、配線金属がズレるため耐湿性が著しくそこな
われるといった欠点がある。
本発明の半導体集積回路は、半導体チップの最外周部の
一部または全てに内部回路の高さよりも高い配線金属を
設けたことを特徴とする。
一部または全てに内部回路の高さよりも高い配線金属を
設けたことを特徴とする。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
第１図にＳいて、シリコンテップ１の上に集漬回路の内
部配線２が蒸着さｎ、パッシベーション膜４で覆われて
いる。チップ最外周の１輯配線３は内部配線２を保護す
るため内部配線２よりも高くなるよりに蒸着−またはエ
ツチングによって構成され。
部配線２が蒸着さｎ、パッシベーション膜４で覆われて
いる。チップ最外周の１輯配線３は内部配線２を保護す
るため内部配線２よりも高くなるよりに蒸着−またはエ
ツチングによって構成され。
同−パッシベーション膜４で覆ワれている。
以上説明したように本発明は、半導体チップの最外周の
一部または全てに内部配線の高さよりも高い配線金属を
設けている。半ｉＢ実装時の熱ストレスによって樹脂か
らのＩＴ：縮応力の嚇中する半導体チップの外周部が内
部配線よ０も高くｌっ′〔いるため、圧縮応力は外周部
妃５腺金岡に集中し、内部回路の配線やパッシベーショ
ンを保護でき耐層性を大幅に向上でさる効果がちる。
一部または全てに内部配線の高さよりも高い配線金属を
設けている。半ｉＢ実装時の熱ストレスによって樹脂か
らのＩＴ：縮応力の嚇中する半導体チップの外周部が内
部配線よ０も高くｌっ′〔いるため、圧縮応力は外周部
妃５腺金岡に集中し、内部回路の配線やパッシベーショ
ンを保護でき耐層性を大幅に向上でさる効果がちる。
第１図は本発明の一実施例である半導ｆ４：集積回路の
縦断面図である。 １・・・・・・シリコンチップ、２・・・・−・内部配
線、３・−・・・最外周部１妬配線、４・・・・・・パ
ッシベーション。 代理人 弁理士 内 原 音 ４ハーソシベ＝：Ｊヨシ預（ 第１７
縦断面図である。 １・・・・・・シリコンチップ、２・・・・−・内部配
線、３・−・・・最外周部１妬配線、４・・・・・・パ
ッシベーション。 代理人 弁理士 内 原 音 ４ハーソシベ＝：Ｊヨシ預（ 第１７
Claims (1)
- 半導体チップの最外周部の一部または全てに内部回路の
高さよりも高い配線金属を設けたことを特徴とする半導
体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203785A JPS62101048A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203785A JPS62101048A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101048A true JPS62101048A (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=17083332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24203785A Pending JPS62101048A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101048A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018934A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24203785A patent/JPS62101048A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018934A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
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