JPS62100010A - 対数増幅器 - Google Patents
対数増幅器Info
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- JPS62100010A JPS62100010A JP60240075A JP24007585A JPS62100010A JP S62100010 A JPS62100010 A JP S62100010A JP 60240075 A JP60240075 A JP 60240075A JP 24007585 A JP24007585 A JP 24007585A JP S62100010 A JPS62100010 A JP S62100010A
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Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は広帯域特性でかつ高速性を有する逐次検波形
の対数増幅器に関する。
の対数増幅器に関する。
第4図は例えば米国特許3,668,535(gune
、6,197’2)に記載された従来の逐次検波形の対
数増幅器を示すブロック図であり、図において、1は高
周波(以下RFという)信号の入力端、2は広帯域RF
特性を有するRF増幅回路、3は検波回路、4は検波出
ノjを所定のしきい値で制限するビデオ制限回路、5は
伝送線路、6は整合用終端抵抗、7は負荷抵抗RL、5
1は合成回路である。
、6,197’2)に記載された従来の逐次検波形の対
数増幅器を示すブロック図であり、図において、1は高
周波(以下RFという)信号の入力端、2は広帯域RF
特性を有するRF増幅回路、3は検波回路、4は検波出
ノjを所定のしきい値で制限するビデオ制限回路、5は
伝送線路、6は整合用終端抵抗、7は負荷抵抗RL、5
1は合成回路である。
次に動作について説明する。入力端lに印加されたRF
倍信号カスコードにN段接続されたRF増幅回路2で順
次増幅が行なわれる。各々の増幅段と並列に検波回路3
が接続されているので、入力RF信号のレベルに応じた
検波出力が各段毎に得られる。これらの検波出力はビデ
オ制限回路4で振幅制限が行なわれ、合成回路51を構
成する伝送線路5において信号出力の合成が行なわれる
。
倍信号カスコードにN段接続されたRF増幅回路2で順
次増幅が行なわれる。各々の増幅段と並列に検波回路3
が接続されているので、入力RF信号のレベルに応じた
検波出力が各段毎に得られる。これらの検波出力はビデ
オ制限回路4で振幅制限が行なわれ、合成回路51を構
成する伝送線路5において信号出力の合成が行なわれる
。
伝送線路5は一種の遅延線路として表視できるので11
続インダクタンス8、及び並列キャパシタンス9のπ
形等価回路で示している。これはRF増幅回路2で生し
〉るRF偽信号伝1般遅延を、この伝送線路上で等位相
で遅延合成することによって波形歪みを低減するのが目
的である。伝送線路5を伝搬しながら合成された検波信
号は負荷抵抗7に供給される。この場合入力側にある終
端抵抗6は伝送線路5の整合用である。
続インダクタンス8、及び並列キャパシタンス9のπ
形等価回路で示している。これはRF増幅回路2で生し
〉るRF偽信号伝1般遅延を、この伝送線路上で等位相
で遅延合成することによって波形歪みを低減するのが目
的である。伝送線路5を伝搬しながら合成された検波信
号は負荷抵抗7に供給される。この場合入力側にある終
端抵抗6は伝送線路5の整合用である。
このように構成された対数増幅器の出力特性を第5図に
示す。図はN=8段のRF増幅回路を用いた場合であっ
て、1段当たり10dBのダイナミックレンジを持って
いる。まず、8段目のRF増幅器2の出力は80dB増
幅されており、検波回路3を導通させて検波出力を得、
入力RF信号レベルの増加と共にほぼ直線的に検波出力
も増加して最終的にビデオ制限出力の頂点へ到達する。
示す。図はN=8段のRF増幅回路を用いた場合であっ
て、1段当たり10dBのダイナミックレンジを持って
いる。まず、8段目のRF増幅器2の出力は80dB増
幅されており、検波回路3を導通させて検波出力を得、
入力RF信号レベルの増加と共にほぼ直線的に検波出力
も増加して最終的にビデオ制限出力の頂点へ到達する。
伝送線路5ではビデオ振幅制限が行なわれる。約10d
Bのグ・イナミソクレンジの間人力RF信号のレベルと
ほぼ対数特性に近い検波出力が得られる。
Bのグ・イナミソクレンジの間人力RF信号のレベルと
ほぼ対数特性に近い検波出力が得られる。
このように、入力RF信号レベルの増加に伴って8段目
から1段目の検波出力が順次前られるので伝送線路5で
は最終的に8つの出力に対してき成が行なわれ第5図に
示す出力特性10が得られる。
から1段目の検波出力が順次前られるので伝送線路5で
は最終的に8つの出力に対してき成が行なわれ第5図に
示す出力特性10が得られる。
以」二の内容を具体的回路として実現したのが第6図で
ある。第6図においてRF増幅回路2ばエミッタ接地形
トランジスタ11を用いている。このトランジスタ11
のベースバイアスは電源12からインダクタンス13及
びコンデンサ14より成るフィルタ回路を含む電源ライ
ン15を経由して供給されている。縦続的に接続されて
いる抵抗1G及び17はl−ランジスタ11のベース電
位を与える為の分圧用であり、トランジスタ11のベー
ス側に接続されるコンデンサ18はRF偽信号入力端一
1との結合用である。また抵抗19はトランジスタのエ
ミッタ端子と電源ライン15間に接続され1−ランジス
タ11に適当なバイアス電流を与えている。]−トラン
ジスタ1のエミッタ端子に接続されるコンデンサ20は
RF偽信号バイパス用であり、トランジスタ11のコレ
クタ端子に接続される可変インダクタンス21は回路内
の奇生容量とともに増幅回路の共振周波数を決定し、増
幅回路2の中心周波数を同調する為のものであり、RF
入力端1とトランジスタ11のコレクタ端子間に接続さ
れるインダクタンス22及び抵抗23は増幅回路の利得
を下げることによって帯域を拡大する効果を持たせる負
帰還素子であり、インダクタンス21と並列に接続され
る抵抗24は、約100オーム程度の段間整合用である
。
ある。第6図においてRF増幅回路2ばエミッタ接地形
トランジスタ11を用いている。このトランジスタ11
のベースバイアスは電源12からインダクタンス13及
びコンデンサ14より成るフィルタ回路を含む電源ライ
ン15を経由して供給されている。縦続的に接続されて
いる抵抗1G及び17はl−ランジスタ11のベース電
位を与える為の分圧用であり、トランジスタ11のベー
ス側に接続されるコンデンサ18はRF偽信号入力端一
1との結合用である。また抵抗19はトランジスタのエ
ミッタ端子と電源ライン15間に接続され1−ランジス
タ11に適当なバイアス電流を与えている。]−トラン
ジスタ1のエミッタ端子に接続されるコンデンサ20は
RF偽信号バイパス用であり、トランジスタ11のコレ
クタ端子に接続される可変インダクタンス21は回路内
の奇生容量とともに増幅回路の共振周波数を決定し、増
幅回路2の中心周波数を同調する為のものであり、RF
入力端1とトランジスタ11のコレクタ端子間に接続さ
れるインダクタンス22及び抵抗23は増幅回路の利得
を下げることによって帯域を拡大する効果を持たせる負
帰還素子であり、インダクタンス21と並列に接続され
る抵抗24は、約100オーム程度の段間整合用である
。
また、検波回路3はトランジスタ11のコレクタ端子へ
接続されている。検波回路内には検波用(例えばショッ
トキ形)ダイオード25と負荷抵抗26が縦続して接続
され、RF偽信号コンデンサ27でバイパスされている
。検波回路3の出力はコンデンサ28でビデオ制限回路
4へ結合され、ビデオ制限回路4では順方向にバイアス
されたダイオード29へ接続されている。リミッタ用ダ
・イオード29は電源ライン15から高周波用チョーク
30及び抵抗31を介してバイアス電流を流しており、
この抵抗値が例えば100にオーム程度の非常に高い抵
抗なのでダイオードに流れる電流はインピーダンスが無
限大の定電流源からバイアス電流を受けているように見
える。従って、リミッタ用ダイオード29の温度変化に
起因する電圧降下の変動は無視することができ、ハーイ
アス電流は殆ど変化しないのでダイオードのビデオ制限
特性も安定である。このリミッタ用ダイオード29は検
波回路3と伝送線路5との間に縦続的に接続され、負荷
抵抗7RLへ信号電流が供給される。
接続されている。検波回路内には検波用(例えばショッ
トキ形)ダイオード25と負荷抵抗26が縦続して接続
され、RF偽信号コンデンサ27でバイパスされている
。検波回路3の出力はコンデンサ28でビデオ制限回路
4へ結合され、ビデオ制限回路4では順方向にバイアス
されたダイオード29へ接続されている。リミッタ用ダ
・イオード29は電源ライン15から高周波用チョーク
30及び抵抗31を介してバイアス電流を流しており、
この抵抗値が例えば100にオーム程度の非常に高い抵
抗なのでダイオードに流れる電流はインピーダンスが無
限大の定電流源からバイアス電流を受けているように見
える。従って、リミッタ用ダイオード29の温度変化に
起因する電圧降下の変動は無視することができ、ハーイ
アス電流は殆ど変化しないのでダイオードのビデオ制限
特性も安定である。このリミッタ用ダイオード29は検
波回路3と伝送線路5との間に縦続的に接続され、負荷
抵抗7RLへ信号電流が供給される。
抵抗32は各ビデオ制限回路4間のアイソレーションを
得る為のものであり、負荷抵抗7の約10倍の値である
。ビデオ制限回路の簡略化したブlコック図を第7図に
示す。順バイアス電流Ibば図の如く負荷抵抗RL、ア
イソレーション抵抗32゜リミッタ用ダイオード29.
及びバイアス用抵抗31を介して流れている。一方、信
号電流I51゜は検波回路3の出力から出力インピーダ
ンスである等価抵抗33.リミッタ用ダイオード29.
アイソレーション抵抗32.及び負荷抵抗−RLを介し
て流れているo Ib = ts+cになるとダイオ
ードが逆バイアスされるので電流が制限され、それ以上
の信号電流は負荷へ供給されないしくみである。
得る為のものであり、負荷抵抗7の約10倍の値である
。ビデオ制限回路の簡略化したブlコック図を第7図に
示す。順バイアス電流Ibば図の如く負荷抵抗RL、ア
イソレーション抵抗32゜リミッタ用ダイオード29.
及びバイアス用抵抗31を介して流れている。一方、信
号電流I51゜は検波回路3の出力から出力インピーダ
ンスである等価抵抗33.リミッタ用ダイオード29.
アイソレーション抵抗32.及び負荷抵抗−RLを介し
て流れているo Ib = ts+cになるとダイオ
ードが逆バイアスされるので電流が制限され、それ以上
の信号電流は負荷へ供給されないしくみである。
更に別の実施例として第8図に示す回路構成がある。本
図は前記回路とビデオ制限回路34内のりミッタ用ダイ
オード29が負荷抵抗7と並列に接続される点を除いて
ほぼ同じである。詳細には、検波回路3において検波出
力とビデオ制限回路34に縦続接続する整合用抵抗35
がある点も違っている。ビデオ制限の動作は−リミッタ
用ダイオード29.2個が順方向にバイアスされること
によって行なわれ、この制限された電圧が負荷抵抗7へ
供給される。この簡略図を第9図に示す。検波回路3に
発生した電圧は、検波器の内部インピーダンスと整合用
抵抗35を加えた抵抗36−を介してリミッタ用ダイオ
ードに印加される。このダイオードが順バイアスされる
電圧でビデオ制限され、同時に負荷抵抗へも供給される
しくみである。
図は前記回路とビデオ制限回路34内のりミッタ用ダイ
オード29が負荷抵抗7と並列に接続される点を除いて
ほぼ同じである。詳細には、検波回路3において検波出
力とビデオ制限回路34に縦続接続する整合用抵抗35
がある点も違っている。ビデオ制限の動作は−リミッタ
用ダイオード29.2個が順方向にバイアスされること
によって行なわれ、この制限された電圧が負荷抵抗7へ
供給される。この簡略図を第9図に示す。検波回路3に
発生した電圧は、検波器の内部インピーダンスと整合用
抵抗35を加えた抵抗36−を介してリミッタ用ダイオ
ードに印加される。このダイオードが順バイアスされる
電圧でビデオ制限され、同時に負荷抵抗へも供給される
しくみである。
図中ビデオ制限回路に示す電圧可変電源37は上記のビ
デオ制限をダイオードによる電圧降下に依存せず、任意
に設定できるようにした場合の例である。
デオ制限をダイオードによる電圧降下に依存せず、任意
に設定できるようにした場合の例である。
従来の対数増幅器の場合、第6図の回路ではコンデンサ
28を省略できないので検波出力として直流DCまで取
り扱うことができず、パルス圧縮レーダ等に特許の長い
パルス幅を待つ信号の場合はサグが発生して忠実に信号
再生ができない。更に連続波CWの場合は、全く対処で
きないという欠点があった。しかしながら、この欠点を
補うべく考えられた第8図の回路ではダイオード順方向
電圧の温度依存特性の為、ビデオ制限電圧が温度で変動
し、前記米国特許3,668.53号の記述でも最大3
0%の変化が認められている。この発明では検波出力を
直結回路で構成することによって連続波の入力にも対処
できると同時に、この場合生じる温度安定性を回路的に
相殺するよう構成することで温度安定性の良い対数増幅
器を得ることを目的とする。更に従来の方式では検波出
力の伝送線路5に励起される電圧が、即、出力電圧であ
った為、入力信号レベルに応じてこの電圧が変動し、本
来一定であるはずのビデオ制限が変動するという欠点が
あった。つまり、第6図の例では、アイソレーション用
抵抗32によってできる限り伝送線路5に励起される電
圧と検波出力電流:l5IGによって励起される電圧と
を分離しようとしているが完全でなく、入力端に近い検
波回路程ビデオ制限電圧が高くなるので第5図に示した
入出力特性を得るには非常に調整時間と労力を要した。
28を省略できないので検波出力として直流DCまで取
り扱うことができず、パルス圧縮レーダ等に特許の長い
パルス幅を待つ信号の場合はサグが発生して忠実に信号
再生ができない。更に連続波CWの場合は、全く対処で
きないという欠点があった。しかしながら、この欠点を
補うべく考えられた第8図の回路ではダイオード順方向
電圧の温度依存特性の為、ビデオ制限電圧が温度で変動
し、前記米国特許3,668.53号の記述でも最大3
0%の変化が認められている。この発明では検波出力を
直結回路で構成することによって連続波の入力にも対処
できると同時に、この場合生じる温度安定性を回路的に
相殺するよう構成することで温度安定性の良い対数増幅
器を得ることを目的とする。更に従来の方式では検波出
力の伝送線路5に励起される電圧が、即、出力電圧であ
った為、入力信号レベルに応じてこの電圧が変動し、本
来一定であるはずのビデオ制限が変動するという欠点が
あった。つまり、第6図の例では、アイソレーション用
抵抗32によってできる限り伝送線路5に励起される電
圧と検波出力電流:l5IGによって励起される電圧と
を分離しようとしているが完全でなく、入力端に近い検
波回路程ビデオ制限電圧が高くなるので第5図に示した
入出力特性を得るには非常に調整時間と労力を要した。
この発明はこの点についても、ベース接地形のトランジ
スタを用いることによってビデオ制限が安定に行なえ、
且つ、調整を容易にすることも目的としている。
スタを用いることによってビデオ制限が安定に行なえ、
且つ、調整を容易にすることも目的としている。
このためこの発明にかかるビデオ制限回路は、検波回路
の検波器と直列に接続されていて、所定のしきい値で上
記検波回路の検波出力の振幅制限をするダイオードを備
え、かつ合成回路は上記ビデオ制限回路のしきい値電圧
を供給するとともに上記ビデオ制限回路で振幅制限され
た検波出力を合成するトランジスタを備えたことを特徴
とするものである。
の検波器と直列に接続されていて、所定のしきい値で上
記検波回路の検波出力の振幅制限をするダイオードを備
え、かつ合成回路は上記ビデオ制限回路のしきい値電圧
を供給するとともに上記ビデオ制限回路で振幅制限され
た検波出力を合成するトランジスタを備えたことを特徴
とするものである。
この発明にかかるビデオ制限回路のダイオードは検波回
路の検波出力の振幅制限を行なう。またこの発明にかか
る合成回路のトランジスタは上記振幅制限された検波回
路の検波出力を合成するとともに振幅制限を行なうしき
い値電圧を供給する。
路の検波出力の振幅制限を行なう。またこの発明にかか
る合成回路のトランジスタは上記振幅制限された検波回
路の検波出力を合成するとともに振幅制限を行なうしき
い値電圧を供給する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は本発明の一実施例を示すブロック図であって、38
は検波出力電流を合成して加算する為のベース接地形の
トランジスタ、39はこのトランジスタを介してビデオ
制限回路へ所定のしきい値電圧を供給する可変電圧源で
ある。ここにおいてベース接地形のトランジスタ38及
び可変電圧源39は合成回路51を構成している。
図は本発明の一実施例を示すブロック図であって、38
は検波出力電流を合成して加算する為のベース接地形の
トランジスタ、39はこのトランジスタを介してビデオ
制限回路へ所定のしきい値電圧を供給する可変電圧源で
ある。ここにおいてベース接地形のトランジスタ38及
び可変電圧源39は合成回路51を構成している。
図において従来の方式と異なる点は、従来伝送線路にお
いて検波出力を合成していた方式を改め、ベース接地形
のトランジスタ38のエミ・7タ端子で電流加算する方
式に変更した点である。伝送線路上で合成する方式は、
従来、RF増幅回路が真空管等を用いて狭帯域の回路で
あった時代に群遅延特性が大きいので単なる検波出力の
合成だけでは波形歪が生じて高速性が失われる為に、止
むを得ず用いていた方法であった。しかし、現在は広帯
域特性を有する半導体増幅器を用いているので遅延特性
は殆ど伝搬距離と等価になり、小形化した回路では伝送
線路による遅延合成を用いなくとも高速性に何ら問題を
生じない。ベース接地形のトランジスタ38はビデオ制
限回路4からの検波出力電流(’I+’2・−1n−1
+1n)をトランジスタのエミッタ端子へ接続すること
で電流加算(+1− Σik )を行ない、これをコレ
クタ4ニノ 端子から出力して負荷抵抗R,7で電圧変換して検波合
成出力を得るものである。図においてへ一ス接地形のI
−ランジスタ38はPNP形のトランジスタとなってい
るが、1町帽路構成によってはN P N形のトランジ
スタを用いても差し支えない。
いて検波出力を合成していた方式を改め、ベース接地形
のトランジスタ38のエミ・7タ端子で電流加算する方
式に変更した点である。伝送線路上で合成する方式は、
従来、RF増幅回路が真空管等を用いて狭帯域の回路で
あった時代に群遅延特性が大きいので単なる検波出力の
合成だけでは波形歪が生じて高速性が失われる為に、止
むを得ず用いていた方法であった。しかし、現在は広帯
域特性を有する半導体増幅器を用いているので遅延特性
は殆ど伝搬距離と等価になり、小形化した回路では伝送
線路による遅延合成を用いなくとも高速性に何ら問題を
生じない。ベース接地形のトランジスタ38はビデオ制
限回路4からの検波出力電流(’I+’2・−1n−1
+1n)をトランジスタのエミッタ端子へ接続すること
で電流加算(+1− Σik )を行ない、これをコレ
クタ4ニノ 端子から出力して負荷抵抗R,7で電圧変換して検波合
成出力を得るものである。図においてへ一ス接地形のI
−ランジスタ38はPNP形のトランジスタとなってい
るが、1町帽路構成によってはN P N形のトランジ
スタを用いても差し支えない。
1−ランジスタ38のベースに接続される電圧可変電圧
源39はトランジスタのバイアスを供給するだけでなく
、トランジスタの1ミツタ端子を介してビデオ制限回路
4へしきい値電圧を供給し5ている。トランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧降下は通常約0.65 Vであり
、加算電流+itの電流変化に対しても殆ど変動しない
ので、従来の方式のように検波回路3からの検波出力に
応じてビデオ制限回路4のしきい値電圧が変動するとい
うことはなく、安定である。また、電流合成が低インピ
ーダンスで行なえるので従来用いていたアイソレーショ
ン用抵抗は省けるので検波出力を最大限に取り出すこと
ができる。
源39はトランジスタのバイアスを供給するだけでなく
、トランジスタの1ミツタ端子を介してビデオ制限回路
4へしきい値電圧を供給し5ている。トランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧降下は通常約0.65 Vであり
、加算電流+itの電流変化に対しても殆ど変動しない
ので、従来の方式のように検波回路3からの検波出力に
応じてビデオ制限回路4のしきい値電圧が変動するとい
うことはなく、安定である。また、電流合成が低インピ
ーダンスで行なえるので従来用いていたアイソレーショ
ン用抵抗は省けるので検波出力を最大限に取り出すこと
ができる。
これを具体的な回路に実現したのが第2図に示す回路図
である。図において第6図との相違点はビデオ制限回路
の改良と、伝送線路による合成回路が新たにトランジス
タ回に3による合成回路に置き変えられた点である。ビ
デオ制限回路40の変更点は従来の結合用コンデンサ2
8を省略し、アイソレーション用抵抗32ではなく、電
流制限用抵抗Rア41になっている点である。この動作
を説明するため、第3図に簡略化したブロック図を示す
。図においてバイアス抵抗31は検波用ダイオード25
のバイアス用電流:Ibl及びリミッタ用ダイオード2
9のビデオ制限用電流1b2をそれぞれ流しているが、
前述したごとく十分抵抗値が大きいので定電流源と考え
ることができる。検波出力のない場合は、検波電圧Va
”Oであって検波ダイオード25のカソード側電位は高
周波チョーク21によって接地されているので0ボルト
である。また、検波用ダイオード25とリミッタ用ダイ
オード29に流れている電流1blとIb2ばほぼ同じ
くらいであるのでそれぞれのダイオードによる電圧降下
Va+とVaZはほぼ同じである。従って、リミッタ用
ダイオード29のカソード側電位も検波用ダイオード2
5のカソード側電位と等電位であり、はぼOボルトであ
ると考えられるのでビデオ制限電流Ibz=V/Rrで
ある。検波電圧V、が増加すると定電流源へ流れる電流
がt b+ + r bz−−一定の原則から電流■1
は増加、電流rbzは減少の効果が生じ、最終的に電圧
V、=電圧VLで電流1bz”0となり、更に電圧V、
>電圧VLではリミッタ用ダイオード29が逆バイアス
されて電流は制限される。
である。図において第6図との相違点はビデオ制限回路
の改良と、伝送線路による合成回路が新たにトランジス
タ回に3による合成回路に置き変えられた点である。ビ
デオ制限回路40の変更点は従来の結合用コンデンサ2
8を省略し、アイソレーション用抵抗32ではなく、電
流制限用抵抗Rア41になっている点である。この動作
を説明するため、第3図に簡略化したブロック図を示す
。図においてバイアス抵抗31は検波用ダイオード25
のバイアス用電流:Ibl及びリミッタ用ダイオード2
9のビデオ制限用電流1b2をそれぞれ流しているが、
前述したごとく十分抵抗値が大きいので定電流源と考え
ることができる。検波出力のない場合は、検波電圧Va
”Oであって検波ダイオード25のカソード側電位は高
周波チョーク21によって接地されているので0ボルト
である。また、検波用ダイオード25とリミッタ用ダイ
オード29に流れている電流1blとIb2ばほぼ同じ
くらいであるのでそれぞれのダイオードによる電圧降下
Va+とVaZはほぼ同じである。従って、リミッタ用
ダイオード29のカソード側電位も検波用ダイオード2
5のカソード側電位と等電位であり、はぼOボルトであ
ると考えられるのでビデオ制限電流Ibz=V/Rrで
ある。検波電圧V、が増加すると定電流源へ流れる電流
がt b+ + r bz−−一定の原則から電流■1
は増加、電流rbzは減少の効果が生じ、最終的に電圧
V、=電圧VLで電流1bz”0となり、更に電圧V、
>電圧VLではリミッタ用ダイオード29が逆バイアス
されて電流は制限される。
第2図におけるNPN形トランジスタ38がビデオ制限
回路40からの出力であるビデオ制限電流Ib2を電流
加算している。リミッタ用電圧V。
回路40からの出力であるビデオ制限電流Ib2を電流
加算している。リミッタ用電圧V。
は上記トランジスタ38とベース同士で対向しているト
ランジスタ42及び分圧用抵抗43..14で後述する
基準電圧二■、を分圧した電位で設定される。トランジ
スタ42はベースとコレクタを直結しているので単なる
ダイオードと等価であり、電流合成用トランジスタ38
のベース・エミッタ間電圧Vbeの温度に伴う変動を相
殺する為の補償用である。従って、電流合成用トランジ
スタ38のエミッタ端子は分圧抵抗44によって生じる
電圧降下と等電位であり、この電圧がリミッタ用電圧■
してあるとともにほぼ一定電位である。加算された電流
itは疑似負荷抵抗45によって電圧に変換され、エミ
ッタフォロワ形(コレクタ接地形)トランジスタ46及
び出力インピーダンス整合用抵抗47を介して負荷抵抗
RL7へ供給される。抵抗47は同時に抵抗48ととも
にトランジスタ46のバイアスも与えている。PNP形
トランジスタ49は可変抵抗50によって設定された電
圧で基準電圧■、を抵抗51を介して決定しており、こ
のトランジスタのベース・エミッタ間電圧V の温度に
伴う変動を利用して前述したトランジスタ38.42及
び46の同様の変動を相殺して直流的な安定化を図って
いる。従って、可変抵抗50は出力の零点電位を設定す
るものである。
ランジスタ42及び分圧用抵抗43..14で後述する
基準電圧二■、を分圧した電位で設定される。トランジ
スタ42はベースとコレクタを直結しているので単なる
ダイオードと等価であり、電流合成用トランジスタ38
のベース・エミッタ間電圧Vbeの温度に伴う変動を相
殺する為の補償用である。従って、電流合成用トランジ
スタ38のエミッタ端子は分圧抵抗44によって生じる
電圧降下と等電位であり、この電圧がリミッタ用電圧■
してあるとともにほぼ一定電位である。加算された電流
itは疑似負荷抵抗45によって電圧に変換され、エミ
ッタフォロワ形(コレクタ接地形)トランジスタ46及
び出力インピーダンス整合用抵抗47を介して負荷抵抗
RL7へ供給される。抵抗47は同時に抵抗48ととも
にトランジスタ46のバイアスも与えている。PNP形
トランジスタ49は可変抵抗50によって設定された電
圧で基準電圧■、を抵抗51を介して決定しており、こ
のトランジスタのベース・エミッタ間電圧V の温度に
伴う変動を利用して前述したトランジスタ38.42及
び46の同様の変動を相殺して直流的な安定化を図って
いる。従って、可変抵抗50は出力の零点電位を設定す
るものである。
なお、上記実施例ではトランジスタ42.46及び49
を用いたが集積回路、例えば演算増幅器等を用いても良
い。
を用いたが集積回路、例えば演算増幅器等を用いても良
い。
以上のように、この発明によれば、ビデオ制限回路は、
検波回路の検波器と直列に接続されていて、所定のしき
い値で検波回路の検波出力の振幅制限をするダイオード
を備え、かつ合成回路は上記ビデオ制限回路のしきい値
電圧を供給するとともに上記ビデオ制限回路で振幅制限
された検波出力を合成するトランジスタを備えたので直
結回路で構成できるとともにビデオ制限電圧も入力レベ
ルによらず安定であり、且つ、トランジスタ内部の帰還
容量に起因するミラー効果の影響を受けないので数ト1
秒という超亮速のパルス信号を扱うことも可能になる。
検波回路の検波器と直列に接続されていて、所定のしき
い値で検波回路の検波出力の振幅制限をするダイオード
を備え、かつ合成回路は上記ビデオ制限回路のしきい値
電圧を供給するとともに上記ビデオ制限回路で振幅制限
された検波出力を合成するトランジスタを備えたので直
結回路で構成できるとともにビデオ制限電圧も入力レベ
ルによらず安定であり、且つ、トランジスタ内部の帰還
容量に起因するミラー効果の影響を受けないので数ト1
秒という超亮速のパルス信号を扱うことも可能になる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図のブロック図の具体的な回路図、第3図はビデオ
制限回路の簡略ブロック図、第4図は従来の対数増幅器
のブロック図、第5図は第4図における対数増幅器の出
力特性図、第6図は第4図の具体的な回路図、第7図は
第4図におけるビデオ制限回路の簡略ブロック図、第8
図は第4図の他の一例を示す具体的な回路図、第9図は
第8図におけるビデオ制限回路の簡略ブロック図である
。 2は高周波(RF)増幅回路、3は検波回路、4はビデ
オ制限回路、38はトランジスタ、39はビデオ制限用
電圧源、51は合成回路である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄(ばか2名)PF L
NPUT LEVa [dBM)37二電(壬を唱5膚
、 2、発明の名称 対数増幅器 3、補正をする者 代表者 志 岐 守 哉 5、補正命令の日付 昭和61年1月28日6.補正
の対象 図面のlil。 7、補正の内容 (1)図面、全図を別紙のとおり補正する。 以上 手 続 補 正 書= (1介)6)7.4
30 昭和 月 [j
第1図のブロック図の具体的な回路図、第3図はビデオ
制限回路の簡略ブロック図、第4図は従来の対数増幅器
のブロック図、第5図は第4図における対数増幅器の出
力特性図、第6図は第4図の具体的な回路図、第7図は
第4図におけるビデオ制限回路の簡略ブロック図、第8
図は第4図の他の一例を示す具体的な回路図、第9図は
第8図におけるビデオ制限回路の簡略ブロック図である
。 2は高周波(RF)増幅回路、3は検波回路、4はビデ
オ制限回路、38はトランジスタ、39はビデオ制限用
電圧源、51は合成回路である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄(ばか2名)PF L
NPUT LEVa [dBM)37二電(壬を唱5膚
、 2、発明の名称 対数増幅器 3、補正をする者 代表者 志 岐 守 哉 5、補正命令の日付 昭和61年1月28日6.補正
の対象 図面のlil。 7、補正の内容 (1)図面、全図を別紙のとおり補正する。 以上 手 続 補 正 書= (1介)6)7.4
30 昭和 月 [j
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波信号をカスコードに複数個接続された高周波増幅
回路で所定の利得づつ順次増幅し、この増幅された高周
波信号を上記高周波増幅回路と並列に接続された検波回
路で順次検波し、この検波回路で得られた検波出力をビ
デオ制限回路で振幅制限し、振幅制限された検波出力を
合成回路で合成して近似的に対数特性の出力を得る逐次
検波形の対数増幅器において、 上記ビデオ制限回路は、上記検波回路の検波器と直列に
接続されていて、所定のしきい値で上記検波回路の検波
出力の振幅制限をするダイオードを備え、かつ上記合成
回路は、上記ビデオ制限回路のしきい値電圧を供給する
とともに、上記ビデオ制限回路で振幅制限された検波出
力を合成するトランジスタを備えたことを特徴とする対
数増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60240075A JPS62100010A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 対数増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60240075A JPS62100010A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 対数増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62100010A true JPS62100010A (ja) | 1987-05-09 |
JPH055405B2 JPH055405B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17054117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60240075A Granted JPS62100010A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 対数増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62100010A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5521542A (en) * | 1994-09-09 | 1996-05-28 | Nec Corporation | Logarithmic amplifier circuit using triple-tail cells |
EP1618661A2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-01-25 | BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc. | Method and apparatus for conversionless direct detection |
JP2008172673A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器のための出力電力検波器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5127752A (ja) * | 1974-09-02 | 1976-03-08 | Nippon Electric Co | Taisuzofukuki |
JPS5698013A (en) * | 1979-12-30 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Logarithmic amplifying circuit |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60240075A patent/JPS62100010A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5127752A (ja) * | 1974-09-02 | 1976-03-08 | Nippon Electric Co | Taisuzofukuki |
JPS5698013A (en) * | 1979-12-30 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Logarithmic amplifying circuit |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5521542A (en) * | 1994-09-09 | 1996-05-28 | Nec Corporation | Logarithmic amplifier circuit using triple-tail cells |
EP1618661A2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-01-25 | BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc. | Method and apparatus for conversionless direct detection |
EP1618661A4 (en) * | 2003-04-28 | 2007-05-23 | Bae Systems Information | METHOD AND APPARATUS FOR DIRECT DETECTION WITHOUT CONVERSION |
JP2008172673A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器のための出力電力検波器 |
US7899420B2 (en) | 2007-01-15 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Wireless transmission device in which transmission output is controlled in feedback control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH055405B2 (ja) | 1993-01-22 |
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