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JPS61994A - Magnetic bubble memory device - Google Patents

Magnetic bubble memory device

Info

Publication number
JPS61994A
JPS61994A JP59120005A JP12000584A JPS61994A JP S61994 A JPS61994 A JP S61994A JP 59120005 A JP59120005 A JP 59120005A JP 12000584 A JP12000584 A JP 12000584A JP S61994 A JPS61994 A JP S61994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
magnetic
transfer
bar
magnetic bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59120005A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisaya Keida
慶田 久彌
Minoru Hiroshima
實 廣島
Masahiro Yanai
雅弘 箭内
Hironori Kondo
裕則 近藤
Tetsuaki Suzuki
鈴木 哲昭
Seiichi Nishiyama
西山 清一
Mitsuru Sekino
充 関野
Hiroshi Nakadai
中▲だい▼ 浩
Toshiya Kadoyama
俊哉 門山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59120005A priority Critical patent/JPS61994A/en
Publication of JPS61994A publication Critical patent/JPS61994A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetic bubble memory device where good start/stop characteristics are attained without degaradation of the transfer characteristic, by constituting a bar pattern with plural pattern element pieces to shorten the effective length of the bar pattern. CONSTITUTION:A bar pattern 12' connecting adjacent minor loops 1, each of which consists of transfer patterns 11-15, to each other consists of the first pattern element piece 12a and the second pattern element piece 12b which are divided by forming a pattern break part, where no patterns exist, in the approximately center part of the pattern 12'. Since the repulsive magnetic pole generated in the front end part of the bar pattern 12' is weakened if a holding magnetic field is applied in the stop direction of an arrow 8, magnetic bubbles are held stably in respective leg parts 11a and 13a of transfer patterns 11 and 13.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はフィールドアクセス方式のメジャ/マイナ構成
を有する磁気パズルメモリ素子に係わり、特にそのスタ
ート・ストップ特性の改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic puzzle memory device having a field access type major/minor configuration, and particularly to improvement of its start/stop characteristics.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第1図は例えば特開昭56−44rfF2”−1F2:
報などによシ公知とされている磁気バブルメモリ素子の
一例を示す要部平面構成図でるる。同図において、1t
i磁気バブル情報を保存するマイナループ、2は読み出
し情報を転送するリードメジャライン、3は書き込み情
報を転送する2イトメジヤライン、4は磁気バブルの有
無を電気信号に変換する磁気パズル検出器、sFi磁気
バブル情報をライトメシャツイン3上に書き込む磁気バ
ブル発生器、6はマイカループ1上の磁気バブルをリー
ドメジャライン2に複写するレプリケートゲート、7は
ライトメシャライン3上の磁気バブルをライナループ1
内の磁気バブルと入れ換えするスワップゲートである。
Figure 1 shows, for example, JP-A-56-44rfF2”-1F2:
1 is a plan configuration diagram of main parts showing an example of a magnetic bubble memory element which is known in the literature. In the same figure, 1t
i Minor loop that stores magnetic bubble information, 2 is a read measure line that transfers read information, 3 is a 2-item measure line that transfers write information, 4 is a magnetic puzzle detector that converts the presence or absence of magnetic bubbles into an electrical signal, sFi A magnetic bubble generator that writes magnetic bubble information onto the light mesh line 3; 6 a replicate gate that copies the magnetic bubbles on the mica loop 1 to the read measure line 2; 7 a replica gate that copies the magnetic bubbles on the light mesh line 3 to the liner loop. 1
It is a swap gate that replaces the magnetic bubble inside.

第2図は第1図で説明したスワップゲート近傍の要部拡
大平面図であル、第1図と同一部分は同一符号を付す。
FIG. 2 is an enlarged plan view of the main parts near the swap gate explained in FIG. 1, and the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.

同図において、11,12,13,14゜15はマイナ
ループ1の磁気バブル転送路を構成する転送パターンで
う夛、特に転送パターン12は互いに隣接するマイナル
−11間を結合するバーパターンと称され、このバーパ
ターン12はパターンボリウムの小さい転送パターン1
1からパターンボリウムの大きい転送パターン13へ磁
気バブルが転送する際に生じる転送特性の低下を防止さ
せる機能を有している。21.22,23.24はライ
トメシャライン3の磁気バブル転送路を構成する転送パ
ターン、31.32.33はマイナループ1とライトメ
シャライン3とを結合する磁気バブル転送補助用バーパ
ターン、−41Uマイナループ1とライトメシャライン
3とを結合させかつスワップ動作電流を流す前記スワッ
プゲート1を構成するコンダクタパターンであり、この
コンダクタパターン41はマイナループ1およびライト
メシャ2イン3の形成面よシも下層に絶縁膜を介して導
電性パターンにより形成されている。なお、Pは磁気バ
ブルの転送方向、HRは回転磁界であシ矢印方向の向き
に回転磁界HRが加えられる。
In the same figure, reference numerals 11, 12, 13, 14, and 15 are transfer patterns that constitute the magnetic bubble transfer path of the minor loop 1. In particular, the transfer pattern 12 is called a bar pattern that connects the adjacent minor loops 11 and 11. , this bar pattern 12 is transfer pattern 1 with a small pattern volume.
It has a function of preventing deterioration in transfer characteristics that occurs when magnetic bubbles are transferred from transfer pattern 13 having a large pattern volume to transfer pattern 13 having a large pattern volume. 21.22, 23.24 are transfer patterns that constitute the magnetic bubble transfer path of the light mesh line 3, 31.32.33 are bar patterns for assisting magnetic bubble transfer that connect the minor loop 1 and the light mesh line 3, -41U This is a conductor pattern constituting the swap gate 1 that connects the minor loop 1 and the light mesh line 3 and allows a swap operation current to flow. A conductive pattern is formed through the film. Note that P is the transfer direction of the magnetic bubble, and HR is a rotating magnetic field.The rotating magnetic field HR is applied in the direction of the arrow.

Bは磁気バブルをスタート・ストップ動作させる場合の
ストップ方向である。
B is the stop direction when starting and stopping the magnetic bubble.

このように構成されたスワップゲートにおいて、磁気バ
ブルをストップ動作させる場合、マイナループ1を矢印
P方向に転送し、例えば転送パターン11および転送パ
ターン13に転送されてきた磁気バブルBは、回転磁界
H3のストップ方向8に加えられたホールディング磁界
により、各転送パターンit 、13の脚部11m、1
3aに発生する吸引磁極に引きつけられ、これらの脚部
1ia、taaにストップする。次にスタート動作を行
なうと、各脚部10.13&にストップしていた磁気バ
ブルBは回転磁界HRの回転に伴なってそれぞれ次の転
送バクーン14.バーパターン12へと転送され、正常
なスフ”−ト・ストップ動作が行なわれる。
In the swap gate configured as described above, when the magnetic bubble is stopped, the minor loop 1 is transferred in the direction of the arrow P, and the magnetic bubble B transferred to the transfer pattern 11 and the transfer pattern 13, for example, is transferred to the rotating magnetic field H3. The holding magnetic field applied in the stop direction 8 causes the legs 11m, 1 of each transfer pattern it, 13 to
It is attracted by the attractive magnetic pole generated at 3a and stops at these legs 1ia and taa. Next, when a start operation is performed, the magnetic bubbles B stopped at each leg 10.13& are moved to the next transfer bubble 14. as the rotating magnetic field HR rotates. The signal is transferred to bar pattern 12, and a normal swift stop operation is performed.

しかしながら、このように構成されるスワップゲートに
おいて、ホールディング磁界がそのストップ方向8に加
えられた場合、バイアス磁界上限値側においてバーパタ
ーン12近傍の転送パターン11.13に保持される磁
気バブルBが極めて消失し易くなるという問題があった
However, in a swap gate configured in this way, when a holding magnetic field is applied in the stop direction 8, the magnetic bubbles B held in the transfer patterns 11 and 13 near the bar pattern 12 on the bias magnetic field upper limit side are extremely There was a problem that it easily disappeared.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

したがって本発明は前述した問題に鑑みて表されたもの
でラシ、そρ目的とするところは、バーパターンを有す
ることによυ転送特性を低下させることなく、良好なス
タート・ストップ特性が得られる磁気バブルメモリ素子
を提供するととにある0 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために本発明線、ノ(−パタ
ーンの実効的な長さを短かくさせたものであるO すなわち、第3図に要部拡大平面図で示すようにバーパ
ターン12近傍の転送)くターン11.13に保持され
る磁気バブルBが消失し易い原因は、転送パターン11
.13間に延在セれるノ(−)くターン12の一端部に
、回転磁界[11のストップ方向8に加えられるホール
ディング磁界により強力な反発磁極9が発生することに
起因することから、バーパターン12を分割された複数
の)くターン素片で構成し、実効的な長さを短かくする
ことによって、反発磁極9を低下させ、磁気バブルBを
転送パターン11.13の所定の位置に保持させるもの
である。
Therefore, the present invention has been developed in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to obtain good start-stop characteristics without degrading the transfer characteristics by having a bar pattern. [Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention provides a magnetic bubble memory device in which the effective length of the line pattern is shortened. As shown in the enlarged plan view of the main part in FIG.
.. This is caused by the generation of a strong repelling magnetic pole 9 by the holding magnetic field applied in the stop direction 8 of the rotating magnetic field [11] at one end of the no(-) turn 12 that extends between the rotating magnetic field [11]. 12 is made up of a plurality of segmented) pattern pieces, and by shortening the effective length, the repulsion magnetic pole 9 is lowered and the magnetic bubble B is held at a predetermined position in the transfer pattern 11.13. It is something that makes you

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.

第4図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するためのスワップゲート近傍の要部拡大平面図
であシ、第2図と同一部分は同一符号を付す。同図にお
いて、互いに隣接するマイナループ1の相互間を結合す
るバーパターン12′は、/リーンのほぼ中央部分に該
パターンが存在しない、いわゆるパターン切断部が形成
てれて2分割された第1のパターン素片tZaと第2の
ノくターン素片12bとで構成されている。
FIG. 4 is an enlarged plan view of essential parts near the swap gate for explaining one embodiment of the magnetic bubble memory element according to the present invention, and the same parts as in FIG. 2 are given the same reference numerals. In the same figure, the bar pattern 12' that connects the adjacent minor loops 1 is divided into two parts by forming a so-called pattern cutting part where the bar pattern 12' does not exist at approximately the center of the / lean. It is composed of a pattern elemental piece tZa and a second notch elemental piece 12b.

このような構成によれは、第5図に示すようにバーパタ
ーン12′の先端部に発生する反発磁極9を弱くするこ
とができるので、転送パターン11゜13の各脚部11
a、13mに磁気バブルを安定に保持することができる
With this structure, as shown in FIG.
a, the magnetic bubble can be stably held at 13 m.

第6図は前述したバーパターン12 、12’を実際に
約2μm径の磁気バブル磁性膜゛を用いて作製した磁気
バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン特性図である
。同図において、特性■は従来のバーパターン12.特
性…は本発明によるバーパタ−ン12′ をそれぞれ用
い、また特性Iは本発明によるバーパターン12′を用
いて回転磁界HRを連続して印加した場合をそれぞれ示
したものである。同図から明らかなように本発明による
バーパターン12′を用いることによって、バイアス磁
界マージンの低下を確実に抑えることができる。
FIG. 6 is a bias magnetic field margin characteristic diagram of a magnetic bubble memory element in which the bar patterns 12 and 12' described above are actually fabricated using a magnetic bubble magnetic film having a diameter of about 2 μm. In the same figure, characteristic (1) is the conventional bar pattern 12. Characteristics . . . show the case where the bar pattern 12' according to the present invention is used, and characteristic I shows the case where the bar pattern 12' according to the present invention is used and the rotating magnetic field HR is continuously applied. As is clear from the figure, by using the bar pattern 12' according to the present invention, it is possible to reliably suppress a decrease in the bias magnetic field margin.

力お、本発明は前述した実施例のみに限定されることな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論である。例えば第7図(a)に示すバ
ーパターン12′は第1のパターン素片12aをパター
ンポリウムを太きく形成し、第2のパターン素片12b
はパターンポリウムヲ小さく形成する他は第4図のもの
と同様に構成され、かつ同様の作用効果を奏するもので
ある。また第7図(b)に示すものはバーパターン12
′が同等のパターンポリウムを有する2つの第1のバー
パターン素片12a′と第2のバーパターン素片12b
′ とで構成され、さらに第7図(c)に示すものはバ
ーパターン12′がパターンポリウムの大きい第1のパ
ターン素片12mと、パターンポリウムの小さい第2の
パターン素片12bと、第1のパターン素片12&と同
等のパターンポリウムを有する第3のパターン素片12
eとで構成されておシ、いずれの構成においても前述と
全く同様の効果が得られる。
Of course, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the bar pattern 12' shown in FIG. 7(a), the first pattern element 12a is made of thick pattern polyurethane, and the second pattern element 12b is formed with thick pattern polyurethane.
This is constructed in the same way as the one shown in FIG. 4, except that the patterned polyurethane is formed smaller, and has the same effects. Moreover, the bar pattern 12 shown in FIG. 7(b) is
Two first bar pattern elemental pieces 12a' and a second bar pattern elemental piece 12b having the same pattern polyumy.
Furthermore, in the bar pattern 12' shown in FIG. 7(c), the bar pattern 12' is composed of a first pattern piece 12m with a large pattern porium, a second pattern piece 12b with a small pattern porium, A third pattern piece 12 having the same pattern polyurethane as the first pattern piece 12 &
In both configurations, the same effects as described above can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、互いに隣接するマ
イナループ相互間に結合されるバーパターンを分割され
た複数のパターン素片で構成することによ)、転送特性
を低下させることなく、良好なスタート・ストップ特性
が得られるという櫨めで優れた効果を奏する。
As explained above, according to the present invention, by configuring the bar pattern connected between adjacent minor loops with a plurality of divided pattern pieces, good transfer characteristics can be achieved without deteriorating the transfer characteristics. It has an excellent effect in that it provides start-stop characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第3図は従来の磁気バブルメモリ素子の一
例を説明するための図、第4図および第5図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子の一実施例を説明するための
スワップゲートの拡大平面図、第6図は従来および本発
明による磁気バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン
特性を示す図、     i 7図(a) 、 (b)
 、 (e)は本発明による磁気バブルメモリ素子の他
の実施例を説明するためのバーパターンの他の実施例を
示す平面図である。 1・・・・マイナループ、2・・・−リードメジャライ
ン、3・拳0・ライトメシャライン、7・・・・スワッ
プゲート、8・・・・磁気バフルのストップ方向、9・
・・・反発磁極、11・・・・転送パターン、11a・
・・・脚部、12.12’・・・・ハーバターン、12
V・・・第1のパターン素片、1za’・書・・第1の
バーパターン素片、12b・・・・第2のパターン素片
、12b′・・・・第2のバーパターン素片、12CI
I・・・第3のパターン素片、13.i4,15,22
,23゜24・・・・転送バター:y、31,32,3
3  ・・・・転送補助用バーパターン、41・・・・
コンダクタパターン。 第1図 第2図 第4図 第5図 回転繍尊イ釘1ろe)
1 to 3 are diagrams for explaining an example of a conventional magnetic bubble memory device, and FIGS. 4 and 5 are diagrams for explaining an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention. An enlarged plan view, FIG. 6 is a diagram showing the bias magnetic field margin characteristics of the conventional magnetic bubble memory element and the present invention, FIG. 7 (a), (b)
, (e) is a plan view showing another example of a bar pattern for explaining another example of the magnetic bubble memory device according to the present invention. 1...Minor loop, 2...-Read major line, 3.Fist 0.Light mesha line, 7...Swap gate, 8...Magnetic baffle stop direction, 9.
... Repulsive magnetic pole, 11... Transfer pattern, 11a.
... Legs, 12.12' ... Herba turn, 12
V...First pattern elemental piece, 1za'...First bar pattern elemental piece, 12b...Second pattern elemental piece, 12b'...Second bar pattern elemental piece , 12CI
I...Third pattern piece, 13. i4, 15, 22
,23゜24... Transfer butter: y, 31, 32, 3
3...Bar pattern for transfer assistance, 41...
conductor pattern. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 4 Fig. 5 Rotary embroidery 1st nail e)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数のマイナループとライトメジャラインとが結合され
磁気バブル情報の書き換えを行なうスワップゲート近傍
に、互いに隣接するマイナループ間を結合させるバーパ
ターンを備えた磁気バブルメモリ素子において、前記バ
ーパターンを複数のパターン素片で構成したことを特徴
とする磁気バブルメモリ素子。
In a magnetic bubble memory element, a bar pattern is provided in the vicinity of a swap gate where a plurality of minor loops and a write major line are coupled to rewrite magnetic bubble information, and a bar pattern is provided that couples adjacent minor loops. A magnetic bubble memory element characterized by being composed of a single piece.
JP59120005A 1984-06-13 1984-06-13 Magnetic bubble memory device Pending JPS61994A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59120005A JPS61994A (en) 1984-06-13 1984-06-13 Magnetic bubble memory device

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JP59120005A JPS61994A (en) 1984-06-13 1984-06-13 Magnetic bubble memory device

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JPS61994A true JPS61994A (en) 1986-01-06

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ID=14775537

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JP59120005A Pending JPS61994A (en) 1984-06-13 1984-06-13 Magnetic bubble memory device

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992487A (en) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory element

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992487A (en) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory element

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