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JPS6186951A - 1,2―ジクロルエタン合成用触媒の製造方法 - Google Patents

1,2―ジクロルエタン合成用触媒の製造方法

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Publication number
JPS6186951A
JPS6186951A JP60203592A JP20359285A JPS6186951A JP S6186951 A JPS6186951 A JP S6186951A JP 60203592 A JP60203592 A JP 60203592A JP 20359285 A JP20359285 A JP 20359285A JP S6186951 A JPS6186951 A JP S6186951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
catalyst
copper
amount
concentration
magnesium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60203592A
Other languages
English (en)
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JPH0516904B2 (ja
Inventor
エンリコ・カバテルラ
アレサンドロ・ボシ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solvay Specialty Polymers Italy SpA
Original Assignee
Ausimont SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ausimont SpA filed Critical Ausimont SpA
Publication of JPS6186951A publication Critical patent/JPS6186951A/ja
Publication of JPH0516904B2 publication Critical patent/JPH0516904B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/06Halogens; Compounds thereof
    • B01J27/08Halides
    • B01J27/10Chlorides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/093Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
    • C07C17/15Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination
    • C07C17/152Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons
    • C07C17/156Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons of unsaturated hydrocarbons

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、流動床内におけるC2H4のオキシ塩素化に
よる1、2−ジクロルエタン合成のだめの、1〜10重
母%のCoとそれ以上のMg X並びにAl2O,より
なる担体とを含有する触媒を製造する方法に関する。
〔発明の背景〕
前記のタイプの触媒並びにそれらのそれぞれの製造方法
がいくつかの特許に記載されている。例えば、英国特許
第971996号、米国特肝第4、124.554号、
英国待針第1,545,655号及びエンリコ・カバテ
ルラ(Enrica Cavaterra )らの米国
特許出願第59’1.995号(1984年6月21日
出願。CuC1z及びMgC1,の溶液によるアルミナ
の含浸を開示している)を参照せよ。
しかしながら、前者の三つの特許には現行のプラントに
よって要求される高収率と同時に満足できる程度の流動
化とを達成するために充分な明確な指針は与えられてい
ない。
これに反して、これらの成果は前述のカバテルラの出願
による触媒を使用することによって得ることができる。
しかしながら、この場合にもまた欠点がある。事実、こ
の出願の中には、触媒製造の際に触媒を塩m(MCI)
で処理しなければ優れた成果を達成することができない
と記載されているが、しかしこの塩酸は触媒の製造にあ
たって環境及びプラントの腐食という点でいくつかの開
成を引き起こす可能性がある。
〔発明の概要〕
本発明者らは、CuCl2とMgCl2とが同時に加え
られ且つ担体の表面積が80〜170 m”/りの範囲
にあるならば、触媒の製造に際してMCIを使用しなく
ても、カガテルラらの出願によって達成される成果と同
様の優れた成果が達成され得ることを見い出した。換言
すると、本発明者らは、担体の表面積が前述の範囲の値
を有すれば(そして塩化マグネシウムの量が充分間けれ
ば)、塩化マグネシウムが表面の銅の調整剤として働き
、その機能がMCIに帰するものであるということを発
見した。
広い意味では、含浸溶液中のモル比M g / Cuは
α4とt2との間の範囲になければならず、そのいかな
る場合もこのモル比: 表面におけるC。
が後に記載するが如く、モル比: 、よりも少なくとも40%高い、すなわち:W=X/Y
>t40 であるような世であるものとする。
本発明の好ましい具体例によればニ ー触媒は銅3〜6重量%を含有し、 −前記比又は40と同等若しくはそれより高く、−触媒
中(及び溶液中)のマグネシウムの量は銅1、モルにつ
きα5と11モルとの間の範囲にある。
前記モル比: 表面におけるCu は、2〜3nm(20〜30 A )の間の範囲の厚さ
を有する表面ミグ0層に関するデータを提供するXPS
分析(@に記載)のような既知の技術によって測定しな
ければならない。本発明の方法によれば、一般的に、表
面の銅濃度は0か又は、あるとしても表面層(実質的に
2〜5mmの厚さを有する)のすぐ下側の層内の@濃度
よりはるかに低くなければならない。
本発明による触媒は優れた流動化特性を示し、且つMC
I/(lHaの比が高い場合においても、高いHC1転
化率を維持し、そのためC2H4に閃して鍋いジクロル
エタン(DCE)収率を達成する。
本発明による触媒において、その粒子1個を考えた場合
、銅は主として気孔の内部、すなわちその内部表面に存
在する。このよりなCuの分布は、HCI/C2H4供
給比にJJCJ:じて転化サイクル及び1j1々の形N
(CuC12、Cu2C14等)間の平衝に罠係して変
わるが、異なった粒子間の接触帯域を含む固着現象を生
じさせない。
本発明の触媒の顕著な特色は、実際問題として、活性部
分が担体の気孔の内側にほとんど完全に隔離され、xp
s法により実施した測定によって示される通り、外表面
のCm濃度はごく僅がであり、あるとしても内部表面の
Cu濃度より明らかに低く(外表面の大きいCuj度は
従来の触媒の欠点だった)、さらに長時間の後も同様の
ままであるということである。
これらの触媒を使用することによって、流動床内での反
応を、供給時に9HC1/C2H4比を使用し且つ高H
C1転化率で、流動化に何ら悪影響もな〈実施すること
ができ、その結果、エチレンに関してDCEの高収率が
得られる。これらの触媒の使用条件は従来の触媒の使用
条件と実質的に違いはない。C2H,、HC1及びo2
含有気体(一般的に空気)を、反応温度(200〜25
0’Cの間、好ましくは220〜235℃の間の範囲)
に近くしかしそれを越えない温度にまで予め加熱した気
相中に供給する。その他の操作パラメーターは一般的に
次の範囲内よりなる。
囚 空気/エチレン比:これはDCE、H2O及びMC
Iの凝縮の後の排気ガス中の02含量が6〜10容量%
の間の範囲にあるような比でなければならない。
(B)  HCI/エチレン比:これは触媒層の好流動
化条件と充分に高いHC1転化率との維持に合致する化
学ff1M的値〔2/1にできるだけ近くなければなら
ない(その条件は既述の如く特定の触媒に依存する)〕
(c+  7触時間(触媒層中の温度及び圧力条件下に
おける、流動化状態時の触媒層の容積と反応体混合物の
容積流量との間の比として表わされる):これは触媒特
定の種類に実質的に依存し、一般的に10〜40秒の間
、好ましくは20〜30秒の間の範囲である。
■)気体の線速度(cm / Sで表わされる):これ
は最小流動速度と飛沫同伴を起こす速度(これらは共に
触媒の種類に特有のものである)との間の範囲内で選択
され、一般的には10〜50 cm / Sの間、好ま
しくは20〜40 cm / Sの間の範囲である。
(E)  反j心期間中の総圧力(気相中の反応体と固
相中の触媒との間の効果的な接触を達成するために重要
である)−一般的に大気圧より高く、6バールまでの圧
力を使用する。これよりも高い圧力では、圧縮昨業のた
めエネルギー消費が大きくなる。
以下の例は単に本発明を例示するだめのもので、これを
限定することを目的としない。
X線照射と、固体によって放出される電子のエネルギー
レベル及びエネルギー強度の測定とに基づ<xps法(
C,D、ワグナ−(Wagnar )著、「X線光電子
放出分光学の手引き」、パーキン・エルマ(Perki
n Elmor )社、1979年を参照せよ)によっ
て、外表面のCu濃度の測定を実施した。このような電
子のエネルギーレベルは元素固有のものであり、エネル
ギー強度は表面から実質的に2〜3nm(20〜5OU
)の深さの所における試料の容積中に存在する原子の数
に比例する。
触媒の平均寸法は約50μm(文献には20〜80nm
の値が通常記載されている)であるから、原子濃度の測
定は粒子直径の約1/10000、すなわちその外表面
に実質的に関係する。詳細には、数nm2程度の面積を
有する分析可能な表面を得るために、少量の試料(故岬
)を純粋なインジウムの小板上にプレスした。次いで、
Mgアノード(Mgのにα放射線)を備えた400Wで
作動するX線源を使用して、2.10’Paの基礎圧力
の關真空下でこの試料を分析した。データをデジタル値
として得るためにコンピューターを補助に使用し、信号
/ノイズ比を最大化した高分解能の条件下でこれらの成
分の光電子放出スペクトル、即ち0/1 aSC1/2
 PSMg/2 p、 A I/2 pを得た。バック
グラウンドのノイズを除去した後に、光電子放出のピー
ク面積を数値積分法によってにト算した。
こうして得られ、それぞれの感度ファクターを補正した
強度値はそれぞれの成分の表面原子濃度に正比例してい
た。
例えばA、 V、ナイマーク(Neimark )、L
、I。
カイフエズ(Kheif・2)及びV、 B、 7エネ
ロノフ(F@nelonov )によって(Ind、 
Eng、 Cham、 Prod。
Rag、 Dev、 )  1981年第20巻、第4
41頁に記載された「乾式含浸」法によって、全ての触
媒を製造した。
例1 (「乾式含浸」による触媒のX3A造)表面積1
70m2/9及び平均粒子直径50nmの微小球形アル
ミナを担体として竜択し、含浸溶液の容器はアルミナの
気孔の容faと同等にした。
この含浸溶液はニ ー最終的な触媒が4.16i量%のCuを含有するよう
な量のCuC1zと、 −Cu 1モルにつき0.756モルのMgCl2とを
含有していた。
より詳細には、下記の操作条件を続いて行った。
1)<  脱イオン水10.51を80℃に加熱し、次
いでCue lz ・2HzO6,083kgとMgC
12・6H205、291kgとをtit拌しながら加
えた。完全に溶解するまで加熱と攪拌を絖け、次いでこ
うして得られた溶液を25°Cに冷却した。
(B)  前記アルミナ43.0 kgを回転容器中に
装入し、(3)によって得られた溶液を、容器の回転に
よって攪拌し続けてかたまりが形成しないように注意し
ながら1時間かけてゆっくりアルミナ上に’u 霧した
。その後、25℃/ h rの勾配で温度を150”C
まで上げて、さらに3時間温度を150℃に保った。次
いで、容器を一定の回転下に保ちながら、触媒をゆっく
り40℃に冷却した。得られた分析結果を表1に示す。
直径4副高さ6mの、6バールまでの圧力に耐えるのに
適したガラス反応器中に例1の触媒を導入し、次いでこ
の触媒をその場で空気中で4時間180”Cにおいて活
性化した。こうして活性化した触媒を、圧力4バール(
絶対圧)の流動床内、空気/エチレンのモル比=52、
接触時間28妙におけるC2T(4のオキシ塩素化につ
いて試験した。
そのデータと結果を表2に示す。
Mgの743加を完全に省略した以外は例1の操作を繰
り返した。得られた結果を表1に示す。
触媒を例5によって製造したマグネシウムの存在しない
生成物に代えだ以外は例2.3の操作を繰り返した。そ
のデータと結果を表2に示す。
これら全ての例から、表向のCu濃度が低ければ(Al
/Cu比が尚いということに対比する)、庁i:媒の流
動特性が良好になり、これが高いHCI/C2H,供給
比で作用させ、こうしてジクロルメタンを高収率で生成
せしめるということがわかる。
手続1lli正書 昭和60年10月 90

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)銅1〜10重量%とマグネシウムとAl_2O_
    3よりなる担体とを含有する流動床内でのC_2H_4
    のオキシ塩素化による1,2−ジクロルメタン合成用触
    媒を製造する方法において、CuCl_2とMgCl_
    2の両方を含有する水溶液を担体に含浸させることから
    なり、その際MgCl_2の量は、モル比:X=表面に
    おけるAl/表面におけるCu がモル比: Y=触媒中に存在するAlの総量/触媒中に存在するC
    uの総量よりも少なくとも40%高く、従つて 比W=X:Y≧1.40 であるような量とし、且つ担体の表面積は80〜170
    m^2/gの範囲にあるようにしたことを特徴とする1
    ,2−ジクロルメタン合成用触媒の製造方法。
  2. (2)前記触媒が銅3〜6重量%を含有する特許請求の
    範囲第1項記載の方法。
  3. (3)前記比Xが40と同等又はそれより高い特許請求
    の範囲第1項記載の方法。
  4. (4)触媒中のマグネシウムの量が銅1モルにつき0.
    4〜1.2モルである特許請求の範囲第1項記載の方法
  5. (5)担体の外面上の銅の濃度が0か又は、少なくとも
    、実質的に厚さ2〜3nmを有する表面層のすぐ下側の
    層における銅の濃度よりはるかに低いことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の方法。
  6. (6)触媒中のマグネシウムの量が銅1モルにつき0.
    5〜1.1モルである特許請求の範囲第1項記載の方法
  7. (7)乾式含浸法が前記溶液との担体の含浸に続く特許
    請求の範囲第1項記載の方法。
JP60203592A 1984-09-19 1985-09-17 1,2―ジクロルエタン合成用触媒の製造方法 Granted JPS6186951A (ja)

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IT22717A/84 1984-09-19

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JPH0516904B2 JPH0516904B2 (ja) 1993-03-05

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AR (1) AR241241A1 (ja)
BR (1) BR8504512A (ja)
CA (1) CA1248934A (ja)
DE (1) DE3564911D1 (ja)
ES (1) ES8708190A1 (ja)
IT (1) IT1176719B (ja)
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NO (1) NO162106C (ja)

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EP0176432A3 (en) 1986-06-18
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