[go: up one dir, main page]

JPS6184036A - 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板 - Google Patents

熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板

Info

Publication number
JPS6184036A
JPS6184036A JP59204708A JP20470884A JPS6184036A JP S6184036 A JPS6184036 A JP S6184036A JP 59204708 A JP59204708 A JP 59204708A JP 20470884 A JP20470884 A JP 20470884A JP S6184036 A JPS6184036 A JP S6184036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aln
substrate
heat
thermal conductivity
aln ceramics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59204708A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Mizunoya
水野谷　信幸
Yasuyuki Sugiura
杉浦　康之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59204708A priority Critical patent/JPS6184036A/ja
Publication of JPS6184036A publication Critical patent/JPS6184036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は熱伝導性Δ℃Ｎセラミックス基板に関する。
［発明の技術的前頭とその問題点］ 電子別器の小形化、高性能化の要求に従い、これらに用
いられる半導体も高集積化、高出力化の方向に急速に進
んでいる。このため半導体を実装する基板もより熱伝導
性の大きいものが必要とされ、従来のへλ２０３セラミ
ックス基板よりも熱伝導性の大きいＡβＩＮセラミック
ス基板が注目をあびている。
ところでこのＡｌＮセラミックス基板は”７４　’７条
件によっては熱伝導性の低いものが得られるという問題
があった。
［発明の目的コ 本発明はこのような問題に対処してなされたもので、熱
伝導性の大きいＡＡＮｔ７ラミツクス基板を提供するこ
とを目的とする。
［発明の概要］ 本発明は、前述の問題が、原料処理や成形工程および焼
成環境において混入するＳｌやＯなとの不純物により焼
結体結晶組成の一部に熱伝導性を阻害する結晶相が生成
することに起因すること、しかしながらこの結晶相は基
板の板厚の１／′３以内に生じた場合は熱伝導性を阻害
することが少ないことという知見に基づいてなされたも
ので、縛　′度９５％以上のＡｊ２Ｎセラミックス基板
であって、ＡβＮポリタイプからなる針状結晶の析出部
分が基板板厚の１／３以内であることを特徴としている
。
本発明においてＡｌＮセラミックスの純度は高熱伝導性
の点から９５％以上が好ましく、その他焼結助剤として
かつ熱伝導性を向上させるために０．１〜５重間％のＹ
２０３を添加づ゛るのが好ましい。
ＡｌＮポリタイプからなる針状結晶は通常Ａ２−３ｉ−
０−Ｎの化学構造を有し、その大きさは長さが１０μｍ
以上、長さと幅の比率（長さ７幅）が３以上である。
このＡＪ２Ｎポリタイプからなる針状結晶１は図面に示
すように片面のみに生じる場合はＡβＮセラミックス基
板２の板厚ｔの１／３の深さ以内に生成されている必要
があり、両面の場合は総量で１／３ｔ＠限度とする。な
お図中符号３はＡβＮの結晶粒子を示す。
このようなＡβＮセラミックス基板を製造するには高純
度のＡｌＮ粉末を使用して成形し、この成形体を脱脂し
たのちそのまま不活性雰囲気中で焼成するのではなく耐
火性容器にいったん収納、密閉して窒素ガス、アルゴン
ガスなどの不活性雰囲気中で１，６００〜ｉ、ａｓｏ℃
に加熱して焼成する方法を採用する。
［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。
実施例 Ｙ２０３を３重量％含むＡβＮ粉末１００部にバインダ
としてポリビニルブチラール樹脂１０部、溶剤２５部、
可塑剤３部を混合し、ドクターブレード法によって厚さ
０．５ｎ＋＋ｎの未焼成シートを得た。このシートを一
片が６０ｍｍの正方形に裁断し、窒素ガス流中で約７０
０°Ｃまで昇温して脱脂した。これを直径９０ｍ＋＋＋
、厚さ２ｍｍのＡβＮセラミックス製円板上に載置し、
さらに内径１００ｍｍ、高さ１２ｍｍの高純度Ａβ２０
３セラミックス製円筒状部材および蓋で田閉した。この
状態でカーボン発熱体を使用した電気炉に挿入し、窒素
ガス雰囲気下で約１　、８００℃に１時間加熱して焼成
を行なった。
このようにして得られたＡＪ２Ｎセラミックス基板の厚
さ方向の断面を走査電子顕微鏡で観察したところ、針状
結晶の生成は１１５の深さまでにおさえられており、熱
伝導率は８０〜１００Ｗ／　ｍ　−Ｋであった。また針
状結晶はＡλ−３ｉ−０−Ｎを成分とするＡｌＮポリタ
イプであった。
一方前述の未焼成シーｉ・を密閉しないでそのまま同様
に焼成し、得られた基板を間諜に走査電子顕微鏡でＩＡ
察したところ、針状結晶は１／２の深さまで生成してお
り、また熱伝導率は３０〜５０Ｗ／ｍ−にであった。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の基板は熱伝導性を阻害する
針状結晶の生成が限定されているので、ＡｌＮ本来の優
れた熱伝導性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明基板のｌｌｌ’ｉ面を模式的に示す図であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　純度９５％以上のＡｌＮセラミックス基板であつて、
    ＡｌＮポリタイプからなる針状結晶の析出部分が基板板
    厚の１／３以内であることを特徴とする熱伝導性ＡｌＮ
    セラミックス基板。
JP59204708A 1984-09-30 1984-09-30 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板 Pending JPS6184036A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59204708A JPS6184036A (ja) 1984-09-30 1984-09-30 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59204708A JPS6184036A (ja) 1984-09-30 1984-09-30 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6184036A true JPS6184036A (ja) 1986-04-28

Family

ID=16494994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59204708A Pending JPS6184036A (ja) 1984-09-30 1984-09-30 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6184036A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0226872A (ja) * 1988-07-12 1990-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 高周波透過用ウィンドウ
US5683529A (en) * 1991-05-21 1997-11-04 Fujitsu Limited Process of producing aluminum nitride multiple-layer circuit board
WO2022030637A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 株式会社U-Map セラミックス基板、ＡｌＮ単結晶体、ＡｌＮウィスカ、及びＡｌＮウィスカ複合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53102310A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Tokyo Shibaura Electric Co Heat conducting base plates
JPS54100410A (en) * 1978-01-24 1979-08-08 Tokyo Shibaura Electric Co Ceramic heat conductor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53102310A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Tokyo Shibaura Electric Co Heat conducting base plates
JPS54100410A (en) * 1978-01-24 1979-08-08 Tokyo Shibaura Electric Co Ceramic heat conductor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0226872A (ja) * 1988-07-12 1990-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 高周波透過用ウィンドウ
US5683529A (en) * 1991-05-21 1997-11-04 Fujitsu Limited Process of producing aluminum nitride multiple-layer circuit board
WO2022030637A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 株式会社U-Map セラミックス基板、ＡｌＮ単結晶体、ＡｌＮウィスカ、及びＡｌＮウィスカ複合物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4447750B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
US6299815B1 (en) Process for producing piezoelectric ceramics
US5527501A (en) Process for producing piezoelectric ceramic sheet and dielectric ceramic sheet
JP2025028348A (ja) 複合焼結体および複合焼結体の製造方法
JP2968539B2 (ja) 窒化アルミニウム構造物の製造方法
JPS6184036A (ja) 熱伝導性ＡｌＮセラミツクス基板
JP4722463B2 (ja) 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法
TWI276696B (en) Silicon monoxide sintered product and sputtering target comprising the same
JPS5969473A (ja) 電気絶縁性焼結材用炭化けい素粉末組成物
CN115304383A (zh) 一种氮化铝基板及其制备方法与应用
JPH0196067A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP3629933B2 (ja) 結晶配向セラミックスの製造方法
Tunkasiri Properties of PZT ceramics prepared from aqueous solutions
JP2673095B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2000264737A (ja) 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JPH0288467A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2587854B2 (ja) 熱伝導度が向上された窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH11100273A (ja) 窒化珪素質焼結体、その製造方法及びそれを用いた回路基板
JP2876521B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS6021854A (ja) アルミナ焼結基板の製造方法
JP2734687B2 (ja) 強誘電体膜形成用ターゲット材
JP2931301B1 (ja) 遷移金属酸化物単結晶の育成方法
JPH04305057A (ja) 圧電セラミツクスの強化方法
JPH11217268A (ja) プラズマ装置用炭化珪素焼結体及びその製造方法
JP2000247732A (ja) 低抵抗セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材