JPS617766A - 読み取り装置 - Google Patents
読み取り装置Info
- Publication number
- JPS617766A JPS617766A JP59128530A JP12853084A JPS617766A JP S617766 A JPS617766 A JP S617766A JP 59128530 A JP59128530 A JP 59128530A JP 12853084 A JP12853084 A JP 12853084A JP S617766 A JPS617766 A JP S617766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoconductor
- electrode
- document
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばファクシミＩＪ装置の小型化を目指し
、実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電変換素
子アレイを配置した密着型イメージセンサなどの読み取
り装置に関するものである。
、実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電変換素
子アレイを配置した密着型イメージセンサなどの読み取
り装置に関するものである。
近時、ファクシミリ用の密着型イメージセンサの開発が
活発化しており、この装置には原稿からの反射光を集束
性ロッド・レンズ・アレイを通して検知する型式やこの
アレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化を達成する
型式など種々検討されている。
活発化しており、この装置には原稿からの反射光を集束
性ロッド・レンズ・アレイを通して検知する型式やこの
アレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化を達成する
型式など種々検討されている。
第１図は集束性ロッド・レンズ・アレイを用いた密着型
読み取り°糸の構成を示す概略図であり、実質上原稿１
と寸法的に１＝１に対応させた光検知部２が集束性ウッ
ド・レンズ・アレイ３を介して原稿１ζこ密着している
。そして、発光ダイオード４が原稿１を投光し、その反
射光が集束性ロッド・レンズ・アレイ３を通過して光検
知部２で受光するものである。
読み取り°糸の構成を示す概略図であり、実質上原稿１
と寸法的に１＝１に対応させた光検知部２が集束性ウッ
ド・レンズ・アレイ３を介して原稿１ζこ密着している
。そして、発光ダイオード４が原稿１を投光し、その反
射光が集束性ロッド・レンズ・アレイ３を通過して光検
知部２で受光するものである。
第２図は第１図中、光検知部２の先行技術を示す斜視図
である。
である。
即ち、基板５上に各光電変換素子に共通した一方の電極
となる共通電極６、光導電体７、透明電極８が図示した
通り・順次形成され、次いでこの透明電極８上に遮光性
金属層９が反射光の光導入部１０を除いて被着される。
となる共通電極６、光導電体７、透明電極８が図示した
通り・順次形成され、次いでこの透明電極８上に遮光性
金属層９が反射光の光導入部１０を除いて被着される。
そして、共通電極６、光導電体７、透明電極９８及び遮
光性金属層９を覆うようにＳｉＯ，ｇ等から成る透明保
護層１１が被覆される。尚、基板５上番こはシフトレジ
スタなどの駆動回路部１２が搭載される。
光性金属層９を覆うようにＳｉＯ，ｇ等から成る透明保
護層１１が被覆される。尚、基板５上番こはシフトレジ
スタなどの駆動回路部１２が搭載される。
この装置によれば、原稿１からの反射光ａが透明保護層
１１を通過して光導入部１０で受光きれて、それぞれの
光導入部１０に対応して読み取り画素となる。
１１を通過して光導入部１０で受光きれて、それぞれの
光導入部１０に対応して読み取り画素となる。
しかしながら、上記の装置によれば、８１０２などの透
明保護層１１はスパッタリング法により、もしくはアル
コキシド溶液を塗布して４００〜５００℃位で加熱した
りして形成されるため、プラズマの発生や温度上昇など
の過酷な成膜条件によって先に成膜したアモルファスシ
リコンなどから成る光導電体７の露出部の品質を落とし
、これにより、暗電流が顕著に増加してＳ／Ｎ比を劣化
させていることが判った。
明保護層１１はスパッタリング法により、もしくはアル
コキシド溶液を塗布して４００〜５００℃位で加熱した
りして形成されるため、プラズマの発生や温度上昇など
の過酷な成膜条件によって先に成膜したアモルファスシ
リコンなどから成る光導電体７の露出部の品質を落とし
、これにより、暗電流が顕著に増加してＳ／Ｎ比を劣化
させていることが判った。
更に、第２図を矢印す方向からみた第３図によれば、光
導電体７のうち素子間の介在部７ａ及び遮光性金属層９
の周辺部７ｂにも光が照射される。
導電体７のうち素子間の介在部７ａ及び遮光性金属層９
の周辺部７ｂにも光が照射される。
その結果、介在部７ａの抵抗値が下が４って隣接した素
子の間でもれ電流が発生し、読み取り画素の鮮明度が低
下し、更に周辺部７ｂの抵抗値が下がって両電極６．８
の間でもれ電流が生じ、 これにより、暗電流が大幅に
上がってＳ／Ｎ比を低てさせることが判った。
子の間でもれ電流が発生し、読み取り画素の鮮明度が低
下し、更に周辺部７ｂの抵抗値が下がって両電極６．８
の間でもれ電流が生じ、 これにより、暗電流が大幅に
上がってＳ／Ｎ比を低てさせることが判った。
★た、光検知部２の他の先行技術として第４図がある。
即ち、透光性基板１３上に、原稿１からの反射光の光通
過孔１４が設けられた遮光性金属層１５、透光性絶縁層
１６、各光電変換素子毎に個別に設けられた透光性個別
電極１７、光導電体１８、各光電変換素子に共通したも
う一方の電極となる共通電極１９が図示し、たように順
次積層されている。尚、この光検知部にも駆動回路部２
０が付設しである。
過孔１４が設けられた遮光性金属層１５、透光性絶縁層
１６、各光電変換素子毎に個別に設けられた透光性個別
電極１７、光導電体１８、各光電変換素子に共通したも
う一方の電極となる共通電極１９が図示し、たように順
次積層されている。尚、この光検知部にも駆動回路部２
０が付設しである。
この装置によれば、透光性基板１３側から入射した原稿
１からの反射光Ｃは各光電変換素子に対応して設けられ
た光通過孔１４を通り、光導電体１８で光電流が発生し
て読み取り画素となる。
１からの反射光Ｃは各光電変換素子に対応して設けられ
た光通過孔１４を通り、光導電体１８で光電流が発生し
て読み取り画素となる。
しかしながら、この装置の製法によれば、透光性基板１
３上に、通常、ｋｌ、Ｃｒなどから成る遮光性金属層１
５を真空蒸着法により、８１０９などから成る透光性絶
縁層１６をスパッタリング法ｊこよ゛す、■Ｔｏなどか
ら成る透光性個別電極１７を真空蒸着法により、アモル
ファスシリコン光導電体１８はグロー放電法により、Ａ
Ｊ、Ｃｒなどから成る共通電極１９は真空蒸着法により
順次形成することになるが、これら５層のうち、２層を
順次同一の薄膜形成技術により成膜することがない。こ
れにより、それぞれの成膜に際して薄膜形成装置を使い
分ける必要があり、工程の所要時間や効率化という事を
鑑みれば、２層以上を同一の薄膜形成技術の一連の工程
によって成膜することが望ましい。
３上に、通常、ｋｌ、Ｃｒなどから成る遮光性金属層１
５を真空蒸着法により、８１０９などから成る透光性絶
縁層１６をスパッタリング法ｊこよ゛す、■Ｔｏなどか
ら成る透光性個別電極１７を真空蒸着法により、アモル
ファスシリコン光導電体１８はグロー放電法により、Ａ
Ｊ、Ｃｒなどから成る共通電極１９は真空蒸着法により
順次形成することになるが、これら５層のうち、２層を
順次同一の薄膜形成技術により成膜することがない。こ
れにより、それぞれの成膜に際して薄膜形成装置を使い
分ける必要があり、工程の所要時間や効率化という事を
鑑みれば、２層以上を同一の薄膜形成技術の一連の工程
によって成膜することが望ましい。
更に、透光性絶縁層１６にピンホールが発生すると遮光
性金属層１５及び透光性個別電極′１７の間でショート
する危険があり、これに起因して個別電極１７が遮光性
金属層１５を通して他の個別電極１７と導通してしまい
、正確な読み取り画素が現われず、信頼性に欠けるとい
う問題があった。
性金属層１５及び透光性個別電極′１７の間でショート
する危険があり、これに起因して個別電極１７が遮光性
金属層１５を通して他の個別電極１７と導通してしまい
、正確な読み取り画素が現われず、信頼性に欠けるとい
う問題があった。
本発明は叙上のすべてを解決子べく完成されたものであ
り、その目的は読み取り装置の製造工程を簡略化し、且
つ鮮鋭度の向上した読み取り画素を正確に現わし、高品
質且つ高信頼性の読み取り装置を提供することにある。
り、その目的は読み取り装置の製造工程を簡略化し、且
つ鮮鋭度の向上した読み取り画素を正確に現わし、高品
質且つ高信頼性の読み取り装置を提供することにある。
本発明によれば、光源が原稿を投光して原稿からの反射
光が実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電変換
素子アレイで受光されて成る読み取り装置において、前
記原稿に対向して透光性基体が設けられ、且つ該透光性
基体上に、少なくとも、複数の光電変換素子の第１電極
を電気的に接続して成る透光性共通電極、前記反射光の
光通過孔を設けた遮光層、光導電体、第２電極を順次形
成するか讐もしくは、少なくとも、該遮光層、該透光性
共通電極、該光導電体、該第２電極を順次形成したこと
を特徴とする読み取り装置が提供される。
光が実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電変換
素子アレイで受光されて成る読み取り装置において、前
記原稿に対向して透光性基体が設けられ、且つ該透光性
基体上に、少なくとも、複数の光電変換素子の第１電極
を電気的に接続して成る透光性共通電極、前記反射光の
光通過孔を設けた遮光層、光導電体、第２電極を順次形
成するか讐もしくは、少なくとも、該遮光層、該透光性
共通電極、該光導電体、該第２電極を順次形成したこと
を特徴とする読み取り装置が提供される。
以下、本発明をファクシミリ装置の小型化を目指した密
着型イメージセンサを例にして図により詳細に説明する
。
着型イメージセンサを例にして図により詳細に説明する
。
第５図は第１図の光検知部２に係り、本発明の読み取り
装置である。即ち、ガラス等から成る透光性基板２１上
に、各光電変換素子の一方の電極を電気的に接続するよ
うにした、例えばＩＴＯなどから成る透光性共通電極２
２− 原稿１からの反射光の光通過孔２３を設けた、例
えばｋｌ、Ｏｒなどの蒸着金属から成る遮光性金属層２
４、アモルファスシリコンなどから成る光導電体２５及
び各光電変換素子毎ζこ設けられてＡＩ、Ｃｒｔ“どの
蒸着金属から成る個別電極２６が順次形成されている。
装置である。即ち、ガラス等から成る透光性基板２１上
に、各光電変換素子の一方の電極を電気的に接続するよ
うにした、例えばＩＴＯなどから成る透光性共通電極２
２− 原稿１からの反射光の光通過孔２３を設けた、例
えばｋｌ、Ｏｒなどの蒸着金属から成る遮光性金属層２
４、アモルファスシリコンなどから成る光導電体２５及
び各光電変換素子毎ζこ設けられてＡＩ、Ｃｒｔ“どの
蒸着金属から成る個別電極２６が順次形成されている。
そ□して、透光性共通電極２２、遮光性金属層２４及び
徊別電極２６を覆うように保護層２７が被覆されている
。この保護層２７は透明度が要求されておらず、個別電
極２６の各々の隙間に光が入って読み取り画素の分解能
が劣らないように透光性の低いのが望ましい。例えば、
シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など比較的安価な樹脂を
用いるとよい。尚、２８はシフトレジスタ等の駆動回路
である。
徊別電極２６を覆うように保護層２７が被覆されている
。この保護層２７は透明度が要求されておらず、個別電
極２６の各々の隙間に光が入って読み取り画素の分解能
が劣らないように透光性の低いのが望ましい。例えば、
シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など比較的安価な樹脂を
用いるとよい。尚、２８はシフトレジスタ等の駆動回路
である。
本発明の装置によれば、原稿１からの反射光ｄは透光性
基板２１側から入射し、各光電変換素子毎に対応して設
けられた光通過孔２３を通り、 光導電体２５で光電変
換して透光性共通電極２２及び個別電極２６の間で読み
取り信号が検出される。
基板２１側から入射し、各光電変換素子毎に対応して設
けられた光通過孔２３を通り、 光導電体２５で光電変
換して透光性共通電極２２及び個別電極２６の間で読み
取り信号が検出される。
本発明に係る読み取り装置の製法によれば、透光性基板
２１上に透光性共通電極２２から保護層ｎまでの５層を
順次形成するに際して、透光性共通電極２２及び遮光性
金属層２４はいずれも真空蒸着れら２層２２．２４を共
通した真空蒸着装置によって連続して形成することがで
き、実質上、４層の成膜に必要な薄膜形成装置を用いれ
ばよく、製造所要時間の短縮化等製造効率の改善が達成
できる。
２１上に透光性共通電極２２から保護層ｎまでの５層を
順次形成するに際して、透光性共通電極２２及び遮光性
金属層２４はいずれも真空蒸着れら２層２２．２４を共
通した真空蒸着装置によって連続して形成することがで
き、実質上、４層の成膜に必要な薄膜形成装置を用いれ
ばよく、製造所要時間の短縮化等製造効率の改善が達成
できる。
更に本発明に係る装置の製法に詔いては、光導電体２５
上に個別電極２６を真空蒸着法により、次いで光導電体
２５の露出部に樹脂などの保護層２７を印刷法や塗布法
により形成して２８０℃以下の加熱により固化するとい
う比較的緩かな条件になるため、例えばアモルファス光
導電体２５の特性が劣化することもなく、Ｓ／Ｎ比に優
れた高品質な読み取り装置となる。
上に個別電極２６を真空蒸着法により、次いで光導電体
２５の露出部に樹脂などの保護層２７を印刷法や塗布法
により形成して２８０℃以下の加熱により固化するとい
う比較的緩かな条件になるため、例えばアモルファス光
導電体２５の特性が劣化することもなく、Ｓ／Ｎ比に優
れた高品質な読み取り装置となる。
また本発明の読み取り装置においては、反射光αを透光
性基板２１側から入射させて各光電変換素子毎の光通過
孔２３を通しているた′め、素子に無駄のない投光を行
っており、光導電体２５のうち素子間の利用されない部
分に露光されることもない。
性基板２１側から入射させて各光電変換素子毎の光通過
孔２３を通しているた′め、素子に無駄のない投光を行
っており、光導電体２５のうち素子間の利用されない部
分に露光されることもない。
よって、これに伴うもれ電流が発生しないようになって
いる。。
いる。。
更にまた透光性共通電極２２や遮光性金属層２４にピン
ホールが発生しても、第４図の装置で述べたような素子
の正確な読み取りに何ら支障がないことは明白である。
ホールが発生しても、第４図の装置で述べたような素子
の正確な読み取りに何ら支障がないことは明白である。
本発明の装置は、金属性遮光層２４が導電体であるため
、透光性共通電極２２を広範囲に形成する必要はなく、
それぞれの光通過孔２３の大きざよりも大きい限りにお
いて、金属性遮光層２４と導通するため、何ら差支えな
い、。
、透光性共通電極２２を広範囲に形成する必要はなく、
それぞれの光通過孔２３の大きざよりも大きい限りにお
いて、金属性遮光層２４と導通するため、何ら差支えな
い、。
更に本発明、の装置の変形例として、第５図中、透光性
共通電極２２と金属性遮光層２４を入れ替えても前述と
同等の効果が達成できる。
共通電極２２と金属性遮光層２４を入れ替えても前述と
同等の効果が達成できる。
以上の通り、本発明の読み取り装置においては製造工程
の簡略化を達成したのに加え、光導電体の本来の品質を
損うことなく、鮮鋭度の向上した読み取り画素を正確に
現出することができ、高品質且つ高信頼性の読み取り装
置が提供される。
の簡略化を達成したのに加え、光導電体の本来の品質を
損うことなく、鮮鋭度の向上した読み取り画素を正確に
現出することができ、高品質且つ高信頼性の読み取り装
置が提供される。
尚、本発明は上記実施例に限らず、本発明の要旨を免税
しない範囲で他の読み取り装置など種々の変更は可能で
ある。
しない範囲で他の読み取り装置など種々の変更は可能で
ある。
第１図は集束性ロッド・レンズ・アレイを使う密着型読
み取り系の斜視図、第２図及び第４図は読み取り装置の
先行技術を示す斜視図、第３図は第２図の読み取り装置
の要部断面図、第５図は本発明の読み取り装置を示す斜
視図である。
み取り系の斜視図、第２図及び第４図は読み取り装置の
先行技術を示す斜視図、第３図は第２図の読み取り装置
の要部断面図、第５図は本発明の読み取り装置を示す斜
視図である。
Claims (1)
- 光源が原稿を投光して該原稿からの反射光が実質上原稿
と寸法的に１：１に対応させた光電変換素子アレイで受
光されて成る読み取り装置において、前記原稿に対向し
て透光性基体が設けられ、且つ該透光性基体上に、少な
くとも、複数の光電変換素子の第１電極を電気的に接続
して成る透光性共通電極、前記反射光の光通過孔を設け
た遮光層、光導電体、第２電極を順次形成するか、もし
くは、少なくとも、該遮光層、該透光性共通電極、該光
導電体、該第２電極を順次形成したことを特徴とする読
み取り装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128530A JPS617766A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 読み取り装置 |
| US06/747,062 US4719345A (en) | 1984-06-21 | 1985-06-20 | Reading apparatus with improved clarity |
| DE3546820A DE3546820C2 (de) | 1984-06-21 | 1985-06-21 | Leseeinrichtung |
| DE3546717A DE3546717C2 (ja) | 1984-06-21 | 1985-06-21 | |
| DE19853522314 DE3522314A1 (de) | 1984-06-21 | 1985-06-21 | Leseeinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
| US06/945,072 US4703169A (en) | 1984-06-21 | 1986-12-18 | Reading apparatus having PIN structure wherein storage and parasitic capacitance differs |
| US06/944,833 US4740710A (en) | 1984-06-21 | 1986-12-18 | Photo-detector apparatus for a reading apparatus and producing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128530A JPS617766A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 読み取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617766A true JPS617766A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14987027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128530A Pending JPS617766A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 読み取り装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719345A (ja) |
| JP (1) | JPS617766A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221818U (ja) * | 1988-07-13 | 1990-02-14 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193165A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
| US5372871A (en) * | 1992-03-10 | 1994-12-13 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Circuit board for optical element |
| GB2332270A (en) * | 1997-12-10 | 1999-06-16 | Mars Inc | Charge storage photoelectric measurement |
| JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
| JP2012124262A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58195356A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS58201357A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4149197A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-10 | Northern Telecom Limited | Direct imaging apparatus for an electronic document transmitter utilizing a linear array of photo-detectors |
| JPS6030151B2 (ja) * | 1979-10-19 | 1985-07-15 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS56136076A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-23 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5884568A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| US4445117A (en) * | 1981-12-28 | 1984-04-24 | Hughes Aircraft Company | Transistorized focal plane having floating gate output nodes |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59128530A patent/JPS617766A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-20 US US06/747,062 patent/US4719345A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58195356A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS58201357A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221818U (ja) * | 1988-07-13 | 1990-02-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4719345A (en) | 1988-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6326592A (ja) | Ｘ線写真用パネルおよびその製造方法 | |
| US4650984A (en) | Photosensor array for treating image information | |
| JP2584774B2 (ja) | 密着型光電変換装置 | |
| JPS6115626B2 (ja) | ||
| JPS617766A (ja) | 読み取り装置 | |
| US11194063B2 (en) | X-ray detector having driver micro integrated chips printed on photodiode layer | |
| JPH0126547B2 (ja) | ||
| JPS61189065A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS61199660A (ja) | 密着型光電変換装置 | |
| JPH05276313A (ja) | 画像読取表示装置及びその駆動方法 | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| JPH07288651A (ja) | 半導体装置及び光電変換装置 | |
| JP2830177B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH04309060A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS60263457A (ja) | 混成集積化光センサ用光電変換素子アレイ | |
| JP2511315Y2 (ja) | 光源一体型イメ―ジセンサ | |
| JPS6037161A (ja) | 光電変換素子 | |
| US20020131001A1 (en) | Electro-optical device having an ITO layer, a SiN layer and an intermediate silicon oxide layer | |
| JPH0522517A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS60147173A (ja) | フオトセンサアレ− | |
| JPS60134463A (ja) | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 | |
| JPS61280659A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ− | |
| JPH0230586B2 (ja) | ||
| JPS61255059A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JPS6211545B2 (ja) |