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JPS6177031A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents

液晶パネルの製造方法

Info

Publication number
JPS6177031A
JPS6177031A JP19880284A JP19880284A JPS6177031A JP S6177031 A JPS6177031 A JP S6177031A JP 19880284 A JP19880284 A JP 19880284A JP 19880284 A JP19880284 A JP 19880284A JP S6177031 A JPS6177031 A JP S6177031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent electrode
liquid crystal
metal layer
electrode layer
crystal panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19880284A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Naka
中 敏明
Fumiaki Yamada
文明 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP19880284A priority Critical patent/JPS6177031A/ja
Publication of JPS6177031A publication Critical patent/JPS6177031A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶パネルの不表示領域を減少させ、コントラ
ストのより良い液晶パネルの製造方法に関するものであ
る。
液晶による表示は電子2通信機器を始め、玩具や雑貨に
まで利用されている。液晶パネルは消費電力が少なく、
また薄形表示として各方面に幅広く活用されている。
〔従来の技術〕
第3図は従来技術による液晶パネルの要部構成を示す図
である。
第3図において、ガラス基板1の表面にインジューム化
合物を主成分とする透明電極層2を、厚さCでコーティ
ングされている。
この透明電極N2の表面に図示されていないフォトリソ
工程を行い、透明電極層2を50μm〜60μmの溝幅
aで工゛ツチング加工を行う。このことは、隣接する透
明電極2の最小間隙すを10μm〜20μm確保するた
めのものである。このようにして得られたガラス基板1
.11を、透明電極2,12が格子伏に交わり、かつ対
向するように係着し、ガラス基板1.11間に液晶を封
入して作られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記による液晶パネル製造法において透明電極の導体抵
抗を一定とするために透明電極層の厚さを小型液晶パ名
ルでは数百人、大型液晶パネルではそれ以上と厚くコー
ティングする必要がある。
透明電極層が厚くなれば当然エツチング処理時間も長く
なるため、エツチング液と透明電極層との反応速度か場
所により差異を生じてくる。またフォトレジストと透明
電極との密着が均一でないため1.密着性の悪い場所に
おいては、透明電極層とフォトレジストの眉間よりエツ
チング液が浸透し透明電極層と反応してしまう。透明電
極間隙はフォトレジストにて指示した間隙より10μm
〜20pm広い70μm〜80μmになる場所もあれば
、フォトレジストと透明電極層の密着のよい場所におい
てはフォトレジストにて指示した通りの間隙となる場所
もある。
このため液晶パネル全体において透明電極の溝幅を一定
とするような精度の高い加工が困難であった。
〔問題を解決するための手段〕
本発明の目的は上記問題を解決し、高コントラストの液
晶パネルの製造方法を提供するもので、その手段は、透
明電極を設けた基板間に液晶を封入してなる液晶パネル
において、該透明電極上に金属層を重設し該金属層をマ
スクとして透明電極層のエツチング加工を行うことによ
りなされる。
〔作 用〕
上記液晶パネルにおいて、透明電極層上に金属層を設の
たことにより透明電極層と金属層との密着が強固に、か
つ均一になった為、透明電極層と金属層の間にエツチン
グ液の浸透がなくなったこと、また金属層を透明電極の
配線パターンとして用いることにより、導体抵抗を減す
ることができ透明電極の厚みを薄くできる。このことに
より、エツチング時間を短くし、溝間隙も従来50μm
〜60μmであったが3μm以上と微細な加工を可能と
した。
〔実施例〕
以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は本発明の・一実施例である液晶パネルの要部構
成を示す図。
第2図は本発明の一実施例である液晶パネルのパターン
形成工程を示した図。
第1図において、ガラス基板1の片面にコーティングさ
れた透明電極層2を対向する透明電極12との間隙dよ
り広い間隙の溝aで分割した透明電極パターン2を多数
設け、さらに透明電極パターン2の溝に沿って金属4配
線パターン3が重設されている。この金属4配線パター
ン3を透明電極パターン2の配線パターンとして用いる
このような構成により成されているガラス基板1.11
をそれぞれ透明電極パターン2,12および金属層配線
パターン3,13が格子状に交わり1.かつ対向するよ
うに係着し、その間に液晶7を封入して作られている液
晶パネル。
次にパターン形成について第2図を用いて詳細に説明す
る。
第2図(alはカラス基板1の片方の表面に透明電極層
20を厚さC約500人と薄くコーティングする。さら
に透明電極層20の表面に金泥層30を重設する。
重設された金属l1i30に対し透明電極層20を分割
するのと同一寸法のマスク16の上面より平行光線15
を照射し、金属層30の表面に焼付ける。
金W530は焼付されたパターンに沿ってエツチングが
行われ、第2図(blで示す溝寸法aで分割された金属
層31が得られる。
金属層30を分割する溝寸法aは透明電極20と対向す
るガラス基板[1にコーティングされている透明電極1
2との距離dより大とするが溝寸法aは3μm以上であ
れば自由に設定できる。
次に金属層31をマスクとして、透明電極層20をエツ
チング加工する。金属層31と透明電極層20との密着
(itがよいこと、また透明電極層20の厚みCが薄い
ことにより、金属層31の溝寸法aの幅で透明電極層2
0を分割し、第2図(C)で示す透明電極パターンを得
ることができる。
次に第2図(diにて示すとうり金属層31に対し配線
パターンを設けたマスク17を用いフォトレジストを金
属層31に焼付ける。焼付けられたバターンに沿ってエ
ツチングが行われ、第2図(e)に示す金属層による配
線パターン3が透明電極2の溝に沿って形成される。こ
のようにして各パターンが完成される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、透明電極表面に
金属層を設けることにより透明電極の導体抵抗を減じ、
透明電極層を薄することを可能にし、金属層が透明電極
層との密着性が強固であるためエツジの鋭い透明電極パ
ターンを形成させることが可能となった。このことから
微細なパターン形成も可能となり不表示領域を小とする
ことによりコントラストの良い表示が得られ液晶パネル
の応用分野も拡がり好都合である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である液晶パネルの要部構成
を示す図、第2図は本発明の一実施例であるパターン形
成を示した図、第3図は従来技術による液晶パネルの要
部構成を示す図。 1、】1はガラス基板、2.12は透明電極パターン、
20は透明電極層、3.13は金属配線パターン、3(
1,3]は金属層、7は液晶115は平行光線、16.
17はマスクパターンをそれぞれ示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)透明電極を設けた基板間に液晶を封入してなる液晶
    パネルにおいて、該透明電極上に金属層を重設し、該金
    属層をマスクとして透明電極のエッチング加工を行うこ
    とを特徴とした液晶パネルの製造方法。 2)前記透明電極のエッチングマスクとして用いた金属
    層の開口部の幅を3μm以上としたことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の液晶パネルの製造方法。
JP19880284A 1984-09-21 1984-09-21 液晶パネルの製造方法 Pending JPS6177031A (ja)

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JP19880284A JPS6177031A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 液晶パネルの製造方法

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JPS6177031A true JPS6177031A (ja) 1986-04-19

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JP19880284A Pending JPS6177031A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 液晶パネルの製造方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01227126A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JPH02827A (ja) * 1987-12-30 1990-01-05 Shintoo Kemitoron:Kk 遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性パターンを有する透明基板および表面着色体の製造方法
JPH03246516A (ja) * 1990-02-26 1991-11-01 Canon Inc 遮光層の形成方法

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02827A (ja) * 1987-12-30 1990-01-05 Shintoo Kemitoron:Kk 遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性パターンを有する透明基板および表面着色体の製造方法
JPH01227126A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
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