JPS6163043A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6163043A JPS6163043A JP18416984A JP18416984A JPS6163043A JP S6163043 A JPS6163043 A JP S6163043A JP 18416984 A JP18416984 A JP 18416984A JP 18416984 A JP18416984 A JP 18416984A JP S6163043 A JPS6163043 A JP S6163043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- notch
- bed
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置用リードフレーム、特にＶＬＳＩ等
の８集積度の半導体素子をマウントする金属製リードフ
レームに関する。
の８集積度の半導体素子をマウントする金属製リードフ
レームに関する。
（発明の技術的背景）
半導体ペレットをリードフレームに載せてモールド封止
する方法は、半導体装置の製造に広く用いられている。
する方法は、半導体装置の製造に広く用いられている。
第２図（ａ）に従来のリードフレームの一例を示ず。リ
ードフレーム１はベッド部２と、リード部３と、吊りピ
ン４と、から構成される。ベッド部２には半導体ペレッ
ト５がマウントされる。一般にベッド部２の一辺は半導
体ペレット５の一辺に比べ０．１〜０．２ｍ程度大きく
設計される。これは半導体ベレン１〜５をマウントする
ときに、ずれが生じ、ボンディングパッド６がベッド部
２からはみ出してしまうと、ワイヤボンディング時のボ
ンディング圧力により半導体ベレッ１〜５が歪み、クフ
ッソ台が発生するので、あらかじめマウント誤差を考慮
してベッド部を大きめに設計する必要があるためである
。第２図（ａ）に示すリードフレームの切断線ｘ−ｘ’
における断面図を第２図（ｂ）に示す。
ードフレーム１はベッド部２と、リード部３と、吊りピ
ン４と、から構成される。ベッド部２には半導体ペレッ
ト５がマウントされる。一般にベッド部２の一辺は半導
体ペレット５の一辺に比べ０．１〜０．２ｍ程度大きく
設計される。これは半導体ベレン１〜５をマウントする
ときに、ずれが生じ、ボンディングパッド６がベッド部
２からはみ出してしまうと、ワイヤボンディング時のボ
ンディング圧力により半導体ベレッ１〜５が歪み、クフ
ッソ台が発生するので、あらかじめマウント誤差を考慮
してベッド部を大きめに設計する必要があるためである
。第２図（ａ）に示すリードフレームの切断線ｘ−ｘ’
における断面図を第２図（ｂ）に示す。
近年半導体素子の多機能複雑化により半導体ペレットの
大きさが大きくなる一方、これを一定の大きさのパッケ
ージに納めることが要求されている。このため第２図（
ｂ）に示すようにベッド部２とリード部３との間隔は狭
くなる傾向にある。
大きさが大きくなる一方、これを一定の大きさのパッケ
ージに納めることが要求されている。このため第２図（
ｂ）に示すようにベッド部２とリード部３との間隔は狭
くなる傾向にある。
特にパッケージの横方向（Ｘ−Ｘ’力方向の余裕は少な
く、リード部３はベッド部２にかなり接近してモールド
されることになる。このようにリード部とベッド部との
間熱が狭くなるとこの間に充填されるモールド樹脂は薄
くなる。一般にモールド樹脂とリードフレームとの熱膨
張率には１桁行度の相違があるため、パッケージを温度
変化のある環境におくとこの熱膨張率の相違に起因する
応力が発生する。そしてモールド樹脂に薄い部分がある
と、この部分に応力による亀裂が生じることになる。特
に高温と低温とを周期的に繰返す使用環境において、こ
の亀裂の発生が著しく、半導体装置の信頼性を低下させ
ることになる。リード部とベッド部との間隔を広げるた
めにリード部を短くする方法もあるが、この方法ではモ
ールド樹脂中のリード部が短くなるためリード部の強度
が低下し好ましくない。
く、リード部３はベッド部２にかなり接近してモールド
されることになる。このようにリード部とベッド部との
間熱が狭くなるとこの間に充填されるモールド樹脂は薄
くなる。一般にモールド樹脂とリードフレームとの熱膨
張率には１桁行度の相違があるため、パッケージを温度
変化のある環境におくとこの熱膨張率の相違に起因する
応力が発生する。そしてモールド樹脂に薄い部分がある
と、この部分に応力による亀裂が生じることになる。特
に高温と低温とを周期的に繰返す使用環境において、こ
の亀裂の発生が著しく、半導体装置の信頼性を低下させ
ることになる。リード部とベッド部との間隔を広げるた
めにリード部を短くする方法もあるが、この方法ではモ
ールド樹脂中のリード部が短くなるためリード部の強度
が低下し好ましくない。
そこで本発明はリード部の強度低下を招くことなく、温
度変化によってモールド樹脂の亀裂を生じさせないよう
な構造の半導体装置用リードフレームを提供することを
目的とする。
度変化によってモールド樹脂の亀裂を生じさせないよう
な構造の半導体装置用リードフレームを提供することを
目的とする。
（発明の概要〕
本発明の特徴は半導体ペレットを載せるベッド部と、半
導体ペレットと電気的に接続されるり一ド部と、を有す
る半導体装置用リードフレームにおいて、ベッド部の周
縁に切欠部を設け、リード部の端部とベッド部の周縁と
の間隔を広くし、モールド封止後に温度変化によるモー
ルド樹脂の亀裂を生じさせないような４ｉｌ！造とした
点にある。
導体ペレットと電気的に接続されるり一ド部と、を有す
る半導体装置用リードフレームにおいて、ベッド部の周
縁に切欠部を設け、リード部の端部とベッド部の周縁と
の間隔を広くし、モールド封止後に温度変化によるモー
ルド樹脂の亀裂を生じさせないような４ｉｌ！造とした
点にある。
（発明の実施例〕
第１図（ａ）に本発明に係る半導体装置用リードフレー
ムの一実施例を示す。第１図（ｂ）はこの実施例の切断
ＩＹ−Ｙ’ における断面図である。
ムの一実施例を示す。第１図（ｂ）はこの実施例の切断
ＩＹ−Ｙ’ における断面図である。
ここで第２図と同一構成要素については同一符号を付し
て示す。従来例との相違は、ベッド部２′が切欠部７を
有する点である。この切欠部７のためにベッド部２′の
周縁とリード部３の端部との間隔が広くなり、この間に
充填されるモールド樹脂が従来より厚くなり、亀裂が発
生しにくくなるのである。この切欠部７は、半導体ペレ
ットをマウントしたときに、ボンディングパッド６が形
成されていない領域に設けるのが好ましい。また、この
切欠部７は第１図（ａ）に示すように長方形の形状とす
るのが好ましく、その縦の長さａはベッド部２′の縦の
長さｂの０．５〜０．６倍とじ、その横の長さＣはベッ
ド部２′の横の長さｄの０．０５〜０．２倍とするのが
好ましい。
て示す。従来例との相違は、ベッド部２′が切欠部７を
有する点である。この切欠部７のためにベッド部２′の
周縁とリード部３の端部との間隔が広くなり、この間に
充填されるモールド樹脂が従来より厚くなり、亀裂が発
生しにくくなるのである。この切欠部７は、半導体ペレ
ットをマウントしたときに、ボンディングパッド６が形
成されていない領域に設けるのが好ましい。また、この
切欠部７は第１図（ａ）に示すように長方形の形状とす
るのが好ましく、その縦の長さａはベッド部２′の縦の
長さｂの０．５〜０．６倍とじ、その横の長さＣはベッ
ド部２′の横の長さｄの０．０５〜０．２倍とするのが
好ましい。
上述のリードフレームの製造は、従来の方法と同様に、
４２ＡＩｌｏｙ材等をエツチングして製造したり、機械
加工により打ち抜いて製造することができる。即ち、エ
ツチングのためのパターニングや、打ち抜きのための型
を、ベッド部に切欠部が形成されるような形状とする点
を除けば、従来の方法と全く同様の方法で製造すること
ができる。
４２ＡＩｌｏｙ材等をエツチングして製造したり、機械
加工により打ち抜いて製造することができる。即ち、エ
ツチングのためのパターニングや、打ち抜きのための型
を、ベッド部に切欠部が形成されるような形状とする点
を除けば、従来の方法と全く同様の方法で製造すること
ができる。
一般にモールド樹脂に熱エネルギを加えたときに生じる
応力を、これと同じ！ｉ撃エネルギを加えたときに生じ
る応力に換口して表わすと、次式のようになる。
応力を、これと同じ！ｉ撃エネルギを加えたときに生じ
る応力に換口して表わすと、次式のようになる。
ここでσ−よエネルギを加えたときに生じる応力、σ０
は単純引張り応力又は圧縮応力、ｈは熱エネルギを一定
荷重の物体を一定高さから落下させたときの′ｔ５Ｊ撃
エネルギに置換したときのその一定高さ、λ０は衝撃時
のモールド樹脂の伸びであ°る。
は単純引張り応力又は圧縮応力、ｈは熱エネルギを一定
荷重の物体を一定高さから落下させたときの′ｔ５Ｊ撃
エネルギに置換したときのその一定高さ、λ０は衝撃時
のモールド樹脂の伸びであ°る。
この式にσ。＝１０Ｈ／ａｉを代入し、リード部とベッ
ド部との間隔を０．０３α（従来例）としたときのλ０
を２．ｌＸ１０ｃｍ、０．１ＣＩＩ（本実絶倒）とした
ときのλ。を７．２Ｘ１０ ａｓとして応力σを計算
すると、従来例ではσ−９６２ｆ−本実施例ではσ＝５
２６Ｊπとなる。
ド部との間隔を０．０３α（従来例）としたときのλ０
を２．ｌＸ１０ｃｍ、０．１ＣＩＩ（本実絶倒）とした
ときのλ。を７．２Ｘ１０ ａｓとして応力σを計算
すると、従来例ではσ−９６２ｆ−本実施例ではσ＝５
２６Ｊπとなる。
ｈ篇
即ち、本実施例では従来例に比べて同じ熱エネルギを加
えても、発生する応力は半分程度である。
えても、発生する応力は半分程度である。
次に従来例と本実施例による半導体装置について、ＴＣ
Ｔ （丁ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｙｃｌｅ Ｔｅ５ｔ
）を行なった結果を示す。即ち、両手導体装置に第３図
に示すような温度変化を与えたときの不良品の発生率を
求めるテストを行なった。第３図の温度変化は７０分を
１サイクルとする一６５℃〜２００℃にわたる温度変化
であり、この１ナイクルの温度変化を１回とし、温度変
化を与えた回数とそれまでの累積不良率との関係を第４
図に両対数表示で示す。カーブＡは従来のリードフレー
ムを用いた半導体装置、カーブＢは本発明に係るリード
フレームを用いた半導体１４Ｈについての結果である。
Ｔ （丁ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｙｃｌｅ Ｔｅ５ｔ
）を行なった結果を示す。即ち、両手導体装置に第３図
に示すような温度変化を与えたときの不良品の発生率を
求めるテストを行なった。第３図の温度変化は７０分を
１サイクルとする一６５℃〜２００℃にわたる温度変化
であり、この１ナイクルの温度変化を１回とし、温度変
化を与えた回数とそれまでの累積不良率との関係を第４
図に両対数表示で示す。カーブＡは従来のリードフレー
ムを用いた半導体装置、カーブＢは本発明に係るリード
フレームを用いた半導体１４Ｈについての結果である。
カーブＡはサイクル回数が１５０回を越えると累積不良
率が増加を示すのに対し、カーブＢは２５０回までは累
積不良率は０である。
率が増加を示すのに対し、カーブＢは２５０回までは累
積不良率は０である。
以上のとおり本発明によれば、半導体装置用リードフレ
ームにおいて、ベッド部の周縁に切欠部を設け、リード
部の端部とベッド部の周縁との間隔を広くしたため、モ
ールド封止後にリード部の強度低下を招くことなしに温
度変化によるモールド樹脂の亀裂を生じさせないような
構造とすることができる。
ームにおいて、ベッド部の周縁に切欠部を設け、リード
部の端部とベッド部の周縁との間隔を広くしたため、モ
ールド封止後にリード部の強度低下を招くことなしに温
度変化によるモールド樹脂の亀裂を生じさせないような
構造とすることができる。
第１図は本発明に係るリードフレームの一例を示す説明
図、第２図は従゛来のリードフレームの一例を示す説明
図、第３図および第４図は本発明の効果を示すためのＴ
ＣＴ実施の条件および結果を示すグラフである。 １・・・リードフレーム、２・・・ベッド部、３・・・
リード部、４・・・吊りピン、５・・・半導体ペレット
、６・・・ボンディングパッド、７・・・切欠部。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 鴬３図 第４図 サイクル回数（回）
図、第２図は従゛来のリードフレームの一例を示す説明
図、第３図および第４図は本発明の効果を示すためのＴ
ＣＴ実施の条件および結果を示すグラフである。 １・・・リードフレーム、２・・・ベッド部、３・・・
リード部、４・・・吊りピン、５・・・半導体ペレット
、６・・・ボンディングパッド、７・・・切欠部。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 鴬３図 第４図 サイクル回数（回）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットを載せるベッド部と、前記半導体ペ
レットのボンディングパッドと電気的に接続されるリー
ド部と、を有する半導体装置用リードフレームにおいて
、 前記ベッド部の周縁に切欠部を設け、前記リード部の端
部と前記ベッド部の周縁との間隔を広くするようにした
ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 ２、ベッド部の、ボンディングパッドが形成されていな
い半導体ペレット領域を支持する部分の周縁に切欠部を
設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置用リードフレーム。 ３、ベッド部が長方形の板片に切欠部を設けた形状であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体
装置用リードフレーム。 ４、切欠部が、長方形の板片の縦の対辺に沿ってそれぞ
れ設けられた長方形の形状をした１対の切欠きであり、
この長方形の切欠きの縦の長さは前記板片の縦の長さの
０．５〜０．６倍であり、この長方形の切欠きの横の長
さは前記板片の横の長さの０．０５〜０．２倍であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体装置
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18416984A JPS6163043A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18416984A JPS6163043A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163043A true JPS6163043A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16148568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18416984A Pending JPS6163043A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163043A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05211271A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5334803A (en) * | 1991-10-30 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing the same |
| US5844306A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Die pad structure for solder bonding |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18416984A patent/JPS6163043A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334803A (en) * | 1991-10-30 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing the same |
| USRE35496E (en) * | 1991-10-30 | 1997-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing the same |
| JPH05211271A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5844306A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Die pad structure for solder bonding |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6815217B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6163043A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH10116934A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06104364A (ja) | リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型 | |
| US6194779B1 (en) | Plastic mold type semiconductor device | |
| JP2549634B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS634354B2 (ja) | ||
| JP4015490B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60138949A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS5867035A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06120270A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59155159A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS5928985B2 (ja) | 金属基板の接続方法 | |
| JPS61259550A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR0131890Y1 (ko) | 리드 프레임 | |
| JPH0661378A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59134862A (ja) | リ−ドフレ−ム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| KR20060011033A (ko) | 반도체 패키지의 휨현상 감소를 위한 리드프레임 | |
| JPH03265161A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02292848A (ja) | リードフレームのポリイミド被膜形成方法 | |
| JPS603782B2 (ja) | 回路素子取付用基板 | |
| JP2550733B2 (ja) | 集積回路パッケージの製造方法 | |
| JPH06244335A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS63205938A (ja) | 半導体リ−ドの成形法 | |
| JPS6358949A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |