JPS6162845A - 有機材料の含水率を測定する方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、有機材料、好ましくは木材の含水率を測定す
る方法およびその装置に関する。

桐相の含水率乞決定してその水分の測定値を得ることは
種々の分野でしはしば必要となり、あるいは望まれてい
る。

本位１つ］が適用されるそのような分野のひとつとして
、製月所のいわゆる選別部門での木材片の処理がある。

ここでは前工程の乾燥工程を最適化するだめに木材片の
水分を知ることが必要である。

本発明む１、和１および水相のチップの含水率を測定し
たい時にも適用できる。

しかしながら本発明は特定の適用分野に限定されるもの
ではなく、η林、拐１の含水率の測定に関するものであ
る。

（従来の技術） １機１：」料の含水率を測定するひとつの方法は、材料
中に電界もしくは霜磁界乞つくることにある。

電磁界の霜播率あるいは拡散率は主として材料に含まわ
る水によって影響を受ける。この水分は、通常、抵抗ル
）るいは容Ｍ′ｆｔ測定することによって決定される。

こＪｌらの飴は水を含んだ相和の複晃拐料定距くの６１
１］定値である。拐狛定養ｙは複素誘電率として知られ
、実数成分と虚結成分ε′およびど′より成り、ここで
ε′は誘電率でありε“は材料の損失の測定値であり、
ｔａｎδ＝ε“／ε′である。

含水率は ｍ−Ｗｄ ｗ、１ として定義され、ここにＷｎｌは湿気状態でのＵ旧の重
さであり、セしてＷｄは乾燥状態での材料の１１さであ
る。

乾燥状態での材料の密度が既知であって、かつ、一定で
ある時は、含水率は水分を測定することによって単純に
決定できる。しかし多くの’Ｍ＆２ｔ４料、たとえば、
木材の密度は釉々変化している。水分の真の値を得るた
めには、水分と材料の密度の両方を測定する必要がある
。

上様材料の水分と密度をマイクロ波を用いることによっ
て決定することも知られている。このような方法は、マ
イクロ波電力ジャーナル１５（４）、１９８０年、紀２
０９頁から２２０頁のクラスツエブスキー　ｘ　−（Ｋ
ｒａｓｚｅｗｓｋｉ　、　　Ａ　）による文献゛マイク
ロ波水分定量−評論”に記載されている。一般的に、こ
のような方法を行う時には１個のトランスデユーサしか
必要としないと言える。

２個の値、すｔ「わち水力と密度を決定できるためには
、２個のパラメータを用いる必要かある。これに関連し
て、材料中を伝播したマイクロ波信号のダンピングと位
相シフトすなわち位相変化とが測定さねている。これら
２個の値は、以下の関係に従って誘電率と関連づけられ
ている。

ここでｆは周波数、ωは角速度、ｄは厚さ、０は光速、
Ａは減哀（ｄＢ）、そしてＦｌは位相シフト（友）でル
）る。

ダンピング１なわち減衰ＩＪｊ　Ａは水分の迎１定値で
あり、そして位相シン）Ｆｌは密度と水分の測定値であ
る。

前述のクラスツエブスキーの文献には、糖１２式におい
てＡ　＝　Ｆｌ　（Ｗｗ、　　Ｗａ　）かつＦｌ　＝　
Ｆ２　（Ｗｗ　＋　　Ｗａ　）として与えら１ている。

ここにＷｗは相別中の水の市さ、Ｗｄｌ　Ａ本、よＯＦ
ｌは前述の意味を有し、モしてＦｌおよびＦ２は異なっ
た１ダ１数ケ表わしている。

含水率は相和の密度と厚さの両方から各々独立して決定
できるという立場をクラスツエプスキーはとっている。

このことは一般的なモデル形態を説明している前述の第
１２式に対しては一般的にあてはまらず、クラスツエブ
スキーの第１３式にとり入れられた特定のモデルを使用
する時のみあてはまる。すなわち、 て、ここにＶは拐料の体積でありに工からに４は定数で
ある。

しかしながら、密度と厚さを渚慮することなしに第１６
式ケ用いて有機＃料の含水率を測定することは以下の場
合を除いて不可能である。即ち、単位面積当たりの水分
（Ｗｗ／Ｙ）の関数としてのダンピングＡが厚さに無関
係に一本の直線として表わされる材料の場合と、学位面
積当たりの水分（Ｗｗ／Ｙ）の関数としての位相シフト
アルし・は位相変化が厚さによって変化しない月別の場
合とである。Ｗｗ／Ｙの関数としてのＡとＷｗ／Ｙの臥
１＠又としてのＦｌとの関係は各々以下に曲り１する。

厚さ及びまたは密度の変化する自←よ月別の含水率を高
確用で測定１−る問題は不発り］Ｋよって触か」する。

（発明の構成） 従って、不発り４は、含水率を決定ｊる第３８日＋：、
　＝、ｙイクロ波を伝播し、この月１１の中を伝播した
伐のマイクロ波馨受伯し、相和の中を伝播したマイクロ
波のダンピングＡとその位相変化１′１ヲ決定し、決定
されたダンピングＡおよび位相変化Ｆ１のイ１１！！ヲ
用いて相別のいわゆる含水率ケ確定す７２、Ｕ％−４、
慣に上様制別の含水率の測定力法であって、項（Ｗｗ／
Ｙ）を式 から決定し、ここにＡは測定さ渚またダンピング、ｔは
材料の厚さ、Ｋ□およびに３は定しであって校正プロセ
スによって決定され、そして項Ｗｗ／　Ｙは単位面積当
たりの水の１稲であり、そして、ｆｊ４（Ｗｄ　／　Ｙ
　）を式 から決定し、ここにＦｌは測定された位相変化では材料
の厚さであり、項Ｗｄ　／　Ｙは乾燥状態での単位面積
当りの相別の重さであり、Ｋ４．に５．に６は定数であ
って校正プロセスによって決定され、そして公知の方法
によって（Ｗｗ／　Ｙ　）　／　（Ｗｄ／　Ｙ　）の比
から含水率を得ることを特徴とする含水率の測定方法に
関するものである。

本発明は、慣許り求の範囲第４項に記抄され、そこにｕ
ｉ］示されている特徴を有した装置に関するものでもあ
る。

り゛ンビングＡは、変数（Ｗｄ／Ｙ）、ｊなわち乾燥状
態での単位面積当りの＋ａ狛の１１さよりもむしろ材料
の厚さに影響され、かつ、大多数の１機材別の場合には
位相変化あるいは位相シフ）Ｆｌは、単位面積当りの水
分（Ｗｗ／Ｙ）の関数として厚さによって変化するとい
う理解のもとに本発明は依存してい４）。

上述のｍ位面積Ｙはマイクロ波の伝播方向にｒｒ＋角な
面私を意味している。工自（Ｗア／Ｙ）及びら略記され
たもので、ここにＶは月相の体積そしてｔはその厚さで
ある。

本発明が適用されるいくつかの分野においＣは、材料の
厚さによる依存性を除こうと試みてもなんの利点も得る
ことがなく、含水率の値かより不正確なものを彷てしま
り。こわに反して、普通、拐ネ・１のＮさは知られてい
る。たとえば順相ｈ１の場合がそうであって、厚さ測定
器は身近かにあることが多く、あるいは、容易に設備す
ることができる。

相別の厚さケ測定することによって、あるいはその厚さ
が知られている時には、濁料の密度が変化する隻”８に
おいても本発明によって高確度の含水率を測定すること
ができる。従って木口の３水率を測定したい時本！ｌ＝
、町はとりわけ利虚ケ有１−る。

例えは、松とトウヒのような異なった属の材木間では密
度けばなはたしく変化する。

本発明を添付の各図面乞各々参照して以下に説明−ｊｌ
　ン５ン。

本発明によ才１ば、ダンピングＡは以下の関係式によっ
て決定さＪする。

ここにｔ目′厚さであり、Ｋ１．に２およびに３は定数
である。

例えは１６　ＧＨｚのマイクロ波周波数の場合、定従っ
て が街ら八る。

本発明によ才］ば位相変化Ｆ１は次の関係式によって決
定されろ。

ここにに４．に５．に６は定数である。

（実施例） 上の関係式（１）に関して、第１昭１は即位与さ当りの
ダンピングＡ／ｌ　　と即位体積当りの相別の水の曲り
を過ぎた後はこのＷＪ係はほぼ直紛的である。

関数は墳Ｗｄ／Ｙに対してほとんど依存しない。この非
依存性はマイクロ波周波数が高くなるに従って増加する
。＆１．１図に示す関係ば１６ＧＨｚのマイクロ波周波
数に対しての一般的な状Ｖ１４な示［７ている。２０か
ら２４　ＧＨｚのさρ）に高イＩｉ！ｉ′Ｉ１．ｔ、に
オイてば］１．　Ｗ、１　／　Ｙ　の依存性はプを際上
零である。例えは２４５３　ＭＨ，ｚの低い周波数では
項Ｗｄ／Ｙは無視することができず、依存性はより太き
い。

一般的観点によりは、ダンピングあるいは減衰は材犯に
含まわる水によってより粉細に影響され、そして位ａ変
化は高周波での密度によってさ「〕に大幅に影響される
。この影響は２ｒＪから’１４　ＧＨｚにおいて最高で
ある。

したがって好ましい実施例によれは１２０Ｈ２以上で２
４　ＧＨｚ以下、好ましくは１１１５ＧＨｚのマイクロ
波周波数が用いられている。

第２回目、厚さｔｌ、ｔ２．ｔ３乞■した材料に対する
単位面積当りの水の１１さく　Ｗｗ　／　Ｙ　）　（７
）　関Ｄ　（！：してのダンピングＡの関係を示してお
り、これは第１図に示した関係において変数７を倍した
ものと同じ関係である。第２図は第１図に示した曲線に
文」応した６本の曲線を示している。すべての曲線は谷
曲線の名曲りの下側で共通の傾きを１している。

水の含有か少ないところでなせ曲りが得られるかを物理
的に説明すると、水が有機材料にいっそう強固に結合し
、このため水の含七が多いところでより緩やかに結合さ
ねた水の分子と同程度にはマイクロ波に影響を与えない
からである。

本発明による関係式（２）は曲りの右側の曲線から得て
いる。曲線のこの部分は学位面積当りの水の車さＷｗ、
／　￥とじてのダンピングＡを説明している。

曲り目示の食上が非常に少ないところで生じる。

第１図においてｃ、　ｗｗ／　Ｖ　）　ｋとして弄わさ
れている曲りは卯、２図の曲り（Ｗｗ／Ｙ）ｚに対応す
る。

第１図及び第２図の関係式によりは、 は厚さｔｌに適用される。従って厚さｔ２＝　２　ｔ１
０月別片に関する関数を検討するときには以下の関係が
適用される。

第２図かられかるように、関係式（２）の最後の和は各
々の曲線がＡ４１＋ｖ切る場肋、１なわち、各々に３・
ｔｌ、２・Ｋ３・ｔｌおよび６・Ｋ３・ｔｌの自白を説
明している。

従ってＡ軸とのダ点は＄　Ｗ、１　／　Ｙでを」なく厚
さｔに依存している。か１述のクラスツエブスキーによ
る関係式 しかしながら実際上は、ダンピングのＷｄ／Ｙおよびｔ
に依存する関係が見出されている。この関係の主要部分
は比例的である。ダンピングに影響を与えるのはＷｄ／
Ｙではなく厚さであるという物理的な事実から、厚さを
変数として使用した場合によりよい結果が得られる。

従って本発明によればダンピングＡの影響に関して上述
の関係式（２）が使われる。厚さｔを測定して関係式す
なわち等式に代入するとともに、測定されたダンピング
Ａ　（７）値も代入する。そこで唯一これは測定された
厚さ尤の値とともに上述の等式（３）に代入される。

既に述べたように、大多数の１機桐狛の場合、り゛ンピ
ングＡが影響を受けたと同様に、位相変化あるいは位相
シフトＦ１は単位面積当りの水分の関数として厚さに影
響を受ける。この影響は」述したと同じ物理的な根拠を
有している。

第３図は牟位体積当りの水分（Ｗｗ／Ｖ）の関数として
単位厚さ当たりの位相変化（Ｆ　１　、／　ｔ　）を示
す。図かられかるように、各々の曲線はとわも絽１図の
曲線とほぼ同じ形’ｉｔ＠シ、％徴的な曲りを示してい
る。さらに、材料の密度は、島密序を示す曲線が下側の
曲線と平行に上方に移動するようにして、関数に影響を
与えることがわかる。密度ｄ２は密度ｄ１よりも高い。

第４図は部位弄面槓当りの水分（Ｗｗ／Ｙ）の関数とし
ての位相変化ＦＩＬ示す。

第４図かられかるように、第２図に示した曲線と対応し
た曲線が得られ、複数の平行曲線が第１の傾き曲線部分
から延び出している。卯、３図に見られるように、Ｆ１
軸での第１の傾き曲線部分の位置は密度に依存している
。第１の傾き曲線部分から延出する曲線は互いに平行で
あって、その位置は拐料の厚さｔによって決定される。

即４図かられかるように、曲線は、厚さがｔ３〉ｔ２〉
ｔ□と大きくなるにつれてより大きな値のＷｗ／Ｙの方
向にづれてゆく。

第４図は、Ｆ１／ｌとＷｗ／ｖの関係が曲りを示現する
ような材ｔ１１すなわち、大多数の七枡相ｔ１の厚さに
位相変化Ｆ１が依存していることをも示している。

位相変化Ｆ１が測定され、さらに関係式あるいは等式（
３）に代入され、しかる後に唯一の未知類従って厚さの
依存性に対していささかの注意も払わなかった場合より
も数段正確であるので、関係また、位相変化あるいは位
相シフ）Ｆｌが厚さによって直接影響されるようにし、
従って関係式（３）のように項に６・ｔを代入すること
によって、項乾燥木相等のある種の有機材料の密度は、
例えば松とトウヒの間では非常に変化する。従って、な
ぜならば本発明をたとえは製拐所に適用するとである。

定数によ＋　　Ｋ３＋　Ｋ４＋　　Ｋ５＋　　Ｋ６は従
来の校正ゾロセスによって決定される。

Ｗ 既に述べたように、関係式（２）が水分なＩ右の厚さの
関数として決定し、項（Ｗｗ／Ｙ）が関係式（３）に代
入され、これによって、ＴＪ（Ｗｄ／Ｙ）が埋さの関数
として決定される。七のたぬ、相別の１９さ及びまたは
密度が変化しても含水率の正確な値が得らねる。

第２図および第４図による曲線の特徴は有機材料に対し
て曲りの下側での共通の傾きから形成されているので、
厚さ及びまたは密度かその都度変化したりあるいは岸−
材料片内において変化したりする有機材料の含水率を決
定するのに本発明を適用することは喘に利点がある。

有８：拐料の含水率の測定を複雑化する要因は、多くの
有機材料がその水分が増加するとふくらみ、すなわち体
積を増すことである。水制はこの種別料の典型的な例で
ある。この場合、密度の水分に対する依存性を補償する
ことが好ましい。

本発明の特に重要な実施例によれは、材料の水分に対す
る材８］の密度の依存性の補償がなされる。

この場合、材料の密度はその時の水分において以下の関
係式によって測定される。

ここに頂（Ｗｄａ／Ｙ）は材料の水分に起因する密度変
化ヶ補償したａ（Ｗｄ／Ｙ）である。

この関係式は二次多項式である。Ｗａａ　”　ｆ（Ｗｗ
）の関係は実験的に各材料に対して測定され、それによ
って定数に７およびに８が決定される。

から得られた値は、関係式あるいは等式（４）に代入さ
れる。

して得られる。即ち このようにして得た含水率は極めて正確な４ｉ別の水分
の値を与える。

以上の説明から、材料の厚さ及’ＣＦまたは密度が変化
し、さらに、材料の水分によって密度が変化１−る時に
有機材料の含水率を高確度で測定することの上述の困難
ケ本発明が解決することは明白である。

第５図はＨ料の含水率乞測定する本発明による装置にの
構成を示−ｒ図である。

鎖線で規定された領域内に位置１”る構造１は公知のも
ので、従って簡単にしか説明しない。

構造１は周波数ｆｏの信号を発生するマイクロ波発振器
２を含む。この信号はいわゆる３　ｄＢ　−ハイブリッ
ド３に通され、ここで基準チャネル４と測定チャネル５
とに分波される。第２の発振器６は周波数ｆ１の信号２
発１生し、この周波数ｆ□は周波数ｆｏよりもかなり低
い。

本発明の好ましい実施例によれは、周波数ｆ。

は１’ｌ　ＧＨｚ以上であり２４　ＧＨｚ　ＪＪ下であ
り、好ましくはｉ　６ＧＨｚである。従って周波数ｆ１
は好適には約ｉ　Ｑ　ＫＨｚである。周波数ｆｏは変調
器７において周波数ｆ工で変調されて周波数ｆｏ＋　ｆ
、を形成する。形成された信号は第１のマイクロ波アン
テナ８によって伝播されて第２のマイクロ波アンテナ９
によって受信される。

含水率を決定する相別、たとえは、セ木片１０を一対の
アンテナ８，９間に介在させる。測定チャネル５で受信
した信号はミキサ１１で基準チャネル４の信号と混合さ
れ、たとえば周波数ｆ１ヲ有する信号ン形成し、この信
号は、導体１４を介した前記第２の発振器６からの信号
も直接印加されている信号処理回路１３に導体１２を介
して伝播される。各々ライン１２と１４の信号乞比較す
ることによって、公知の方法で位相変化あるいは位相シ
フトＦ１とダンピングＡが信号処理回路１３において決
定される。位相変化Ｆ１に対応する信号とダンピングＡ
に対応する信号が信号処理回路の出力１５．１６に形成
される。

本発明によりは、信号Ｆ１およびＡは、各々、各導体１
５および１６ン径てマイクロプロセッサ１７等を有する
１１算ユニツトに送られる。マイクロプロセッサ１７は
ＲＡＭメモリ等より好適に形成されたメモリ１８を有す
る。さらに、含水率ケ決定する材料ハ１０の厚さを測定
するのに好適な公知の手段１９およびまたはキーボード
等の入カニニット２０とが備えらね、ている。この入カ
ニニット２０は、なんらかの方法で決定さねたかあるい
は既知の材η片１０の厚さを入力するためのものである
。キーボード２０はマイクロプロセッサに入力された厚
さな弄示するディスプレイ２１を備えている。

手段１９および入カニニット２０は所与の犀さが記憶さ
れるメモリ１８に接続されている。

本発明によりは、コンピュータユニットは頂（Ｗ、／Ｙ
）の値ン次式によって計嘗するようになされている。

ここに、Ａは導体１６に得られたダンピング、ｔはメモ
リ１８より得らねた材料の厚さ、そして、によおよびに
３は同様にメモリ１８に記憶されている是似である。定
数に１およびに３は適切な従来の校正プロセスによって
決定され、その後、得られた値はメそりに入力される。

コンピュータは項（Ｗｗ／Ｙ）　　をメモリ１８に入力
する。

コンピュータユニット１７は、さらに、項（Ｗｄ／Ｙ）
　　の値な次式によって計算するようになされている。

ここに、Ｆｌは導体１５に得られた位相変化あるいは位
相シフトであり、ｔは材料の厚さである。

−この場合、コンピュータユニットは、項（Ｗｗ／　Ｙ
　）の値袈メモリから取出し、この値をＦｌの計算式に
代入するようになされている。定数に４＋に５＋に６は
適切な従来の校正プロセスによって決定され、その後、
得もねた瞳はメモ′りに入力される。

定数によ、に３．に４．に５及びに６は当該測定プロセ
ス７始める前に前身って決定さねている。

コンピュータユニットは、その後（Ｗｗ／Ｙ）／（Ｗｄ
／Ｙ）の泪舞を行つ′Ｃ含水率を形成するようになさ才
１ている。

・ａ水率を決定する材料の密度が水分の関鹸となる性脅
を１ｊる時に適用して利点のある本ざＧ明の好ましい実
施例によれ＋＊ｉ　、コンピュータユニットは、’ｍ　
（Ｗｗ　／　Ｙ　）および（Ｗｄ／Ｙ）の各値を決定し
た後、項（Ｗｄａ／Ｙ）の値ン項（Ｗｗ／Ｙ）および（
Ｗｄ／　Ｙ　）の値を用いて次式によって計Ｘｉるよう
になさねてい之）。

ここに、項（Ｗｄａ／Ｙ）は相別の水分に起因１−る密
度変化を補償した。ＬＪ（Ｗｄ／Ｙ）である。定数に７
およびに８も適切な従来の校正プロセスによって決定さ
れ、セしてメモり１８に入力される。従ってこの校正プ
ロセスは、所与の材料に効する」−述の式の実験による
決定を含んでいる。

コンピュータユニット１７＆コ１、ソの後（ｗｗ／Ｙ　
）／（Ｗｄａ／Ｙ　）の計算７行って含水率に形成する
ようになされている。商（Ｗｗ／　Ｙ）／（Ｗｄ／　Ｙ
　）あるいは場合によっては（Ｗｗ／Ｙ　）／　（Ｗｄ
ａ’／Ｙ）の含水率の値は、たとえばディスプレイユニ
ット、記録器、ランプ等の適切な可視化装置２２に供給
される。

第５図に示すブロック［シ［とそれに関連した説明、特
に、鎖線で規定された領域内の構成は、本発明が適用さ
れる実施例として考慮さｉＩるべきｉとば理解されよう
。位相変化とダンピングを計算する他の同様の機器ある
いは装置も本発明に対して使用できる。

鎖線で規定された領域内に示１−構成の代わりに、スエ
ーデン特許明細＠（スウェーデン特許出願第８４０３４
３８−８月）に記瞳された構成も利用することができる
。

従って本発明は上述の実施例に制限されると考えるべき
ではなく、特許請求の範囲内で種々の変形が可能である
ことが理解されよう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、単位厚さ当たりのダンピングを単位体積当た
りの利料中の水の１■さの関数としてあらわし、 第２図は、各々厚さｔｌ、ｔ２及びｔ３の相＃１に対し
て、単位面槓当たりの水の蔗さの１９、ｌ数としてのダ
ンピングをあられし、 卯、３図は、即位体積当たりの月利中の水の沖さの関数
としての即位ｊｗさ当たりの位相変化ぞあられし、 第、　４　ｋｌ　＆ｔ、厚’ａ　ｔｌ　１　　ｔ２　オ
ヨ？Ｊ’　ｔ３と’？ｔ’ｆｌｎｄ］オよびｄ２を１す
る相和に効して、ＩＰ缶面私当たりの水の１さの関数と
しての位相変化乞あられし、そして、 記５図は装置のブロック図、Ｊ−なわち本発明による方
法を実施丁イ）ための構成図である。 ２．６・・・マイクロ波発振器、７・・・変１ｉｌＡＩ
器、８゜９・・・アンテナ、１０・・・被測定相和、１
１・・・ミキサ、１７・・・マイクロプロセッサ、１８
・・・メモリ、Ａ・・・ダンピング、Ｆｌ・・・位相変
化、ｔ・・・厚さ、ｗＷ−°。 水の１さ、Ｗｄ　　乾燥状態の相１の沖さ。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）含水率を決定する材料にマイクロ波を伝播し、こ
   の材料の中を伝播した後のマイクロ波を受信し、材料の
   中を伝播したマイクロ波のダンピング（Ａ）および位相
   変化（Ｆ１）を測定し、測定したダンピング（Ａ）およ
   び位相変化に基づいて材料のいわゆる含水率を計算する
   、材料、特に有機材料の含水率の測定方法であって、 項（Ｗ＿ｗ／Ｙ）を式 Ａ＝Ｗ＿ｗ／Ｙ・Ｋ＿１＋Ｋ＿３・ｔ から決定し、ここにＡは測定されたダンピング値、ｔは
   材料の厚さ、Ｋ＿１およびＫ＿３は校正プロセスによっ
   て決定された定数、そして項Ｗ＿ｗ／Ｙは単位面積当り
   の材料中の水の重量であり、 項（Ｗ＿ｄ／Ｙ）を式 Ｆ１＝Ｗ＿ｗ／Ｙ・Ｋ＿４＋Ｗ＿ｄ／Ｙ・Ｋ＿５＋Ｋ＿
   ６・ｔから決定し、ここにＦ１は測定された位相変化で
   あり、先に決定された項Ｗ＿ｗ／Ｙをこの式に用い、ｔ
   は材料の厚さであり、項Ｗ＿ｄ／Ｙは乾燥状態での単位
   面積当りの材料の重さであり、Ｋ＿４、Ｋ＿５、Ｋ＿６
   は校正プロセスによって決定された定数であり、そして
   、 公知の方法によって（Ｗ＿ｗ／Ｙ）／（Ｗ＿ｄ／Ｙ）の
   比から含水率を形成することを特徴とする含水率の測定
   方法。
2. （２）材料の密度が水分の関数であるような性質の材料
   の場合において、項（Ｗ＿ｄ＿ｄ／Ｙ）を式（Ｗ＿ｄ＿
   ｄ／Ｙ）＝Ｋ＿７・１／ｔ・（Ｗ＿ｗ／Ｙ）＾２＋Ｋ＿
   ８・Ｗ＿ｗ／Ｙ＋Ｗ＿ｄ／Ｙによって決定し、ここに項
   （Ｗ＿ｄ＿ｄ／Ｙ）は材料中の水分に起因する密度変化
   を補償した項（Ｗ＿ｄ／Ｙ）であり、Ｋ＿７およびＫ＿
   ８は校正プロセスによって決定された定数であり、そし
   て（Ｗ＿ｗ／Ｙ）／（Ｗ＿ｄ＿ｄ／Ｙ）の商から含水率
   を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項の方
   法。
3. （３）１２ＧＨｚ以上で２４ＧＨｚ以下、好ましくは１
   ６ＧＨｚのマイクロ波周波数を使用することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項あるいは第２項の方法。
4. （４）マイクロ波発振器（２、６）、変調器（７）、被
   測定材料（１０）が間に置かれる一対のアンテナ（８、
   ９）、ミキサ（１１）、材料（１０）の中を伝播したマ
   イクロ波のダンピング（Ａ）と位相変化（Ｆ１）に各々
   対応した２個の信号（Ａ）および（Ｆ１）をつくるよう
   になされた信号処理回路（１３）、そして材料のいわゆ
   る含水率を計算するコンピュータユニット（１７）より
   成り、前記コンピュータユニット（１７）は、コンピュ
   ータユニット（１７）と関連したメモリ（１８）に記憶
   された材料のダンピング（Ａ）の測定値と厚さ（ｔ）の
   値とから項（Ｗ＿ｗ／Ｙ）を式Ａ＝（Ｗ＿ｗ／Ｙ）・Ｋ
   ＿１＋Ｋ＿３・ｔ から計算し、ここに項（Ｗ＿ｗ／Ｙ）は単位面積当りの
   材料中の水の重量であり、次に位相変化（Ｆ１）の測定
   値、厚さ（ｔ）および項（Ｗ＿ｗ／Ｙ）の計算値から項
   （Ｗ＿ｄ／Ｙ）の値を式 Ｆ１＝（Ｗ＿ｗ／Ｙ）Ｋ＿４＋Ｗ＿ｄ／Ｙ・Ｋ＿５＋Ｋ
   ＿６・ｔから計算し、ここに項Ｗ＿ｄ／Ｙは乾燥状態に
   おける単位面積当りの材料の重さであり、定数Ｋ＿１、
   Ｋ＿３、Ｋ＿４、Ｋ＿５およびＫ＿６は校正プロセスに
   よって決定されてメモリ（１８）に記憶され、そして、
   （Ｗ＿ｗ／Ｙ）／（Ｗ＿ｄ／Ｙ）の計算を行って含水率
   を形成するようになされていることを特徴とする、材料
   、特に有機材料の含水率を測定する装置。
5. （５）材料（１０）の密度が水分の関数であるような性
   質の材料の場合において、前記コンピュータユニットは
   、項（Ｗ＿ｗ／Ｙ）および（Ｗ＿ｄ／Ｙ）の値を各々計
   算した後に項（Ｗ＿ｄ＿ｄ／Ｙ）の値を式（Ｗ＿ｄ＿ｄ
   ／Ｙ）＝Ｋ＿７・（Ｗ＿ｗ／Ｙ）＋Ｋ＿８（Ｗ＿ｗ／Ｙ
   ）＋（Ｗ＿ｄ／Ｙ）から計算し、ここに項（Ｗ＿ｄ＿ｄ
   ／Ｙ）は材料（１０）中の水分に起因する密度変化を補
   償した項（Ｗ＿ｄ／Ｙ）であり、定数Ｋ＿７およびＫ＿
   ８は校正プロセスによって決定されてメモリ（１８）に
   記憶され、そして（Ｗ＿ｗ／Ｙ）／（Ｗ＿ｄ＿ｄ／Ｙ）
   の計算を行って含水率を形成するようになされているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第４項の装置。
6. （６）前記発振器のひとつが１２ＧＨｚ以上で２４ＧＨ
   ｚ以下、好ましくは１６ＧＨｚの周波数を発生するよう
   になされていることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   あるいは第５項の装置。