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JPS61268094A - 電子部品の支持材へのはんだ付けの実施方法 - Google Patents

電子部品の支持材へのはんだ付けの実施方法

Info

Publication number
JPS61268094A
JPS61268094A JP61046461A JP4646186A JPS61268094A JP S61268094 A JPS61268094 A JP S61268094A JP 61046461 A JP61046461 A JP 61046461A JP 4646186 A JP4646186 A JP 4646186A JP S61268094 A JPS61268094 A JP S61268094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
perfluoropolyether
soldering
contacting
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61046461A
Other languages
English (en)
Inventor
ルチアノ・フラツビ
ステユアート・ブリグス
ケン・ジヨンズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Montedison SpA
Original Assignee
Montedison SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Montedison SpA filed Critical Montedison SpA
Publication of JPS61268094A publication Critical patent/JPS61268094A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3616Halogen compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、総括的には、適当なはんだ付け剤によって製
品の溶接を行うに、温度を徐々にかつ制御して上げるこ
とによって熱を加えることを必要とする方法に関する。
より特には、本発明はかかるはんだ付け剤によって電子
部品を支持材に溶接又ははんだ付けする方法に関する。
従来の技術 現在、電子部品を適当な支持材に溶接或ははんだ付けす
るのに種類の異る方法が用いられている。
これらの方法の内の1つは、主に、支持材に取付け、接
続が支持材自体を貫通するめつき孔(m@tall1g
@d hole )を通り抜けるfバイス/部品を溶接
することに関する。
この方法によれば、部品を取付ける面と反対の支持材の
下方部分を溶融金属、通常、スズ−鉛合金の波(vaマ
・)によって湿潤させ、該溶融金属の波は支持材のめつ
き孔に浸透してデバイスの接続の回りの金属化面を被覆
する。支持板を金属波から抜き取る際に、支持材の上に
付着した金属は冷却して凝固し、こうして部品を支持材
に接続させる。「ウェーブソルダリング」として知られ
ているこの方法は、しかしながら、孔によらないで部品
を単に支持材の一方或は両方の面に接着(粘着)させか
つ固定させる(置く)ことによって部品を支持材の表W
J(「表面取付けデバイス(8nrfaa・Mount
@d devices ) J −8M D )に取付
ける場合にいくつかのよく知られた欠点を示す(例えば
、「プレイジングアンドソルダーリングJ 1984年
、8月に出ているシー、ジス−。プライアリ−(C,J
、 Br1srl@y )等著1表面取付けデバイス(
8MD)を印刷回路板(pcb)にはんだ付けする技術
1という表題の報文に記載されている)。
部品を表面に取付ける場合(8MD)、支持材の所望の
位置において適当な溶接クリームを支持材に置くことに
よって得られる適当なめっき跡(m@tallim@d
 trae* )に8MDを取付けることに在る第2の
系を使用することができる。
次いで、アセンブリーを適当な系、例えば熱風、赤外線
、或は不活性物質の飽和蒸気を用いて伝導、対流又は放
射により、或は3つの方法を組合わせることにより加熱
し、それによりはんだ付けクリームを再流動させ、該ク
リームは引き続いて冷却し、部品と支持材との間の機械
的−電気的接続を確実なものにする。飽和蒸気を採用す
る系は、現在、8MDのはんだ再流動によりはんだ付け
する最も有効なものの内の1つとして知られており、ア
センブリーを不活性流体、通常ペルフルオロ−カーバイ
ドの飽和蒸気の中に浸漬させることに在る・この場合、
蒸、気がアセンブリーの上に凝縮する潜熱を用いてはん
だ剤を再融解させる(蒸気相におけるはんだ付け或は蒸
気相はんだ付け)。この方法は数多くの論文及び特許に
記載されており、それらの中で、例えば英国特許2.1
39.152号及び米国特許4866.S O7号を挙
げることができる。
しかし、v、 p、 s、はいくつかの欠点を示し、そ
れらの中で最も重要なものは、温度が流体の沸騰温度に
より定められるので、作業温度はたった1つの温度であ
るということである。このことが、はんだ付け合金の選
定を、融点が流体の沸騰一度より低いものに制限する。
また、公知の従来技術、例えば「ウエルデイングリサー
チサブリーメントJ1974年11月のディー。シエル
セイラ(D、 8cho*1thalsr )著“加熱
流体によるはんだ融着1参照、は製品を通常プリント回
路についての単なる仕上作業において、例えばグリセリ
ン、ポリグリコール、7ツ素化オキシプロピレン、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、〆リフェニルエーテル、
鉱油、植物油等の熱媒液中に浸漬させ得ることである。
例えば、(それらを再融解(再流動)させて)丸味を付
けるためにスズー鉛残留物又はその他の合金残留物は、
前の作業(例えば電着作業において)によって残してお
き、かつ生成物を均質化する作業或は支持材への電気的
インフラコネクションを作る作業においてきれいに切ら
ない。しかし、このような流体を使用することは多数の
種類の異る問題を生じ、これより実のかつ適当な溶接等
の一層重要な用途に該流体の使用を広めることは勧めら
れない◇ フッ素化オキシプロピレンの使用における主たる欠点は
、最期に使用した後の接触角の変化にあり、結果として
溶接を一層悪くする。ポリクロロトリプルオロエチレン
は長期に使用した後に加水分解的に不安定な化合物を発
生しかつ液体開裂生成物を生じて分子量が小さくなりか
つ粘度及び沸点が極めて低くなる。その上、そのことを
回避するために、引用技術において使用するポリクロロ
トリフルオロエチレンは必ずはんだ付け合金の融点より
も十分に高い沸点を持たなければならず、分解による損
失の他にまた蒸発による損失もある。
このことは、分子量の相対的に高いポリクロロトリプル
オロエチレンを使用すべきことを意味し、該ぎりクロロ
トリフルオロエチレンは、従って、蒸気張力は低いが高
い粘度を有する。これは浴から出て来る片がドラッグ−
アウトにより過大な量の流体を除くことを意味する。
その他の流体に関しては、これらは全体的に使用条件下
で、すなわち空気と接触して引火性であるか或は十分に
安定ではない。それだけ安定ではないから、植物油を溶
融金属浴の上に置くことが時々あり、この方法で油は大
気の酸素と反応して下層の金属が酸化するのを保護する
。よく知られているように、事実、溶接又ははんだ付け
は、金属が酸素と接触しない場合には一層良好な性質を
示す。
出願人は、今、前述し九欠点をすべて克服するはんだ付
け方法を見出した。この方法によれば、部品を支持材の
任意の所望の位置に、支持材の表面に、また両面に或は
支持材自体に作っためっき孔に通して取付け、そこで結
合性の付与された特殊材料(本明細書以降、はんだ付け
剤、クリーム又はペーストと定義する)を表面に付着す
るか或はあらかじめ支持材のめつき孔の中に入れ、次い
で適当な温度の液体状のペルフルオロポリエーテルに支
持材の一面又は両面を接触させて得られる加熱により該
材料の結合性を発現させて部品をその位置に保つ。
ペルフルオロポリエーテルは当分野においてよく知られ
た生成物であり、それらの製法は数多くの特許、例えば
英国特許1104.482号、同’L154306号、
同L 189.357号、同1.21ス871号、米国
特許へ242.218号、同466翫041号、同41
1へ378号及びイタリー特許出願第19.496 A
 I 85号に記載されているのが見られる。本出願人
の見出したはんだ付け方法に関して、温度20℃におい
て10〜2000 e+stの間に含まれる動粘度値を
有し、その上、大気圧で非沸騰性であり、かつ(、A 
8 T M0976156規格に従って側進して)温度
150℃において1重量%より少い蒸発域を示すペルフ
ルオロポリエーテルを用いることができる。
ぺ/l/7A/オロボリエーテルが液相において溶接又
ははんだ付けに適していることは、また、該化合物が酸
素透過性であり、そんなわけで正に上述したように溶融
金属を酸化させる恐れがあるという事実にしても驚くべ
きことであることがわかる。
これより、本発明の目的は電子部品を支持材に接続させ
る方法であって、該部品を溶接又ははんだ付け剤と共に
支持材に配置し、そのときまでにこのようにして得たア
センブリーを液状であり、かつ該はんだ付け剤がその結
合性を発現させる温度に等しいか又はそれ以上の温度の
ペル7/&/オロボリエーテルに接触させることに在る
方法である。
上述したはんだ付け方法に適したペルフルオロポリエー
テルは下記の一般構造のものである=(1)CFs−(
0−CF−OF、八−(0−CF、 )−−0−CFj
CF。
(式中、nは0と異り5〜50の間に含まれる数であり
、一方mは0と異りかつn/m比が10〜50の間に含
まれるような数である)。
その他の適当なペルフルオロポリエーテルは、特に下記
の種類に属するものである: (II)  C,F、O(C,F、0)、、−R。
(式中、R2は−C1Fm 、−CM’を又はCFHC
F、にすることができ、一方、mは整数である)。
(III)  CFsO(CsFgO)−(CaF40
)n(CyXO八−CF。
(式中、Xは−Fか或は−CFsに等しく、fitSn
及びqはそれらの合計が10〜300の間に含まれる整
数であり;−=α5〜5:m、α01q       
q十襲 〜α4である)。
(R/)  CFsO(CaF22)  (CFtO)
q−”s(式中、p及びqは互いに等しいか或は異る整
数であり、かつp/q比はα5〜t5の間に含まれる)
’(V)   Ry(OCF*CrtCrt  )、0
RF(式中、R,GtF、ペルフルオロアルキル、ペル
フルオロオキシアルキル又はベルフルオ党ポリオキシア
ルキルである)。
(M)  イタリー特許出願第19.496A/85に
記載されている通りのオキセタン構造のペルフルオロポ
リエーテル。
本発明による方法を実施する温度は、少くとも支持材上
にあるはんだ付け剤が加熱により結合性を発現する温度
に等しくなければならない。
はんだ付け又は溶接剤として、はんだ付けプ田セスにお
いて使用され、かつはんだ付け金属又は合金、或は適当
なフラックスに加入させたはんだ付け金属又は合金、脱
酸剤、イソプロパツール等の溶媒を含む種々の添加剤か
ら成る全ての材料を使用することができる。
このような金属及び合金の例はスズ、スズ−鉛合金(例
えば、an/I’b tk、x 6 S / 37.6
0/40.50150)、スズ/銀合金(例えばan/
Ag比=945/五5.9515)、スズ/アンチモン
合金(9515、??/1)、スズ/鉛/銀合金(62
/36/2)、カドミウム/スズ合金等で、通常180
°〜250℃の間に含まれる融解温度を有するものであ
る。
かかるはんだ付け剤の結合作用は、材料を溶融しかつ次
いで冷却することによって発現する。
7ラツクスは、当業者によく知られているように2つの
特定の機能を有する。第1は金属はんだ付け剤を被覆す
る酸化フィルムを取り来る機能である。第2の機能はは
んだ付け作業の間の熱伝導な促進するものである。7ラ
ツクスとして、通常、弱酸、例えばロジン(松やに)及
びその他の樹脂状酸又は有機塩、例えば塩化メチルアン
モニウムを使用する。
同様に、非金属タイプの導電性タイプのはんだ付け剤で
あっても、加熱及び冷却サイクルを通して結合作用を発
揮することができるならば使用することができる。
かかるはんだ付け剤の例は、加硫を通して結合作用を発
揮することのできる°エポキシ系及びアクリル系樹脂に
よって代表される。
電子部品用支持材は種類の興る材料、例えばエポキシ系
又はフェノール系樹脂を含浸させたグラスファイバー、
エポキシ系又はフェノール系樹脂を基材とするプラスチ
ックラミネート、焼結アルミナ粉末或は広く金属材料又
はプラスチック材料から成るセラミック材料で構成する
ことができる。
本発明の方法は、接続させるべき種々の種類の異る部品
の内電気的接続をたどってきた方法から独立に及びはん
だ付け剤を適用する方法から独立に応用することができ
る。
電子部品を支持材の表面に、はんだ付け剤(クリーム)
又はその他の導電性材料を予備付着させて作っためっき
跡に取付けるか、或ははんだ付けクリームを澗たしため
つき孔の中に通すか又は予備成形したはんだ付けペース
トを入れておいた孔の中に通すかして入れる。
本発明の方法による支持材と液体ペルフルオキポリエー
テルとの間の接触は種々の異る方法で行うことができる
。これらの方法の内、単に例示のために下記を引用する
ことができるニ ー支持材の下面に液体の波をかするように通す(ikl
m); 一支持材に液体の波を横切らせ、結果として支持材の両
面に該液体を接触させるニ ー支持材を液体中に浸漬し、好ましくは攪拌を行う; 一支持材を液体中に引きする(移す);−支持材を液体
の表面にかするように通す;−液体を支持材に噴霧する
(吹付ける);−支持材を液体のカーテンの中に浸漬す
る;−支持材に液体のスプレー又はジェットをHtbT
る。
支持材に液体の波を接触させる場合、液体の波はすでに
「ウェーブウェルディング」プ四セスにおいて溶融金属
の波を作るのに用いたのと同じ方法によって発生するこ
とができる。この点については、エレクトロケミカルバ
プリシャー、1984年、アール、ジエー、り2インワ
ーシンク(R,J。
K181m Wamsink )の著書「ソルダリング
インエレク)pニクス」を参照のこと。
本明細書中上述したように、波或は引きする(置く)こ
とによって行う接触に適用することができる変形によれ
ば、液体ペルフルオロポリエーテルを厚さの一層大きい
或は小さい層として溶融金属から成る慣用のはんだ付け
浴の上に置くことができる。その場合、支持材を浴の中
に下方面を溶融金属に接触させ、上方面を上層のペルフ
ルオロポリエーテル層に浸漬させるような方法で浸漬さ
せることが可能である。
こうして、溶融金属の付着によって電子部品を支持材の
下に配置するはんだ付けを得ることが可 能であり、他
方、部品を支持材の上部に配置したはんだ付けは、ペル
フルオキポリエーテルと接触させ、溶融金属で加熱して
(或は逆にして)はんだ付け剤や結合作用を促進させて
得られる。この方法では、2つの方法の利点を結合させ
、その他に金属浴の酸化の保護を達成する。
本発明によるプ四セスを実現する実際的な方法は下記の
操作を所定の順序で含むことができる=1)部品を表面
に据え付ける場合は適当なはんだ付け剤により、或はは
んだ付け剤を満たしためつき孔の中に通して取り付ける
場合には慣用の機械的デバイスによって部品をはんだ付
けし、適所に保つ支持材を作る。
2)1のアセンブリーを、低揮発成分を除くために都合
の良い時間かつ適当な温度において、通常、熱風中80
°〜100℃において15〜20秒間加熱する。かかる
作業は、はんだ付け剤をガス抜きし或は部分加硫するこ
とを可能とし、それにより続くプロセスの段階にかんが
みて部品を支持材に部分固定することを確実にする。
3)作業2から来る支持材を液体状のペルフルオロポリ
エーテルで処理する系に、上述した条件下でかつはんだ
付け剤の結合性を発現させる目的で導入する。
本作業は、はんだ付けの他に、部分品の熱応力を最小に
するためにアセンブリーを予熱しかつ冷却する作業を含
むことができる。
予備選定したプルセス温度のプロフィルは、部分品を液
体自体が異る温度に保たれる順次方式に導入し、そこで
部分品を流体の温度、滞留時間(保留時間)及び帯域の
形状寸法による熱量で加熱して得られる。そのために、
3つの液体浴から成り、それぞれアセンブリーの予熱、
はんだ付け及び冷却が行われる1つの単一デバイスを使
用することができる。  ゛ 4)1〜3からの作業に、たとえ必ず必要としなくても
、液体自体の回収を可能とするために同じ液体ペルフル
オロぎりエーテルの薄いフィルムでアセンブリーを洗浄
することを続けることができる@部分品の滞留時間(保
留時間)、洗浄液の温度及び洗浄液をアセンブリーに吹
付ける距離は、液体の回収及びアセンブリーの冷却を最
適にするような方法で選ばなければならない。
アセンブリーは、できるだけ液体、例えば1−1−2ト
リクロ四−トリフルオロエタン又はその共沸混合物を混
合し得る溶媒による洗浄な行うのがよい。次いで、溶媒
及び液体を蒸留によって回収しかつ系のそれぞれの位置
に循環させることができる。
部品を支持材の両方の面の表面に取付ける特別の場合に
おいて、はんだ付け段階の間の部品の回走を一層良く確
実にするために、作業(3)の前にアセンブリーを適当
なフィルム又は熱収縮性材料、例えば合成ポリマー製の
カバーで包むことに在る追加の作業を行うことができる
各々の場合において、フィルムをアセンブリーに収縮さ
せるために、部品を適当な場所に保つことを確実にする
作業は、わずかに減圧の条件下、例えば10)ル下で操
作することによって容品にすることができる。該フィル
ムの代りに、同じ目的のために通気性材料、例えば紡織
繊維を使用することができる。このような例では、アセ
ンブリーを包むこの作業はプロセスの作業(1)の後に
簡便に行うことができる。
熱収縮性材料は、フィルムへの収縮作業をアセンブリー
の予熱と同時に行うように150℃〜180℃の収縮温
度を有する材料の中から選ぶのが好ましい。収縮温度が
一層低い場合、適当な加熱系、例えば熱風による、が作
業(3)の前の熱収縮作業を行うことを可能にする。
この技法を採用する場合、(3)から出て来る片を(4
)で説明した通りに液体のジエッシで洗浄する。
そこで、代りにアセンブリーを考えられるフラックス除
去に採用する通常の技法に従って清浄にしてアセンブリ
ーからのフィルムの除去を行う。
下記の例は本発明を更に例示するために挙げるもので、
発明自体の範囲をいささかも制限するつもりのものでは
ない。
例1 62Sn156Pb/2Agから成るはんだ付けクリー
ムを用いスクリーンプリントによって行ったパラジウム
−銀金属被覆法(m@tallizat1on )で与
えた4つのセラミック材の支持材の各々に、20の連結
ピンを有する部品(チップキャリヤー)を取付けた。各
々のアセンブリーを空気中100℃において15分間加
熱してガス抜きし、次いで下記の方法で作業した: (a)4つのアセンブリーの内の1つを攪拌下に保つG
ALDEN LP浴の中に浸漬した〔ソサイアテイ モ
ンテフルオス(8oei@tyMONTIFLUO8)
製の一般式(1)に含まれ、分子量が5oooより大き
く、20℃において1000 eatの粘度を有するペ
ルフルオロポリエーテル〕。浴の温度は230℃であっ
た。浸漬時間は13秒になった。
(b)  別のアセンブリーを温度235℃においてG
ALDEN  LPの定常波の中に通した。部分品が波
の中を通る走行速度はα55I/秒に等しかった。
・ 侮)第3のアセンブリーを、液体がセラミック支持
材の上方部に移行するのを避けるように、下方面のみを
GALDEN  LPに接触させ続けた。流体の温度は
230”Cであった。接触時間は22秒であった。
(d)  第4のアセンブリーを、液体の薄いフィルム
をセラミック支持材の上方部に移行させた点を変えて(
e)と同様に処理した。温度は250’Cであった。接
触時間は12秒であった。
全ての場合において溶接又ははんだ付けは良好であるよ
うに観察された。1つの場合のみにおいて、作業(a)
の間に「チップキャリヤー」がその位置からちょっと動
いていた。このことは、特に浸漬する場合にアセンブリ
ーの予防ガス抜きを必要とすることを立証した。
例2 部品を一層良好に位置に保つために、例1で説明した部
品を両面に取付けたタイプの一連のアセンブリーに、そ
れぞれポリエチレン、高強力(hlgh −resis
tance )ナイロン、ポリエチレン−テレ7タレー
)(P、E、T、)を被覆した。フィルムを軽い減圧下
で適用し、次いで熱風中で熱収縮させた。
次いで、アセンブリーを、220℃〜240℃の間に調
節した温度を有するサーモスタット調節したrGALD
ENLPJ浴の中に浸漬した。
アセンブリーについてのはんだ付け時間は例1−1にお
いて測定した時間よりもわずかに長くした。このことは
これらの全ての系がペルフルオロポリエーテルからアセ
ンブリーへの熱伝達率を有意には妨げないことを示す。
ポリエチレンフィルムは溶融温度において、部品を支持
材の適所にしっかりと保つのに十分な時間その結合性を
維持することによって分解した。
例3 例1に示したのと同様のプ四グラムを、商用タイプのエ
ポキシ樹脂を含浸させたグラスファイバーの支持材につ
いて実施した。該支持材の面及び支持材を貫通する孔に
、それぞれ4つの「デニアルーインライン実装置CJ及
び種々の離散した部品を取付けた。デバイスを628n
/56Pb/2Agから成るはんだ付けクリームで適所
に固定しておいた。そこで、100℃において10〜1
5秒間ガス抜き出した。次いで、下記の方法で加工した
: (a)1つのアセンブリーに、浸漬時間を15秒にして
例1−&で説明したのと同じ手順を行った。
(b)  第2のアセンブリーに、接触時間を42秒に
して例1−cと同じ手順を行った。
(e)  更に別のアセンブリーに、接触時間を25秒
にして例1−dで説明したのと同じ手順を行った。
比較のために、類似のアセンブリーを「GALDENL
8/250J(ソサイアテイモンテフルオス製、分子量
約800の(1)式に含まれるペルフルオロポリエーテ
ル)の飽和蒸気中に温度232℃において浸漬させ続は
九。
はんだ付けクリームの再融解を得るのに必要な時間は4
5秒になることがわかった。
上記の(a)、(b)及び(e)の全ての場合において
、溶接は良好と判断され、かつ部分品を支持材上置き換
えることの欠点は観察されなかった。
その上、液体から部分品への熱の移動時間は蒸気相にお
いてはんだ付けする際に必要な時間よりも短くなること
がわかった。
例4 支持材自体を貫通する孔に慣用の部品を固定させて取付
けた支持材を使用して例1と同様の一連の試験を行った
。支持材のめっき孔に628n/5bpb/2hg か
ら成るはんだ付けペーストを適用した。「GALDIN
  LPJ浴の温度は230℃であった。アセンブリー
を液体中に18秒間浸漬させ続は九。溶接の質は良好で
あると判断され九。
1〜4の全ての例において、はんだ付けした後のアセン
ブリーの清浄は、超音波浴及び1−1−2−トリクロロ
トリプルオ党エタンを採用する市販されている洗浄系で
行った。
例1〜4の全ての場合においてアセンブリーを1分間清
浄した。
アセンブリーにペル7/%lオはポリエーテルの残留物
の目に見える証拠がある場合はなかった。清浄した後の
洗浄機中に残留する汚染した1−1−2−トリクロロー
トリプルオ四エタン溶媒を、蒸留によってペル7/I/
オpポリエーテルから分離して回収した。
4つの例で述べた試験の終りに、はんだ付けデバイス中
に残留していたペルフルオロポリエーテル並びにアセン
ブリーの清浄浴から蒸留によって回収したペルフルオロ
ポリエーテルを、残留粒子、種々の不純物、溶解したガ
スを除くために適当にろ過した。このようにして得た液
体は分析により化学的/物理的特性の変化を何ら示さな
かった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子部品を支持材にはんだ付けするに、該部品をは
    んだ付け剤と共に支持材に配置し、それまでにはこのよ
    うにして得たアセンブリーを液体状でかつ該はんだ付け
    剤がその結合性を発現する温度に等しいか或はそれより
    も高い温度を有するペルフルオロポリエーテルに接触さ
    せて配置することにある電子部品の支持材へのはんだ付
    け方法。 2、ペルフルオロポリエーテルが下記の一般式:▲数式
    、化学式、表等があります▼ (式中、nは0と異り5〜50の間に含まれる数であり
    ;m=0と異りかつn/mが10〜50の間に含まれる
    ような数) に入る特許請求の範囲1項記載の方法。 3、ペルフルオロポリエーテルと前記アセンブリーとの
    間の接触を、支持材の下方面にかするように通るペルフ
    ルオロポリエーテル波によつて行う特許請求の範囲第1
    又は2項記載の方法。 4、前記接触を、支持材をペルフルオロポリエーテル波
    の中に通して行う特許請求の範囲第1又は2項記載の方
    法。 5、接触を、支持材をペルフルオロポリエーテルの中に
    浸漬させて行う特許請求の範囲第1又は2項記載の方法
    。 6、前記接触を、支持材をペルフルオロポリエーテルの
    中に置いて(移して)行う特許請求の範囲第1又は2項
    記載の方法。 7、前記接触を、支持材を、ペルフルオロポリエーテル
    浴の表面にかするように、通すことによつて行う特許請
    求の範囲第1又は2項記載の方法。 8、前記接触を、支持材にペルフルオロポリエーテルス
    プレー又はジェットを噴霧(吹付け)することにより或
    は押出すことによつて行う特許請求の範囲第1又は2項
    記載の方法。 9、前記接触を、支持材をペルフルオロポリエーテルカ
    ーテンに浸漬させて行う特許請求の範囲第1又は2項記
    載の方法。 10、電子部品及びはんだ付け剤を載せた支持材を、前
    記の接触の前に熱収縮性材料のフィルムの中にくるむ特
    許請求の範囲第1〜9項のいずれか一項記載の方法。 11、前記電子部品及びはんだ付け剤を収容する支持材
    を、前記の接触の前に通気性材料のカバーの中にくるむ
    特許請求の範囲第1〜9項のいずれか一項記載の方法。 12、ペルフルオロポリエーテルを溶融金属の浴を覆う
    層として用いる特許請求の範囲第1、2、4、5及び6
    項記載の方法。 13、ペルフルオロポリエーテルが5000を超える分
    子量を有する特許請求の範囲第1〜12項のいずれか一
    項記載の方法。
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