JPS61267736A - 液晶素子 - Google Patents
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- JPS61267736A JPS61267736A JP10963985A JP10963985A JPS61267736A JP S61267736 A JPS61267736 A JP S61267736A JP 10963985 A JP10963985 A JP 10963985A JP 10963985 A JP10963985 A JP 10963985A JP S61267736 A JPS61267736 A JP S61267736A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
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- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタアレイ等に
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状痩を改善することにょシ、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状痩を改善することにょシ、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。
従来の液晶素子としては、例えばエム、シャット（Ｍ、
８ｃｈａｄｔ）とダブり二一、ヘルフリッヒ（Ｗ、
Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ ）著１アプライド・フィジックス・
レターズ” （＠Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１
５日発行）。
８ｃｈａｄｔ）とダブり二一、ヘルフリッヒ（Ｗ、
Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ ）著１アプライド・フィジックス・
レターズ” （＠Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１
５日発行）。
第１２７頁〜１２８頁の１ボルテージ・ディペンダント
・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア・ツィス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（＠Ｖｏ
ｌｔａｇｅ ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃ
ｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ″）に示されたツィ
ステッド・ネマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ ）液晶を用いたものが知られている。このＴＮ液晶
は、画素密度を高くしたマトリクス電極構造を用いた時
分割駆動の時、クロストークを発生する問題点があるた
め、画素数が制限されていた。
・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア・ツィス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（＠Ｖｏ
ｌｔａｇｅ ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃ
ｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ″）に示されたツィ
ステッド・ネマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ ）液晶を用いたものが知られている。このＴＮ液晶
は、画素密度を高くしたマトリクス電極構造を用いた時
分割駆動の時、クロストークを発生する問題点があるた
め、画素数が制限されていた。
又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難かしい問題点がある。
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難かしい問題点がある。
このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶朱子の使用がクラーク（Ｃ１
ａｒｋ ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ）
により提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公
報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性
を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ”）又けＨ相（８ｍＨ”）を有する強誘電
性液晶が用いられる。この液晶の膜厚は強誘電性液晶の
螺旋構造が解除されるのに充分小さく保たれ、このため
電界に対して第１の光学的安定状態と第２の光学安定状
態からなる双安定状態をもつことｋなる。このため、前
述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり
、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定
状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状１１に液晶が配向される。
て、双安定性を有する液晶朱子の使用がクラーク（Ｃ１
ａｒｋ ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ）
により提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公
報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性
を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ”）又けＨ相（８ｍＨ”）を有する強誘電
性液晶が用いられる。この液晶の膜厚は強誘電性液晶の
螺旋構造が解除されるのに充分小さく保たれ、このため
電界に対して第１の光学的安定状態と第２の光学安定状
態からなる双安定状態をもつことｋなる。このため、前
述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり
、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定
状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状１１に液晶が配向される。
前述の双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所
定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に
配置される液晶が、２つの安定配向状態間での変換が効
果的に起るような分子配列状態にあることが必要である
。
定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に
配置される液晶が、２つの安定配向状態間での変換が効
果的に起るような分子配列状態にあることが必要である
。
しかしながら、前述した様な螺旋構造が解除されて双安
定性が付与されたカイラルスメクチック液晶素子は、そ
の素子を作成する上で極めて難かしい問題が存在してい
る。すなわち、本発明１者らの研究から、前述したカイ
ラルスメクチック液晶の双安定性を堅固なものとするた
めに、液晶の膜厚（一対の基板間の間隔に対応している
）を薄くする必要があるが、この膜厚を薄くすればする
程、配向欠陥の発生基が増大していく傾向になることが
判明した。しかも、前述の配向欠陥の発生は、液晶の膜
厚を素子の面全体に亘って均一な膜厚とするために配置
した間隔制御部材（スペーサ）の存在が原因となってい
ることが判明した。
定性が付与されたカイラルスメクチック液晶素子は、そ
の素子を作成する上で極めて難かしい問題が存在してい
る。すなわち、本発明１者らの研究から、前述したカイ
ラルスメクチック液晶の双安定性を堅固なものとするた
めに、液晶の膜厚（一対の基板間の間隔に対応している
）を薄くする必要があるが、この膜厚を薄くすればする
程、配向欠陥の発生基が増大していく傾向になることが
判明した。しかも、前述の配向欠陥の発生は、液晶の膜
厚を素子の面全体に亘って均一な膜厚とするために配置
した間隔制御部材（スペーサ）の存在が原因となってい
ることが判明した。
従って、本発明の目的は上述した事情に鑑み高速応答性
、高密度画素と大面積を有する表示素子あるいけ高速度
のシャッタースピードを有する光学シャッター等として
強誘電性液晶などの液晶、特に双安定性を有する強誘電
性液晶を使用した光学変調素子において、従来問題であ
ったモノドメイン形成性ないしは、初期配向性を改善す
ることによシその特性を充分に発揮させ得る液晶素子を
提供することにある。
、高密度画素と大面積を有する表示素子あるいけ高速度
のシャッタースピードを有する光学シャッター等として
強誘電性液晶などの液晶、特に双安定性を有する強誘電
性液晶を使用した光学変調素子において、従来問題であ
ったモノドメイン形成性ないしは、初期配向性を改善す
ることによシその特性を充分に発揮させ得る液晶素子を
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段、作用〕本発明は、前述
のスペーサが液晶、特に双安定性が付与された強誘電性
液晶中に存在しているにもかかわらず、液晶素子の面全
体に亘って配向欠陥の発生がなく、しかも良好な双安定
性を発現することができるもので、スペーサとなる微細
な突起体を有し、且つ一方向に一軸性配向処理を施した
第１の基板と、該第１の基板に対向するＰａ２の基板と
を有し、該第１の基板と第２の基板との間に液晶を配置
した液晶素子において、前記一軸性配向処理方向に対す
る垂直方向に沿った前記突起体の辺の長さを０μｍ〜２
０μｍ（０／Ｊｍは多角柱体を突起体とした時の頂点又
は円柱体若しくは惰円柱体を突起体とした時の接点を意
味する）とした点に特徴を有し２ている。
のスペーサが液晶、特に双安定性が付与された強誘電性
液晶中に存在しているにもかかわらず、液晶素子の面全
体に亘って配向欠陥の発生がなく、しかも良好な双安定
性を発現することができるもので、スペーサとなる微細
な突起体を有し、且つ一方向に一軸性配向処理を施した
第１の基板と、該第１の基板に対向するＰａ２の基板と
を有し、該第１の基板と第２の基板との間に液晶を配置
した液晶素子において、前記一軸性配向処理方向に対す
る垂直方向に沿った前記突起体の辺の長さを０μｍ〜２
０μｍ（０／Ｊｍは多角柱体を突起体とした時の頂点又
は円柱体若しくは惰円柱体を突起体とした時の接点を意
味する）とした点に特徴を有し２ている。
以下、必要に応じて図面を参照［２つつ、本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。２１ａ電極で被覆された
基板（ガラス板）であり、その、間に液晶分子層２２が
ガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”和文け８ｍ
Ｈ相の液晶が封入されている。太線で示した線２３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２３はその分子に
直交した方向に双極子モーメｙト（Ｐ上）２４を有して
いる。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造がほど
け、双極子モーメン） （Ｐ工）２４がすべて電界方向
に向くよう、液晶分子２３け配向方向を変えることがで
きる。
を模式的に描いたものである。２１ａ電極で被覆された
基板（ガラス板）であり、その、間に液晶分子層２２が
ガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”和文け８ｍ
Ｈ相の液晶が封入されている。太線で示した線２３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２３はその分子に
直交した方向に双極子モーメｙト（Ｐ上）２４を有して
いる。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造がほど
け、双極子モーメン） （Ｐ工）２４がすべて電界方向
に向くよう、液晶分子２３け配向方向を変えることがで
きる。
液晶分子２３け、細長い形状を有しており、その長軸方
向と短軸方向で屈折高異方性を示［１、従って例えばガ
ラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることけ、容易に理解される。
向と短軸方向で屈折高異方性を示［１、従って例えばガ
ラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることけ、容易に理解される。
本発明の液晶素子で用いられる液晶セルは、その厚さを
充分に薄く（例えば１０μ以下）することができる。こ
のように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図に示すよ
うに電界を印加していない状態でも、充分に間隔が小さ
くされた基板間の壁面効果により液晶分子のらせん構造
がほどけ、非らせん構造を採ることができる。
充分に薄く（例えば１０μ以下）することができる。こ
のように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図に示すよ
うに電界を印加していない状態でも、充分に間隔が小さ
くされた基板間の壁面効果により液晶分子のらせん構造
がほどけ、非らせん構造を採ることができる。
その双極子モーメン）Ｐａまたはｐｂけ上向き（３４ａ
）又は下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。この
ようなセルに、第２図に示す如く一定の閾値以上の極性
の異る′ル界Ｈａ又はｇｂを電圧印加手段３１ａと３１
ｂにより付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又
けＥｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下向
き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１
の安定状態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂの何
れが１方に配向する。
）又は下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。この
ようなセルに、第２図に示す如く一定の閾値以上の極性
の異る′ル界Ｈａ又はｇｂを電圧印加手段３１ａと３１
ｂにより付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又
けＥｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下向
き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１
の安定状態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂの何
れが１方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。
利点は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状ｇａａａに配向す
るが、この状′ｇは電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｂｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状
態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界
Ｂａが一定の閾値を越えない限シ、それぞれの配向状態
にやけり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来る
だけ薄い方が好ましい。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状ｇａａａに配向す
るが、この状′ｇは電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｂｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状
態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界
Ｂａが一定の閾値を越えない限シ、それぞれの配向状態
にやけり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来る
だけ薄い方が好ましい。
第３図は、本発明の液晶素子を具体的に示したもので、
第３図（Ａ）はその断面図で、第３図（Ｂ）はその平面
図である。
第３図（Ａ）はその断面図で、第３図（Ｂ）はその平面
図である。
第３図に示す液晶素子３００け、基板３（１０）（好ま
しくは、可撓性ガラス、可撓性プラスチッり）と基板３
０２（好ましくけ、ガラスプレート）とを有しており、
基板３（１０）にはストライプ状の透明電極３０３と、
その上に絶縁性物質で形成した配向制御膜３０４が塗設
されている。
しくは、可撓性ガラス、可撓性プラスチッり）と基板３
０２（好ましくけ、ガラスプレート）とを有しており、
基板３（１０）にはストライプ状の透明電極３０３と、
その上に絶縁性物質で形成した配向制御膜３０４が塗設
されている。
又、基板３０２には透明電極３０３と直交するストライ
ブ形状の透明電極３０５と、その上に絶縁性物質で形成
したスペーサ３０７と３１２方向に一軸性配向処理（ラ
ビング処理など）を施した配向制御膜３０６が塗設され
ている。
ブ形状の透明電極３０５と、その上に絶縁性物質で形成
したスペーサ３０７と３１２方向に一軸性配向処理（ラ
ビング処理など）を施した配向制御膜３０６が塗設され
ている。
本発明で用いるスペーサ３０７は、配向制御膜３０６を
形成した基板３０２の上に、ポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類によ
って形成した絶縁被膜あるいはＳｉ０ 、８ｉ０２やＴ
ｉＯ，などの無機系絶縁被膜を設けた後、通常のフオ
） ＩＪソ工程を採用して所定の形状にエツチングする
ことによって得られる。
形成した基板３０２の上に、ポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類によ
って形成した絶縁被膜あるいはＳｉ０ 、８ｉ０２やＴ
ｉＯ，などの無機系絶縁被膜を設けた後、通常のフオ
） ＩＪソ工程を採用して所定の形状にエツチングする
ことによって得られる。
この際、スペーサ３０７となる絶縁被膜の乾燥膜厚がス
ペーサの高さに相当する様になる。
ペーサの高さに相当する様になる。
本発明では、前述の一軸性配向処理方向３１２の垂直方
向に沿ったスペーサ３０７０辺ａの長さを（１０）１ｍ
〜２０μｍとし、特に好ましくけスペーサ３０７におけ
る一軸性配向処理方向３１２と平行方向の成分の長さｂ
を３００μｍ以下とした時にけ配向欠陥の発生を皆無と
することができる。この点に関しては、下達で更に詳細
に説明する。
向に沿ったスペーサ３０７０辺ａの長さを（１０）１ｍ
〜２０μｍとし、特に好ましくけスペーサ３０７におけ
る一軸性配向処理方向３１２と平行方向の成分の長さｂ
を３００μｍ以下とした時にけ配向欠陥の発生を皆無と
することができる。この点に関しては、下達で更に詳細
に説明する。
本発明の好ましい具体例ではスペーサ３０７け、液晶素
子３００の平面１ ｍｍ”当り０．１個〜１００個の割
合で設けられていると、配向欠陥の発生を有効に防止す
ることができる。特に、液晶素子３００の平面１ ｍｍ
”当シ０．５個〜５０個の割合でスペーサ３０７が設け
られていると、基板３（１０）と３０２の間隔を充分に
小さくした時（０，５μｍ〜５μｍ）の液晶膜厚で付与
される双安定性モノドメインにけ配向欠陥の発生を皆無
とすることができる。
子３００の平面１ ｍｍ”当り０．１個〜１００個の割
合で設けられていると、配向欠陥の発生を有効に防止す
ることができる。特に、液晶素子３００の平面１ ｍｍ
”当シ０．５個〜５０個の割合でスペーサ３０７が設け
られていると、基板３（１０）と３０２の間隔を充分に
小さくした時（０，５μｍ〜５μｍ）の液晶膜厚で付与
される双安定性モノドメインにけ配向欠陥の発生を皆無
とすることができる。
又、本発明で用いるスペーサ３０７の形状としては、前
述の四角柱体の他に第４図〜第６図に示す円柱体、惰円
柱体及び六角柱体を用いることができる。第４図〜第６
図中のａ及びｂ並びに３１２は、第３図のａ及びｂ並び
に３１２と同一のものを意味している。
述の四角柱体の他に第４図〜第６図に示す円柱体、惰円
柱体及び六角柱体を用いることができる。第４図〜第６
図中のａ及びｂ並びに３１２は、第３図のａ及びｂ並び
に３１２と同一のものを意味している。
特に、ｆａ４図及び第５図のａは、それぞれ一軸性配向
処理方向３１２に対する円柱体及び惰円柱体の接点を意
味している。又、第５図のＣは惰円柱体の短軸を表わし
ており、一軸性配向処理方向３１２に対して直交してい
る。第６図に示す六角柱体は幅ｄと長さｂで形成され、
幅ｄの方向は一軸性配向処理方向３１２に対し７て直交
している。
処理方向３１２に対する円柱体及び惰円柱体の接点を意
味している。又、第５図のＣは惰円柱体の短軸を表わし
ており、一軸性配向処理方向３１２に対して直交してい
る。第６図に示す六角柱体は幅ｄと長さｂで形成され、
幅ｄの方向は一軸性配向処理方向３１２に対し７て直交
している。
前述のスペーサ３０７け、第４図に示す円柱体の場合で
長さｂの５〜５０倍のピッチ、好ましくは１０〜２０倍
のピッチで設けられ、その基板面内の直径に相当する長
さｂを５０μｍ以下とすることが好ましい。第５図に示
す惰円柱体の場合で長ｄｃの５〜５０倍のピッチ、好ま
しくけ１０〜２０倍のピッチで設けられ、ラビング方向
と平行の成分に相当する長軸すを３００μｍ以下とする
ことが好ましい。又第６図に示す六角柱体の場合で長さ
ｄの５〜５０倍のピッチ、好ましくけ１０〜２０倍のピ
ッチで設けられ、ラビング方向と平行の成分に相当する
長さｂを３００μｍ以下とすることが好ましい。
長さｂの５〜５０倍のピッチ、好ましくは１０〜２０倍
のピッチで設けられ、その基板面内の直径に相当する長
さｂを５０μｍ以下とすることが好ましい。第５図に示
す惰円柱体の場合で長ｄｃの５〜５０倍のピッチ、好ま
しくけ１０〜２０倍のピッチで設けられ、ラビング方向
と平行の成分に相当する長軸すを３００μｍ以下とする
ことが好ましい。又第６図に示す六角柱体の場合で長さ
ｄの５〜５０倍のピッチ、好ましくけ１０〜２０倍のピ
ッチで設けられ、ラビング方向と平行の成分に相当する
長さｂを３００μｍ以下とすることが好ましい。
又、第３図に示す液晶、特に強誘電性カイラＡ／スメク
チック液晶３０８＃−１，基板３（１０）と３０２の周
辺建設けたシール材３０９（例えば、エポキシ系接着剤
）によってシーリングされる。
チック液晶３０８＃−１，基板３（１０）と３０２の周
辺建設けたシール材３０９（例えば、エポキシ系接着剤
）によってシーリングされる。
本発明の液晶素子３００け、クロスニフルの偏光子３１
０と３１１がそれぞれ基板３（１０）と３０２の両側に
配置されている。
０と３１１がそれぞれ基板３（１０）と３０２の両側に
配置されている。
又、本発明の液晶素子３００で用いる配向制御膜３０４
と３０６は、例えば−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化
アルミニウム、ジルコニア、７ツ化マグネシウム、酸化
セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭
化物、ボウ素窒化物、などの化合物を用いて例えば蒸着
により被膜形成して得ることができる。またそれ以外に
も、例えばポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキシレリン
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ
樹脂やアクリル樹脂などの樹脂類の塗膜として形成する
こともできる。配向制御膜３０４と３０６の膜厚は、材
料のもつ電荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存す
るが、通常５０八〜５μ、好適には、５００Ａ〜５００
０Ａの範囲で設定される。
と３０６は、例えば−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化
アルミニウム、ジルコニア、７ツ化マグネシウム、酸化
セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭
化物、ボウ素窒化物、などの化合物を用いて例えば蒸着
により被膜形成して得ることができる。またそれ以外に
も、例えばポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキシレリン
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ
樹脂やアクリル樹脂などの樹脂類の塗膜として形成する
こともできる。配向制御膜３０４と３０６の膜厚は、材
料のもつ電荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存す
るが、通常５０八〜５μ、好適には、５００Ａ〜５００
０Ａの範囲で設定される。
この配向制御膜３０４と３０６は、一軸性液晶（強誘電
性カイラルスメクチック液晶相より高温側で現出するス
メクチックＡ相、ネマチック相など）の分子方向を一方
向に配向させる効果をもつことができる。具体的な一軸
性配向処理法としては、基板の平面を一方向にラビング
する方法あるいは斜め蒸着法を用いることができる（図
中、３１２けラビング方向）。
性カイラルスメクチック液晶相より高温側で現出するス
メクチックＡ相、ネマチック相など）の分子方向を一方
向に配向させる効果をもつことができる。具体的な一軸
性配向処理法としては、基板の平面を一方向にラビング
する方法あるいは斜め蒸着法を用いることができる（図
中、３１２けラビング方向）。
本発明の液晶素子３００で用いる強誘電性カイラルスメ
クチック液晶３０８としては、クーリング（徐冷；０．
５℃／時間〜５℃／時間）下で等方相（Ｉｓｏ ）→コ
レステリック相（ａｈ）→スメクチックＡ相（８ｍＡ）
→カイラルスメクチック相に相転移を生じるものや等吉
相→８ｍＡ→カイラルスメクチック相に相転移を生じる
ものが好ましい。
クチック液晶３０８としては、クーリング（徐冷；０．
５℃／時間〜５℃／時間）下で等方相（Ｉｓｏ ）→コ
レステリック相（ａｈ）→スメクチックＡ相（８ｍＡ）
→カイラルスメクチック相に相転移を生じるものや等吉
相→８ｍＡ→カイラルスメクチック相に相転移を生じる
ものが好ましい。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１〜２３
ＩＴＯのストライプ状パターン電極を設けたガラス基板
の上にポリイミド形成液（ピロメリット酸二無水物と４
，４゛−ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合によ
って得たポリアミド酸のＮ−メチルピロリドン溶液）を
加熱硬化後の膜厚が１５０ ＯＡとなる様に塗布した後
、加熱硬化してポリイミド膜を形成した。このポリイミ
ド膜を設けたガラス基板を２枚用意した。こ０２枚のガ
ラス基板のうち、１枚のガラス板に別のポリイミド形成
液（日立化成工業（株）のｒＰＩＱＪ）を、硬化後の膜
厚が１μｍとなる様に塗布した。
の上にポリイミド形成液（ピロメリット酸二無水物と４
，４゛−ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合によ
って得たポリアミド酸のＮ−メチルピロリドン溶液）を
加熱硬化後の膜厚が１５０ ＯＡとなる様に塗布した後
、加熱硬化してポリイミド膜を形成した。このポリイミ
ド膜を設けたガラス基板を２枚用意した。こ０２枚のガ
ラス基板のうち、１枚のガラス板に別のポリイミド形成
液（日立化成工業（株）のｒＰＩＱＪ）を、硬化後の膜
厚が１μｍとなる様に塗布した。
次いで、ポジ型レジスト溶液（５ｈｉｐｌｅｙ社製Ｏ＠
ＡＺ１３５０’）をスピナー塗布し、プリベークした。
ＡＺ１３５０’）をスピナー塗布し、プリベークした。
このレジスト層上忙、マクスピッチ３ｍｍのマスクを用
いて露光した。この際に用いたマスクの形状は、正方形
又は長方形状とし、第３図中のａとｂに相当する長さを
第１表に示す値のものとした。次いで、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド含有の現像液”ＭＦ３１
２”で現倫することにより、露光部分のレジスト膜とそ
の下層のポリイミド膜のエツチングを行ないスルーホー
ルを形成させ、水洗、乾燥を行なった後、メチルエチル
ケトンを用いて未露光部のレジスト膜を除去した。しか
る後、２００℃で６０分間、３５０ｔ４’３０分間の加
熱により硬化を行ない、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオンのスペーサを形成した。
いて露光した。この際に用いたマスクの形状は、正方形
又は長方形状とし、第３図中のａとｂに相当する長さを
第１表に示す値のものとした。次いで、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド含有の現像液”ＭＦ３１
２”で現倫することにより、露光部分のレジスト膜とそ
の下層のポリイミド膜のエツチングを行ないスルーホー
ルを形成させ、水洗、乾燥を行なった後、メチルエチル
ケトンを用いて未露光部のレジスト膜を除去した。しか
る後、２００℃で６０分間、３５０ｔ４’３０分間の加
熱により硬化を行ない、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオンのスペーサを形成した。
次いで、四角柱体（スペーサ）の辺すの方向と垂直方向
に沿って、布により、ラビング処理を行なった後、水と
アセトンにより順次洗浄し、乾燥させた。
に沿って、布により、ラビング処理を行なった後、水と
アセトンにより順次洗浄し、乾燥させた。
次に、前述のポリイミド膜を設けたもう１方のガラス基
板（予め、ラビング処理した後、周辺に注入口なる個所
を除いてエポキシ系接着剤をスクリーン印刷法によって
塗布した）とスペーサとなる四角柱体を設けたガラス基
板と重ね合せ、エポキシ系接着剤を硬化させることによ
ってセルを作成した。この時、２枚のガラス基板に施し
たラビング方向が互に平行となり、且つストライブ状パ
ターン電極が互に直交する様にセル組みした。
板（予め、ラビング処理した後、周辺に注入口なる個所
を除いてエポキシ系接着剤をスクリーン印刷法によって
塗布した）とスペーサとなる四角柱体を設けたガラス基
板と重ね合せ、エポキシ系接着剤を硬化させることによ
ってセルを作成した。この時、２枚のガラス基板に施し
たラビング方向が互に平行となり、且つストライブ状パ
ターン電極が互に直交する様にセル組みした。
次いで、このセルを真空槽の中に入れ、充分にセル内部
を真空に引いた後、セルの注入口に下記の液晶材料を接
触させることによって、セル内部と外部とを遮断した後
、真空槽を大気圧に戻すと、液晶材料がセル内部に注入
された。
を真空に引いた後、セルの注入口に下記の液晶材料を接
触させることによって、セル内部と外部とを遮断した後
、真空槽を大気圧に戻すと、液晶材料がセル内部に注入
された。
この注入工程は、液晶材料を等労相（７５℃）下で行な
った。
った。
液晶材料
液晶材料をセル内部に注入した後、注入口を封止し、等
労相下にある液晶材料を約０．５℃／時間の割合で徐冷
して等労相から順次コレステリック相、スメクチック人
相及びカイラルスメクチックＣ相に相転移を生じさせる
ことによって、２８℃で強誘電性カイラルスメクチック
液晶素子（記憶性素子）を作成した。
労相下にある液晶材料を約０．５℃／時間の割合で徐冷
して等労相から順次コレステリック相、スメクチック人
相及びカイラルスメクチックＣ相に相転移を生じさせる
ことによって、２８℃で強誘電性カイラルスメクチック
液晶素子（記憶性素子）を作成した。
この液晶素子の配向状態を直交ニコル下で偏光顕微値に
より観察した。又、この液晶素子に３０ボルトと一３０
ボルトの電圧を印加して双安定性の評価を行なった。
より観察した。又、この液晶素子に３０ボルトと一３０
ボルトの電圧を印加して双安定性の評価を行なった。
これらの実験結果を第１表に示す。表中の○は配向欠陥
が全くない良好な配向状態を示し、且つ良好な双安定性
を示したサンプルで、Δけ多少の配向欠陥があったが、
実用可能な範囲での双安定性を示し、たサンプルで、×
は第７図に示す配向欠陥７１が多数発生し、実用が不可
能なサンプルである。尚、第７図中の何カのうち、第３
図と同−何カのものけ、それと同一の部材を示している
。
が全くない良好な配向状態を示し、且つ良好な双安定性
を示したサンプルで、Δけ多少の配向欠陥があったが、
実用可能な範囲での双安定性を示し、たサンプルで、×
は第７図に示す配向欠陥７１が多数発生し、実用が不可
能なサンプルである。尚、第７図中の何カのうち、第３
図と同−何カのものけ、それと同一の部材を示している
。
第１表
（１） ５ ３００ Ｑ（７）
１０ １００ Ｑ（８）
１０ ５０ Ｑ（１０） ２
０ ３００ Δ（１１） ２０
１５０ Δ（１６’） ２５
３００ Ｘ（’１７） ２５
１５０ Ｘ（１８） ２５
１００ Ｘ（１９） ２５
５０ Ｘ（２０） ２５
２５ Ｘ（２１） ３０
２００ Ｘ（２２） ３０
５０ Ｘこれらの実験によれば、辺ａの長さを
２０μｍ以下と設定することによって配向欠陥が皆無の
液晶素子とすることができ、この際の四角柱体スペーサ
の長さｂけ、配向欠陥の発生に対する大きな要因となっ
ていないことが判る。
１０ １００ Ｑ（８）
１０ ５０ Ｑ（１０） ２
０ ３００ Δ（１１） ２０
１５０ Δ（１６’） ２５
３００ Ｘ（’１７） ２５
１５０ Ｘ（１８） ２５
１００ Ｘ（１９） ２５
５０ Ｘ（２０） ２５
２５ Ｘ（２１） ３０
２００ Ｘ（２２） ３０
５０ Ｘこれらの実験によれば、辺ａの長さを
２０μｍ以下と設定することによって配向欠陥が皆無の
液晶素子とすることができ、この際の四角柱体スペーサ
の長さｂけ、配向欠陥の発生に対する大きな要因となっ
ていないことが判る。
実施例２４〜３２
前記実施例１〜２３で用いた四角柱体のスペーサに代え
て、第４図に示す円柱体スペーサ（長さｂを第２表に示
す）を用い九はかけ、全く同様の方法で液晶素子を作成
し、その評価を行なった。その結果を第２表で明らかに
する。
て、第４図に示す円柱体スペーサ（長さｂを第２表に示
す）を用い九はかけ、全く同様の方法で液晶素子を作成
し、その評価を行なった。その結果を第２表で明らかに
する。
第 ２ 表
（２５） ２０ Ｑ
（２８） ｓｏ ０
（２９） ８０ Δ
（３０） ９０ Δ
（３１） １００ Δ （３２） １５０ Ｘ これらの実験によれば、辺ａの長が０μｍ（辺ａがラビ
ング処理方向に対して接点となっている）の素子では、
直径（ｂ）を１００μｍ以下とした時に実用可能な配向
状態と双安定性が得られ、特に直径（ｂ）を５０μｍ以
下とした時には配向欠陥が皆無の配向状態の素子が得ら
れたことが判る。
（３１） １００ Δ （３２） １５０ Ｘ これらの実験によれば、辺ａの長が０μｍ（辺ａがラビ
ング処理方向に対して接点となっている）の素子では、
直径（ｂ）を１００μｍ以下とした時に実用可能な配向
状態と双安定性が得られ、特に直径（ｂ）を５０μｍ以
下とした時には配向欠陥が皆無の配向状態の素子が得ら
れたことが判る。
実施例３３〜４０
前記実施例１〜２３で用いた四角柱体のスペーサに代え
て、第５図に示す惰円柱体スペーサ（長さｂとＣを第３
表に示す）を用いたほかは、全く同様の方法で液晶素子
を作成し、その評価を行なった。その結果を第３表で明
らかにする。
て、第５図に示す惰円柱体スペーサ（長さｂとＣを第３
表に示す）を用いたほかは、全く同様の方法で液晶素子
を作成し、その評価を行なった。その結果を第３表で明
らかにする。
第 ３ 表
（３３） １０ ５ Ｑ
（３６） Ｚｏｏ ５０ ０
（３７） ２００ １００
Δ（３８） ３００ １
５０ Δ（３９） ３５０
１７５ Ｘ（４０）
４００ ２００ Ｘこれらの実験によれ
ば、惰円柱体スペーサを用いた液晶素子では、惰円柱体
の長さｂを３００μｍ以下とした時には、実用可能な液
晶素子が得られ、特に長さｂを１００μｍ以下とした時
にけ配向欠陥を皆無と［、だ液晶素子とすることができ
る点が判る。
Δ（３８） ３００ １
５０ Δ（３９） ３５０
１７５ Ｘ（４０）
４００ ２００ Ｘこれらの実験によれ
ば、惰円柱体スペーサを用いた液晶素子では、惰円柱体
の長さｂを３００μｍ以下とした時には、実用可能な液
晶素子が得られ、特に長さｂを１００μｍ以下とした時
にけ配向欠陥を皆無と［、だ液晶素子とすることができ
る点が判る。
実施例４１〜６７
前記実施例１〜２３で用いた四角柱体スペーサに代えて
、第６図に示す六角柱体スペーサ（長さａ、ｂとｄを第
４表に示す）を用いたほかは、全く同様の方法で液晶素
子を作成し、その評価を行なった。その結果を第４表に
示す。
、第６図に示す六角柱体スペーサ（長さａ、ｂとｄを第
４表に示す）を用いたほかは、全く同様の方法で液晶素
子を作成し、その評価を行なった。その結果を第４表に
示す。
第 ４ 表
（４１） Ｚｏｏ ５ ５００
（４４） ３００ ５１５０ Δ
（４５） ３００ ５２００ Δ
（４６） ３５０ ５１７５ Δ
（４７） ４００ ５２００ Δ
（５３） ３５０ １（１０）７５ Δ（５４）
４００ １０２００ Δ（５５） ｔｏｏ
２０ ５０ ０（５８）
３Ｑ０ ２０ １５０ Δ（
５９） ３００ ２０ ２０
０ Δ（６０） ３５０
２０ ．１７５ Ｘ（６１） ４０
０ ２０ ２００ Ｘ（６２）
１００ ２５ ５０
Ｘ（６３） ２００ ２５
１００ Ｘ（６４） ２００
２５ １５０ Ｘ（６５）
３００ ２５ １５０ Ｘ（
６６） ３００ ２５ ２０
０ Ｘ（６７） ３００
２５ １７５ Ｘこれらの実験から、辺の長
さａを２０μｍ以下とした多角柱体スペーサを用いた液
晶素子では、多角柱体の長さｂを３００Ｉｔｍ以下とし
た時には、液晶素子としての実用化にはほとんど問題が
ないが、多角柱体のｂを３００μｍ以上とした場合でけ
配向欠陥が数多く発生し実用不可能なものであることが
判った。
４００ １０２００ Δ（５５） ｔｏｏ
２０ ５０ ０（５８）
３Ｑ０ ２０ １５０ Δ（
５９） ３００ ２０ ２０
０ Δ（６０） ３５０
２０ ．１７５ Ｘ（６１） ４０
０ ２０ ２００ Ｘ（６２）
１００ ２５ ５０
Ｘ（６３） ２００ ２５
１００ Ｘ（６４） ２００
２５ １５０ Ｘ（６５）
３００ ２５ １５０ Ｘ（
６６） ３００ ２５ ２０
０ Ｘ（６７） ３００
２５ １７５ Ｘこれらの実験から、辺の長
さａを２０μｍ以下とした多角柱体スペーサを用いた液
晶素子では、多角柱体の長さｂを３００Ｉｔｍ以下とし
た時には、液晶素子としての実用化にはほとんど問題が
ないが、多角柱体のｂを３００μｍ以上とした場合でけ
配向欠陥が数多く発生し実用不可能なものであることが
判った。
以上の実施例から液晶素子を作成する際のラビング処理
方向とスペーサにおけるラビング処理方向と垂直な辺の
長さを２０μｍ以下とじた時には、配向欠陥を生じるこ
とがなく、良好な双安定性が得られることが判る。これ
に対し、前述の辺の長さが２０μｍを越えると、第７図
に示す様に前述の辺から配向欠陥が発生していた。又、
この配向欠陥線を境界にして、液晶の配向状態に相異が
観察された。この配向状態の相異は、液晶が各ドメイン
で一軸性の配向をなしてはいるが、各ドメイン間での配
向方向が異なり、ラビング処理方向から２〜３°の角度
でずれて配向したドメインが存在していた。この様な配
向状態下の各ドメインでの双安定性は大きく相異してお
沙、本来、この液Ｊ＆紫子が持つメモリー性を有してお
らず、所定の駆動による良好な表示を行なうことができ
なかった。
方向とスペーサにおけるラビング処理方向と垂直な辺の
長さを２０μｍ以下とじた時には、配向欠陥を生じるこ
とがなく、良好な双安定性が得られることが判る。これ
に対し、前述の辺の長さが２０μｍを越えると、第７図
に示す様に前述の辺から配向欠陥が発生していた。又、
この配向欠陥線を境界にして、液晶の配向状態に相異が
観察された。この配向状態の相異は、液晶が各ドメイン
で一軸性の配向をなしてはいるが、各ドメイン間での配
向方向が異なり、ラビング処理方向から２〜３°の角度
でずれて配向したドメインが存在していた。この様な配
向状態下の各ドメインでの双安定性は大きく相異してお
沙、本来、この液Ｊ＆紫子が持つメモリー性を有してお
らず、所定の駆動による良好な表示を行なうことができ
なかった。
この配向欠陥が発生する原因に対する解析は、未だ充分
に行なわれているわけではないが、本発明者らの推測に
よれば、ラビング処理方向と垂直に沿った辺の長さが２
０ａｍを越えると、この辺のスペーサ側面に液晶分子が
平行配向しようとするため、素子全体での液晶の一軸性
配向が阻害されることが考えられる。本実、本発明者ら
の観察によれば、辺の長さｂが２０μｍを越えた素子サ
ンプルでは、第７図に示す様な配向欠陥が共通に生じて
いた。
に行なわれているわけではないが、本発明者らの推測に
よれば、ラビング処理方向と垂直に沿った辺の長さが２
０ａｍを越えると、この辺のスペーサ側面に液晶分子が
平行配向しようとするため、素子全体での液晶の一軸性
配向が阻害されることが考えられる。本実、本発明者ら
の観察によれば、辺の長さｂが２０μｍを越えた素子サ
ンプルでは、第７図に示す様な配向欠陥が共通に生じて
いた。
このような現象は、ネｉチック液晶やコレステリック液
晶では見られなかった現象であり、又、カイラルスメク
チック液晶でも、その螺旋構造を解除するのに充分薄い
セルの場合には特徴的に発生する。前述の実験に於て、
現象的にけ、辺すの長さが、２０μｍ以下であれば欠陥
発生基を減少させることができる。
晶では見られなかった現象であり、又、カイラルスメク
チック液晶でも、その螺旋構造を解除するのに充分薄い
セルの場合には特徴的に発生する。前述の実験に於て、
現象的にけ、辺すの長さが、２０μｍ以下であれば欠陥
発生基を減少させることができる。
第１図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子を模式的に
示した斜視図である。第２図は、本発明で用いた別の強
誘電性液晶素子を模式的に示した斜視図である。第３図
（Ａ）は、本発明の液晶素子の断面図で、第３図（Ｂ）
はその平面図である。第４図、第５図及び第６図は、そ
れぞれ本発明で用いたスペーサ形状を示す平面図である
。第７図は、比較素子で発生した配向欠陥の状態をスケ
ッチした説明図である。 １ａ Ｎ 〜へ１
Ｓ％口
示した斜視図である。第２図は、本発明で用いた別の強
誘電性液晶素子を模式的に示した斜視図である。第３図
（Ａ）は、本発明の液晶素子の断面図で、第３図（Ｂ）
はその平面図である。第４図、第５図及び第６図は、そ
れぞれ本発明で用いたスペーサ形状を示す平面図である
。第７図は、比較素子で発生した配向欠陥の状態をスケ
ッチした説明図である。 １ａ Ｎ 〜へ１
Ｓ％口
Claims (10)
- （１）スペーサとなる微細な突起体を有し、且つ一方向
に一軸性配向処理を施した第１の基板と、該第１の基板
に対向する第２の基板とを有し、該第１の基板と第２の
基板との間に液晶を配置した液晶素子において、前記一
軸性配向処理方向に対する垂直方向に沿つた前記突起体
の辺の長さが０μｍ〜２０μｍ（０μｍは突起体の頂点
又は接点を意味する）であることを特徴とする液晶素子
。 - （２）前記一軸性配向処理方向に対する垂直方向に沿つ
た前記突起体の辺の長さが０μｍ〜２０μｍであるとと
もに、前記突起体における一軸性配向処理方向と平行な
成分の長さが３００μｍ以下である特許請求の範囲第１
項記載の液晶素子。 - （３）前記突起体が基板面内での直径を５０μｍ以下と
した円柱体である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子
。 - （４）前記突起体が惰円柱体であつて、その楕円の長軸
を前記一軸性配向処理方向と平行とし、その短軸の長さ
を５０μｍ以下とした惰円柱体である特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （５）前記一軸性配向処理がラビング処理である特許請
求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （６）前記液晶が強誘電性液晶である特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （７）前記液晶が強誘電性液晶であつて、前記第１の基
板と第２の基板が該強誘電性液晶の螺旋構造を解徐する
のに充分小さい間隔に保持されている特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （８）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
ある特許請求の範囲第６項又は第７項記載の液晶素子。 - （９）前記突起体が１ｍｍ＾２当り０．１個〜１００個
の割合で分布している特許請求の範囲第１項記載の液晶
素子。 - （１０）前記突起体が１ｍｍ＾２当り０．５個〜５０個
の割合で分布している特許請求の範囲第１項記載の液晶
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963985A JPS61267736A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 液晶素子 |
| US06/862,978 US4775225A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-14 | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963985A JPS61267736A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267736A true JPS61267736A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0547086B2 JPH0547086B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=14515381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10963985A Granted JPS61267736A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-22 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267736A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5499128A (en) * | 1993-03-15 | 1996-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device with acrylic polymer spacers and method of manufacturing the same |
| JPH10104640A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-04-24 | Toray Ind Inc | 液晶表示素子用基板及びそれを含むカラー液晶表示素子 |
| US6864945B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US6888608B2 (en) * | 1995-09-06 | 2005-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| JP2007025715A (ja) * | 1996-08-05 | 2007-02-01 | Toray Ind Inc | 液晶表示素子用基板及びそれを含むカラー液晶表示素子 |
| KR100763677B1 (ko) * | 1998-12-25 | 2007-10-04 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정 라이트 밸브 장치 |
| JP2020064273A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | リクスタル テクノロジー インコーポレイテッド | 液晶位相変調装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP10963985A patent/JPS61267736A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5499128A (en) * | 1993-03-15 | 1996-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device with acrylic polymer spacers and method of manufacturing the same |
| US6888608B2 (en) * | 1995-09-06 | 2005-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| JPH10104640A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-04-24 | Toray Ind Inc | 液晶表示素子用基板及びそれを含むカラー液晶表示素子 |
| JP2007025715A (ja) * | 1996-08-05 | 2007-02-01 | Toray Ind Inc | 液晶表示素子用基板及びそれを含むカラー液晶表示素子 |
| KR100763677B1 (ko) * | 1998-12-25 | 2007-10-04 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정 라이트 밸브 장치 |
| US7298450B2 (en) | 2000-08-30 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US6864945B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US7538840B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2020064273A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | リクスタル テクノロジー インコーポレイテッド | 液晶位相変調装置及びその製造方法 |
| CN111077701A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 源奇科技股份有限公司 | 液晶相位调制装置及其制造方法 |
| US10901268B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-01-26 | Liqxtal Technology Inc. | Liquid crystal phase modulation device having spacer in liquid crystal layer and method for fabricating the same |
| CN111077701B (zh) * | 2018-10-18 | 2022-07-19 | 源奇科技股份有限公司 | 液晶透镜相位调制装置 |
| US11487167B2 (en) | 2018-10-18 | 2022-11-01 | Liqxtal Technology Inc. | Method for fabricating liquid crystal phase modulation device having spacer in liquid crystal layer |
| US11789319B2 (en) | 2018-10-18 | 2023-10-17 | Liqxtal Technology Inc. | Liquid crystal phase modulation device having elongated spacer in liquid crystal layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547086B2 (ja) | 1993-07-15 |
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