JPS61263185A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS61263185A JPS61263185A JP60105472A JP10547285A JPS61263185A JP S61263185 A JPS61263185 A JP S61263185A JP 60105472 A JP60105472 A JP 60105472A JP 10547285 A JP10547285 A JP 10547285A JP S61263185 A JPS61263185 A JP S61263185A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08081—Unstable resonators
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- H—ELECTRICITY
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は位相同期型半導体レーザアレイ装置の構造に関
するものである。
するものである。
〈従来技術とその問題点〉
半導体レーザを高出力動作させる場合、実用性全考慮す
ると単体の半導体レーザ素子では現在のところ、最大出
力は５０ｍＷ程度が限界である。そこで、複数個の半導
体レーザを同一基板上に並べることによって大出力化を
図る半導体レーザアレイの研究が注目されるようになっ
てき友。第３図に屈折率導波路型半導体レーザアレイの
基本構造及び屈折率と電界強度分布を示す。ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１１ＫＶ字状のストライプ溝１２が複数本並設さ
れ、この上にｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層１３、レーザ
発振用のｐ−ＧａＡｓ 活性層Ｉ Ｌ Ｉ）−ＧａＡｔ
Ａｓクラッド層１５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１６が順
次堆積され、電流狭窄用絶縁膜１７とｎ側電極！８及び
ｐ側電極１９が形成されて駆動用電流が注入される。
ると単体の半導体レーザ素子では現在のところ、最大出
力は５０ｍＷ程度が限界である。そこで、複数個の半導
体レーザを同一基板上に並べることによって大出力化を
図る半導体レーザアレイの研究が注目されるようになっ
てき友。第３図に屈折率導波路型半導体レーザアレイの
基本構造及び屈折率と電界強度分布を示す。ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１１ＫＶ字状のストライプ溝１２が複数本並設さ
れ、この上にｎ−ＧａＡｔＡｓクラッド層１３、レーザ
発振用のｐ−ＧａＡｓ 活性層Ｉ Ｌ Ｉ）−ＧａＡｔ
Ａｓクラッド層１５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１６が順
次堆積され、電流狭窄用絶縁膜１７とｎ側電極！８及び
ｐ側電極１９が形成されて駆動用電流が注入される。
しかしながら、通常の屈折率導波路型半導体レーザアレ
イでは第３図（３）に示すように溝１２の両側へにじみ
出几光はｎ−ＧａＡｓ 基板１１に吸収される結果、第
３図の）に示すような横方向の実効屈折率（ｎｅｆｆ）
分布が形成される。尚、発振領域及びこの中間領域の光
強度分布を夫々第３図（至）にＡ。
イでは第３図（３）に示すように溝１２の両側へにじみ
出几光はｎ−ＧａＡｓ 基板１１に吸収される結果、第
３図の）に示すような横方向の実効屈折率（ｎｅｆｆ）
分布が形成される。尚、発振領域及びこの中間領域の光
強度分布を夫々第３図（至）にＡ。
Ｂで示している。ここで発振領域は溝１２直上の活性層
１４に対応しており、中間領域はその中間に位置する非
発振領域である。図よ！ｌｌ明らかなように中間領域は
損失領域となる。このとき、中間領域で光強度の割合が
少なくなるモードの発振閾値利得が最も小さくなる。従
って、第３図ＩＣ）に示すように隣ジ合っ几レーザ発振
領域の電界の位相が１８０°反転し、その中間領域で零
となる１８０゜位相モードの発振閾値利得は、第３図（
Ｄ）に示すような隣り合った半導体レーザの電界位相が
０ となり中間領域でも電界が存在する０ 位相モード
に比べて小さくなる。その結果、ｐ側電極１９及びｎ側
電極１８全介して注入電流全漸次増加するとまずこの１
８０°位相モードが発振し、さらに注入電流を増加する
と０位相モードが発振することになる。
１４に対応しており、中間領域はその中間に位置する非
発振領域である。図よ！ｌｌ明らかなように中間領域は
損失領域となる。このとき、中間領域で光強度の割合が
少なくなるモードの発振閾値利得が最も小さくなる。従
って、第３図ＩＣ）に示すように隣ジ合っ几レーザ発振
領域の電界の位相が１８０°反転し、その中間領域で零
となる１８０゜位相モードの発振閾値利得は、第３図（
Ｄ）に示すような隣り合った半導体レーザの電界位相が
０ となり中間領域でも電界が存在する０ 位相モード
に比べて小さくなる。その結果、ｐ側電極１９及びｎ側
電極１８全介して注入電流全漸次増加するとまずこの１
８０°位相モードが発振し、さらに注入電流を増加する
と０位相モードが発振することになる。
上記半導体レーザアレイ装置における出射ビームの遠視
野像は第４図（Ａ）０３）の如くとなる０第４図（至）
は１８０°位相モード、第４図Ｇ３）は０°位相モード
を示す。すなわち、低注入領域でのレーザアレイの遠視
野像は第４図（３）に糸すようなものとなり、高注入領
域では第４図（３）と第４図［Ｆ］）の両モードが混在
し几形状となる。１８０ 位相モードはレンズ全周い
て集光した場合に２つのビーム位相が１８００ずれてい
るため１個の微少なレーザスポットに集光することがで
きず、光デイスクシステム等の微少なレーザスポットＴ
ｈ必要とする光情報処理システムの光源としては使用す
ることができない０ 〈発明の目的〉 本発明は、同一基板上に形成された複数個のレーザ発振
領域が全て同一位相で同時に発振しかつ単一ピークの放
射パターンで大出力のレーザビーム金放射する半導体レ
ーザアレイ装置を提供することｔ目的とする。
野像は第４図（Ａ）０３）の如くとなる０第４図（至）
は１８０°位相モード、第４図Ｇ３）は０°位相モード
を示す。すなわち、低注入領域でのレーザアレイの遠視
野像は第４図（３）に糸すようなものとなり、高注入領
域では第４図（３）と第４図［Ｆ］）の両モードが混在
し几形状となる。１８０ 位相モードはレンズ全周い
て集光した場合に２つのビーム位相が１８００ずれてい
るため１個の微少なレーザスポットに集光することがで
きず、光デイスクシステム等の微少なレーザスポットＴ
ｈ必要とする光情報処理システムの光源としては使用す
ることができない０ 〈発明の目的〉 本発明は、同一基板上に形成された複数個のレーザ発振
領域が全て同一位相で同時に発振しかつ単一ピークの放
射パターンで大出力のレーザビーム金放射する半導体レ
ーザアレイ装置を提供することｔ目的とする。
〈発明の構成〉
本発明は複数の活性導波路を有する半導体アレイ装置に
おいて、少なくとも一方の共振劈開面反射率全臂開時の
値よりも低減させかつ、この劈開面に相対面する位置に
限定され次開口の反射鏡を設置し、０位相モードで放射
され之レーザ光が°主にこの反射鏡で反射されてレーザ
アレイ素子に再入射するように構成することにより、半
導体レーザアレイ装置ｔ−０°位相で同期発振させるよ
うに設定したことを特徴としている。
おいて、少なくとも一方の共振劈開面反射率全臂開時の
値よりも低減させかつ、この劈開面に相対面する位置に
限定され次開口の反射鏡を設置し、０位相モードで放射
され之レーザ光が°主にこの反射鏡で反射されてレーザ
アレイ素子に再入射するように構成することにより、半
導体レーザアレイ装置ｔ−０°位相で同期発振させるよ
うに設定したことを特徴としている。
〈実施例〉
以下、ここでは第３図囚に示すような平坦な活性層をも
つＧａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ系半導体レーザアレイを例に
とって本発明の１実施例を説明する。第３図（イ）に示
す半導体レーザアレイ装置は、次のようにして製作され
る。ｎ−ＧａＡｓ 基板！ｌ上に幅ＷのＶ字状ストライ
プ溝＋２全平行にピッチＤでエツチングにより計５本形
成する。この溝１２會有する基板１１面上にｎ−ＧａＡ
ｔＡｓクラッド層１３、ｐ（又はｎ）−ＧａＡｓ（又は
ＧａＡｔＡｓ）活性層１４、ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド
層１５及びｐ−ＧａＡｓ キャップ層１６からなるダブ
ルへテロ接合構造のレーザ動作用多層結晶層上エピタキ
シャル成長させる０その後、オーミックコンタクトをと
るためのｐ−ＧａＡｓキャップ層１６上に電流狭窄のた
めの５ｔ３Ｎ４から成る絶縁膜１７をパターン形成した
後、Ａ ｕ ＋ Ｇ ｅ ＋ Ｎ １等の金属から成る
ｎ側電極１８及びｐ側電極１９をそれぞれＧａＡｓ基板
１１及びキャップ層１６上に形成する。
つＧａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ系半導体レーザアレイを例に
とって本発明の１実施例を説明する。第３図（イ）に示
す半導体レーザアレイ装置は、次のようにして製作され
る。ｎ−ＧａＡｓ 基板！ｌ上に幅ＷのＶ字状ストライ
プ溝＋２全平行にピッチＤでエツチングにより計５本形
成する。この溝１２會有する基板１１面上にｎ−ＧａＡ
ｔＡｓクラッド層１３、ｐ（又はｎ）−ＧａＡｓ（又は
ＧａＡｔＡｓ）活性層１４、ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド
層１５及びｐ−ＧａＡｓ キャップ層１６からなるダブ
ルへテロ接合構造のレーザ動作用多層結晶層上エピタキ
シャル成長させる０その後、オーミックコンタクトをと
るためのｐ−ＧａＡｓキャップ層１６上に電流狭窄のた
めの５ｔ３Ｎ４から成る絶縁膜１７をパターン形成した
後、Ａ ｕ ＋ Ｇ ｅ ＋ Ｎ １等の金属から成る
ｎ側電極１８及びｐ側電極１９をそれぞれＧａＡｓ基板
１１及びキャップ層１６上に形成する。
以上により得られた半導体レーザアレイウェハー全共振
器長が２５０ ｐｍになるように劈開し、骨間端面でフ
ァブリ・ベロー共振器を形成する。次に、一方の劈開面
に膜厚がλ／４（λ：発振波長）程度になるようにＡｔ
２０３膜全電子ビ一ム蒸着法で被覆する。この劈開面の
反射率は約数％となる。
器長が２５０ ｐｍになるように劈開し、骨間端面でフ
ァブリ・ベロー共振器を形成する。次に、一方の劈開面
に膜厚がλ／４（λ：発振波長）程度になるようにＡｔ
２０３膜全電子ビ一ム蒸着法で被覆する。この劈開面の
反射率は約数％となる。
次に反対側の劈開面にはλ／２の膜厚のＡｔ２０３膜蒸
着し、この劈開面の反射率全豹３０％とする。
着し、この劈開面の反射率全豹３０％とする。
尚、劈開面に被覆する薄膜としてはＡｔ２０３以外の酸
化膜やアモルファスシリコン膜全利用することもできる
。更に各半導体レーザアレイ素子単位に分割する。以上
により、本実施例に用いられる半導体レープアレイ装置
の基本素子が作製される。
化膜やアモルファスシリコン膜全利用することもできる
。更に各半導体レーザアレイ素子単位に分割する。以上
により、本実施例に用いられる半導体レープアレイ装置
の基本素子が作製される。
第１図は、上記工程を介して作製され次半導体し−ザア
レイ素子金組み込んだ本発明の１実施例を示す半導体レ
ーザアレイ装置の基本構成図であるＯ 上記工程全弁して作製され九半導体レーザアレイ素子３
０の共振方向の劈開面にはλ／４の膜厚のＡｔ２０３膜
３１と人／２の膜厚のＡｔ２０３膜３２が被覆されてい
る。このレーザアレイ素子３０を銅ま几はダイヤモンド
等の熱伝導率の良好な放熱体３３にインジウムでロウ付
けし支持台３４に取り付ける。次に反射率が数％の劈開
面即ちλ／４の膜厚のＡｔ２０３膜３１が被覆された端
面側に凹面鏡３５を相対面して設置する。この場合、半
導体レーザアレイ素子３０の活性領域から出射し友レー
ザ光が凹面鏡３５によって反射され、再度半導体レーザ
アレイ素子３０の活性領域に再入射するように精度良く
半導体レーザアレイ素子３０と凹面鏡３５の位置関係を
設定する０凹面鏡３５の大きさは、活性領域からみた開
口角が半導体レーザアレイ素子３０のＰ−Ｎ接合面に平
行方向で約４ 、垂直方向で約５０ とすることによ
ってＯ位相モードの出射光をほぼ完全にま比選択的に活
性層領域に戻すことができる。このため、０位相モード
の共振器面の損失は１８０ 位相モードの共振器面の
損失に比べてはるかに少なくなる。その結果、０ 位相
モードのレーザアレイ素子３０内部での基板吸収による
損失は１８０膜位相モードに比べて太きいが、外部共振
器によって構成される全体としての損失は１８０ 位相
モードに比べて少なくなり・発振閾値利得も小さくなる
。
レイ素子金組み込んだ本発明の１実施例を示す半導体レ
ーザアレイ装置の基本構成図であるＯ 上記工程全弁して作製され九半導体レーザアレイ素子３
０の共振方向の劈開面にはλ／４の膜厚のＡｔ２０３膜
３１と人／２の膜厚のＡｔ２０３膜３２が被覆されてい
る。このレーザアレイ素子３０を銅ま几はダイヤモンド
等の熱伝導率の良好な放熱体３３にインジウムでロウ付
けし支持台３４に取り付ける。次に反射率が数％の劈開
面即ちλ／４の膜厚のＡｔ２０３膜３１が被覆された端
面側に凹面鏡３５を相対面して設置する。この場合、半
導体レーザアレイ素子３０の活性領域から出射し友レー
ザ光が凹面鏡３５によって反射され、再度半導体レーザ
アレイ素子３０の活性領域に再入射するように精度良く
半導体レーザアレイ素子３０と凹面鏡３５の位置関係を
設定する０凹面鏡３５の大きさは、活性領域からみた開
口角が半導体レーザアレイ素子３０のＰ−Ｎ接合面に平
行方向で約４ 、垂直方向で約５０ とすることによ
ってＯ位相モードの出射光をほぼ完全にま比選択的に活
性層領域に戻すことができる。このため、０位相モード
の共振器面の損失は１８０ 位相モードの共振器面の
損失に比べてはるかに少なくなる。その結果、０ 位相
モードのレーザアレイ素子３０内部での基板吸収による
損失は１８０膜位相モードに比べて太きいが、外部共振
器によって構成される全体としての損失は１８０ 位相
モードに比べて少なくなり・発振閾値利得も小さくなる
。
第２図（３）（Ｂ）は本発明の他の実施例ヶ示す半導体
レーザアレイ装置の構成図であり、第２図囚は側面図、
第２図の）は平面図である。本実施例では先の実施例で
使用した凹面鏡の代わりに凸レンズ３６と平面鏡３７？
用いて同様な作用効果を得ている。
レーザアレイ装置の構成図であり、第２図囚は側面図、
第２図の）は平面図である。本実施例では先の実施例で
使用した凹面鏡の代わりに凸レンズ３６と平面鏡３７？
用いて同様な作用効果を得ている。
第２図（イ）に半導体レーザアレイ素子のＰ−Ｎ接合に
垂直方向の出射光の光路、同図（Ｂ）にＰ−Ｎ接合に平
行方向の出射光の光路全示す。半導体レーザアレイ素子
３０から出射したレーザ光は凸レンズ３６會通過して平
行光束となり、平面鏡３７で反射されて元の光路を逆に
進行し、レーザアレイ素子３０へ帰還される。このよう
に凸レンズ３６と平面鏡３７を使用しても本発明の半導
体レーザアレイ装置？構成することができるＱ活性層が
５本で、活性導波路幅Ｗが４μｍ１ 中Ｍ：領域幅Ｗ８
が１μｍ１一方の劈開面の反射率が約３０％、他方の反
射率が約３％、凹面鏡の反射率が約９５％に設定した半
導体レーザアレイ装置を炸裂し、その特性を調べると発
振閾値電流は約１５０ｍＡであジ１光出力１５０ｍＷま
で０ 位相モードで発振し、！８０゜位相モードの発振
全抑制することができｆｔ。
垂直方向の出射光の光路、同図（Ｂ）にＰ−Ｎ接合に平
行方向の出射光の光路全示す。半導体レーザアレイ素子
３０から出射したレーザ光は凸レンズ３６會通過して平
行光束となり、平面鏡３７で反射されて元の光路を逆に
進行し、レーザアレイ素子３０へ帰還される。このよう
に凸レンズ３６と平面鏡３７を使用しても本発明の半導
体レーザアレイ装置？構成することができるＱ活性層が
５本で、活性導波路幅Ｗが４μｍ１ 中Ｍ：領域幅Ｗ８
が１μｍ１一方の劈開面の反射率が約３０％、他方の反
射率が約３％、凹面鏡の反射率が約９５％に設定した半
導体レーザアレイ装置を炸裂し、その特性を調べると発
振閾値電流は約１５０ｍＡであジ１光出力１５０ｍＷま
で０ 位相モードで発振し、！８０゜位相モードの発振
全抑制することができｆｔ。
尚、本発明の半導体アレイは上述したＧａＡｓ−ＧａＡ
ｔＡｓ系に限らず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系その他の
材料？用い九半導体レーザアレイ装置に適用することが
できる。
ｔＡｓ系に限らず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系その他の
材料？用い九半導体レーザアレイ装置に適用することが
できる。
〈発明の効果〉
本発明は以上詳説した如く半導体レーザアレイ素子にお
いて、一方の劈開面の反射率全低減しかつこの劈開面に
相対面して０位相モードの出射光を選択的に反射し、活
性領域へ再入射させることができる外部共振面を形成し
たものであり、θ。
いて、一方の劈開面の反射率全低減しかつこの劈開面に
相対面して０位相モードの出射光を選択的に反射し、活
性領域へ再入射させることができる外部共振面を形成し
たものであり、θ。
位相モードの共振器ミラー損失金１８０ 位相モードの
共振器ミラー損失に比べて大幅に低減することができ、
０ 位相モードの損失全夏８０ 位相モードに比べて少
なくできるため、０位相モードの発振閾値電流全１８０
位相モードに比べて小さくすることができるＯこの結
果、０°位相で同期したレーザ元金放射する半導体レー
ザアレイ装置が実現でき、高注入領域まで第４図＠）に
示すような１本の遠視野像の高出力レーザ光を得ること
が可能となる。
共振器ミラー損失に比べて大幅に低減することができ、
０ 位相モードの損失全夏８０ 位相モードに比べて少
なくできるため、０位相モードの発振閾値電流全１８０
位相モードに比べて小さくすることができるＯこの結
果、０°位相で同期したレーザ元金放射する半導体レー
ザアレイ装置が実現でき、高注入領域まで第４図＠）に
示すような１本の遠視野像の高出力レーザ光を得ること
が可能となる。
第１図は本発明の１実施例金示す半導体レーザアレイ装
置の基本構成図である。第２図（Ａ）０３）は本発明の
他の実施例を示す半導体レーザアレイ装置の側面図及び
平面図である。第３図（Ａ）［Ｆ］＞（Ｃ）■）は屈折
率導波型半導体レーザアレイ素子の基本構造及び屈折率
と電界強度分布を示す説明図である。第４図（イ）［Ｆ
］）は活性層に平行方向の遠視野像上水す説明図である
。 １１・・・ＧａＡｓ基板 １２・・・溝 １３・・・ｎ
−クラッド層 １４・・・活性層 １５・・・ｐ−クラ
ッド層１６・・・キャップ層 ３０・・・半導体レーザ
アレイ素子 ３１．３２・・・Ａｔ２０３膜 ３５・・
・凹面鏡 ３６・・・凸レンズ ３７・・・平面鏡 代理人 弁理士 福 士 愛 彦′（他２名）第１図 （Ｃ） 詣繕
置の基本構成図である。第２図（Ａ）０３）は本発明の
他の実施例を示す半導体レーザアレイ装置の側面図及び
平面図である。第３図（Ａ）［Ｆ］＞（Ｃ）■）は屈折
率導波型半導体レーザアレイ素子の基本構造及び屈折率
と電界強度分布を示す説明図である。第４図（イ）［Ｆ
］）は活性層に平行方向の遠視野像上水す説明図である
。 １１・・・ＧａＡｓ基板 １２・・・溝 １３・・・ｎ
−クラッド層 １４・・・活性層 １５・・・ｐ−クラ
ッド層１６・・・キャップ層 ３０・・・半導体レーザ
アレイ素子 ３１．３２・・・Ａｔ２０３膜 ３５・・
・凹面鏡 ３６・・・凸レンズ ３７・・・平面鏡 代理人 弁理士 福 士 愛 彦′（他２名）第１図 （Ｃ） 詣繕
Claims (1)
- １、レーザ発振用共振器を構成する一対の劈開端面間に
複数本の平行な活性導波路を並設し、一方の前記劈開端
面に光反射率を低減する薄膜を形成しかつ該劈開端面に
対面する位置に０°位相モードの出射光を選択的に反射
して前記活性導波路へ再入射せしめる外部共振面を付設
したことを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105472A JPS61263185A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105472A JPS61263185A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263185A true JPS61263185A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0337876B2 JPH0337876B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=14408533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105472A Granted JPS61263185A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263185A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950622A (en) * | 1988-04-28 | 1990-08-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode |
| CN110412544A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-05 | 上海禾赛光电科技有限公司 | 激光发射系统以及包括所述激光发射系统的激光雷达 |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP60105472A patent/JPS61263185A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950622A (en) * | 1988-04-28 | 1990-08-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode |
| CN110412544A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-05 | 上海禾赛光电科技有限公司 | 激光发射系统以及包括所述激光发射系统的激光雷达 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337876B2 (ja) | 1991-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |