JPS61251217A - マイクロ波帯増幅器 - Google Patents
マイクロ波帯増幅器Info
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- JPS61251217A JPS61251217A JP9160485A JP9160485A JPS61251217A JP S61251217 A JPS61251217 A JP S61251217A JP 9160485 A JP9160485 A JP 9160485A JP 9160485 A JP9160485 A JP 9160485A JP S61251217 A JPS61251217 A JP S61251217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- amplifier
- input
- amplifier element
- amplification element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は発振に対する安定性を向上させた増幅器に関す
るものである。
るものである。
〈従来技術〉
一般に、パッケージ付のＦＥＴ （又はバイポーラトラ
ンジスタ）からなる増幅素子を用いてマイクロ波増幅器
を構成する場合、誘電体基板上に導体パターンを形成し
てなるマイクロ・ストリップ線路の上に上記増幅素子を
載置して装着する方式が広く採用されている。第２図は
上記増幅器の従来構造を示している。第２図（ａ）は上
面図、同図（ｂ）はそのｃ−ｃ’線での断面図、同図（
ｃ）はそのＤ−Ｄ’線での断面図を示したものである。
ンジスタ）からなる増幅素子を用いてマイクロ波増幅器
を構成する場合、誘電体基板上に導体パターンを形成し
てなるマイクロ・ストリップ線路の上に上記増幅素子を
載置して装着する方式が広く採用されている。第２図は
上記増幅器の従来構造を示している。第２図（ａ）は上
面図、同図（ｂ）はそのｃ−ｃ’線での断面図、同図（
ｃ）はそのＤ−Ｄ’線での断面図を示したものである。
同図で１は入力整合回路、３はＦＥＴ又はバイポーラト
ランジスタからなるパッケージ付増幅素子、４は該増幅
素子３の接地端子、５はストリップ線路の接地電極＃６
は出力整合回路、８は誘電体基板。
ランジスタからなるパッケージ付増幅素子、４は該増幅
素子３の接地端子、５はストリップ線路の接地電極＃６
は出力整合回路、８は誘電体基板。
９は電磁遮蔽板である。
ここで、マイクロ・ストリップ線路上にパッケージ付増
幅素子を電磁遮蔽することなく装着した場合は上記スト
リップ線路を信号が伝送することによって生じる電磁界
のために上記増幅素子の入出力が電磁結合し、発振する
場合がしばしば生ずるので、従来では＠２図に見られる
様に電磁遮蔽板９を増幅素子３の入出力間に設けること
で電磁結合を軽減してきた。しかし、マイクロ・ストリ
ップ線路では電磁界が線路近傍に集中しているため、上
記従来例の様に電磁遮蔽板９を増幅素子３のパッケージ
上に配置する方法では、誘電体基板８の入出力線路近傍
に上記増幅素子３のパッケ−ジに応じた隙間（斜線部分
ａ）が生じ、このパッケージ部との隙間ａを介して上記
増幅素子３の入出力間が電磁結合し増幅器が発振すると
いう大きな問題があった。
幅素子を電磁遮蔽することなく装着した場合は上記スト
リップ線路を信号が伝送することによって生じる電磁界
のために上記増幅素子の入出力が電磁結合し、発振する
場合がしばしば生ずるので、従来では＠２図に見られる
様に電磁遮蔽板９を増幅素子３の入出力間に設けること
で電磁結合を軽減してきた。しかし、マイクロ・ストリ
ップ線路では電磁界が線路近傍に集中しているため、上
記従来例の様に電磁遮蔽板９を増幅素子３のパッケージ
上に配置する方法では、誘電体基板８の入出力線路近傍
に上記増幅素子３のパッケ−ジに応じた隙間（斜線部分
ａ）が生じ、このパッケージ部との隙間ａを介して上記
増幅素子３の入出力間が電磁結合し増幅器が発振すると
いう大きな問題があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記問題点を克服するためになされたものであ
り、増幅素子の入出力間の電磁結合を防止することで発
振に対する安定性が極めて優れたマイクロ波帯増幅器を
提供することを目的とする。
り、増幅素子の入出力間の電磁結合を防止することで発
振に対する安定性が極めて優れたマイクロ波帯増幅器を
提供することを目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する・ 第１図に本発明に係るマイクロ波帯増幅器の一実施例を
示す。同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線での断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線での断面図
である。同図で２は電磁遮蔽板、７は誘電体基板８に設
けられた増幅素子３の埋め込み用の穴である。尚、同図
において＃Ｊ２図と同一部分は同一記号で示す。
する・ 第１図に本発明に係るマイクロ波帯増幅器の一実施例を
示す。同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線での断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線での断面図
である。同図で２は電磁遮蔽板、７は誘電体基板８に設
けられた増幅素子３の埋め込み用の穴である。尚、同図
において＃Ｊ２図と同一部分は同一記号で示す。
この実施例において、第２図の従来例と太き（異なるの
は誘電体基板８にパッケージ付増幅素子３を埋め込むた
めの穴７が設けられており、その穴７に上記増幅素子３
を上下逆にして埋め込み、さらに電磁遮蔽板２を上記増
幅素子３の接地端子４上に完全に密着させた点である。
は誘電体基板８にパッケージ付増幅素子３を埋め込むた
めの穴７が設けられており、その穴７に上記増幅素子３
を上下逆にして埋め込み、さらに電磁遮蔽板２を上記増
幅素子３の接地端子４上に完全に密着させた点である。
従来例では上記の様に増幅素子３のパッケージが誘電体
基板８上に突出した形で装着されていたため、電磁遮蔽
板９には必ず上記増幅素子３のパッケージの断面形状に
応じた隙間ａが、上記誘電体基板上の最も電磁界の集中
している近傍部分に生じ、上記増幅素子３の入出力間を
完全に電磁遮蔽することが不可能であった。しかし、こ
の実施例では増幅素子３は誘電体基板８に形成された穴
７に埋め込まれているため、上記誘電体基板８の上面は
平担となり、電磁遮蔽板２は上記誘電体基板８上に上記
増幅素子３の接地電極４を介して密着させることができ
るため、従来は不可能であった増幅素子３の入出力間の
完全な電磁遮蔽を容易に実現できるものである。その結
果、従来よりの大きな問題点であった増幅素子の入出力
間の、電磁結合によって生じる発振が発生しない、極め
て安定な増幅器を得ることができるものである。
基板８上に突出した形で装着されていたため、電磁遮蔽
板９には必ず上記増幅素子３のパッケージの断面形状に
応じた隙間ａが、上記誘電体基板上の最も電磁界の集中
している近傍部分に生じ、上記増幅素子３の入出力間を
完全に電磁遮蔽することが不可能であった。しかし、こ
の実施例では増幅素子３は誘電体基板８に形成された穴
７に埋め込まれているため、上記誘電体基板８の上面は
平担となり、電磁遮蔽板２は上記誘電体基板８上に上記
増幅素子３の接地電極４を介して密着させることができ
るため、従来は不可能であった増幅素子３の入出力間の
完全な電磁遮蔽を容易に実現できるものである。その結
果、従来よりの大きな問題点であった増幅素子の入出力
間の、電磁結合によって生じる発振が発生しない、極め
て安定な増幅器を得ることができるものである。
〈発明の効果〉
以上に説明した如く本発明によれば、増幅器の入出力間
の電磁結合のために生じる発振を防止できるという極め
て有効な利点を有する。
の電磁結合のために生じる発振を防止できるという極め
て有効な利点を有する。
第１図は本発明に係るマイクロ波帯増幅器の一実施例を
示し、同図（ａ）は上面図、同図色）はＡ−Ａ’線での
断面図、同図（ｃ）はＢ−Ｂ’線での断面図、第２図は
従来のマイクロ波帯増幅器を示し、同一（ａ）は上面図
、同図（ｂ）はｃ−ｃ’線での断面図、同図（ｃ）はＤ
−Ｄ’線での断面図を示す。 図中、 ｌ：入力整合回路、 ２：電磁遮蔽板、３：増幅素子、
４：接地端子、 ５：接地電極、 ６：出力整合回路、７：穴、
８：＠電体基板。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖＥ１図
示し、同図（ａ）は上面図、同図色）はＡ−Ａ’線での
断面図、同図（ｃ）はＢ−Ｂ’線での断面図、第２図は
従来のマイクロ波帯増幅器を示し、同一（ａ）は上面図
、同図（ｂ）はｃ−ｃ’線での断面図、同図（ｃ）はＤ
−Ｄ’線での断面図を示す。 図中、 ｌ：入力整合回路、 ２：電磁遮蔽板、３：増幅素子、
４：接地端子、 ５：接地電極、 ６：出力整合回路、７：穴、
８：＠電体基板。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖＥ１図
Claims (1)
- １、基板に増幅素子を埋め込む穴を形成し、該穴の中に
信号端子部を上側にて増幅素子を埋め込み、該増幅素子
上に該増幅素子の接地端子を介して電磁遮蔽板を載置し
たことを特徴とするマイクロ波帯増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160485A JPS61251217A (ja) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | マイクロ波帯増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160485A JPS61251217A (ja) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | マイクロ波帯増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251217A true JPS61251217A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14031162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9160485A Pending JPS61251217A (ja) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | マイクロ波帯増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638802U (ja) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 |
-
1985
- 1985-04-27 JP JP9160485A patent/JPS61251217A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638802U (ja) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| EP0876088A3 (en) * | 1997-05-02 | 1999-10-27 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
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