JPS61243950A - 光学ヘツド - Google Patents
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- JPS61243950A JPS61243950A JP8531385A JP8531385A JPS61243950A JP S61243950 A JPS61243950 A JP S61243950A JP 8531385 A JP8531385 A JP 8531385A JP 8531385 A JP8531385 A JP 8531385A JP S61243950 A JPS61243950 A JP S61243950A
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- photodetector
- light
- frame
- laser beam
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Links
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Landscapes
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、集束光を用い情報記憶媒体から少なくとも情
報を読取ることが可能なもので、例えば、DAD用のC
D(コンパクトディスク)やビデオディスクのような再
生専用の情報記憶媒体や、画像ファイル・静止画ファイ
ル・DOM(コンビュウターアウトプットメモリー)等
に用いられ、集束光により記録層に対し穴を開ける等の
状態変化を起こさせて情報の記録を行ない、また、そこ
から再生することができる情報記憶媒体、さらに消去可
能な情報記憶媒体に対し、少なくとも再生または記録を
行なうときに適用される光学ヘッドに関する。
報を読取ることが可能なもので、例えば、DAD用のC
D(コンパクトディスク)やビデオディスクのような再
生専用の情報記憶媒体や、画像ファイル・静止画ファイ
ル・DOM(コンビュウターアウトプットメモリー)等
に用いられ、集束光により記録層に対し穴を開ける等の
状態変化を起こさせて情報の記録を行ない、また、そこ
から再生することができる情報記憶媒体、さらに消去可
能な情報記憶媒体に対し、少なくとも再生または記録を
行なうときに適用される光学ヘッドに関する。
上記種の装置においては、情報記憶媒体から情報を読取
ったり、あるいは情報記憶媒体に新たに情報を書き加え
るとき、常に集束光の集光点が情報記憶媒体の記録層も
しくは光反射層の位置と一致していなければならない。
ったり、あるいは情報記憶媒体に新たに情報を書き加え
るとき、常に集束光の集光点が情報記憶媒体の記録層も
しくは光反射層の位置と一致していなければならない。
そのため、その装置内には自動焦点ぼけ検出機能および
その補正機能を有している。
その補正機能を有している。
しかしながら、この機能は、光軸がずれた場合、焦点ぼ
け検出を行なう光検出器上で焦点ぼけ検出用のスポット
が移動してしまい、あたかも焦点がぼけたものとして誤
検知してしまう。そのため、外部環境の変化(温度変化
、湿度変化、機械的な振動や衝撃等)゛により、光軸が
ずれると焦点がぼけてしまう。特に、温度変化に対して
は影響を受は易い。
け検出を行なう光検出器上で焦点ぼけ検出用のスポット
が移動してしまい、あたかも焦点がぼけたものとして誤
検知してしまう。そのため、外部環境の変化(温度変化
、湿度変化、機械的な振動や衝撃等)゛により、光軸が
ずれると焦点がぼけてしまう。特に、温度変化に対して
は影響を受は易い。
すなわち、第10図および第11図に示すように、情報
記憶媒体で反射され、投射レンズ1により導かれた光は
光検出器2の光検出領域3に投影される。ここで、光検
出器2はそのフレーム4自体が電極となっており、また
、光検出器2を支持するホルダー5もその熱膨張率が大
きいとホルダー5の動きにより光検出器2が位置ずれを
生じるため、通常、金属が用いられている。このため、
光検出器2とホルダー5との絶縁を目的として光検出器
5の周辺にベーク材等の有機物からなる絶縁物6を配置
し、その上にホルダー5を取付け、さらに、そのホルダ
ー5を投射レンズ1のホルダー7に取付けたり、光学ヘ
ッド本体に取付けたりして、いた。
記憶媒体で反射され、投射レンズ1により導かれた光は
光検出器2の光検出領域3に投影される。ここで、光検
出器2はそのフレーム4自体が電極となっており、また
、光検出器2を支持するホルダー5もその熱膨張率が大
きいとホルダー5の動きにより光検出器2が位置ずれを
生じるため、通常、金属が用いられている。このため、
光検出器2とホルダー5との絶縁を目的として光検出器
5の周辺にベーク材等の有機物からなる絶縁物6を配置
し、その上にホルダー5を取付け、さらに、そのホルダ
ー5を投射レンズ1のホルダー7に取付けたり、光学ヘ
ッド本体に取付けたりして、いた。
しかしながら、上記絶縁物6については、熱膨張率や吸
湿性等の特性は全く無視されていたため、この絶縁物6
の熱膨張や吸湿等により光検出器2の位置ずれが生じる
。しかも、絶縁物6と光検出器2との問および絶縁物6
とホルダー5との間は接着剤8,8にて固定が行われて
いるため、この接着剤自体も有機物であることから、層
が薄いとはいえ位置ずれの原因となる。したがって、焦
点ぼけ検出の誤動作の原因となる。
湿性等の特性は全く無視されていたため、この絶縁物6
の熱膨張や吸湿等により光検出器2の位置ずれが生じる
。しかも、絶縁物6と光検出器2との問および絶縁物6
とホルダー5との間は接着剤8,8にて固定が行われて
いるため、この接着剤自体も有機物であることから、層
が薄いとはいえ位置ずれの原因となる。したがって、焦
点ぼけ検出の誤動作の原因となる。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、温度変化に対して光軸がずれ難く、
安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができるようにし
た光学ヘッドを提供することにある。
的とするところは、温度変化に対して光軸がずれ難く、
安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができるようにし
た光学ヘッドを提供することにある。
(発明の概要)
本発明は、上記目的を達成するために、光検出器のフレ
ームを金属で形成し、さらに、絶縁コーティングを施し
たことを特徴とするものである。
ームを金属で形成し、さらに、絶縁コーティングを施し
たことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第1図〜第5図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第3図は本発明に係る光学ヘッドを°用いた情報記録再
生装置を示すもので、この図中21は光ディスク(情報
記憶媒体)である。この光ディスク21は、一対の円板
状透明プレート22.23を内外スペーサ24.25を
介して貼り合せて形成され、その透明プレート22.2
3のそれぞれの内面上には情報記録層としての光反射1
126゜27が蒸着によって形成されている。この光反
射層26.27のそれぞれには、ヘリカルにトラッキン
グガイド28(第4図参照)が形成され、このトラッキ
ングガイド28上にビット29の形で情報が記録される
。また、光ディスク21の中心には孔が穿けられ、ター
ンテーブル30上に光ディスク21が載置された際に、
このターンテーブル30のセンタースピンドル31が光
ディスク21の孔に挿入され、ターンテーブル30と光
ディスク21の回転中心が一致される。ターンテーブル
30のセンタースピンドル31には、さらにチャック装
置32が装着され、このチャック装置32によって光デ
ィスク21がターンテーブル30上に固定される。ター
ンテーブル30は、回転可能に支持台(図示しない)に
よって支持され、駆動モータ33によって一定速度で回
転される。
生装置を示すもので、この図中21は光ディスク(情報
記憶媒体)である。この光ディスク21は、一対の円板
状透明プレート22.23を内外スペーサ24.25を
介して貼り合せて形成され、その透明プレート22.2
3のそれぞれの内面上には情報記録層としての光反射1
126゜27が蒸着によって形成されている。この光反
射層26.27のそれぞれには、ヘリカルにトラッキン
グガイド28(第4図参照)が形成され、このトラッキ
ングガイド28上にビット29の形で情報が記録される
。また、光ディスク21の中心には孔が穿けられ、ター
ンテーブル30上に光ディスク21が載置された際に、
このターンテーブル30のセンタースピンドル31が光
ディスク21の孔に挿入され、ターンテーブル30と光
ディスク21の回転中心が一致される。ターンテーブル
30のセンタースピンドル31には、さらにチャック装
置32が装着され、このチャック装置32によって光デ
ィスク21がターンテーブル30上に固定される。ター
ンテーブル30は、回転可能に支持台(図示しない)に
よって支持され、駆動モータ33によって一定速度で回
転される。
また、34はリニアアクチュエータ35あるいは回転ア
ームによって光ディスク21の半径方向に移動可能に設
けられた光学ヘッドであり、この光学ヘッド34内には
レーザービームLを発生する半導体レーザー(光源)3
6が設けられている。
ームによって光ディスク21の半径方向に移動可能に設
けられた光学ヘッドであり、この光学ヘッド34内には
レーザービームLを発生する半導体レーザー(光源)3
6が設けられている。
そして、情報を光ディスク21に書き込むに際しては、
書き込むべき情報に応じてその光強度が変調されたレー
ザービームLが半導体レーザ36から発生され、情報を
光ディスク21から読み出す際には、一定の光強度を有
するレーザービームLが半導体レーザー36から発生さ
れる。半導体し−ザー36から発生された発散性のレー
ザービームLは、コリメーターレンズ37によって平行
光束に変換され、偏光ビームスプリッタ38に向けられ
る。偏光ビームスプリッタ38で反射した平行レーザー
ビームLは、1/4波長板39を通過して対物レンズ4
0に入射され、この対物レンズ40によって光ディスク
21の光反射層26に向けて集束される。対物レンズ4
0は、ボイスコイル41によってその光軸方向に移動可
能に支持され、対物レンズ40が所定位置に位置される
と、この対物レンズ40から発せられた集束性レーザー
ビームLのビームウェストが光反射層26の表面上に投
射され、最小ビームスポットが光反射層26の表面上に
形成される。この状態において、対物レンズ40は合焦
点状態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能
となる。そして、情報を書き込む際には、光強度変調さ
れたレーザービームLによって光反射!5126上のト
ラッキングガイド28にビット29が形成され、情報を
読み出す際には、一定の光強度を有するレーザービーム
Lが、トラッキングガイド28に形成されたビット29
によって光強度変調されて反射される。
書き込むべき情報に応じてその光強度が変調されたレー
ザービームLが半導体レーザ36から発生され、情報を
光ディスク21から読み出す際には、一定の光強度を有
するレーザービームLが半導体レーザー36から発生さ
れる。半導体し−ザー36から発生された発散性のレー
ザービームLは、コリメーターレンズ37によって平行
光束に変換され、偏光ビームスプリッタ38に向けられ
る。偏光ビームスプリッタ38で反射した平行レーザー
ビームLは、1/4波長板39を通過して対物レンズ4
0に入射され、この対物レンズ40によって光ディスク
21の光反射層26に向けて集束される。対物レンズ4
0は、ボイスコイル41によってその光軸方向に移動可
能に支持され、対物レンズ40が所定位置に位置される
と、この対物レンズ40から発せられた集束性レーザー
ビームLのビームウェストが光反射層26の表面上に投
射され、最小ビームスポットが光反射層26の表面上に
形成される。この状態において、対物レンズ40は合焦
点状態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能
となる。そして、情報を書き込む際には、光強度変調さ
れたレーザービームLによって光反射!5126上のト
ラッキングガイド28にビット29が形成され、情報を
読み出す際には、一定の光強度を有するレーザービーム
Lが、トラッキングガイド28に形成されたビット29
によって光強度変調されて反射される。
光ディスク21の光反射層26から反射された発散性の
レーザービームLは、合焦点時には対物レンズ40によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板30を通過
して偏光ビームスプリッタ38に戻される。レーザービ
ームLが174波長板39を往復することによってレー
ザービームLは、偏光ビームスプリッタ38で反射した
際に比べて偏波面が90度回転し、この90度だけ偏波
面が回転したレーザービームLは、偏光ビームスプリッ
タ38で反射されず、この偏光ビームスプリッタ38を
通過することとなる。偏光ビームスプリッタ38を通過
したレーザービームLはハーフミラ−42によって2系
統に分けられ、その一方は、第1の投射レンズ43によ
って第1の光検出器44に照射される。この第1の光検
出器44で検出された第1の信号は、光ディスク21に
記録された情報を含み、信号処理装置45に送られてデ
ジタルデータに変換される。ハーフミラ−42によって
分けられた他方のレーザービームLは、遮光板(光抜出
部材)46によって光軸47に対し非対称に抜出され、
第2の投射レンズ48を通過した後筒2の光検出器49
に入射される。第2の光検出器49で検出された信号は
、フォーカス信号発生器50で処理され、このフォーカ
ス信号がボイスコイル駆動回路51に与えられる。ボイ
スコイル駆動回路51は、フォーカス信号に応じてボイ
スコイル41を駆動し、対物レンズ40を合焦点状態に
維持する。
レーザービームLは、合焦点時には対物レンズ40によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板30を通過
して偏光ビームスプリッタ38に戻される。レーザービ
ームLが174波長板39を往復することによってレー
ザービームLは、偏光ビームスプリッタ38で反射した
際に比べて偏波面が90度回転し、この90度だけ偏波
面が回転したレーザービームLは、偏光ビームスプリッ
タ38で反射されず、この偏光ビームスプリッタ38を
通過することとなる。偏光ビームスプリッタ38を通過
したレーザービームLはハーフミラ−42によって2系
統に分けられ、その一方は、第1の投射レンズ43によ
って第1の光検出器44に照射される。この第1の光検
出器44で検出された第1の信号は、光ディスク21に
記録された情報を含み、信号処理装置45に送られてデ
ジタルデータに変換される。ハーフミラ−42によって
分けられた他方のレーザービームLは、遮光板(光抜出
部材)46によって光軸47に対し非対称に抜出され、
第2の投射レンズ48を通過した後筒2の光検出器49
に入射される。第2の光検出器49で検出された信号は
、フォーカス信号発生器50で処理され、このフォーカ
ス信号がボイスコイル駆動回路51に与えられる。ボイ
スコイル駆動回路51は、フォーカス信号に応じてボイ
スコイル41を駆動し、対物レンズ40を合焦点状態に
維持する。
次に、第3図に示した合焦点を検出するための光学系は
、単純化して示すと、第4図のようになり、合焦点検出
に関するレーザービームLの軌跡は、第5図(a)(b
)(c)に示すように描かれる。対物レンズ40が合焦
点状態にある際には、光反射層26上にビームウェスト
が投射され、最小ビームスポット、すなわちビームウェ
ストスポット52が光反射層26上に形成される。通常
、半導体レーザー36から対物レンズ4oに入射される
レーザービームLは平行光束であるから、ビームウェス
トは対物レンズ40の焦点上に形成される。しかしなが
ら、対物レンズ40に半導体レーザー36から入射され
るレーザービームLがわずかに発散域あるいは収束して
いる場合には、ビームウェストは対物レンズ40の焦点
近傍に形成される。ここで、光検出器40の受光面は合
焦点状態においてそのビームウェストスポット52の結
像面に配置されている(なお、結像面近傍に配置しても
よい。)。したがって、合焦点時には、ビームウェスト
スポット52の像が光検出器49の受光面の中心に形成
される。
、単純化して示すと、第4図のようになり、合焦点検出
に関するレーザービームLの軌跡は、第5図(a)(b
)(c)に示すように描かれる。対物レンズ40が合焦
点状態にある際には、光反射層26上にビームウェスト
が投射され、最小ビームスポット、すなわちビームウェ
ストスポット52が光反射層26上に形成される。通常
、半導体レーザー36から対物レンズ4oに入射される
レーザービームLは平行光束であるから、ビームウェス
トは対物レンズ40の焦点上に形成される。しかしなが
ら、対物レンズ40に半導体レーザー36から入射され
るレーザービームLがわずかに発散域あるいは収束して
いる場合には、ビームウェストは対物レンズ40の焦点
近傍に形成される。ここで、光検出器40の受光面は合
焦点状態においてそのビームウェストスポット52の結
像面に配置されている(なお、結像面近傍に配置しても
よい。)。したがって、合焦点時には、ビームウェスト
スポット52の像が光検出器49の受光面の中心に形成
される。
すなわち、第5図(a)に示すように、ビームウェスト
スポット52が光反射層26上に形成され、この光反射
層26で反射されたレーザービームLは対物レンズ40
によって平行光束に変換されて遮光板46に向けられる
。そして、遮光板46によって光軸47に対し非対称に
抜出され、投射レンズ48によって収束され、光検出器
49上で最小に絞られ、ビームウェスト像がその上に形
成される。次に、対物レンズ40が光反射層26に向け
て近接すると、ビームウェストは、第5図(b)に示す
ように、レーザービームLが光反射層26で反射されて
生ずる。すなわち、ビームウェストは対物レンズ40と
光反射層26との間に生ずる。このような非合焦点時に
おいては、ビームウェストは、通常、対物レンズ40の
焦点距離内に生ずることから、ビームウェストが光点と
して機能すると仮定すれば明らかなように光反射層26
で反射され、対物レンズ40から射出されるレーザービ
ームLは対物レンズ40によって発散性のレーザービー
ムLに変換される。遮光板46を通過したレーザービー
ムL成分も同様に発散性であることから、このレーザー
ビームL成分が投射レンズ48によって集束されても光
検出器49の受光面上で最小に絞られず、光検出器49
よりも遠い点に向かって集束されることとなる。したが
って、光検出器49の受光面の中心から図中上方に向か
ってレーザービームL成分は投射され、その受光面上に
はビームスポット像よりも大きなパターンが形成される
。さらに、第5図(C)に示すように、対物レンズ40
が光反射層26から離間された場合には、レーザービー
ムLは、ビームウェストを形成した後、光反射層26で
反射される。このような非合焦点時には、対物レンズ4
0の焦点距離外であって対物レンズ40と光反射層26
との間に形成されることから、対物レンズ40から遮光
板46に向かう反射レーザービームLは集束性を有する
こととなる。したがって、遮光板46を通過したレーザ
ービームL成分は投射レンズ48によってさらに収束さ
れ、収束点を形成した後、光検出器49の受光面上に投
射される。その結果、光検出器49の受光面上にはビー
ムウェストスポット52の像よりも大きなパターンが中
心から図中下方に形成される。
スポット52が光反射層26上に形成され、この光反射
層26で反射されたレーザービームLは対物レンズ40
によって平行光束に変換されて遮光板46に向けられる
。そして、遮光板46によって光軸47に対し非対称に
抜出され、投射レンズ48によって収束され、光検出器
49上で最小に絞られ、ビームウェスト像がその上に形
成される。次に、対物レンズ40が光反射層26に向け
て近接すると、ビームウェストは、第5図(b)に示す
ように、レーザービームLが光反射層26で反射されて
生ずる。すなわち、ビームウェストは対物レンズ40と
光反射層26との間に生ずる。このような非合焦点時に
おいては、ビームウェストは、通常、対物レンズ40の
焦点距離内に生ずることから、ビームウェストが光点と
して機能すると仮定すれば明らかなように光反射層26
で反射され、対物レンズ40から射出されるレーザービ
ームLは対物レンズ40によって発散性のレーザービー
ムLに変換される。遮光板46を通過したレーザービー
ムL成分も同様に発散性であることから、このレーザー
ビームL成分が投射レンズ48によって集束されても光
検出器49の受光面上で最小に絞られず、光検出器49
よりも遠い点に向かって集束されることとなる。したが
って、光検出器49の受光面の中心から図中上方に向か
ってレーザービームL成分は投射され、その受光面上に
はビームスポット像よりも大きなパターンが形成される
。さらに、第5図(C)に示すように、対物レンズ40
が光反射層26から離間された場合には、レーザービー
ムLは、ビームウェストを形成した後、光反射層26で
反射される。このような非合焦点時には、対物レンズ4
0の焦点距離外であって対物レンズ40と光反射層26
との間に形成されることから、対物レンズ40から遮光
板46に向かう反射レーザービームLは集束性を有する
こととなる。したがって、遮光板46を通過したレーザ
ービームL成分は投射レンズ48によってさらに収束さ
れ、収束点を形成した後、光検出器49の受光面上に投
射される。その結果、光検出器49の受光面上にはビー
ムウェストスポット52の像よりも大きなパターンが中
心から図中下方に形成される。
次に、上記光検出器49についてさらに説明を加える。
第1図および第2図に示すように、光検出器49はホル
ダー54に支持されている。すなわち、光検出器49は
、光検出領域55と、これを支持するフレーム56とか
らなり、このフレーム56は金属で形成され、それ自体
が電極となっている。また、ホルダー54は、その熱膨
張率が大きいとホルダー54の動きにより光検出器49
が位置ずれを生じるため、通常、金属が用いられている
。そして、光検出器49のフレーム56は1、′ 光
検出器49のフレーム56とホルダー54との・・
絶縁を目的として絶縁コーティングが施されてい一゛
る。また、光検出器49とホルダー54との間の固定
は、固定ねじ58により行われている。なお、この固定
ねじ58は、金属のねじだとコーチイン・ グが剥が
れる虞れがあるので、有機物等の絶縁物よりなるねじが
良い。さらに、このように光検出器49を保持したホル
ダー54は投射レンズ48のホルダー59にねじ60.
60により取付けられている。
ダー54に支持されている。すなわち、光検出器49は
、光検出領域55と、これを支持するフレーム56とか
らなり、このフレーム56は金属で形成され、それ自体
が電極となっている。また、ホルダー54は、その熱膨
張率が大きいとホルダー54の動きにより光検出器49
が位置ずれを生じるため、通常、金属が用いられている
。そして、光検出器49のフレーム56は1、′ 光
検出器49のフレーム56とホルダー54との・・
絶縁を目的として絶縁コーティングが施されてい一゛
る。また、光検出器49とホルダー54との間の固定
は、固定ねじ58により行われている。なお、この固定
ねじ58は、金属のねじだとコーチイン・ グが剥が
れる虞れがあるので、有機物等の絶縁物よりなるねじが
良い。さらに、このように光検出器49を保持したホル
ダー54は投射レンズ48のホルダー59にねじ60.
60により取付けられている。
以上の格成によれば、光検出器49のフレーム56を金
属とし、さらに絶縁コーティングを施したので、光検出
器49のフレーム56とホルダー゛ 54との間に
絶縁物を介在させる必要がなくなる。
属とし、さらに絶縁コーティングを施したので、光検出
器49のフレーム56とホルダー゛ 54との間に
絶縁物を介在させる必要がなくなる。
したがって、部品点数が減り、製造性が上がるだけでな
く、部品同志の接合面が1箇所に減り、外部環境による
動きの要因も取り除かれる。しかも、ホルダー54およ
び光検出器49のフレーム56が金属であることから、
温度、湿度等による環境変化に対して光検出器49の位
δずれ(光軸ずれ)を生じ難くなり、焦点ぼけ検出の誤
動作を防止することができる。
く、部品同志の接合面が1箇所に減り、外部環境による
動きの要因も取り除かれる。しかも、ホルダー54およ
び光検出器49のフレーム56が金属であることから、
温度、湿度等による環境変化に対して光検出器49の位
δずれ(光軸ずれ)を生じ難くなり、焦点ぼけ検出の誤
動作を防止することができる。
しかも、光検出器49とホルダー54との門の固定は接
着剤を用いないで固定ねじ58により行うようにしたの
で、さらに位置ずれを防止することができる。
着剤を用いないで固定ねじ58により行うようにしたの
で、さらに位置ずれを防止することができる。
なお、本発明は、上記実施例では焦点ぼけ検出を行なう
第2の光検出器49に適用したが、これに限ることはな
く、トラックずれ検出を行なう第1の検出器44に適用
してもよい。
第2の光検出器49に適用したが、これに限ることはな
く、トラックずれ検出を行なう第1の検出器44に適用
してもよい。
さらに、合焦点時を検出する光学系としては、上記実施
例のものの他に、第6図〜第9図に示すものがあり、本
発明はこのような光学系にも適用でき、また、これら以
外に、光ディスク21の光反射層26に対する結像位置
あるいはその近傍に光検出器49を配置し、焦点がぼけ
たときスボツトの中央が光検出器49上で移動するよう
にして焦点ぼけ検出を行なうあらゆる光学系に対して適
用することができる。なお、第6図に示す光学系におい
ては、レーザービームLが対物レンズ40の光軸47に
対して斜め方向から入射されて光反射層26に照射され
ている。この場合においても、対物レンズ40から投射
レンズ48に破線で示すように収束性のレーザービーム
Lが照射され、光反射層26が近付くと、対物レンズ4
0から投射レンズ48に一点鎖線で示すように発散性の
レーザービームLが照射されることとなる。したがって
、投射レンズ48から光検出器49に向うレーザービー
ムLは焦点ぼけの程度に応じて偏向され、光検出器49
の受光面上ではスポットパターンの大きさが変化すると
ともにその投射位置が偏位されることとなる。第7図に
示す光学系においては、投射レンズ48と光検出器49
との間にパイプリズム71が設けられている。したがっ
て、レーザービームLは、合焦点時には実線で示す軌跡
を描き、非合焦点時にはパイプリズム71によって偏向
される。第8図に示す光学系においては、対物レンズ4
0および投射レンズ48で定まるビームウェストの結像
点にミラー72が設けられ、そのミラー72上の像を光
検出器4つ上に結像するレンズ73がミラー72と光検
出器49との間に設けられている。そして、合焦点時に
はミラー72上に向ってレーザービームLが実線で示す
ように集束されるのに対し、非合焦点時には破線または
一点鎖線で示す集束性または発散性のレーザービームL
が投射レンズ48によって集束されることになり、結果
としてレーザービームLがミラー72によって偏向され
ることになる。さらに、第9図に示す光学系においては
、光軸47から離間した領域を通り光軸47に平行にレ
ーザービームLが対物レンズ40に照射されている。こ
の場合においても、対物レンズ40と光反射層26との
間の距離に依存して投射レンズ48から光検出器49に
向うレーザービームLは偏向されることになる。
例のものの他に、第6図〜第9図に示すものがあり、本
発明はこのような光学系にも適用でき、また、これら以
外に、光ディスク21の光反射層26に対する結像位置
あるいはその近傍に光検出器49を配置し、焦点がぼけ
たときスボツトの中央が光検出器49上で移動するよう
にして焦点ぼけ検出を行なうあらゆる光学系に対して適
用することができる。なお、第6図に示す光学系におい
ては、レーザービームLが対物レンズ40の光軸47に
対して斜め方向から入射されて光反射層26に照射され
ている。この場合においても、対物レンズ40から投射
レンズ48に破線で示すように収束性のレーザービーム
Lが照射され、光反射層26が近付くと、対物レンズ4
0から投射レンズ48に一点鎖線で示すように発散性の
レーザービームLが照射されることとなる。したがって
、投射レンズ48から光検出器49に向うレーザービー
ムLは焦点ぼけの程度に応じて偏向され、光検出器49
の受光面上ではスポットパターンの大きさが変化すると
ともにその投射位置が偏位されることとなる。第7図に
示す光学系においては、投射レンズ48と光検出器49
との間にパイプリズム71が設けられている。したがっ
て、レーザービームLは、合焦点時には実線で示す軌跡
を描き、非合焦点時にはパイプリズム71によって偏向
される。第8図に示す光学系においては、対物レンズ4
0および投射レンズ48で定まるビームウェストの結像
点にミラー72が設けられ、そのミラー72上の像を光
検出器4つ上に結像するレンズ73がミラー72と光検
出器49との間に設けられている。そして、合焦点時に
はミラー72上に向ってレーザービームLが実線で示す
ように集束されるのに対し、非合焦点時には破線または
一点鎖線で示す集束性または発散性のレーザービームL
が投射レンズ48によって集束されることになり、結果
としてレーザービームLがミラー72によって偏向され
ることになる。さらに、第9図に示す光学系においては
、光軸47から離間した領域を通り光軸47に平行にレ
ーザービームLが対物レンズ40に照射されている。こ
の場合においても、対物レンズ40と光反射層26との
間の距離に依存して投射レンズ48から光検出器49に
向うレーザービームLは偏向されることになる。
以上説明したように本発明によれば、集束光を用い情報
記憶媒体から少なくとも情報を読取ることが可能で、光
源と、この光源から発せられた光を上記情報記憶媒体上
に集光するための対物レンズと、上記情報記憶媒体から
射出した光を検出する光検出器と、この光検出器を支持
するホルダーとを備え、しかも、上記光検出器は、光を
検出する光検出領域と、この光検出領域を支持するフレ
ームとを設けて構成した光学ヘッドにおいて、上記光検
出器のフレームは、金属で形成し、さらに、絶縁コーテ
ィングを施したから、温度変化に対して光軸がずれ難く
、安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができる等の優
れた効果を奏する。
記憶媒体から少なくとも情報を読取ることが可能で、光
源と、この光源から発せられた光を上記情報記憶媒体上
に集光するための対物レンズと、上記情報記憶媒体から
射出した光を検出する光検出器と、この光検出器を支持
するホルダーとを備え、しかも、上記光検出器は、光を
検出する光検出領域と、この光検出領域を支持するフレ
ームとを設けて構成した光学ヘッドにおいて、上記光検
出器のフレームは、金属で形成し、さらに、絶縁コーテ
ィングを施したから、温度変化に対して光軸がずれ難く
、安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができる等の優
れた効果を奏する。
第1図〜第5図は本発明の一実施例を示すもので、第1
図は光検出器部分を示す縦断側面図、第2図は同じく光
検出器部分を示す正面図、第3図は情報記録再生装置を
概略的に示すブロック図、第4図は焦点ぼけ検出用光学
系を示す斜視図、第5図(a)(b)(c)は同光学系
の合焦点時および非合焦点時におけるレーザービームの
軌跡を示す説明図、第6図〜第9図は他の焦点ぼけ検出
用光学系を示す図、第10図および第11図は従来例を
示すもので、第10図は光検出器部分を示す縦断側面図
、第11図は同じく光検出器部分を示す正面図である。 21・・・情報記憶媒体(光ディスク)、36・・・光
源(半導体レーザー)、40・・・対物レンズ、49・
・・第2の光検出器、54・・・ホルダー、55・・・
光検出領域、56・・・フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
第2図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 ら
図は光検出器部分を示す縦断側面図、第2図は同じく光
検出器部分を示す正面図、第3図は情報記録再生装置を
概略的に示すブロック図、第4図は焦点ぼけ検出用光学
系を示す斜視図、第5図(a)(b)(c)は同光学系
の合焦点時および非合焦点時におけるレーザービームの
軌跡を示す説明図、第6図〜第9図は他の焦点ぼけ検出
用光学系を示す図、第10図および第11図は従来例を
示すもので、第10図は光検出器部分を示す縦断側面図
、第11図は同じく光検出器部分を示す正面図である。 21・・・情報記憶媒体(光ディスク)、36・・・光
源(半導体レーザー)、40・・・対物レンズ、49・
・・第2の光検出器、54・・・ホルダー、55・・・
光検出領域、56・・・フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
第2図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 ら
Claims (2)
- (1)集束光を用い情報記憶媒体から少なくとも情報を
読取ることが可能で、光源と、この光源から発せられた
光を上記情報記憶媒体上に集光するための対物レンズと
、上記情報記憶媒体から射出した光を検出する光検出器
と、この光検出器を支持するホルダーとを備え、しかも
、上記光検出器は、光を検出する光検出領域と、この光
検出領域を支持するフレームとを設けて構成した光学ヘ
ッドにおいて、上記光検出器のフレームは、金属で形成
し、さらに、絶縁コーティングを施したことを特徴とす
る光学ヘッド。 - (2)光検出器は少なくとも焦点ぼけ検出に用いられる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8531385A JPS61243950A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8531385A JPS61243950A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 光学ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61243950A true JPS61243950A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13855115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8531385A Pending JPS61243950A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61243950A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01112535A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-01 | Nec Home Electron Ltd | 光ヘッド |
WO2024057536A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | ギガフォトン株式会社 | ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8531385A patent/JPS61243950A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01112535A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-01 | Nec Home Electron Ltd | 光ヘッド |
WO2024057536A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | ギガフォトン株式会社 | ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法 |
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