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JPS61229335A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS61229335A
JPS61229335A JP7025085A JP7025085A JPS61229335A JP S61229335 A JPS61229335 A JP S61229335A JP 7025085 A JP7025085 A JP 7025085A JP 7025085 A JP7025085 A JP 7025085A JP S61229335 A JPS61229335 A JP S61229335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
lead
film
protrusion
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7025085A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenzo Hatada
畑田 賢造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7025085A priority Critical patent/JPS61229335A/ja
Publication of JPS61229335A publication Critical patent/JPS61229335A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子の電極パッドと外部回路とを簡便
如接続することのできる半導体装置に関するものである
従来の技術 近年、半導体素子を多数個用いるデバイス、機器の開発
が促進されてきている。例えば、メモリーカード、液晶
やKLディスプレイパネル等があシ、これらは、いずれ
も多数個のxc、x、sxを一定の面積を有する基板に
、高密度にしかも薄型に搭載しなければならない。これ
らIc、Lsxの実装手段として、フィルムキャリヤ方
式やフリ、ブチツブ方式が公知である。
上記いずれの方式においても、第6図(図にはフィルム
キャリヤ方式での例を示している)の如くウェハ一段階
で、Ti−Pa−ムu、0r−Cu−Au等のバリヤメ
タルと呼ばれる多層金属膜14を蒸着、スパッター法で
全面に被着し1次いで半導体素子1のアルミ電極2近傍
のみを開孔する様に。
感光性樹脂を塗布し、フォトエツチング法によ〕前記ア
ルミ電極近傍に、アルミ電極上ほぼ同寸の形状の開孔を
形成する。
前記開孔に電解メッキ法により、フリップチップ方式で
あれば半田、フィルムギヤリヤ方式であれば、ムu、C
u等を10〜30μm厚に形成し、前記半導体素子のア
ルミ電極上に金属突起15を形成し1次いで不要の感光
性樹脂および多層金属膜を除去するものである。
、ブリップチップ方式においては、配線基板との配線パ
ターンと前記半導体素子の金属突起とを位置合せし、加
熱せしめて、半田づけ固定するものである。
一方フィ〃ムキャリャ方式においては、長尺のガラス人
ジェポキシやポリイミド樹脂テープ上に形成した銅箔を
エツチング加工し、Snメッキ処理したフィルムリード
13と、前記半導体素子1の金属突起15とを加圧、加
熱せしめて接合するものである。
発明が解決しようとする問題点 ブリップチップ方式の場合は、電気的接続と配線基板と
への半導体素子の固定とを前記半田づけ固定した位置で
行なうもので、外部からの熱や機械的歪によυ配線基板
が膨張したシそったシした場合には、前記半田づけ位置
が強固に固定されているので、その変化に充分に対応で
きなくなり、接続部や半導体素子自体の破損をまねいて
いた。
また、フィルムキャリヤ方式においては、半導体素子と
の金属突起とフィルムリードとを接続し。
の変化に充分に対応できるものの、半導体素子の電:!
iiJ:に金属突起を形成しなければならない。
このために、半導体素子の歩留シを低下せしめたシ、製
造コヌドを高価にしていた。前記金属突起を形成するこ
とは、前記フリップチップ方式の場合でも同一であシ、
同一の問題があった。
問題点を解決するだめの手段 半導体素子の電極上回路基板の配線パターンの接続にお
いて、半導体素子の電極丘には何らの処理をすることな
く突起を有するフィルムリードを前記電極に圧接し、更
にフィルムリード、)、FC板状部材を載置し、これを
樹脂材で固定するこ上に着目するこ上により、接続部の
膨張やそりを吸収できこれにより接続不良やコスト高を
一掃できるものである。
作用 フィルムリードは板状部材と半導体素子表面との間に介
在した樹脂により、半導体素子のアルミ電極に圧接され
、電極的接触を得る事ができる。
実施例 以下1本発明の一実施例について第1図〜第6図ととも
に説明する。第1図は本実施例における半導体装置を示
し、半導体素子1のアルミ電極2には前記アルミ電極2
の位置に合致した突起4を有するフィルムリード3が接
し、前記フィルムリード3の突起4を形成していない反
対面には金属もしくは絶縁性の部材6が載置され、前記
部材5と半導体素子1との間には固着剤eが介在してお
り、少なくとも固着剤6によりフィルムリード3の突起
4と半導体素子1のアルミ電極2とは接合されているも
のである。
次に本実施例装置の製造方法について第2図を用いて説
明する。フィルムリード3は35〜150μm厚の一層
銅箔テープをエツチング加工し、リード部分と突起部分
を形成、あるいは長尺のポリイミド、ガラス入シエポキ
ン樹脂テープに36〜160μmの銅箔を貼シつけ、上
記・と同様の処理加工をする事もできる。前記フィルム
リード3にはSn、Au等のメッキ処理が施こされ、突
起4の位置は半導体素子1のアルミ電極2と対応した位
置であって、アルミ電極は無処理でも良いが、更に接触
抵抗を低減させるため、薄いAu膜を形成する事もでき
る。部材6はガラス等の透明材料あるいは、樹脂、セラ
ミック等の絶縁材料、絶縁膜処理した金属材料を用いる
もので、部材6が透明であれば、固着剤としてU−マ硬
化型の樹脂を用いる事ができるし、絶縁膜処理した金属
材料あるいは放熱特性の良い部材を用いれば、半導体素
子の放熱効果を著しるしく高める事ができる。
先ず、フィルムリード3の突起4と半導体素子1のアt
vミ電極2とを位置合せし、固着剤を半導体素子10表
面に置き、次いで部材5をフィルムリード3上に載置し
、加圧する。固着材は有機もしくは無機タイプのいずれ
のものを用いる事ができ有機タイプのものでも、光、熱
のいずれの方式で硬化、固着するものであっても良い。
例えば1部材を加圧した時、瞬間的に接着効果を得る事
ができる瞬間接着型の固着剤でも効果が得られる。
また前記固着剤は液状あるいはシート状のいづれの状態
を有しても良く、その用い方は半導体素子1の表面に固
着剤を載置しておいてからフィルムリード3を接触させ
る方法、半導体素子1とフィルムリード3とを接触させ
てから固着剤を載置する方法あるいは、半導体素子1と
フィルムリード3とを接触させておき部材6の方に固着
剤を適用する方法等を用いる事ができる。
更に述べれば、これまで半導体素子1の電極2とフィル
ムリード3を位置合せしておいてから。
固着剤を介して部材で固定する方法をのべたが。
半導体素子1の電極2とフィルムリード3とを位置合せ
しておいて、この状態で両者を加圧、加熱し、圧接し、
少なくとも微弱な接合強度が得られる状態にしておいて
から、固着剤を介して部材で固定しても良い。この場合
は、あらかじめ圧接しであるから、フィルムリードと電
極間の接触抵抗を著じるしく小さくできるものである。
またフィルムリードの突起と半導体素子の電極上の接触
界面に固着剤が存在するが、微視的に見れば、突起およ
び電極表面は著じるしく沢山の凹凸が形成された状態で
あるから凸部領域では電気的接合が得られ、凹部領域の
固着剤が入りこんだ領域においては固着剤により機械的
な接合が得られるものである。
第3図は部材6の形状の他の実施例を示したものである
。第3図(&)は部材6の一面において、半導体素子1
の電極2に相当する領域に突起7が形成された構成で1
部材5を加圧して固着剤を硬化させる工程において1部
材6の突起7によりフィルムリード3と電極2に集中的
に圧力が加わるため、良好な電気的接合が得られるもの
である。
第3図(b)は、フィルムリード3の突起の内側領域に
位置する部分に突起8を形成した部材を用いタモので1
部材6の突起8により、フィルムリード3の突起の位置
が固定されるから、仮に部材6と半導体素子1の寸法を
ほぼ等しい状態にしておくと1位置合せの時1部材5と
半導体素子1の外寸のみでフィルムリード3の突起と電
極上が自動的に位置合せが行なわれる。したがって位置
合せの工程が著しるしく単純化されるものである。
第3図(c)は、半導体素子1の表面に棒材9を設けて
おき、−力部材6には前記棒材9に合致する孔1oを形
成しておけば、単に棒材9に部材5をはめこむだけでフ
ィルムリード3の突起と電極2との位置合せを行なう事
ができるものである。
次に他の実施例について第4図とともに説明する。第4
図の構成は部材20とフィルムリード3とがあらかじめ
固定された構造で、この様な構成にあっては1部材20
もしくは半導体素子側に固着剤を置いて1位置合せし、
圧接、固定すれば良いから、接合工程が著じるしく簡単
である。また部材20が透明体であれば位置合せが著じ
るしく容易になるが1例えば部材20をポリイミドやエ
ポキシ等で形成すれば1通常のフィルムキャリヤ方式を
用いて、フィルムリードを形成すると同時に部材も構成
できる。
第6図の構成は、部材20には一体に形成されたフィル
ムリード3と予備リード21が形成されている。予備リ
ード21は、折曲げられ、半導体素子1の外寸と合致す
る寸法に成形され、第6図1冑は、折曲げられた予備り
、−ド21は一本しか存在しないが、少なくとも半導体
素子10周縁に複数本形成されるものである。この構成
においては、折曲げた予備のリード21に合致する様に
半導体素子1を挿入するのみでフィルムリード3の突起
と半導体素子1の電極2とが位置合せされるので位置合
せが著じるしく容易となるものである。
発明の効果 以上のように本発明によれば、半導体素子のアルミ電極
上に多層金属膜の形成や、メッキ、フォトエツチング等
の工程が不要で、単に半導体素子のアルミ電極上フィル
ムリードとを位置合せし。
部材を置き、接着固定するのみでフィルムリードとの接
合が簡単に得られる。したがって、従来の方法に対し、
大型の処理設備が不要で、製造工程が著しるしく簡単に
なるばかシか、従来の如くの処理工程を必要としないの
で、半導体素子の歩留シも著しるしく向上するものであ
る。
また従来のフィルムキャリヤ方式では半導体素手導体素
子のみをフィルムリードと接合するから。
製造の効率が良いばかシか、製造コストも安価になるも
のである。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第2図は同装置の分解斜視図、第3図は同装置の製造
方法を説明するための断面図、第4図は本発明の他の実
施例を示す斜視図、第6図は同断面図、第6図は従来の
半導体装置の断面図である。 1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・電極、3・
・・・・・リード。 4・・・・・・リードの凸起、6・・・・・・部材、6
・・・・・・固着剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−−半導体禦子 4−m−リード’)突、起 S−−一旬しオ 6−−一固着刑 第2図 第3図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一主面に突起を有するリードの前記突起を半導体
    素子の電極に接触させ、少なくとも前記突起と反対面の
    リード上に前記半導体素子を覆う部材を載置し、前記部
    材と半導体素子との間に固着剤を介在させた事を特徴と
    する半導体装置。
  2. (2)半導体素子の電極と相対する領域に突起を有する
    部材を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の半導体装置。
  3. (3)少なくともリードの突起表面および半導体素子の
    電極上にAu膜が形成された事を特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の半導体装置。
  4. (4)半導体素子の表面に形成した棒材と前記棒材と合
    致する孔を有する部材を有し、前記棒材に部材の孔をは
    めこんだ事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
    導体装置。
  5. (5)リードが長尺の樹脂テープ上に一体に形成され、
    部材が樹脂テープの一部である事を特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の半導体装置。
  6. (6)半導体素子を覆う樹脂テープが少なくとも半導体
    素子の外寸とほぼ同一で、前記樹脂テープより延在した
    リードの一部が少なくとも半導体素子の外寸と合致する
    如く樹脂テープに対し垂直に折曲げた事を特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP7025085A 1985-04-03 1985-04-03 半導体装置 Pending JPS61229335A (ja)

Priority Applications (1)

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JP7025085A JPS61229335A (ja) 1985-04-03 1985-04-03 半導体装置

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JP7025085A JPS61229335A (ja) 1985-04-03 1985-04-03 半導体装置

Publications (1)

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JPS61229335A true JPS61229335A (ja) 1986-10-13

Family

ID=13426123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7025085A Pending JPS61229335A (ja) 1985-04-03 1985-04-03 半導体装置

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JP (1) JPS61229335A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03125441A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Rohm Co Ltd 電子部品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03125441A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Rohm Co Ltd 電子部品の製造方法

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